JPH0158860B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0158860B2 JPH0158860B2 JP58153511A JP15351183A JPH0158860B2 JP H0158860 B2 JPH0158860 B2 JP H0158860B2 JP 58153511 A JP58153511 A JP 58153511A JP 15351183 A JP15351183 A JP 15351183A JP H0158860 B2 JPH0158860 B2 JP H0158860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- copper foil
- plating layer
- thickness
- nickel plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば、混成集積回路の配線構体と
して利用することが可能な銅箔導体層を有する回
路配線用基板に関する。
して利用することが可能な銅箔導体層を有する回
路配線用基板に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、基板材料に、紙基材エポキシ、ガラス布
基材エポキシ、ガラスマツト基材エポキシあるい
は表面を絶縁した金属基板を用い、その基板上に
銅箔を付着して導電層とした回路配線用基板が周
知である。ところが、銅箔導体層は金細線のボン
デイング適応性に欠ける難点を有し、直接のワイ
ヤボンデイングが可能である。そこで、銅箔導体
層表面にニツケルめつき層を被設し、これを介し
て、金細線のワイヤボンデイングを行なうのが一
般的である。このとき、ニツケルめつき層を被設
した銅箔導電層を所望の配線パターンに加工形成
するには、予め、二層形成したのち、これをレジ
ストマスクでおおつて、そのレジストマスクの開
口部を通じて、化学エツチングを施すのが標準的
手法であるが、この場合、ニツケルめつき層と銅
箔とでエツチング液に対する溶解速度が異なるこ
とに起因する配線パターンの乱れが生じることも
ある。しかし、これにも増して、エツチング工程
でニツケルめつき層の表面が銅成分によつて汚染
され、この結果、ボンデイング強度が低下するの
が大きな難点である。
基材エポキシ、ガラスマツト基材エポキシあるい
は表面を絶縁した金属基板を用い、その基板上に
銅箔を付着して導電層とした回路配線用基板が周
知である。ところが、銅箔導体層は金細線のボン
デイング適応性に欠ける難点を有し、直接のワイ
ヤボンデイングが可能である。そこで、銅箔導体
層表面にニツケルめつき層を被設し、これを介し
て、金細線のワイヤボンデイングを行なうのが一
般的である。このとき、ニツケルめつき層を被設
した銅箔導電層を所望の配線パターンに加工形成
するには、予め、二層形成したのち、これをレジ
ストマスクでおおつて、そのレジストマスクの開
口部を通じて、化学エツチングを施すのが標準的
手法であるが、この場合、ニツケルめつき層と銅
箔とでエツチング液に対する溶解速度が異なるこ
とに起因する配線パターンの乱れが生じることも
ある。しかし、これにも増して、エツチング工程
でニツケルめつき層の表面が銅成分によつて汚染
され、この結果、ボンデイング強度が低下するの
が大きな難点である。
発明の目的
本発明は前述の問題点を解消するものであり、
ワイヤボンデイングに好適な配線構体を提供する
ものである。
ワイヤボンデイングに好適な配線構体を提供する
ものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、基板上に樹脂接着層を
介して付設された銅箔導体層の所定部分に、選択
的に形成された厚さ２〜7μｍのニツケル層とこ
れに重ねて形成された銀めつき層とをそなえた回
路配線用基板であり、これにより、高いワイヤボ
ンデイング強度と安定な電気的接続性が得られ
る。
介して付設された銅箔導体層の所定部分に、選択
的に形成された厚さ２〜7μｍのニツケル層とこ
れに重ねて形成された銀めつき層とをそなえた回
路配線用基板であり、これにより、高いワイヤボ
ンデイング強度と安定な電気的接続性が得られ
る。
実施例の説明
第１図は本発明実施例の回路配線用基板に回路
素子を組み込んだ構体の断面図である。すなわ
ち、厚さ1.0μｍのアルミニウム板１の片面に、厚
さ50±5μｍのエポキシ樹脂とポリアミド・イミ
ド樹脂との混合樹脂接着層２を介して、公称厚さ
35μｍの電着銅箔３を付設し、この銅箔３上に、
厚さ3μｍのニツケルめつき層４を選択的に形成
し、さらに、このニツケルめつき層４に重ねて、
厚さ3μｍの銀めつき層５を形成し、これに、半
導体回路素子６を載置し、各電極と配線部とを金
細線７でボンデイングしたものである。
素子を組み込んだ構体の断面図である。すなわ
ち、厚さ1.0μｍのアルミニウム板１の片面に、厚
さ50±5μｍのエポキシ樹脂とポリアミド・イミ
ド樹脂との混合樹脂接着層２を介して、公称厚さ
35μｍの電着銅箔３を付設し、この銅箔３上に、
厚さ3μｍのニツケルめつき層４を選択的に形成
し、さらに、このニツケルめつき層４に重ねて、
厚さ3μｍの銀めつき層５を形成し、これに、半
導体回路素子６を載置し、各電極と配線部とを金
細線７でボンデイングしたものである。
第２図ａ〜ｃは、本発明実施例の回路配線用基
板を製造工程順に示す断面図である。
板を製造工程順に示す断面図である。
まず、第２図ａのように、アルミニウム板１の
表面に、エポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂
とからなる接着材２を介して、厚さ35μｍの電着
銅箔３を被着する。
表面に、エポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂
とからなる接着材２を介して、厚さ35μｍの電着
銅箔３を被着する。
次に、電着銅箔３にレジストマスク８を形成し
て、同レジストマスク８の開口部を通じて、前記
電着銅箔３を所望の配線パターンに形成する（第
２図ｂ）。
て、同レジストマスク８の開口部を通じて、前記
電着銅箔３を所望の配線パターンに形成する（第
２図ｂ）。
次いで、レジストマスク８を除去したのち、配
線パターンの一部を露出させた耐めつきマスク９
を付着し、これを通じて、配線パターンの一部に
ニツケルめつき層４を形成し、続いて、同じ耐め
つきマスク９を用いて、銀めつき層５を形成する
（第２図Ｃ）。
線パターンの一部を露出させた耐めつきマスク９
を付着し、これを通じて、配線パターンの一部に
ニツケルめつき層４を形成し、続いて、同じ耐め
つきマスク９を用いて、銀めつき層５を形成する
（第２図Ｃ）。
なお、ニツケルめつき層４は、通常の硫酸ニツ
ケル溶液を用いる電解めつき法で形成され、銀め
つき層５は、シアン化銀溶液を用いる電解めつき
法が適用でき、それぞれ、電流密度ないしはめつ
き処理条件の制御によつて、最適のめつき層厚を
得ることができる。
ケル溶液を用いる電解めつき法で形成され、銀め
つき層５は、シアン化銀溶液を用いる電解めつき
法が適用でき、それぞれ、電流密度ないしはめつ
き処理条件の制御によつて、最適のめつき層厚を
得ることができる。
耐めつきマスク９は、合成ゴムなどのゴム質弾
性体が適し、絶縁性と併せて、基板面に対する密
着性ならびに電解めつき液に対する十分な耐性の
あるものを用いればよい。
性体が適し、絶縁性と併せて、基板面に対する密
着性ならびに電解めつき液に対する十分な耐性の
あるものを用いればよい。
第３図は、ニツケルめつき層４の厚みを変化さ
せたときのボンデイング強度を実験値の最大、最
小の幅で概略的に示す特性図であり、このとき、
銀めつき層５の厚みは3μｍに一定とした。なお、
ワイヤボンデイングには、直径30μｍの金細線を
用い、200℃で超音波熱圧着法を用いた。この第
３図でみると、ニツケルめつき層４の厚みは2μ
ｍ以上であれば、ボンデイング強度５ｇ以上が実
現可能であり、また、7μｍをこえると、ボンデ
イング強度が低下する傾向を呈し、５ｇを割る条
件も出る。したがつて、ニツケルめつきの厚み
は、2μｍ〜7μｍであれば、特性を十分に満たす
ものになる。
せたときのボンデイング強度を実験値の最大、最
小の幅で概略的に示す特性図であり、このとき、
銀めつき層５の厚みは3μｍに一定とした。なお、
ワイヤボンデイングには、直径30μｍの金細線を
用い、200℃で超音波熱圧着法を用いた。この第
３図でみると、ニツケルめつき層４の厚みは2μ
ｍ以上であれば、ボンデイング強度５ｇ以上が実
現可能であり、また、7μｍをこえると、ボンデ
イング強度が低下する傾向を呈し、５ｇを割る条
件も出る。したがつて、ニツケルめつきの厚み
は、2μｍ〜7μｍであれば、特性を十分に満たす
ものになる。
ワイヤボンデイング技術の面でみると、通常の
熱圧着法では、基板温度を300℃〜350℃に加熱し
ておかないと十分なボンデイング強度が得られな
い。しかし、かかる高い加熱温度は、基板上の樹
脂接着層を含む絶縁物にとつて不都合であり、好
ましくは、加熱温度を200℃以下にしたい。この
点に関してみると、超音波を併用した熱圧着法、
いわゆる、超音波熱圧着法によれば、加熱温度
も、150℃〜200℃でボンデイングが可能である。
とりわけ、本発明実施例では、銅箔上にニツケル
めつき層を設けることによつて、銅箔の超音波吸
収作用を軽減させ、ボンデイングを確実に行なう
ことができる。
熱圧着法では、基板温度を300℃〜350℃に加熱し
ておかないと十分なボンデイング強度が得られな
い。しかし、かかる高い加熱温度は、基板上の樹
脂接着層を含む絶縁物にとつて不都合であり、好
ましくは、加熱温度を200℃以下にしたい。この
点に関してみると、超音波を併用した熱圧着法、
いわゆる、超音波熱圧着法によれば、加熱温度
も、150℃〜200℃でボンデイングが可能である。
とりわけ、本発明実施例では、銅箔上にニツケル
めつき層を設けることによつて、銅箔の超音波吸
収作用を軽減させ、ボンデイングを確実に行なう
ことができる。
他の実施例として、基板材料に、厚さ50μｍの
ポリイミドフイルムを用い、その片面に、厚さ15
±5μｍのポリアミド・イミド樹脂を含む絶縁層
を介して、公称厚さ35μｍの圧延銅箔を付着させ
たものに対しても、その銅箔の一部に、ニツケル
めつき層を２〜7μｍならびに銀めつき層を3μｍ、
それぞれ、選択的に被設することで、ボンデイン
グ強度の十分なワイヤボンデイングを達成するこ
とができた。
ポリイミドフイルムを用い、その片面に、厚さ15
±5μｍのポリアミド・イミド樹脂を含む絶縁層
を介して、公称厚さ35μｍの圧延銅箔を付着させ
たものに対しても、その銅箔の一部に、ニツケル
めつき層を２〜7μｍならびに銀めつき層を3μｍ、
それぞれ、選択的に被設することで、ボンデイン
グ強度の十分なワイヤボンデイングを達成するこ
とができた。
発明の効果
本発明によれば、銅箔導体層上に、厚さ２〜
7μｍのニツケルめつき層および銀めつき層を設
けたことにより、ワイヤボンデイングの可能な回
路配線用基板を実現することができる。また、か
かるニツケルめつき層の選択的形成によつて、同
ニツケルめつき層が銅箔のエツチング工程にさら
されて汚染されることもなく、しかも、超音波熱
圧着法が適用でき、ワイヤボンデイングによつて
配線接続が十分なボンデイング強度で達成でき
る。したがつて、本発明の回路配線用基板は、半
導体回路素子（半導体チツプ）を、直接、配線層
上に載置し、同回路素子の各電極を基板上の導体
層とワイヤボンデイングによつて結続することが
できるので、混成集積回路の高密度実装に有益で
ある。
7μｍのニツケルめつき層および銀めつき層を設
けたことにより、ワイヤボンデイングの可能な回
路配線用基板を実現することができる。また、か
かるニツケルめつき層の選択的形成によつて、同
ニツケルめつき層が銅箔のエツチング工程にさら
されて汚染されることもなく、しかも、超音波熱
圧着法が適用でき、ワイヤボンデイングによつて
配線接続が十分なボンデイング強度で達成でき
る。したがつて、本発明の回路配線用基板は、半
導体回路素子（半導体チツプ）を、直接、配線層
上に載置し、同回路素子の各電極を基板上の導体
層とワイヤボンデイングによつて結続することが
できるので、混成集積回路の高密度実装に有益で
ある。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図ａ〜ｃ
は同実施例の工程順断面図、第３図はボンデイン
グ強度特性図である。 １……基板、２……樹脂接着層、３……銅箔、
４……ニツケルめつき層、５……銀めつき層。
は同実施例の工程順断面図、第３図はボンデイン
グ強度特性図である。 １……基板、２……樹脂接着層、３……銅箔、
４……ニツケルめつき層、５……銀めつき層。
Claims (1)
- １ 基板上に樹脂接着層を介して付設された銅箔
導体層の所定部分に、選択的に形成された厚さ２
〜7μｍのニツケル層とこれに重ねて形成された
銀めつき層とをそなえた回路配線用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153511A JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153511A JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045089A JPS6045089A (ja) | 1985-03-11 |
| JPH0158860B2 true JPH0158860B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15564137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153511A Granted JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045089A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2518655B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1996-07-24 | 株式会社 ムトウ | 物品の仕分方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150292A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating printed circuit board |
| JPS5852836A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 複合集積回路 |
| JPS5815905A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-01-29 | Ichimaru Fuarukosu Kk | 可溶化シルクペプチド含有皮膚化粧料 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58153511A patent/JPS6045089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045089A (ja) | 1985-03-11 |
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