JPH04171930A - ドライエッチング加工処理方法 - Google Patents
ドライエッチング加工処理方法Info
- Publication number
- JPH04171930A JPH04171930A JP30137590A JP30137590A JPH04171930A JP H04171930 A JPH04171930 A JP H04171930A JP 30137590 A JP30137590 A JP 30137590A JP 30137590 A JP30137590 A JP 30137590A JP H04171930 A JPH04171930 A JP H04171930A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- resist pattern
- dry etching
- side wall
- mask
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造における、シリコン酸化膜
マスクを用いたドライエツチング加工処理方法に関する
ものである。
マスクを用いたドライエツチング加工処理方法に関する
ものである。
第２図（ａ）〜（ｄ）は、従来のシリコン酸化膜マスク
を用いたドライエツチング加工処理方法の一例である。
を用いたドライエツチング加工処理方法の一例である。
図において、１はトライエツチング加工を施すシリコン
基板、２は該シリコン基板ｌ上に形成されたシリコン酸
化膜、３は該シリコン酸化膜２上に形成されたレジスト
パターン、４は該レジストパターン３によりパターニン
グされた上記シリコン酸化膜２をマスクとしてドライエ
ツチング加工を施したことにより形成された側壁に凹み
を有するトレンチである。
基板、２は該シリコン基板ｌ上に形成されたシリコン酸
化膜、３は該シリコン酸化膜２上に形成されたレジスト
パターン、４は該レジストパターン３によりパターニン
グされた上記シリコン酸化膜２をマスクとしてドライエ
ツチング加工を施したことにより形成された側壁に凹み
を有するトレンチである。
次に製造方法を図について説明する。
第２図（ａ）において、ドライエツチング加工処理を施
すシリコン基板１の上にシリコン酸化膜２を形成する。
すシリコン基板１の上にシリコン酸化膜２を形成する。
このシリコン酸化膜２の形成方法は熱酸化法、あるいは
モノシラン等の無機シラン系材料を用いた化学的気相成
長法（ＣＶＤ法）、あるいはＴＥ０１ （テトラ エポ
キシ オルソ シリケイト）等の有機シラン系材料を用
いたＣＶＤ法等、単一の方法である。
モノシラン等の無機シラン系材料を用いた化学的気相成
長法（ＣＶＤ法）、あるいはＴＥ０１ （テトラ エポ
キシ オルソ シリケイト）等の有機シラン系材料を用
いたＣＶＤ法等、単一の方法である。
第２図（ｂｌにおいては、レジスト材料の塗布、露光等
によりシリコン酸化膜２の上にレジストパターン３か形
成される。
によりシリコン酸化膜２の上にレジストパターン３か形
成される。
続く第２図（Ｃ）においては、ドライエツチング加工処
理によりレジストパターン３と同じパターンにシリコン
酸化膜２は加工され、酸化膜マスクとして形成される。
理によりレジストパターン３と同じパターンにシリコン
酸化膜２は加工され、酸化膜マスクとして形成される。
第２図（ｄ）においては、レジストパターン３を除去後
ニバターニングされたシリコン酸化膜２をマスクとして
、トライエツチング加工処理を行うと、シリコン基板ｌ
にはトレンチ４か形成される。
ニバターニングされたシリコン酸化膜２をマスクとして
、トライエツチング加工処理を行うと、シリコン基板ｌ
にはトレンチ４か形成される。
ところか、従来の酸化膜マスクを用いたエツチング加工
技術においては、パターニングされたシリコン酸化膜２
の側壁は平坦であり、シリコン基板１のドライエツチン
グに寄与するイオンの内、シリコン基板１に対し垂直方
向以外の成分（等方性成分）を持つイオンはすべてシリ
コン基板ｌのエツチングに寄与することになる。また、
シリコン酸化膜２の側壁で反射したイオンは、やはり等
方性成分を持つため、シリコン基板ｌの垂直方向以外、
即ちトレンチの側面に対してもエツチングを行うことに
なるので、トライエツチング処理により形成したトレン
チ４はホーイングと呼はれる側壁に凹みを有する形状と
なり、トレンチ４の寸法制御か困難となる問題点かあっ
た。
技術においては、パターニングされたシリコン酸化膜２
の側壁は平坦であり、シリコン基板１のドライエツチン
グに寄与するイオンの内、シリコン基板１に対し垂直方
向以外の成分（等方性成分）を持つイオンはすべてシリ
コン基板ｌのエツチングに寄与することになる。また、
シリコン酸化膜２の側壁で反射したイオンは、やはり等
方性成分を持つため、シリコン基板ｌの垂直方向以外、
即ちトレンチの側面に対してもエツチングを行うことに
なるので、トライエツチング処理により形成したトレン
チ４はホーイングと呼はれる側壁に凹みを有する形状と
なり、トレンチ４の寸法制御か困難となる問題点かあっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、トレンチ側壁の凹みを低減できるドライエツ
チング加工処理方法を得ることを目的としている。
たもので、トレンチ側壁の凹みを低減できるドライエツ
チング加工処理方法を得ることを目的としている。
この発明にかかるドライエツチング加工処理方法は、溶
液による化学的溶解度の異なる２種のソリコン酸化膜を
交互に積層してなるシリコン酸化膜層上に、レジストパ
ターンを形成し、ドライエツチング処理により、そのレ
ジストパターンと同一の酸化膜マスクを形成し、その酸
化膜マスク側壁に化学的溶解により凹凸を形成した後に
、シリコン基板に対しドライエツチング処理を施したも
のである。
液による化学的溶解度の異なる２種のソリコン酸化膜を
交互に積層してなるシリコン酸化膜層上に、レジストパ
ターンを形成し、ドライエツチング処理により、そのレ
ジストパターンと同一の酸化膜マスクを形成し、その酸
化膜マスク側壁に化学的溶解により凹凸を形成した後に
、シリコン基板に対しドライエツチング処理を施したも
のである。
この発明においては、酸化膜マスク側壁に凹凸を設ける
二とにより、ドライエツチングに寄与するイオンの等方
性成分を酸化膜マスク側壁で乱反射させ、形成中のトレ
ンチ側壁に寄与するイオンを減少させるのて、トレンチ
側壁の凹みを低減することができる。
二とにより、ドライエツチングに寄与するイオンの等方
性成分を酸化膜マスク側壁で乱反射させ、形成中のトレ
ンチ側壁に寄与するイオンを減少させるのて、トレンチ
側壁の凹みを低減することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例によるドラ
イエツチング加工処理方法を示す図で、図において、１
はシリコン基板、５はモノシラン等の無機シラン系材料
の化学的気相成長法により形成したシリコン酸化膜（無
機シラン系ＣＶＤ酸化膜）、６はＴＥ０１等の有機シラ
ン系材料の化学的気相成長法により形成したシリコン酸
化膜（有機シラン系ＣＶＤ酸化膜）、３はレジストパタ
ーン、７はトレンチである。
イエツチング加工処理方法を示す図で、図において、１
はシリコン基板、５はモノシラン等の無機シラン系材料
の化学的気相成長法により形成したシリコン酸化膜（無
機シラン系ＣＶＤ酸化膜）、６はＴＥ０１等の有機シラ
ン系材料の化学的気相成長法により形成したシリコン酸
化膜（有機シラン系ＣＶＤ酸化膜）、３はレジストパタ
ーン、７はトレンチである。
次に製造方法を図について説明する。
第１図ｆａ）において、トライエツチング加工処理を施
すシリコン基板１の上に、無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５
．有機シラン系酸化膜６を交互に複数回形成することに
より、シリコン酸化膜層を形成する。
すシリコン基板１の上に、無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５
．有機シラン系酸化膜６を交互に複数回形成することに
より、シリコン酸化膜層を形成する。
第１図（ｂ）においては、レジスト材料の塗布、露光等
により、シリコン酸化膜層上にレジストパターン３を形
成する。
により、シリコン酸化膜層上にレジストパターン３を形
成する。
続（第１図（Ｃ）においては、トライエツチング加工処
理により、無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５と有機シラン系
酸化膜６により構成されるシリコン酸化膜層をレジスト
パターン３と同一パターンに加工し、酸化膜マスクを形
成する。
理により、無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５と有機シラン系
酸化膜６により構成されるシリコン酸化膜層をレジスト
パターン３と同一パターンに加工し、酸化膜マスクを形
成する。
第１図（ｄ）においては、レジストパターン３を除去し
た後にフッ素酸溶液等により酸化膜マスクを化学的に溶
解する。すると、無機シラン系ＣＶＤ酸化１！１５と有
機シラン系ＣＶＤ酸化膜６の溶解度の差によって酸化膜
マスク側壁に凹凸が形成される。
た後にフッ素酸溶液等により酸化膜マスクを化学的に溶
解する。すると、無機シラン系ＣＶＤ酸化１！１５と有
機シラン系ＣＶＤ酸化膜６の溶解度の差によって酸化膜
マスク側壁に凹凸が形成される。
第１図（ｅ）において、第１図（ｄ）てパターニングさ
れた酸化膜マスクを通じて、シリコン基板１をＲＩＥ（
反応性イオンエツチング）等の方法てドライエツチング
加工処理することによりトレンチ７を形成する。このと
き、シリコン基板１に対し垂直方向以外の成分である等
方性成分を持つイオンは酸化膜マスク側壁の凹凸により
乱反射を起こす。
れた酸化膜マスクを通じて、シリコン基板１をＲＩＥ（
反応性イオンエツチング）等の方法てドライエツチング
加工処理することによりトレンチ７を形成する。このと
き、シリコン基板１に対し垂直方向以外の成分である等
方性成分を持つイオンは酸化膜マスク側壁の凹凸により
乱反射を起こす。
従って、該等方性成分を持つイオンの一部にはトレンチ
７に向かわず、トレンチ７と反対方向に向かうものか生
じ、トレンチ７の凹みは低減できる。
７に向かわず、トレンチ７と反対方向に向かうものか生
じ、トレンチ７の凹みは低減できる。
なお、上記実施例では、第１図（ｂｌにおいて、シリコ
ン酸化膜層を無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５と有機シラン
系ＣＶＤ酸化膜６の順で形成したが、逆の順序で形成し
てもよい。また第１図（ｄ）においては、レジストパタ
ーン３の除去後に酸化膜マスク側壁に凹凸を形成したが
、これは逆の順序で処理をしてもよい。
ン酸化膜層を無機シラン系ＣＶＤ酸化膜５と有機シラン
系ＣＶＤ酸化膜６の順で形成したが、逆の順序で形成し
てもよい。また第１図（ｄ）においては、レジストパタ
ーン３の除去後に酸化膜マスク側壁に凹凸を形成したが
、これは逆の順序で処理をしてもよい。
また、上記実施例ではシリコン基板のドライエツチング
加工処理について説明したか、その他の材料であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
加工処理について説明したか、その他の材料であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれは、無機シラン系ＣＶＤ
酸化膜と有機シラン系ＣＶＤ酸化膜との２つを用いて酸
化膜マスクの側壁に凹凸を形成し、その後にトレンチを
形成したので、等方性成分を持つイオンか酸化膜マスク
側壁の凹凸により乱反射を起こすので、シリコン基板の
側壁に凹みの少ないトレンチか形成でき、かつ寸法制御
も簡便にてきる効果かある。
酸化膜と有機シラン系ＣＶＤ酸化膜との２つを用いて酸
化膜マスクの側壁に凹凸を形成し、その後にトレンチを
形成したので、等方性成分を持つイオンか酸化膜マスク
側壁の凹凸により乱反射を起こすので、シリコン基板の
側壁に凹みの少ないトレンチか形成でき、かつ寸法制御
も簡便にてきる効果かある。
第１図はこの発明の一実施例による酸化膜マスクを用い
たドライエツチング加工処理方法を示す図、第２図は従
来の方法を示す図である。 図において、ｌはシリコン基板、２はシリコン酸化膜、
３はレジストパターン、４は側壁に凹みを有するトレン
チ、５は無機シラン系ＣＶＤ酸化膜、６は有機シラン系
のＣＶＤ酸化膜、７は側壁に凹みの少ないトレンチを示
す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
たドライエツチング加工処理方法を示す図、第２図は従
来の方法を示す図である。 図において、ｌはシリコン基板、２はシリコン酸化膜、
３はレジストパターン、４は側壁に凹みを有するトレン
チ、５は無機シラン系ＣＶＤ酸化膜、６は有機シラン系
のＣＶＤ酸化膜、７は側壁に凹みの少ないトレンチを示
す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）シリコン酸化膜をマスクとして用いるドライエッ
チング加工処理方法において、 溶液による化学的溶解度の異なる２種のシリコン酸化膜
を交互に形成することにより酸化膜層を形成する工程と
、 該酸化膜層上にレジストパターンを形成する工程と、 該酸化膜層のドライエッチング処理によりレジストパタ
ーンとほぼ同一パターンの酸化膜マスクを形成する工程
と、 酸化膜マスク側壁に該側壁部を化学的に溶解することに
より凹凸を形成する工程とを備えたことを特徴とするド
ライエッチング加工処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30137590A JPH04171930A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | ドライエッチング加工処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30137590A JPH04171930A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | ドライエッチング加工処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171930A true JPH04171930A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17896119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30137590A Pending JPH04171930A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | ドライエッチング加工処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171930A (ja) |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30137590A patent/JPH04171930A/ja active Pending
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