JPH0417345A - 両面導電層フィルムキャリアテープの製造方法 - Google Patents

両面導電層フィルムキャリアテープの製造方法

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JPH0417345A
JPH0417345A JP12044090A JP12044090A JPH0417345A JP H0417345 A JPH0417345 A JP H0417345A JP 12044090 A JP12044090 A JP 12044090A JP 12044090 A JP12044090 A JP 12044090A JP H0417345 A JPH0417345 A JP H0417345A
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JP
Japan
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film carrier
carrier tape
sheet material
double
tape
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JP12044090A
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Osamu Yoshioka
修 吉岡
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、テープキャリア方式による半導体装置の組立
に使用する両面導電層フィルムキャリアテープの製造方
法に関する。
〈従来の技術〉 この種のテープキャリア方式による半導体装置用基板と
して、約125μm厚あるいは75μm厚のポリイミド
フィルム上に接着剤を介して35μm厚の銅箔をラミネ
ートして製造する、いわゆる三層フィルムキャリアテー
プと、ポリイミドフィルム上に、スパッタリング蒸着あ
るいは無電解めっき法で薄い金属膜を設け、この下地金
属上に形成したフォトレジストパターンに従い、電解あ
るいは無電解めっき法で銅を析出させる、いわゆる二層
フィルムキャリアテープがある。
近年、フィルムキャリアテープを使用する動作周波数が
10〜30MHzと高周波数になってきたのにともない
、アースを取りインピーダンスのマツチングやクロスト
ークを減少させるため、裏面側にアースを形成させる方
式が要望されてきている。
この場合、通常前記二層フィルムキャリアテープについ
て示したように、銅箔をラミネートしたポリイミド等の
フィルムの裏面上に再度スパッタリング等の方法でNi
またはCrの下地金属を設け、フォトレジストパターン
を形成させたのち、電解、無電解めっきあるいは蒸着法
で銅をめっきする。 その後、スルーホールを形成して
表面および裏面の銅パターンを無電解めっき法によりス
ルーホールめっきを行って接続しアースを形成させて周
波数特性を向上させた両面銅フイルムキャリアテープを
完成させる方法が知られている。
このように、両面銅フイルムキャリアテープを製造する
には、ラミネートした銅箔をエツチング等でパターンを
形成させたのち裏面の銅パターンをめっき方式等で形成
し、さらにスルーホール加工を行うなど非常に複雑な工
程をへて製造するため、高価なものとなってしまう欠点
があった。
〈発明が解決しようとする課題〉 これを解消する方法として、ポリイミドフィルムの両面
に同時に銅パターンを形成させる無電解めっき法と呼ば
れる方式が知られている。
これは二層フィルムキャリアテープ法で述べたように、
スパッター法で下地金属をフィルム両面に設け、この金
属上にフォトレジストパターンを形成し、このパターン
上に無電解めっき法により回路を形成させる。 この後
、デバイスホールなどの孔はポリイミド等のテープをウ
ェットエツチングして設ける。
この場合も、工程が複雑であり、高価とならざるを得な
い。 また、銅とポリイミドの接着力が低いという欠点
がある。 ポリイミドテープのウェットエツチングは通
常抱水ヒドラジン等の危険物で行わざるを得ず、作業性
の面からも問題がある。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、安
価で、かつ信頼性の高い両面導電層フィルムキャリアテ
ープの製造方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、テープの位
置決めをするための孔および半導体素子を配置するため
のデバイスホールを有し、絶縁性シート材の両面に金属
箔を接着してなるフィルムキャリアテープの製造方法に
おいて、前記絶縁性シート材に、あらかじめ前記テープ
の位置決めをするための孔およびデバイスホールを設け
、いずれか一方の前記金属箔に、前記絶縁性シート材に
設けたデバイスホールと同じ孔を設けたのち、前記シー
ト材の両面にラミネート法にて前記金属箔を接着するこ
とを特徴とする両面導電層フィルムキャリアテープの製
造方法が提供される。
ここで、前記絶縁性シート材と前記金属箔との間に接着
剤を装入して接着するのが好ましい。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
第1図は、本発明の製造方法によって得られる両面導電
層フィルムキャリアテープのラミネート後の状態の1例
を示す横断面図である。
第1図に示されるラミネート時のフィルムキャリアテー
プ5は、絶縁性シート材1の両面に金属箔4.6が接着
され、第1図で見て中央にデバイスホール3、左右にア
ウターリードホール9、その外側にスプロケットホール
2がそれぞれ設けられている。
ここで、本発明の製造方法においては、前記絶縁性シー
ト材1に、あらかじめテープ5の位置決めをするための
スプロケットホール2およびデバイスホール3を設けて
おく。
一方、テープ5に接着する金属箔4.6のいずれか一方
には、前記シート材1に設けたデバイスホール3と同じ
孔を、あらかじめ設けておく。 第1図は、テープ5の
裏側に接着する金属箔4にデバイスホール3を設けてい
る。
また、金属箔4.6には、所要に応じ前記デバイスホー
ル3以外の孔を設けておいてもよい。
つぎに、前記シート材1の両面にそれぞれ金属箔4およ
び6をラミネート法にて接着する。 金属箔4.6の接
着は同時に行っても、−面ずつ別々に行ってもよい。
第2図は、シート材1の両面に金属箔4.6を同時に接
着する状態を示した概念図である。
本発明に用いるシート材1は、可撓性の絶縁性シートで
あれば特に制限はなく、ポリイミドフィルムを代表的に
挙げることができる。
本発明に用いる金属箔4.6どしては、特に制限はなく
、−船釣には銅、銅合金箔が用いられる。 これらの金
属箔4.6は、通常圧延または電解法により作られてい
る。
従来のようにめっき法で銅パターンを設ける場合、パタ
ーン形成速度が遅いこともあり、パターンを厚くして導
電率を上げるのには不利である。 しかし、ラミネート
法では銅箔の厚さを18μmあるいは35μmと厚いも
のを設けることができるので有利である。
前記絶縁性シート材1に設けるスプロケットホール2お
よびデバイスホール3は従来のウェットエツチングによ
る必要はなく、プレス等で開孔することができる。 従
って、抱水ヒドラジン等の危険物が不要となるとともに
、作業性が向上する。
シート材1への金属箔4.6の接着は、従来の下地金属
を用いる場合にくらべ強固であるが、さらに接着力を向
上させるために、第3図に示すようにシート材1と金属
箔4.6との間に接着剤7を装入してラミネートするの
は有効な方法である。
接着剤7としては、特に限定しないが、近年シート材と
同質のものが開発されており、特に耐熱性の優れたポリ
イミドのシート材に使用可能な接着剤としてポリイミド
系の接着剤が開発されているのでこれらを利用するとよ
い。
また、近年フィルムキャリアパターン上に半導体チップ
を載せた後Au線などによるワイヤポンドを150℃以
上の温度で行う例もあり、接着剤の耐熱性も重要となっ
てきている。 このため一般には接着剤の無い2層のフ
ィルムキャリアテープの方が有利とされていたが、ポリ
イミド系の接着剤はこの点有利である。
また、接着剤7を用いる場合、金属箔4.6のシート材
1側の面を粗化すればアンカー効果により接着力を一層
向上させることが可能である。
つぎに、シート材1の両面に接着した金属箔4.6の各
反接着面に常法によりフォトエツチングを用いて、あら
かじめ定めた寸法、形状のパターンを形成する。 さら
に、スルーホール11 (第3図参照)を設け、前記金
属箔4.6に形成されたパターンをめっき法によって接
続、導通させる。
さらに、半導体チップをボンディングする、あるいはプ
リント基板等に半田付実装するため、金属部分の表面に
Sn、Au、半田等の金属を一層ないし多層めっき12
を行う。 めっきを施し、たのち、不必要な電気的接触
をさけるため、絶縁材を電気的接続に用いない部分13
上に塗布してこの部分の絶縁を確実にする。
その後、第3図に示すように半導体チップ10と本発明
のフィルムキャリアテープ15のインナーリード部8を
ボンディングあるいはソルダリングで接続しく第3図で
はAuバンブ14を用いた場合を示す)、不用な外枠部
のボリイミド等のシート部分(図示せず)を切断して取
り除いてから、プリント基板等へは半導体チップを取り
付けたフィルムキャリアテープをソルダリングあるいは
導電性接着テープ等を用いて実装する。
〈実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
(実施例1) 厚さ75μm、幅35mmのポリイミド製長尺フレキシ
ブルシートの両サイドにプレス打抜き加工により所定ピ
ッチのスプロケットホールを連続的に形成した。 同時
にプレス打抜き加工により前記フレキシブルシートの幅
方向中央部に5mmの角形デバイスホールと、このデバ
イスホールの各辺外周部に幅3mm、長さ18mmのア
ウターリードホールを開孔させた。
一方、電解法による銅箔(厚さ18μmおよび35μm
、幅26.4mm)を各1枚用意し、厚さ18μmの銅
箔に前記角形デバイスホールと同じ孔をプレスにて設け
た。
つぎに、前言己フレキシブルシートの両面に接着剤(ポ
リイミド系)を介して前記2枚の銅箔を第2図に示すよ
うに接着した。 接着後の2枚の銅箔表面にフォトエツ
チングにより所定のパターンを形成させ、スルーホール
を設け、前記表、裏面の銅パターンをめっき法により接
続した。
つぎに、金属部分の表面に2層の半田めっきを施したの
ち、第3図に示すように所定の部分13に絶縁材(ソル
ダーレジスト)を塗布し、続いて半導体チップ10を第
3図に示すように接続し、不用部分を取り除いたのちプ
リント基板へ実装した。
シートと銅箔との接着は1 、 5 kgf/cm以上
の接着力が得られ、通常のプリント基板における銅箔と
シート材との接着力と同等で安定しており、蒸着法など
で得られる接着力に比べ約5割大きい。
また、従来法に(らべ容易に厚い導電パターンを形成す
ることができた。
〈発明の効果〉 本発明は、以上説明したように構成されているので、本
発明方法により従来よりも厚い導電パターンを両面導電
層フィルムキャリアテープの裏面側に容易に形成するこ
とができた。
また、デバイスホール等の孔をプレスで行うため、ウェ
ットエツチングが不要となり、危険物使用による危険作
業が悪(なり、かつ生産性が向上した。
また、シートへの銅箔の接着をラミネートで行うため、
接着力およびその安定性が向上した。
以上により安価なフィルムキャリアテープを提供できる
ようになった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の両面導電層フィルムキャリアテープ
のラミネート時の一例を示す横断面図である。 第2図は、本発明法でポリイミドフィルムと銅箔をラミ
ネートする状況を示す概念図である。 第3図は、本発明の両面導電層フィルムキャリアテープ
を用いて半導体チップ付けを行った例を示す横断面図で
ある。 符号の説明 l・・・ポリイミドフィルム (絶縁性シート材)、 2・・・スプロケットホール、 3・・・デバイスホール、 4・・・金属箔(裏面)、 5・・・ラミネート時のフィルムキャリアテープ、 6・・・金属箔(表面)、 7・・・接着剤、 8・・・インナーリード部、 9・・・アウターリードホール、 10・・・ICチップ(半導体チップ)11・・・スル
ーホール、 12・・・半田めっき層、 13・・・絶縁材塗布部分、 14・・・Auバンブ、 15・・・フィルムキャリアテープ FIG、3

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)テープの位置決めをするための孔および半導体素
    子を配置するためのデバイスホールを有し、絶縁性シー
    ト材の両面に金属箔を接着してなるフィルムキャリアテ
    ープの製造方法において、 前記絶縁性シート材に、あらかじめ前記テープの位置決
    めをするための孔およびデバイスホールを設け、 いずれか一方の前記金属箔に、前記絶縁性 シート材に設けたデバイスホールと同じ孔を設けたのち
    、前記シート材の両面にラミネート法にて前記金属箔を
    接着することを特徴とする両面導電層フィルムキャリア
    テープの製造方法。
  2. (2)前記絶縁性シート材と前記金属箔との間に接着剤
    を装入して接着する請求項1記載の両面導電層フィルム
    キャリアテープの製造方法。
JP12044090A 1990-05-10 1990-05-10 両面導電層フィルムキャリアテープの製造方法 Pending JPH0417345A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061228A (ko) * 2001-01-15 2002-07-24 미크론정공 주식회사 반도체 패키지의 제조방법 및 테이프 라미네이션 장치

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KR20020061228A (ko) * 2001-01-15 2002-07-24 미크론정공 주식회사 반도체 패키지의 제조방법 및 테이프 라미네이션 장치

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