JPH04171749A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04171749A JPH04171749A JP2298685A JP29868590A JPH04171749A JP H04171749 A JPH04171749 A JP H04171749A JP 2298685 A JP2298685 A JP 2298685A JP 29868590 A JP29868590 A JP 29868590A JP H04171749 A JPH04171749 A JP H04171749A
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- die pad
- semiconductor device
- chip
- heat
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/303—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フラットパッケージ型の半導体装置に関す
る。
る。
第3図は一般のフラットパッケージ型の半導体装置の斜
視図であり、薄いモールド樹脂1から複数の外部電極リ
ード2が導出された外形を有する。
視図であり、薄いモールド樹脂1から複数の外部電極リ
ード2が導出された外形を有する。
ところで、この種の半導体装置の内部は、例えば第4図
に示すようになっており、リードフレームのダイパッド
部3上に半導体チップ4が搭載され、Pb−3n系半田
等の接合剤5によってチップ4がダイパッド部3に固定
され、金線6によりチップ4の各ポンディングパッドと
各外部電極リード2とがそれぞれ接続されたのち、ダイ
パッド部3.チップ4.金線6と外部電極リード2の一
部がモールド樹脂1によりモールドされている。
に示すようになっており、リードフレームのダイパッド
部3上に半導体チップ4が搭載され、Pb−3n系半田
等の接合剤5によってチップ4がダイパッド部3に固定
され、金線6によりチップ4の各ポンディングパッドと
各外部電極リード2とがそれぞれ接続されたのち、ダイ
パッド部3.チップ4.金線6と外部電極リード2の一
部がモールド樹脂1によりモールドされている。
従来の場合、通電時にチップ4が発生する熱をダイパッ
ド部3を介して放熱するが、ダイパッド部3が薄<、シ
かもモールド樹脂1によりモールドされているため、チ
ップ4の発熱力5大きい場合にはダイパッド部3を介し
て十分に放熱できず、定常状態での特性評価ができない
という問題点がある。
ド部3を介して放熱するが、ダイパッド部3が薄<、シ
かもモールド樹脂1によりモールドされているため、チ
ップ4の発熱力5大きい場合にはダイパッド部3を介し
て十分に放熱できず、定常状態での特性評価ができない
という問題点がある。
また、高出力ICの場合、チップ4の発熱量も大きくな
り、十分な放熱を行うために、パッケージサイズの大型
化を招き、さらに熱ストレスによって半導体装置の破壊
、劣化などが生じるという問題点もある。
り、十分な放熱を行うために、パッケージサイズの大型
化を招き、さらに熱ストレスによって半導体装置の破壊
、劣化などが生じるという問題点もある。
一方、チップ4の接地は、従来接地用のパッドと接地用
の外部電極リード2とを金線6で接続することにより行
っているが、チップ4が直接接触しているダイパッド部
3を利用すればより確実な接地が期待される。
の外部電極リード2とを金線6で接続することにより行
っているが、チップ4が直接接触しているダイパッド部
3を利用すればより確実な接地が期待される。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、効率の良い放熱を可能にし、半導体装置を
常に定常状態に保ち、正確な特性評価を行えるようにす
ることを目的とする。
れたもので、効率の良い放熱を可能にし、半導体装置を
常に定常状態に保ち、正確な特性評価を行えるようにす
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、複数の外部電極リードを
有するリードフレームのダイパッド部上に半導体チップ
が固定され、ワイヤボンディングされたのち、モールド
樹脂によりモールドされてなるフラットパッケージ型の
半導体装置において、前記ダイパッド部か肉厚に形成さ
れて一部が前記モールド樹脂の外部に突出していること
を特徴としている。
有するリードフレームのダイパッド部上に半導体チップ
が固定され、ワイヤボンディングされたのち、モールド
樹脂によりモールドされてなるフラットパッケージ型の
半導体装置において、前記ダイパッド部か肉厚に形成さ
れて一部が前記モールド樹脂の外部に突出していること
を特徴としている。
この発明においては、リードフレームのダイパッド部が
肉厚に形成されて一部がモールド樹脂の外部に突出して
いるため、突出状態において突出したダイパッド部を実
装基板の放熱部に接触させることによって、半導体チッ
プの発生する熱か効率よく放熱され、このとき実装w板
の放熱部が接地部を兼ねていれば、ダイパッド部を介し
て直接接地することが可能になる。
肉厚に形成されて一部がモールド樹脂の外部に突出して
いるため、突出状態において突出したダイパッド部を実
装基板の放熱部に接触させることによって、半導体チッ
プの発生する熱か効率よく放熱され、このとき実装w板
の放熱部が接地部を兼ねていれば、ダイパッド部を介し
て直接接地することが可能になる。
第1図はこの発明の半導体装置の一実施例の断面図であ
る。
る。
同図において、第4図と相違するのは、リードフレーム
のダイパッド部11を肉厚に形成し、その一部をモール
ド樹脂1の外部に導出したことである。
のダイパッド部11を肉厚に形成し、その一部をモール
ド樹脂1の外部に導出したことである。
このとき、ダイパッド部11の導出量としては、第1図
の半導体装置を平板上に載置したときに、ダイパッド部
11の底面が平板にちょうど接触する程度が適当である
。
の半導体装置を平板上に載置したときに、ダイパッド部
11の底面が平板にちょうど接触する程度が適当である
。
従って、実際に実装基板に第1図の半導体装置を実装す
ると、第2図に示すように、実装基板12の電極13上
に外部電極リード2を載置した状態において、突出した
ダイパッド部11が実装基板12の放熱部]4に接触す
るため、チップ4で発生した熱をダイパッド部1]、放
熱部14を介して効率よく放熱することができ、半導体
装置を定常状態に保って正確な特性評価を行うことが可
能になる。
ると、第2図に示すように、実装基板12の電極13上
に外部電極リード2を載置した状態において、突出した
ダイパッド部11が実装基板12の放熱部]4に接触す
るため、チップ4で発生した熱をダイパッド部1]、放
熱部14を介して効率よく放熱することができ、半導体
装置を定常状態に保って正確な特性評価を行うことが可
能になる。
また、放熱部14が接地部を兼ねている場合には、チッ
プ4の接地用パッドをダイパッド部1]に直接接続して
おくことにより、ダイパッド部1]を介して直接接地す
ることができ、従来のような金線等を介して接地をとる
場合に比べ、より確実に接地することが可能になる。
プ4の接地用パッドをダイパッド部1]に直接接続して
おくことにより、ダイパッド部1]を介して直接接地す
ることができ、従来のような金線等を介して接地をとる
場合に比べ、より確実に接地することが可能になる。
以上のように、この発明の半導体装置によれば、リード
フレームのダイパッド部が肉厚に形成されて一部がモー
ルド樹脂の外部に突出しているため、半導体チップの発
生する熱を効率よく放熱するこ一 4 − とがてき、半導体装置を定常状態に保って11確な特性
評価を行うことができる。
フレームのダイパッド部が肉厚に形成されて一部がモー
ルド樹脂の外部に突出しているため、半導体チップの発
生する熱を効率よく放熱するこ一 4 − とがてき、半導体装置を定常状態に保って11確な特性
評価を行うことができる。
また、実装状態において、実装基板の放熱部か接地部を
兼ねている場合には、この放熱部とダイパッド部との接
触により直接接地することがijJ能になり、より確実
な接地を行うことができる。
兼ねている場合には、この放熱部とダイパッド部との接
触により直接接地することがijJ能になり、より確実
な接地を行うことができる。
第1図はこの発明の半導体装置の一実施例の断面図、第
2図は第1図の装置の実装状態の1「面図、第3図は従
来の半導体装置の斜視図、第4図は第3図の断面図であ
る。 図において、1はモールド樹脂、2は外部電極リード、
4は半導体チップ、6は金線、7はダイパッド部である
。 なお、各図中同一符号は同一または相゛11部分を示す
。 代理人 人 岩 増 雄
2図は第1図の装置の実装状態の1「面図、第3図は従
来の半導体装置の斜視図、第4図は第3図の断面図であ
る。 図において、1はモールド樹脂、2は外部電極リード、
4は半導体チップ、6は金線、7はダイパッド部である
。 なお、各図中同一符号は同一または相゛11部分を示す
。 代理人 人 岩 増 雄
Claims (1)
- (1)複数の外部電極リードを有するリードフレームの
ダイパッド部上に半導体チップが固定され、ワイヤボン
ディングされたのち、モールド樹脂によりモールドされ
てなるフラットパッケージ型の半導体装置において、 前記ダイパッド部が肉厚に形成されて一部が前記モール
ド樹脂の外部に突出していることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298685A JPH04171749A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298685A JPH04171749A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171749A true JPH04171749A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17862957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2298685A Pending JPH04171749A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997027626A1 (en) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit package having enhanced heat dissipation and grounding |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2298685A patent/JPH04171749A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997027626A1 (en) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit package having enhanced heat dissipation and grounding |
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