JPH04174400A

JPH04174400A - 放射線画像変換パネル

Info

Publication number: JPH04174400A
Application number: JP29977290A
Authority: JP
Inventors: Satoru Honda; 哲本田; Koji Amitani; 幸二網谷
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1990-11-07
Filing date: 1990-11-07
Publication date: 1992-06-22
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JP3034587B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は輝尽性蛍光体層を用いた放射線画像変換パネル
に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性および感度
共に実用的水準の高い放射線画像を与える放射線画像変
換パネルに関するものである。

〔従来の技術〕

例えば医療の分野においては、病気の診断にＸ線画像の
ような放射線画像が多く用いられている。

放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を撮る
ときと同しように、銀塩を使用したフィルムに照射して
現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であった。

しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しない
で蛍光体層から直接画像を取り出す方法として、被写体
を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この蛍
光体を例えば光または熱エネルギーで励起することによ
り、この蛍光体に吸収されて蓄積されていた放射線エネ
ルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像
化する方法が提案されている。

例えば米国特許環３．８５９．５２７号明細書、特開昭
５５〜１２１４４号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可
視光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画
像変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽
性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用する
ものであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて
潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励
起光で走査することによって各部に蓄積された放射線エ
ネルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱によ
る光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像
化するものである。この最終的な画像はハードコピーと
して再生されるか、またはＣＲＴ上に再生される。

このような放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルには、前述の蛍光ス
クリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に、放射線
吸収率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感度
」と称する）が高いことが必要であり、しかも画像の粒
状性がよく、さらに高鮮鋭性であることが要求される。

ところで、従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が
、蛍光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時
の発光）の広がりによって決定されるのは周知のとおり
であるが、これに対し、輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換方法における画像の鮮鋭性は、放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の当該パネル内での広がりに依存して決
定される。詳しく説明すると、この放射線画像変換方法
においては、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線
画像情報は時系列化されて取り出されるので、ある時間
（１＋）に照射された輝尽励起光による輝尽発光は、望
ましくはすべて採光されその時間に輝尽励起光が照射さ
れていた当該パネル上のある画素（ｘ＋　、’　ｙ＋　
）からの出力として記録されるが、かりに輝尽励起光が
当該パネル内で散乱等により広がり、照射画素（ｘ＋、
ｙ＋）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起してしま
うと、当該照射画素（ｘ＋、ｙ＋）からの出力としてそ
の画素よりも広い領域からの出力が記録されてしまう。

従って、ある時間（ｔｌ）に照射された輝尽励起光によ
る輝尽発光が、その時間（１＋　）に輝尽励起光が真に
照射されていた当該パネル上の画素（ｘ＋、ｙ＋）から
の発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つ
ものであろうと、得られる画像の鮮鋭性には影響かない
。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
手段がいくつか提案されている。

例えば特開昭６２−１３３３９９号公報には、前記放射
線画像変換パネルが、支持体、光反射層、輝尽性蛍光体
層の順に積層されて形成され、前記光反射層の反射面が
金属面（以下「光反射金属層」と称する）であることを
特徴とするパネルの形態が開示されている。この技術に
よれば、輝尽励起光が光反射金属層内に透過することが
ないので、従来の光反射白色顔料層におけるような光反
射層厚による光の散乱がなく、また、支持体にまで透過
して支持体内で散乱することがな（、ともに読取り画像
の鮮鋭性を低下させることがない。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記の特開昭６２−１３３３９９号公報の技術
においては、支持体の金属表面すなわち光反射金属層が
直接蛍光体層に接触する構成であるので、蛍光体層の形
成工程、またはその後の加熱処理工程（アニーリング工
程）、さらには形成後の経時過程において、支持体の表
面の金属と蛍光体層とが化学反応を起こし、蛍光体層が
劣化し、放射線感度が低下したり、当該金属層における
光の透過率および反射率特性が変動する問題か生じた。

そこで、本発明の目的は、支持体の金属表面および蛍光
体層の劣化を防止し得る構造であって、放射線感度およ
び画像の鮮鋭性ともに良好な放射線画像変換パネルを提
供することにある。

〔課題を解決するための手段〕以上の目的を達成するために、本発明者らが鋭意研究を
重ねた結果、金属表面を有する支持体と蛍光体層との間
に透明薄膜層を介在させることにより、支持体の金属表
面および蛍光体層の劣化を防止できることを見出して、
本発明を完成するに至ったものである。

そこで、本発明の放射線画像変換パネルは、金属表面を
育する支持体と、輝尽性蛍光体層と、輝尽性蛍光体層の
保護層とを備えてなる放射線画像変換パネルにおいて、
前記支持体の金属表面上に透明薄膜層を設け、この透明
薄膜層上に輝尽性蛍光体層を設けたことを特徴とする。

以下、本発明を具体的に説明する。

第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの一例を示し
、１は支持体、２は透明薄膜層、３は輝尽性蛍光体層、
４は保護層である。

支持体１は、非金属製の基板ＩＡと、この基板ＩＡの一
面側に設けられた金属層ＩＢとを備えてなり、この金属
層ＩＢが支持体ｌの金属表面を構成している。この金属
層ＩＢは、光反射層および遮光層としての機能を発揮す
るものである。なお、この金属層ＩＢは、光反射層と遮
光層の機能をそれぞれ有する別個の層を積層して構成し
てもよい。

支持体Ｉの金属層ＩＢ上に、透明薄膜層２が設けられ、
この透明薄膜層２上に輝尽性蛍光体層３が設けられてい
る。すなわち、透明薄膜層２は支持体１の金属表面であ
る金属層ＩＢと輝尽性蛍光体層３との間に設けられてい
て、両者の接触を防止している。そして、輝尽性蛍光体
層３の上に空隙４Ａを介して保護層４か設けられている
。この空隙４Ａには、乾燥された窒素ガス等が封入され
ている。

第２図は、本発明の放射線画像変換パネルの他の例を示
し、金属製の支持体１′上に、順に、透明薄膜層２、輝
尽性蛍光体層３、保護層４が設けられている。すなわち
、この例では、第１図の金属層ＩＢの機能を金属製の支
持体１′　自身が備えている構成例である。

透明薄膜層２は、光散乱を防止するために透明で薄膜で
あることが必要である。具体的には、透明薄膜層２は、
波長３５０〜８００　ｎｍの光に対する光透過率が５０
％以上のものであることが好ましい。

さらに後述の支持体ｌの金属表面よりも輝尽励起光の入
射側に着色層を設ける場合には、波長８５０〜８００ｎ
ｍの光に対する光透過率は８０％以上であることが好ま
しい。また透明薄膜層２の層厚は、１０〜３Ｘ１０’人
が好ましく、特に無機化合物の場合は１０２〜１０４人
が好ましく、有機化合物の場合は１０’〜】０６人が好
ましい。

また透明薄膜層２は、支持体１，１′　の金属表面およ
び輝尽性蛍光体層３を劣化させないように化学的に安定
であることが必要である。

従って、透明薄膜層２の構成材料としては、酸化物、窒
化物、フッ化物、炭化物、あるいはポリマー、ゼラチン
等が好適である。具体的には、５ｉ０ｚ　、Ａｌｘ　Ｏ
ｘ　、Ｔ１０ｘ等の酸化物、ＭｇＦ　！　、Ｃａ　Ｆ　
！等のフッ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＳｉＮ等の窒化物
、ＰＥＴ、ビニルアルコールフィルム等のポリマー、ゼ
ラチン等が好ましい。

透明薄膜層２の形成手段としては、特に限定されず、種
々の薄膜形成法を利用することができる。

具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、塗布法等を挙げることができる。

第１図の金属層ＩＢは、光反射層および遮光層としての
機能を果たすものであり、隣接する層との界面において
光学的密度が異なり、すなわち反射率が異なり、かつ金
属面であることが必要である。

この金属層ＩＢは、蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、メツキ法により形成してもよいし、
金属箔をラミネートして形成してもよい。特に、蒸着法
等の気相堆積法によれば、金属層ＩＢの形成が容易であ
り、また非金属製の基板ＩＡ等の表面の凹凸の形状に関
係なく容易に光反射層ＩＢを形成することができる。

金属層ＩＢを構成する金属としては、アルミニウム、金
、銀、銅、クロム、ニッケル、白金、ロジウム、スズ等
を挙げることができる。

金属層ＩＢの厚さは０．０１〜５０μｍが好ましく、ま
た輝尽発光波長領域の光に対して５０％以上、特に７０
％以上の平均反射率を有することが好ましい。

この平均反射率は、積分球型分光光度計により測定する
ことができる。

さらに、金属層ＩＢは、３５０〜８００　ｎｍの光に対
して透過率が１％以下であることが好ましい。

第１図は非金属製の基板ＩＡを用いる例であるが、非金
属材料としては、ガラス、セラミクス、あるいは各種高
分子材料等を用いることができる。

具体的には、石英ガラス、化学強化ガラス等のガラス、
結晶化ガラス、アルミナあるいはジルコニアの焼結板等
のセラミクス、あるいはセルロースアセテートフィルム
、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート
フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、
トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等
のプラスチックフィルムを挙げることができる。

第２図は金属製の支持体Ｉ′を用いる例であるが、かか
る金属製の支持体１′　としては、アルミニウム、アル
ミニウムーマグネシウム合金、鉄、ステンレス、銅、ク
ロム、鉛等の金属シートを用いることができる。

基板ＩＡまたは支持体ｌ°の厚さは、その材質等によっ
て異なるが、一般的には１００μｍ〜５ｍｍが好ましく
、取扱いの便利性から、特に２００μｍ〜２ｍｍが好ま
しい。

輝尽性蛍光体層３は、真空蒸着法（以下適宜単に「蒸着
法」と記す）、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブ
レーティング法等の気相堆積法、あるいはあらかじめ輝
尽性蛍光体または分散剤等をバインダー液中に懸濁、溶
解させて調合した蛍光体塗料を単層もしくは性能別に分
けて複層に塗設する塗布法によって形成することが好ま
しい。

蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場合には、金属
表面を有する支持体を蒸着装置内に設置した後、蒸着装
置内を排気して１０−＠Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。

次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１種を抵抗加熱法、
電子ビーム法等の方法により加熱蒸発させて、支持体の
金属表面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。

この結果、バインダーを含有しない輝尽性蛍光体層３が
形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光
体層を形成することも可能である。

また蒸着工程では、複数の抵抗加熱器または電子ビーム
を用いて共蒸着を行うことも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体側と
は反対側の面に直接または空隙を介して保護層を設ける
ことにより本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。なお、保護層上に直接輝尽性蛍光体層を設ける場合に
は、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、これを支
持体に設ける手順を採ってもよい。

また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵
抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着し、支持体の
金属表面上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時
に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

さらに、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸
着物（支持体または保護層）を冷却または加熱してもよ
い。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理（ア
ニーリング）してもよい。

また、蒸着法においては、必要に応じてＯｔ、Ｈｔ等の
ガスを導入して反応性蒸着を行ってもよい。

スパッタリング法により輝尽性蛍光体層を形成する場合
には、蒸着法と同様に金属表面を有する支持体をスパッ
タリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気して１
０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とし、次いで、スパッタリ
ング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッ
タリング装置内に導入して、１０−″Ｔｏｒｒ程度のガ
ス圧とする。

次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリン
グすることにより、支持体の金属表面に輝尽性蛍光体層
を所定の厚さに堆積させる。

このスパッタリング工程では、蒸着法と同様に複数回に
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のター
ゲットを用いて、同時または順次、ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。

スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必要に応じて輝
尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直接または空隙
を介して保護層を設けることにより、本発明の放射線画
像変換パネルが製造される。

なお、保護層上に直接輝尽性蛍光体層を設ける場合には
、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設
ける手順を採ってもよい。

スパッタリング法においては、複数の輝尽性蛍光体原料
をターゲットとして用い、これを同時または順次スパッ
タリングして、支持体の金属表面上て目的とする輝尽性
蛍光体を合成すると同時に、輝尽性蛍光体層を形成する
ことも可能である。また、スパッタリング法においては
、必要に応じてＯｔ、Ｈ＝等のガスを導入して反応性ス
パッタリングを行ってもよい。

さらに、スパッタリング法においては、スパッタリング
時に必要に応じて被蒸着物（支持体または保護層）を冷
却または加熱してもよい。また、スパッタリング終了後
、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。

気相堆積法による輝尽性蛍光体層３の形成工程において
、輝尽性蛍光体層の堆積速度は０．１〜５０μｍ／分が
好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性が低くなり
、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコントロールが
困難となる。

また、気相堆積法による輝尽性蛍光体層３の形成工程に
おいて、支持体ｌの温度は４００℃以下が好ましい。こ
の温度があまり高いときは、結晶化の進行により画像の
鮮鋭性が低下しやすい。

また、気相堆積法でパネルを作製する場合は、蛍光体が
直接金属に触れるので本発明の効果か大きい。

塗布法により輝尽性蛍光体層を形成する場合、用いられ
るバインダーとしては、例えばゼラチンのごときタンパ
ク質、デキストランのごときポリサッカライドまたはア
ラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、
ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリデン
−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリレート、
塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール
等のような通常層構成に用いられるバインダーが使用さ
れる。一般にバインダーは輝尽性蛍光体１重量部に対し
て０．０１〜１重量部の範囲で使用される。しかしなが
ら、得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性の点
ではバインダーは少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼ね合いから０．０３〜０．２重量部の範囲がより好
ましい。

輝尽性蛍光体用塗料の調製は、ボールミ“ル、サンドミ
ル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分
散機、Ｋａｄｙ　ミルおよび超音波分散機等の分散装置
を用いて行われる。調製された塗料をドクターブレード
、ロールコータ−、ナイフコーター等を用いて支持体上
に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体層が形成さ
れる。前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽
性蛍光体層と支持体とを接着してもよい。

なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に、輝尽性蛍光体層蛍光
体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する可
塑剤を添加してもよい。

前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジブチル等のフタル酸エステル、リン酸トリクレジル、
リン酸トリフェニル等のリン酸エステル、コハク酸ジイ
ソデシル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基酸エ
ステル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコー
ル酸ブチルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等
が挙げられる。

輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤の
例としては、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−ブチル等の低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル
ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル、
トリオール、キジロール等の芳香族、メチレンクロライ
ド、エチレンクロライド等のハロゲン化炭化水素および
それらの混合物等が挙げられる。

気相堆積法、塗布法、いずれの場合においても、輝尽性
蛍光体層３の層厚は、目的とする放射線画像変換パネル
の放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが
、３０〜１ｏｏｏμｍが好ましく、特に５０〜５００μ
ｍが好ましい。輝尽性蛍光体層３の層厚が小さすぎると
きは、放射線吸収率が低下するため放射線感度が悪くな
る。

保護層４は、輝尽性蛍光体層３を物理的にまたは化学的
に保護するために設けられるものである。

この保護層４は、第１図または第２図のように空隙４Ａ
を介して設けてもよいし、保護層用の論布液を輝尽性蛍
光体層上に直接塗布して形成してもよい。またあらかじ
め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着しても
よい。

保護層４を空隙４Ａを介して設ける場合、当該保護層の
構成材料としては、透光性がよく、シート状に成形でき
るものが使用される。保護層は輝尽励起光および輝尽発
光を効率よ（透過するために、広い波長範囲で高い光透
過率を示すことが望ましく、光透過率は８０％以上が好
ましい。

そのようなものとしては、例えば、石英、ホウケイ酸ガ
ラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、ＰＥＴ、延伸
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物
が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは３３０ｎｍ〜２．６
μｍの波長範囲で８０％以上の光透過率を示し、石英ガ
ラスではさらに短波長においても高い光透過率を示す。

さらに、保護層４の表面に、Ｍ　ｇ　Ｆ　ｘ等の反射防
止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく
透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり
好ましい。

保護層４を輝尽性蛍光体層３上に直接設ける場合、当該
保護層の構成材料としては、酢酸セルロース、ニトロセ
ルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポ
リエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用いることができる
。また、この保護層４は、蒸着法、スパッタリング法等
により、ＳｉＣ，Ｓｔｏｗ　、ＳｉＮ、Ａ１．Ｏｘ等の
無機物質を積層して形成してもよい。この場合には、保
護層４の層厚は、保護層を蛍光体層に直接設ける場合は
、０．１−１００μｍが好ましく、空間４Ａを設ける場
合は５０μｍ′〜５　ｍｍ、好ましくは１００μｍ〜３
１１ｆｌｌである。

また、保護層４の厚さは、５０μｍ〜５ｍｍであり、良
好な防湿性を得るためには、１００μｍ〜３ｍｍか好ま
しい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいては、画像の鮮鋭
性をさらに高めるために、支持体１の金属表面よりも輝
尽励起光の入射側に着色層を設けてもよい。

この着色層は、輝尽性蛍光体層３の全層にわたって設け
てもよいし、輝尽性蛍光体層３の表層部分、支持体ｌの
金属表面に近接した層部分、保護層４のいずれかに設け
てもよい。また２つ以上の層に設けてもよい。また、本
発明に係る透明薄膜層を着色するようにしてもよい。

この着色層は、輝尽性蛍光体を輝尽発光させるための輝
尽励起光の少な（とも一部を吸収する機能を果たすもの
であり、輝尽励起光波長領域の光に対する平均反射率が
輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率よりも小さく
なるような光吸収特性を有することが好ましい。

着色剤としては、有機系または無機系の着色剤を用いる
ことができ、色相的には青色または緑色系統の着色剤が
好ましい。

本発明において［輝尽性蛍光体」とは、最初の光または
高エネルギー放射線が照射された後に、先約、熱的、機
械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）により
、最初の光または高エネルギー放射線の照射量に対応し
た輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的な面からは、
波長が５００ｎｍ以上の輝尽励起光によって輝尽発光を
示す蛍光体が好ましい。

輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体としては、以下
のものを用いることができる。

（１）特開昭４８−８０４８７号公報に記載のＢａＳＯ
４：Ａ１　（ただし、Ａは、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｔｍの少なく
とも１種を表し、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満た
す数を表す。）で表される蛍光体。

（２）特開昭４８−８０４８９号公報に記載のＳ　ｒ　
Ｓ　Ｏ４：Ａ、（ただし、Ａは、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｔｍの少
なくとも１種を表し、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を
満たす数を表す。）で表されている蛍光体。

（３）特開昭５１−２９８８９号公報に記載のＮａｔｓ
Ｏｔ。

Ｃａ　Ｓ　Ｏ４，Ｂ　ａ　Ｓ　０４等にＭｎ、Ｄｙ、Ｔ
ｂの少なくとも１種を添加した蛍光体。

（４）特開昭５２−３０４８７号公報に記載のＢｅＯ，
ＬｉＦ、ＭｇＳＯ４，ＣａＦｔ等の蛍光体。

（５）特開昭５３−３９２７７号公報に記載のＬｉ２Ｅ
３１０ｖ　　：Ｃｕ、Ａｇ等の蛍光体。

（６）特開昭５４−４７８８３号公報に記載のＬｌ、０
・（Ｂ！　Ｏ，）、、：　ＣＬＩ　（ただし、Ｘは２＜
ｘ≦３を満たす数を表す。）、ＬｉｔＯ・（Ｂ、Ｏ，）
。

：Ｃｕ、Ａｇ（ただし、Ｘは２＜ｘ≦３を満たす数を表
す。）等の蛍光体。

（７）米国特許第３．８５９．５２７号明細書に記載の
ＳｒＳ　：　Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ　：　Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌ
ａｔＯ＊Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ、（Ｚｎ、　Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ
、　Ｘ　（ただし、Ｘはハロゲンを表す。）で表される
蛍光体。

（８）特開昭５５−１２１４２号公報に記載のＺｎＳ：
Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体。

（９）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＢａ
Ｏ・ｘＡｌ＊　Ｏｓ　　：　Ｅｕ　（ただし、Ｘは０．
８≦Ｘ≦ＩＯを満たす数を表す。）で表されるアルミン
酸バリウム蛍光体。

（１０）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＭ
ＡＯ・ｘＳｉＯ２：Ａ　（ただし、ＭＡは、Ｍｇ、Ｃａ
。

Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂａを表し、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅ
ｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ１．Ｂｉ、Ｍｎの少なくとも１種を
表し、Ｘは、０．５≦ｘ＜２．５を満たす数を表す。）
で表されるアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。

（１１）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式が（
Ｂａ１−＋＋−Ｆ　Ｍｇ、Ｃａｒ　）ＦＸ：　ｅＥｕ″
３（ただし、Ｘは、Ｂｒ、Ｃ１の少なくとも１種を表し
、Ｘ。

ｙ、　　ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠
０、ＩＯ−＠≦ｅ≦５Ｘ１０−”を満たす数を表す。）
で表される蛍光体。

（１２）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式がＬ
ｎＯＸ：ｘＡ（ただし、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄ、ＬＵ
の少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃ１，Ｂｒの少なくと
も１種を表し、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂの少なくとも１種を表
し、Ｘは、０＜ｘ＜０、■を満たす数を表す。）で表さ
れる蛍光体。

（１３）特開昭５５−１２１４５号公報に記載の一般式
が（Ｂ　ａ　＋−−（ＭＡ）　−）　Ｆ　Ｘ　：　ｙＡ
　（ただし、ＭＡは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄの
少なくとも１種を表し、Ｘは、ＣＩｌ、　　Ｂｒ、　　
Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、
Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒの少なくと
も１種を表し、ｘ、ｙは、０≦Ｘ≦０．６．０≦ｙ≦０
．２を満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１４）特開昭５５−８４３８９号公報に記載の一般式
がＢａＦＸ　：　ｘＣｅ、ＦＡ　（ただし、Ｘは、Ｃｆ
、Ｂｒ、　　Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｉｎ、
Ｔ１２、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｚｒの少なくとも１種を表し、ｘ
、ｙは、０＜ｘ≦２×ＩＯ伺、Ｑ＜ｙ≦５Ｘ１０−’を
満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１５）特開昭５５−１６００７８号公報に記載の一般
式がＭＡＦＸ−ＸＡ：ｙＬｎ（ただし、ＭＡは、Ｍｇ。

Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄの少なくとも１種を表し
、Ａは、Ｂｅｄ、ＭｇＯ，Ｃａｂ、ＳｒＯ。

ＢａＯ，ＺｎＯ，ＡＡ’２０ｘ　、Ｙｔ　Ｏｓ　、Ｌａ
２Ｏ２、Ｉｎ＊Ｏｓ　、５ｉｆｔ　、Ｔｉ１ｔ、Ｚｒ０
ｚ。

ＧｅＣＬ　、Ｓｎｏｗ　、Ｎｂｔ　　Ｏｘ　、Ｔａｘ　
　Ｏｓ　。

Ｔ　ｈ　Ｏｔの少なくとも１種を表し、Ｌｎは、Ｅｕ。

Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　　Ｐｒ、　Ｈｏ、　
Ｎｄ、　Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｍ、Ｇｄの少なくとも１種を表
し、Ｘは、Ｃ１，Ｂｒ、Ｉの少なくとも１種を表し、ｘ
、ｙｌｔ、５　ｘ　１０−’≦ｘ　≦０．５、Ｑ＜ｙ≦
０．２を満たす数を表す。）で表される希土類元素付活
２価金属フルオロハライド蛍光体。

（１６）同５５−１６００７８号公報に記載の一般式が
ＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ａ１Ｃｄ５　：ＡＳ
ＺｎＳ　：Ａ、ｘ、ＣｄＳ　：Ａ、Ｘ　（ただし、Ａは
、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｎのいずれかを表し、Ｘは、ハ
ロゲンを表す。）で表される蛍光体。

（Ｉ７）特開昭５９−３８２７８号公報に記載の一般式
ＣＩ）　　ＸＭｓ　（ＰＯ４）ｔ　　−ＮＸｔ　　：　
ｙＡ一般式（ＩＦ）　　Ｍ、　（ＰＯ，）ｔ　　・ＦＡ
（式中、Ｍ、　Ｎは、それぞれ、Ｍｇ、　　Ｃａ、　　
Ｓｒ。

Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ、
ＣＡ’、Ｂｒ、Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ
、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ。

Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔ１．Ｍｎ、Ｓｎの少なくと
も１種を表し、ｘ、　　ｙは、０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１
を満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１８）特開昭５９−１５５４８７号公報に記載の一般
式（ＩＩ［）ｎＲｅＸｓ・ｍＡＸ’＊：　ｘＥｕ一般式
（ＩＶ）ｎＲｅＸｓ・ｍＡＸ’＊：ｘＥｕ、ｙＳｍ（式
中、Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕの少なくとも１種を
表し、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの少なくとも１種のアル
カリ土類金属を表し、ｘ、　ｘ’は、Ｆ、Ｃ４！、Ｂｒ
の少なくとも１種を表し、Ｘ。

ｙは、ｌ　Ｘｌ０−’＜　Ｘ　＜　３　Ｘｌ０−’、ｌ
　Ｘｌ０−’＜　ｙ　＜ｌ　Ｘｌ０−’を満たす数を表
し、ｎ　／　ｍは、ｌＸｌ０−”＜ｎ／ｍ＜７ｘｌＯ−
’を満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１９）特開平２−５８５９３号公報に記載の一般式％
式％：（式中、ｘ、　ｙは、それぞれ、Ｆ、　ＣＩｌ、　Ｂｒ
。

Ｉの少なくとも１種を表し、Ｘ＃Ｙであり、ａ。

ｂは、０＜ａ＜ｌ５１０−″＜ｂ＜１０−’を満たす数
を表す。）で表される蛍光体。

（２０）特開昭６１−７２０８７号公報に記載の一般式
％式％：（ただし、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ、Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、Ｍ、は、Ｂｅ、Ｍｇ
、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｎｉの少なく
とも１種の２価の金属を表し、Ｍｃは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ
、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ＊　Ｔｂ
、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ。

Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｆ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも１種
の３価の金属を表し、ｘ、　ｘ’　、　ｘ”は、Ｆ、Ｃ
１，Ｂｒ、Ｉの少なくとも１種のハロゲンを表し、Ａは
、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ＋　Ｔｍ、Ｄｙ。

Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｇｄ、　Ｌ
ｕ、　Ｓｍ、Ｙ、Ｔ１１．Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇの少
なくとも１種の金属を表し、ａ、ｂ、ｃは、０≦ａく０
．５．０≦ｂ＜ｏ、ｓ、０＜ｃ≦０．２を満たす数を表
す。）で表されるアルカリハライド蛍光体。

本発明においては、このアルカリハライド蛍光体が蒸着
法に好適であることから特に好ましく用いることができ
る。

ただし、本発明においては、以上の蛍光体に限定されず
、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝
尽蛍光を示す蛍光体であればその他の蛍光体をも用いる
ことができる。

第３図は本発明の放射線画像変換パネルを用いて構成さ
れた放射線画像変換装置の概略を示し、５は放射線発生
装置、６は被写体、７は放射線画像変換パネル、８は輝
尽励起光源、９は放射線画像変換パネル７より放射され
た輝尽発光を検出する充電変換装置、ｌＯは光電変換装
置９で検出された信号を画像として再生する再生装置、
１１は再生装置ｌＯにより再生された画像を表示する表
示装置、１２は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽
発光のみを透過させるフィルターである。

第３図の放射線画像変換装置においては、放射線発生装
置５からの放射線Ｒは被写体６を通して放射線画像変換
パネル７に入射する。この入射した放射線Ｒ１は放射線
画像変換パネル７の輝尽性蛍光体層３に吸収され、その
エネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成さ
れる。次に、この蓄積像を輝尽励起光源８からの輝尽励
起光で励起して輝尽発光として放射させる。

放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネル
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置９で光電変換し、再生装置１０によ
って画像として再生し、表示装置ｌｌによって表示する
ことにより、被写体６の放射線透過像を観察することが
できる。

（実施例〕以下、本発明の実施例を比較例と共に説明するが、本発
明はこれらの態様に限定されるものではない。

〔実施例１〕厚さが１．０ｍｍの結晶化ガラス板からなる基板上に、
蒸着法により厚さが２０００人のアルミニウムの蒸着膜
からなる金属層を形成し、金属表面を育する支持体を得
た。

この支持体の金属表面上に、蒸着法により、厚さが２０
００人の５ｉｎｓの蒸着膜（３５０〜８００　ｎｍ＋ニ
ーおける光透過率（以下単に「光透過率」と記す）：９
０％以上）からなる透明薄膜層を形成した。

透明薄膜層の光透過率の測定は、透過率測定用として透
明石英ガラス板（厚さ１．０ｍｍ）に所定膜厚の透明薄
膜層のみを形成し、それを透明石英ガラス板（厚さ１．
００１１１１）を参照用サンプルとし、分光光度計（日
立製５５７型）を用いて１９０〜９００　ｎｍの範囲で
行った。また、保護層の光透過率の測定も同様に分光光
度計を用いて行った。

透明薄膜層が設けられた支持体を蒸着装置内に配置し、
支持体の温度を２００℃に、蒸着装置内の真空度を１０
−＠Ｔｏｒｒに設定し、透明薄膜層上への蒸着物質の堆
積速度が５μｍ／分となる条件下で蒸着を行って、厚さ
３００μｍの輝尽性蛍光体（ＲｂＢｒ：Ｔｊ）の蒸着膜
からなる輝尽性蛍光体層を透明薄膜層上に形成した。

次に、輝尽性蛍光体層の結晶性を高めるために、温度４
００℃でアニーリングを行った。

このアニーリング後の輝尽性蛍光体層上に、空隙を介し
てガラス封止タイプの保護層を設けて、第１図に示す構
成の本発明の放射線画像変換パネルＡを得た。なお、空
隙には乾燥した窒素ガスを充填した。

〔実施例２〕実施例１において、透明薄膜層を、厚さが２０００人の
Ｍ　ｇ　Ｆ　＊の蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率
：９０％以上）に変更したほかは同様にして本発明の放
射線画像変換パネルＢを得た。

〔実施例３〕実施例１において、金属層をクロムからなる厚さ２００
０人の蒸着膜に変更し、透明薄膜層の厚さを３０００人
に変更したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パ
ネルＣを得た。

〔実施例４〕実施例１において、金属層をクロムからなる厚さ２００
０人の蒸着膜に変更し、透明薄膜層を、厚さが１０００
人のＺｒＯの蒸着膜と厚さが１０００人のＳｉＯ３の蒸
着膜の２層構成の透明薄膜層に変更したほかは同様にし
て本発明の放射線画像変換パネルＤを得た。

〔実施例５〕実施例１において、透明薄膜層を、厚さが２０００人の
ＳｉＮの蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率＝８０％
以上）に変更したほかは同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＥを得た。

〔実施例６〕責施例１において、支持体を、厚さが０．３ｍｍのアル
ミニウム板からなる支持体に変更したほかは同様にして
本発明の放射線画像変換パネルＦを得た。

〔実施例７〕実施例６において、透明薄膜層を、厚さが２０００人の
Ｍ　ｇ　Ｆ　＊の蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率
：９０％以上）に変更したほかは同様にして本発明の放
射線画像変換パネルＧを得た。

〔実施例８〕実施例６において、透明薄膜層を、厚さが２０００人の
ＳｉＣの蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率：９０％
以上）に変更したほかは同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＨを得た。

〔実施例９〕平均粒子径８．５μｍのＲｂＢｒ　：Ｔｆ輝尽性蛍光体
８重量部と、ポリビニルブチラール樹脂１重量部とを溶
剤（シクロヘキサノン）８重量部を用いて、混合、分散
し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調製した。

次に、水平に置かれた定盤上に、蒸着法により厚さが２
０００人のアルミニウムの蒸着膜からなる金属層を形成
し、さらに蒸着法により厚さが２０００人のＳｔｏｗの
蒸着膜からなる透明薄膜層を形成した厚さ１．ｏｍｍの
結晶化ガラスを支持体として置き、この支持体の四周縁
に前記塗布液の流れ止め用の枠を設けた。

前記塗布液を保護層上に流延し、２５℃で一昼夜放置す
ることによって輝尽性蛍光体粒子を沈降分離させ、輝尽
性蛍光体層を形成した。その後、前記輝尽性蛍光体層を
さらに乾燥させ、その上に空隙を会してガラス封止タイ
プの保護層を設けて第１図に示す構成の本発明の放射線
画像変換パネル■を得た。

この放射線画像変換パネルＩの輝尽性蛍光体層の層厚は
３００μｍである。

〔実施例１０）平均粒子径８．５μｍのＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ輝尽性蛍
光体８重量部と、ポリビニルブチラール樹脂１重量部と
を溶剤（シクロヘキサノン）８重量部を用いて、混合、
分散し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調製した。

次に、水平に置かれた定盤上に、別途形成した厚さ５μ
ｍのポリエチレンフィルムを保護層として置き、この保
護層の四周縁に前記塗布液の流れ止め用の枠を設けた。

前記塗布液を保護層上に流延し、２５℃で一昼夜放置す
ることによって輝尽性蛍光体粒子を沈降分離させ、輝尽
性蛍光体層を形成した。その後、前記輝尽性蛍光体層を
さらに乾燥させ、その上に支持体として、蒸着法により
厚さが２０００人のアルミニウムの蒸着膜からなる金属
層を形成し、さらに蒸着法により厚さが２０００人のＳ
　ｉ　Ｏｓの蒸着膜からなる透明薄膜層を形成した厚さ
２００μｍのカーボンブラック練り込みポリエチレンテ
レフタレートフィルムを接着させて本発明の放射線画像
変換パネルＪを得た。

この放射線画像変換パネルＪの輝尽性蛍光体層の層厚は
３００μｍである。

〔比較例１〜１０〕実施例１−１０において、透明薄膜層を設けないほかは
それぞれ実施例１〜ｌＯと同様にして比較用の放射線画
像変換パネルａ−ｊを得た。

〔評価〕

以上のようにして得られた本発明に係る放射線画像変換
パネルＡ−Ｊと比較用の放射線画像変換パネルａ−ｊを
それぞれ用いて、第３図に示す構成の放射線画像変換装
置を製作し、実際に画像を形成する試験を行い、放射線
感度、画像の鮮鋭性を調べた。

また、放射線画像変換パネルＡ−Ｊおよびａ〜ｊのそれ
ぞれを、温度４５℃、相対湿度８５％の条件下で６０日
間放置して強制的に経時加速試験を行い、上記と同様に
してその後の放射線感度、画像の鮮鋭性を調べた。

結果をまとめて後記表１および表２に示す。

なお、表１および表２における放射線感度および鮮鋭性
は、それぞれ実施例１．　９において得られた値をとも
に１００とした際の相対値である。また、放射線感度は
、Ｘ線曝射後半導体レーザー光で励起した際の発光量で
ある。また、鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ
て評価した。ただし、空間周波数が０．５．１．０．２
．０サイクル／１１１時の解像度（％）の和に基づいた
値である。

表１および表２から明らかなように、本発明に係る放射
線画像変換パネルＡ−Ｊによれば、放射線感度および鮮
鋭性のいずれも良好な結果が得られる。

このように良好な結果が得られるのは、本発明の放射線
画像変換パネルにおいては、支持体の金属表面と輝尽性
蛍光体層との間に透明薄膜層が存在していて両者の接触
が防止されており、従って、蒸着時（温度２００℃）お
よびアニーリング時（温度４００℃）においても、支持
体の金属表面および輝尽性蛍光体層が化学的にきわめて
安定な状態にあるからであると考えられる。

しかし、比較用の放射線画像変換パネルａ−ｊは、放射
線感度および／または鮮鋭性の点で本発明の放射線画像
変換パネルＡ−Ｊよりも劣っている。これは、比較用の
放射線画像変換パネルでは透明薄膜層が設けられていな
いため、アニーリング工程において支持体の金属表面が
輝尽性蛍光体層の輝尽３蛍光体と化学反応を起こして腐
食し、そのため放射線感度、画像の鮮鋭性が劣るものと
考えられる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明の放射線画像変換パ
ネルによれば、支持体の金属表面と輝尽性蛍光体層との
間に透明薄膜層を設けたので、支持体の金属表面が、輝
尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体によって腐食されるおそれ
がなく、長期間にわたり物理的および化学的に安定して
おり、放射線感度および画像の鮮鋭性が初期から良好で
あり、しかもこの良好な特性が長期間にわたり安定に発
揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す断
面図、第２図は本発明の放射線画像変換パネルの他の例を示す
断面図、第３図は放射線画像変換装置の概略を示す説明図である
。ｌ・・・支持体　　　　　　ＩＡ・・・非金属製の基板
ＩＢ・・−金属層　　　　　１°・・・金属製の支持体
２・・・透明薄膜層　　　　３・・・輝尽性蛍光体層４
・・・保護層　　　　　　５・・・放射線発生装置６・
・・被写体７・・・放射線画像変換パネル８・・・輝尽励起光源　　　９・・・光電変換装置１０
・・・再生装置　　　　　１１・・・表示装置１２・・
・フィルター

Claims

【特許請求の範囲】金属表面を有する支持体と、輝尽性蛍光体層と、輝尽性
蛍光体層の保護層とを備えてなる放射線画像変換パネル
において、前記支持体の金属表面上に透明薄膜層を設け、この透明
薄膜層上に輝尽性蛍光体層を設けたことを特徴とする放
射線画像変換パネル。