JPS62133400A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用し・た放射線画像変換パネル
に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性及び感度共
に実用的水準の高い放射線画像を与える放射線画像変換
パネルに関するものである。

（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネ
ルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収によ
り蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許３．８５９，５２７号及び特開昭
５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用−・可視光線
または赤外線な輝尽励起光とした放射線画像変換方法が
示されている。

この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性
蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄
積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換
し、この光の強弱による光信号により画像を得るもので
ある。この最終的な画像はハードコピーとして再生して
も良いし、ＣｒｔＴ上に再生しても良い。

さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μｉｎ程度の粒状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保獲層
上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高く
するには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった
。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法に於ける画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のために
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子上トルが増加したり、構造的
乱れが顕在化して構造上トルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって作
成されてぎた。

即ち従来の放射線画像変換パネルでは、輝尽性蛍光体粒
子による輝尽励起光の散乱、拡散が大きいため輝尽性蛍
光体層厚の増大と共に急激に画像の鮮鋭性が低下し、感
度、鮮鋭度が共に悪い点はあっても、共に良好な点は求
め難い。

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決まる。

なぜならばこの放射線画像変換方法に於ては、放射線画
像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列化さ
れて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に照射された
輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光されそ
の時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上のある
画素（ｘｉ。

ｙｉ）からの出力として記録されるが、もし輝尽励起光
が該パネル内で散乱等により広がり、照射画素（ｘｉ、
ｙｉ）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起してしま
うと、上記（ｘｉ、ｙりなる画素からの出力としてその
画素よりも広い領域からの出力が記録されてしまうから
である。従って、ある時間（ｚｉ）に照射された輝尽励
起光による輝尽発光が、その時間（ｔりに輝尽励起光が
真に照射されていた該パネル上の画素（ｘｉ、ｙｉ）か
らの発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持
つものであろうと得られる画像の鮮鋭性には影響がない
のである。

このような状況の中で輝尽性蛍光体を結着剤中に分散し
てなる輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの
前記欠点を改善する方法もいくつか試みられている。

例えば特開昭５６−１１３９３号には輝尽性蛍光体を結
着剤中に分散してなる輝尽性蛍光体層の一方の層界面に
金属光反射層を設ける方法が示されている。この方法に
よれば、輝尽性蛍光体層の輝尽励起光入射側界面から内
部に入った部分の輝尽性蛍光体層を金属光反射層に変え
ることによって、前記輝尽性蛍光体層の層厚をより薄（
することができ、これによって輝尽励起光の輝尽性蛍光
体層内での広がりをおさえることが可能となり、鮮鋭性
の高い放射線画像が得られるというものである。

しかし、この方法は輝尽性蛍光体層厚の薄層化分だけ輝
尽励起光の核層内での広がり（散乱）を抑制できるが、
該層内で散乱しながら金属光反射層に到達した輝尽励起
光は、はとんど指向性を持たないので前記輝尽励起光の
金属反射層に対する入射角に応じて反射されて前記輝尽
性蛍光体層側にもどり再び散乱を繰返して輝尽性蛍光体
を広範囲にわたって励起するので、画像の鮮鋭性ばあま
り改善されない。

また、特開昭５６−１２６００号には前記特開昭５６−
１１３９３号に開示された金属光反射層の代わりに輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽性蛍光体層の一
方の面に白色顔料光反射層を設ける方法が示されている
。この方法によれば、輝尽性蛍光体層の輝尽励起光入射
側表面から内部に入った部分の輝尽性蛍光体層を白色顔
料光反射層に変えることによって、前記輝尽性蛍光体層
の層厚をより薄くすることができ、これによって輝尽励
起光の輝尽性蛍光体層内での広がりをおさえることが可
能となり、鮮鋭性の高〜・放射線画像が得られると言う
ものである。

しかし、この方法も、一種の白色顔料である輝尽性蛍光
体を結着剤中に分散してなる輝尽性蛍光体層の一部を、
白色顔料を結着剤中に分散してなる白色顔料光反射層に
置き換えただけである。このため、この方法は輝尽性蛍
光体層厚を薄くできる分輝尽励起光の該層内での広がり
（散乱）をおさえる効果はあるが、該店内で散乱しなが
ら白色顔料光反射層に到達した輝尽励起光は白色顔料光
反射層表面で乱反射し、あるいは白色顔料光反射層内部
で散乱して輝尽性蛍光体層側に反射し、輝尽性蛍光体層
内で再び散乱して輝尽性蛍光体を広範囲にわたって励起
するので、画像の鮮鋭性はあまり改善されない。

前述のように従来の放射線画像交換パネルに於ける放射
線に対する感度と画像の鮮鋭性との相反性はほとんど改
善されておらず、その改善が強く望まれていた。

（発明の目的） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
於ける前述のような欠点に鑑みてなされたものであり、
本発明の目的は同一放射線感度の放射線画像変換パイル
を比較した場合、従来の放射線画像変換パネルよりも鮮
鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。

また本発明の他の目的は同一鮮鋭性の放射線画像変換パ
ネルを比較した場合、従来の放射線画像変換パネルより
も放射線に対する感度の高い放射線画像変換パネルを提
供することにある。

（発明の構成） 先に述べたように、放射線画像変換パネルの画像の鮮鋭
性は輝尽性蛍光体層内での輝尽励起光の散乱に支配され
ている。本発明者らの研究によれば、放射線に対する感
度を低下させないで画像の鮮鋭性を向上させるには、輝
尽性蛍光体層内での輝尽励起光及び／または輝尽発光の
指向性を向上させることと、光散乱層を設けて輝尽性蛍
光体層厚を薄くすることの両方を組合せることが著しく
効果的であることが判明した。

前記知見に基づいて前記本発明の目的は、輝尽性蛍光体
層を有する放射線画像変換パネルに於て、前記輝尽性蛍
光体層が、接合して形成された形態を有する蛍光体層か
らなり、且つ該輝尽性蛍光体層のいずれか一方の層界面
側に光散乱層を有することを特徴とする放射線画像変換
パネルによって達成される。

前記本発明の態様としては、前記輝尽性蛍光体層が接合
して形成された形態を有する蛍光体層が層厚方向に脈理
を有し、輝尽励起光及び輝尽発光に指向性を与えられる
ことが好ましい。

また前記放射線画像変換パネルは光散乱層よりも輝尽励
起光の入射側に着色が施され、前記輝尽性蛍光体層を透
過しての輝尽励起光波長領域の光に対する平均反射率が
同義の輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率より小
であってもよい。

さらに層構成としては支持体−光散乱周一輝尽性蛍光体
層の順に積層されていることが実用的に好ましい。

また光散乱層は輝尽励起光波長領域の光及び／または輝
尽発光波長領域の光に対して５０％以上の平均反射率を
有することが好ましく、光学的に屈折率が変異する微細
界面を有してなる、例えば微細粒子からなる顔料層、界
面に粗面を有する層が用いられる。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明に於て、輝尽性蛍光体層に、接合して形成された
形態を有する蛍光体層を与え、さらに該層の層厚方向に
脈理、即ち屈折率の不均一な部分例えば亀裂界面、間隙
等を入れ、輝尽励起光あるいは輝尽発光の層厚み方向へ
の指向性を与えるには、一般に輝尽性蛍光体を気相堆積
法によって形成することによって達成される。

第１図（ａｌに気相堆積法の１つ蒸着法で接合して形成
され層厚方向に脈理として間隙、亀裂を有して哨果した
微細柱状結晶から成る輝尽性蛍光体層のクロスセクンヨ
ンの電子顕微鏡写真を示し、同図（ｂｌ　Ｋは該層に於
ける光の指向性即ち該層の光誘導効果を図式的に示した
。

同図ｆｂｌに於て、１つ１つの微細柱状結晶ａ１．２２
゜ａ３　　　の光誘導効果により、前記結晶界面で輝尽
励起光１１あるいは輝尽発光１２は全反射を繰返しなか
ら層厚方向に進行する。その結果、前記放射線画像変換
パネルに入射した輝尽励起光１１は輝尽性蛍光体層１３
中で散乱を起こして拡散することがなく指向性が向上す
る。同様に輝尽発光１２の指向性も向上する。

輝尽性蛍光体の気相堆積法としては蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、その他を用いること
ができる。

第１の方法としての蒸着法に於ては、まず支持体を蒸着
装置内に設置した後装置内を排気して１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少な
（とも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方
法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所
望の厚さに堆積させる。

この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
ク）ｐンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放
射線画像変換パネルが製造される。

尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。

また、前記蒸着法に於ては、輝尽性蛍光体原料を複数の
抵抗加熱器あるいはエンクトロンビームを用いて共蒸着
し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同
時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

さらに前記蒸着法に於ては、蒸着時、必要に応じて被蒸
着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱して
もよ（・。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理
してもよ〜・。また、前記蒸着法に於ては必要に応じて
０２　、１１２等のガスを導入して反応性蒸着を行って
もよい。

第２の方法としてのスパッタリング法に於ては、蒸着法
と同様に支持体をスパッタリング装置内に設置した後装
置内を一旦排気して１０−６Ｔｏｒ　ｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等
の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１０″
″３Ｔｏｒｒ程度のガス圧とする。

次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体
層を所望の厚さに堆積させる。

前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分
けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、ま
た、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のター
ゲットを用いて、同時ある℃・は順次、前記ターゲット
をスパックリングして輝尽性蛍光体層を形成することも
可能である。

スパッタリング終了後、蒸着法と同様（（必要に応じて
前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を
設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造
される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。

前記スパッタリング法においては、複数の輝尽性蛍光体
原料をターゲットとして用い、これを同時あるいは順次
スパッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光
体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも
可能である。また、前記スパッタリング法においては、
必要に応じて０２　、　Ｈ２等のガスを導入して反応性
スパッタリングを行ってもよい。

さらに、前記スパッタリング法においては、ン、バッタ
リング時必要に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層
）を冷却あるいは加熱してもよい。

また、スパッタリング終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理
してもよい。

第３の方法としてＣＶＤ法がある。また、第４の方法と
してイオンブレーティング法がある。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感
度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、３０μｍ
〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、４０
μｍ〜８００μｍの範囲から選ばれるのがより好ましい
。輝尽性蛍光体層の層厚を３０μｍ未満にした場合には
放射線吸収率が極端に低下して放射線感度が悪くなり、
画像の粒状性が劣化するばかりか輝尽性蛍光体層が透明
となり易く、輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での横方向
への広がりが著しく増大し、画像の鮮鋭性力を劣化する
傾向にあるので好ましくない。

また、前記本発明の放射線画像賓換パネルの製造に於て
、輝尽性蛍光体層の堆積速度は０．０５μ−〜３００μ
ｍ／分であることが好ましい。堆積速度が０．０５μｍ
／分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生
産性が低（好ましくない。また堆積速度が３００μｍ／
分を越える場合には堆積速度のフントロールがむずかし
く好ましくない。

本発明に係る光散乱層は、輝尽性蛍光体層、の坪尽励起
光入射側表面とは反対側の表面に設けられる。

前記光散乱層は輝尽性蛍光体層表面に直接設けられても
よいし、あるいは光散乱層と輝尽性蛍光体層との接着性
を高めるための下引層を介して設けられてもよい。

光散乱層としては顔料層、多孔賃金Ｔｆ４層、砂目立金
属層、セラミック層、摺ガラス層あるいはオパールガラ
ス層等光を散乱させうる界面もしくは層な有する層が用
いられる。

顔料層以外の光散乱層は支持体を兼用させる形態とする
こともでき、該光散乱面側に輝尽性蛍光体を気相堆積す
ればよい。別に支持体を用いる場合には気相堆積前に貼
合せればよい。あるいは支持体に気相堆積後光散乱層を
貼合せる手順：（シてもよい。

光散乱層を顔料層とする時には気相堆積可能の顔料には
該気相堆積法を用いてもよいしあるいは結着剤に懸濁さ
せた顔料塗料を塗布してもよい。

顔料としては輝尽励起光及び輝尽発光の両方に対する反
射率の高いものが好ましく、この点から白色顔料が特に
好ましい。

前記好ましい白色顔料の例としては、ＴｉＯ２（アナｐ
−スｙ１、ルーＦ−ル型）、Ｍｇ０　、　２Ｉ’ｂＣＯ
３・Ｐｂ　（ＯＨ）２、ＢａＳＯ４、ＡＩ！２０３、Ｍ
ＩＦ’Ｘ（ただし　ＭｌはＨａ、　Ｓｒ及びＣａのうち
の少なくとも一種であり、ＸはＣＩ！及びＢ「のうちの
少なくとも一種である）、ＣａＣＯ３、ＺｎＯ１Ｓｂ２
０３　　、　５ｉ０２　　、　ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、
リ　　ト　ボ　ン　（ＢａＳ０４＋　ＺｎＳ　）、ケイ
酸マグネシウム、塩基性ケイ硫酸鉛、塩基性リン酸鉛、
ケイ酸アルミニウムなどが挙げられる。これらの白色顔
料は、隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射し
たり、屈折させることにより光を容易に散乱し、得られ
る放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させる。

放射線画像変換パネル用の輝尽性蛍光体とじて二価のユ
ーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化・・ｐダン化物系
蛍光体、希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍
光体、タリウム賦活アルカリハライド系蛍光体などのよ
うな近紫外領域にも発光を示す輝尽性蛍光体を用いる場
合には、反射スペクトルが近紫外領域にまで及んでいる
という点から前記白色顔料のうちでも特にＭ’ＦＸ、７
ナタース型のＴｉＯ２、ＭｇＯ１２ＰｂＣＯ３・Ｐｂ　
（ＯＨ）２、ＢａＳＯ４及びｌ’２０３が好ましい。

顔料塗料として用いる場合には該顔料の平均粒子径は０
．０５〜５０μｍが好ましくさらに０．１〜１０μｍが
好ましい。

塗料に用いる結着剤には造膜性を有する高分子物質が用
いられ、二）ｐセルｐ−ス、塩化ビニル−酢酸ビニルフ
ポリマー、ポリウレタン等数多（の樹脂が使用に供しう
る。結着剤の顔料に対する重量比は０．０５〜０，５程
度が実用的である。

本発明に係る光散乱層の厚みは一般に２〜１００μｍが
好ましく、輝尽励起光及び／または輝尽発光波長領域の
光に対して５０％以上さらに７０％以上の平均反射率を
有することが好ましい。

尚該反射率は積分球型分光光度計で求められる。

本発明の放射線画像変換パネルは、得られる画像の鮮鋭
性をさらに一層向上させる目的で、前記放射線画像変換
パネルの光散乱層よりも輝尽励起光の入射側に着色を施
してもよい。

本発明に於て、放射線画像変換）くネルの光散乱層より
も輝尽励起光の入射側に施される着色は、輝尽性蛍光体
層の全層に亘って、あるいは該層の表層部分、光散乱層
に近接した層部分、下引層、保脛層のいずれか、または
これらの２つ以上に対して施される。もしくは層表ある
いは該層と光散乱層の間に着色層を設けて施される。

前記着色に使用される着色剤は輝尽性蛍光体を輝尽発光
させるための輝尽励起光の少な（とも一部を吸収するよ
うな着色剤であり、特に適用される輝尽性蛍光体の種間
に応じて、放射線画像変換パネルの輝尽励起光波長領域
の光に対する平均及以下余白 対車が輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率よりも
小さくなるような光吸収特性を有することが好ましい。

画像の鮮鋭性の点から、前記着色剤は輝尽性蛍光体の輝
尽励起光波長領域の光に対する吸収率が大きい（放射線
画像変換パネルの該波長領域の光に対する平均反射率が
小さい）方がよく、感度の点から、前記輝尽性蛍光体の
輝尽発光波長領域の光に対する吸収率が小さい（放射線
画像変換パネルの該波長領域の光に対する平均反射率が
大きい）方がよい。

より具体的には着色剤によって着色された放射線画像変
換パネルの輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率は
、着色されていない同等の放射線画像変換パネルの同一
波長領域の光に対する平均反射率の２０％以上であるこ
とが好ましく、着色剤によって着色された放射線画像変
換パネルの輝尽励起光波長領域の光に対する平均反射率
は、着色されていない同等の放射線画像変換パネルの同
一波長領域の光に対する平均反射率の９５％以下である
ことか好ましい。

前記着色剤としては有機もしくは無機系着色剤のいずれ
でもよいが、色相的には青色乃至緑色系のものが有用で
ある。

有機系着色剤としては、ザポンファーストブルー３Ｇ　
（ヘキスト製）、ニス）ａ−ルプリルプル−Ｎ−３ＲＬ
（住友化学製）、ＤＡＣブルーＡ　Ｉ（ナショナルアニ
リン勢）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイル
ブルー／ｆ６６０３（オｌ）エンド製）、キトンブルー
Ａ（チバガイギー製）、アイゼンカチｐンブルーＧＬＨ
（保土谷化学製）、レイクブルーＡＦ）Ｉ　（協和産業
製）、プリそシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、プリル７
シンドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアニンブル
ーＢＮ几Ｓ（東洋インク環）、ライオフルプルーＳＬ（
東洋インク環）等が用いられる。また、カラーインデッ
クス／Ｍ２４４１１．２３１６０．　７４１８０．７４
２００．２２８００　。

２３１５０．２３１５５．２４４０１．１４８８０．１
５０５０．１５７０６．１５７０７．１７９４１．７４
２２０．　１３４２５．１３３６１．１３４２０．　１
１８３６．７４１４０　、　７４３８０　。

７４３５０．７４４６０等の有機系金属錯塩着色剤も挙
げられる。

無機系着色剤としては、群青、コバルトブルー、セルリ
フノブルー、酸化りｐム、Ｔ　Ａ０２−　ＺｎＯ−Ｃｏ
。

−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。

本発明の放射線画像変換パネルに於て輝尽性蛍光体とは
、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後
に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放
射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが
、実用的な面から好ましくは５００　ｎｍ以上の輝尽励
起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては
、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されているｎ
ａｓｏ４：Ａｘ（但しＡはＤｙ、’ｒｂ及びＴｍのうち
少なくとも１種であり、ＸはＯ，ＯＯ１≦ｘ＜１モル％
である。）で表わされる蛍光体、特開昭４８−８０４８
８号記載のＭｇＳＯ４：　Ａｘ　（但しＡはＨｏあるい
はＤｙのうちいずれかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル
％である）で表わされる蛍光体、特開昭４８−８０４８
９号に記載されているＳｒＳＯ４：　Ａｘ　（但しＡは
Ｄｙ、’ｒｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、Ｘ
は０．００１≦Ｘ＜１モル％である。）で表わされてい
る蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されている
Ｎａ２ＳＯ４＋　ＣａＳＯ４及び１３　ａ　Ｓｏ　４等
にＭｎ　、　Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添加
した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されてい
るＢｅＯ、ＬｉＦ　、　ＭｇＳＯ４及びＣａＰ２等の蛍
光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ
ｚＢ４０７　：　Ｃｕ　、　Ａｇ等の蛍光体、特開昭５
４−４７８８３号に記載されているＬｉ２Ｏ・（Ｂ２０
２）　ｘ　：　Ｃｕ　（但しＸは２＜Ｘ≦３）、及びＬ
ｉ２Ｏ・（Ｂ２０２）　ｘ　：　Ｃｕ　＊　Ａｇ　（但
しＸは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３，８５９，
５２７号に記載されているＳｒＳ：　Ｃｅ、　Ｓｍ％Ｓ
ｒＳ：　Ｅｕ、　８ｍ％Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｂｕ、Ｓｍ及び
（Ｚｎ、　Ｃｄ　）Ｓ二Ｍｎ、　Ｘ（但しＸはハロゲン
）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、！Ｆ！ｊＤ
Ｒ昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ　：　
Ｃｕ　、　Ｐｂ蛍光体。

一般式がＢａＯ・ｘＡｌ！２０３：　Ｅｕ　（但し０８
≦Ｘ≦１０）で表わされるフルミン酸バリウム蛍光体、
及び一般式がＭ’Ｏ・ｘｓｉｏｚ　：　Ａ　（但しＭＩ
はＭｇ　＊　ｃａ　ｌ　Ｓｒ　ｌ　Ｚ’　＋Ｃｄ又はＢ
ａでありＡはＣｅ、Ｔｂ　、Ｅｕ　、Ｔｍ　、Ｐｂ　、
Ｔｌ　、Ｂｉ及びＭｎのうち少なくとも１種であり、Ｘ
は０．５≦Ｘ＜２．５である。）で表わされるアルカリ
土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般式が
（Ｂａ＋　−ｘ−ｙ　ＭｇｘＣａｙ　）　ＦＸ　；　６
Ｂｕ”（但しＸはＢ「及びＣＩ！の中の少な（とも１つ
であり、Ｘｌｙ及びｅはそれぞれｏ＜ｘ＋ｙ≦０６、ｘ
ｙ〆Ｏ及び１０−６≦ｅ≦５　Ｘｌ０−２なる条件を満
たす数である。）で表わされるフルカリ土類弗化・・ロ
ゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載され
ている一般式が ＬｎＯＸ　：　ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣ１及び／またはＢ「を、Ａ４ｌＣｅ及び／ま
たはＴｂを、ＸはＯ＜ｘ＜０．１を満足する数を表わす
。）で表わされる蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に
記載されている一般式が （Ｂａ１−Ｘ　Ｍ”　Ｘ　）　ＰＸ　：　ｙＡ（但しＭ
Ｉは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少な（
とも１つを、ＸはＣＩ！　、　Ｂｒ及び■のうちの少な
くとも１つを、ＡはＰｕ、　’ｒｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔ
ｍ、　Ｄｙ　、　Ｐｒ　、Ｈｏ　。

Ｎｄ　、　Ｙｂ及びＢｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ
及びｙは０≦Ｘ≦０６及びＯ≦ｙ≦０２なる条件を満た
す数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭５５−８
４３８９号に記載されて（・る一般式がＢａＦＸ　：　
ｘＣｅ　。

ｙＡ（但し、Ｘ　ｉ’ＩＣＩ！、　Ｂｒ及び■のうちの
少なくとも１つ、ＡはＩｎ　、　Ｔｌ　、　Ｇｄ　、　
Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙ
はそれぞれＯ＜Ｘ≦２Ｘ　１０−１及びＱ　＜　ｙ≦ｓ
　ｘ　１ｏ−２である。）で表わされる蛍光体、特開昭
５５−１６００７８号に記載されている一般式が Ｍ”ＰＸ−ｘＡ：　ｙＬｎ （但しＭｌはＭｇ、　Ｃａ、　Ｂａ、　Ｓｒ　＋　Ｚｎ
及びＣｄのうち少なくとも１種、ＡはＢｅＯ、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａｄ、　ＺｎＯ。

ｋｅ２０３　、　Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３＊
　５ｉ０２　ｒ　ＴｉＯ２、ＺｒＯ２。

Ｑｅ０２　、５ｎ０２　、　Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０５及
びＴｈ０２のうちの少なくともＩｆ！ｉ、ＬｎはＥｕ、
Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ＋Ｈｏ＋Ｎｄ　、　Ｙｂ
、　Ｅｒ、　Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくとも１種であ
り、ＸはＣｊ’、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１種で
あり、Ｘ及びｙはそれぞれ５　Ｘ　１０−５≦Ｘ≦Ｏ５
及びＱ　＜　ｙ≦０２なる条件な満たす数である。）で
表わされる希土類元素付活２価金属フルオロ・・ライド
蛍光体、一般式がＺｎＳ　：　Ａ　、　ＣｄＳ　：　Ａ
、　（Ｚｎ。

Ｃｄ）Ｓ　：Ａ　、　ＺｎＳ：　Ａ、　Ｘ及びＣｄＳ：
Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ　、Ａｇ　、　Ａｕ又はＭｎであ
り、Ｘは）・ｐゲンである。）で表わされる蛍光体、特
開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記いずれ
かの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、　Ｃａ　、　Ｓｒ　
、　Ｂａ　、Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、Ｘは
Ｆ　＋　Ｃ１＋　Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種、Ａ
はＥｕ　、　Ｔｂ　、Ｃｅ　、Ｔｍ　。

Ｄｙ、　Ｐｒ、　ＩＩｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　
Ｓｂ、　Ｔｌ、　Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を
表わす。また、Ｘ及びｙは０　＜　ｘ≦６、Ｏ≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる蛍光体、下
記いずれかの一般式 ％式％ （式中、Ｔｉ１ｅはＬａ　、Ｇｄ　、　Ｙ　、　Ｌｕの
うち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸｌはＦ、Ｃｅ
、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及びｙ
は、ｌＸｌ０−４＜ｘ　＜　３　Ｘ　１０−’、Ｉ　Ｘ
　１０−４＜　ｙ　＜　Ｉ　Ｘ　１０−’なる条件を満
たす数であり、ｎ　／　ｍはｌ　Ｘ　１０−３＜　ｎ　
／　ｍ　＜７　Ｘ　１０〜１なる条件を満たす。）で表
わされる蛍光体、及び下記一般式 ％式％： （但しＭｌはＬｉ　、　Ｎａ、　Ｋ　、Ｒｈ及びＣｓか
ら選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、ＭＩ
ｌはＢｅ、Ｍｇ。

Ｃａ　、　Ｓｒ　、　Ｂａ　＋　Ｚｎ　、　Ｃｄ、　Ｃ
ｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。ＭｌｆｆはＳｃ、　Ｙ　、Ｌａ　。

Ｃｅ＋　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｉ’ｍ、　Ｓｍ、　Ｅｕ、　
Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ＋　１−１ｏ、　Ｅｒ。

Ｔｍ　、　Ｙｂ　、　Ｌｕ　、　Ａ／　、　Ｇａ及びＩ
ｎから選ばれる少なくとも１種の三価金属である。ｘ　
、　ｘ’及びＸｌｌはＦ、ｃ！！。

Ｂｒ及びＩから選ばれろ少なくとも１種のハロゲンであ
る。ＡはＥｕ　、　’ｒｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔｍ　、　
Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　Ｉｌｏ　、　Ｎｄ　。

ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ＋　Ｌｕ、　Ｓｍ、ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、
Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属
である。

またａは、０≦ａ　＜０．５の範囲の数値であり、ｂは
０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．
２の範囲の数値である。）で表わされるアルカリハライ
ド蛍光体等が挙げられる。特にアルカリ・・ライド蛍光
体は、蒸着、スパッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層
を形成させやすく好ましい。

しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな（、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。

本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも１種類を含む１つもしくは２つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルに於ては、光散乱層また
は輝尽性蛍光体層に自己支持能がな（・場合には該光散
乱層及び輝尽性蛍光体層を支持するための支持体が設け
られる。前記支持体としては各種高分子材料、ガラス、
金属等が用いられ、セルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ボｌ）７ミトフイルム、ポリイミ　ドフィルム、
トリアセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等
のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シー
ト、銅シート等の金属シートあるいは該金属酸化物の被
覆層を有する金属シートが好ましい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層または光散乱層との接着性を向上させる目的でマ
ント面としてもよい。また、支持体の表面は第２図（ａ
）に示すような凹凸面２１としてもよいし、（ｂｌに示
すように隔絶されたタイル状板２３を敷きつめた構造で
もよい。第２図（ａｌの場合には輝尽性蛍光体層が第２
図（ｃｌの断面図に示すように凹凸面２１によって細分
化されるので画像の鮮鋭性が一段と向上する。第２図ｆ
ｂｌの場合には輝尽性蛍光体層が支持体のタイル状板２
３の輪郭を維持しながら堆積するので、結果的には輝尽
性蛍光体層は第２図ｆｄｌの断面図に示すように亀裂２
６によって隔絶された輝尽性蛍光体の柱状ブロック２５
から成るため、画像の鮮鋭性が一段と向上する。

さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層または光散乱層
との接着性を向上させる目的で輝尽性蛍光体層または光
散乱層が設けられる面に下引層を設けてもよい。また、
これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によって異
なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μｍであり、取
扱い上の点からさらに好ましくは８０μｍ〜１０００μ
ｍである。

本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層の光散乱層が設けられる面とは反対側
の面に、輝尽性蛍光体層を物理的にあるいは化学的に保
護するための保護層が設けられてもよい。この保護層は
、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形
成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護
層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護層の材料
トシてハ酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルフ゛チラー７し、ポリビ
ニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリ
デン、ナイロン等の通常の保護層用材料が用いられる。

また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により
、ＳｉＣ、５ｉ０２　。

Ｓ　ｉＮ　、　ＡＩ！２０３などの無機物質を積層して
形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般には、０
．１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルは第３図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れたー鋭
性、粒状性及び感度を与える。すなわち、第３図におい
て、３１は放射線発生装置、３２は被写体、３３は本発
明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、３４
は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、３６は３５で検出された信号を画
像として再生する装置、３７は再生された画像を表示す
る装置、３８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽
発光のみを透過させるフィルターである。尚３５以降は
３３かもの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではない。

第３図に示されるように、放射線発生装置３１からの放
射線は被写体３２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル３３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル３３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。

次にこの蓄積像を邦尽励起光源３４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線
画像変換パネル３３は、輝尽性蛍光体層中に結着剤が含
まれておらず輝尽性蛍光体層の指向性が高いため上記輝
尽励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体
層中で拡散するのが抑制される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄櫃された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１３５で光電変換し、画像再生装置３
６によって画像として再生し、画像表示装置３７によっ
て表示することにより、被写体の放射線透過像を観察す
ることができる。

（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 弗化臭化バリウム（ＢａＦＢｒ　）粒子とポリウレタン
の混合物にトルエン及びエタノールを添加したのち、ホ
モジナイザーを用いて充分に攪拌混合して、弗化臭化バ
リウムの粒子が均一に分散し、結着剤、弗化臭化バリウ
ムの混合比が１：１０（重量比）、且つ粘度が２５〜３
５　ＰＳ（２５’Ｏ）の塗布液を調製した。

次いで、化学強化ガラス（支持体、厚み：４００μｍ）
を水平に置いて、その上に塗布液をドクターグレードを
用いて均一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成さ
れた支持体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度
を２５℃から１００℃に徐々に上昇させて、塗膜の乾燥
を行った。このようにして支持体上に層厚が約３０μｍ
の光散乱層を形成した。

次に、光散乱層を形成した前記支持体を蒸着器中に設置
した。次いで水冷した坩堝にアルカリ／・ライド輝尽性
蛍光体（ＲｂＢｒ　：　Ｏ，０Ｏ０６Ｔｌりを入れ、プ
レスして坩堝の形状に成形した。

蒸着器を続いて排気し、５　Ｘ　１０＝Ｔｏｒｒの真空
度とした。次に支持体を１５０℃に加熱保持しながら、
ＥＢガンに電力を供給して輝尽性蛍光体を蒸発させた。

目的とする輝尽性蛍光体層を得るために膜厚モニタによ
り蒸着速度を検出し、蒸着速度が５　ｐｍ／分となるよ
うにコントロールした。また電子ビームは坩堝の輝尽性
蛍光体表面をラスター状にスキャンさせた。

輝尽性蛍光体層の層厚が２００μｍとなったところで蒸
着を終了させ、支持体、光散乱層、輝尽性蛍光体層から
構成される本発明の放射線画像変換）（ネルを得た。

さらに、輝尽性蛍光体層の層厚を１００〜４００μｍの
範囲で変化させることにより、支持体、光散乱層、輝尽
性蛍光体層から構成される種々の放射線画像変換パネル
Ａを製造した。

前記本発明の放射線画像変換パネルＡは次に記載する放
射線感度試験及び画像の鮮鋭性試験により評価し、結果
を第４表の曲線人として示す。

（１）放射線感度試験 放射線画像変換パネルに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０
ｍＲ照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ　
）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発
光を光検出器（光電子倍増管）で光電変換し、この信号
の大きさより、放射線画像変換パネルのＸ線に対する感
度を調べた。

尚、Ｘ線に対する感度は本発明の放射線画像変換パネル
Ａの中で輝尽性蛍光体層厚が２００μｍのものを１００
として相対値で示しである。

（２）画像の鮮鋭性試験 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０ｍｒＬ照射した後、
Ｈｅ　−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で輝尽励起し、
輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（光
電子増倍管）で光電変換し、この信号を画像再生装置に
よって画像として再生し、得られた画像より、画像の変
調伝達関数（ＭＴＩ’　）を調べた。

尚、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２す・イ
クル／ｍ１１の時の値である。

実施例２ 実施例１に於て光散乱層を塗布して設けた支持体を用い
る代わりに、粒末状の白色顔料な練込んだポリエチレン
テレフタレートフイルノ・（厚み１３００８ｍ）を用い
たこと以外は実施例１と同様にして白色ＰＥＴ、輝尽性
蛍光体層から構成される種々の本発明の放射線画像変換
パネルＢを製造した。

前記本発明の放射線画像変換パネルＢは実施例１と同様
にして放射線感度及び画像の鮮鋭性を評価し、結果を第
４図曲線Ｂとして示す。

実施例３ 実施例１に於て、光散乱層を塗設した支持体を用いる代
わりに表面に砂目立て処理を施し、光散乱層としたアル
ミニウム板（厚み：４００μｍ）を用いた以外は実施例
１と同様にして砂目立てアルミニウム板、輝尽性蛍光体
層から構成される種々の本発明の放射線画像変換パネル
Ｃを製造した。

前記本発明の放射線画像変換パネルＣは実施例１と同様
にして放射線感度及び画像の鮮鋭性を評価し、結果を第
４図の曲線Ｃとして示す。

比較例１ 実施例１に於て、化学強化ガラス上に直接輝尽性蛍光体
層を蒸着する以外は実施例１と同様にして化学強化ガラ
ス、輝尽性蛍光体層から構成される種々の比較の放射線
画像変換パネルＰを製造した。

前記比較の放射線画像変換パネルＰは実施例１と同様に
して放射線感度及び画像の鮮鋭性を評価し、結果を第４
図の曲ＭＰとして示す。

比較例２ 弗化臭化バリウム（ＢａＦＢｒ　）粒子とポリウレタン
の混合物にトルエン及びエタノールを添加したのち、ホ
モジナイザーを用いて充分に攪拌混合して、弗化臭化バ
リウムの粒子が均一に分散し、結着剤、弗化臭化バリウ
ム及び顔料の混合比がｌ：１０　（ｆｉ重量比、且つ粘
度が２５〜３５　ＰＳ　（２５°Ｃ）の塗布液を調製し
た。

次いで、化学強化ガラス（支持体、厚み：２５０μｍ〕
を水平に置いて、その上に塗布液をドクターグレードを
用いて均一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成さ
れた支持体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度
を２５℃から１００’Ｑに徐々に上昇させて、塗膜の乾
燥を行った。このようにして、支持体上に層厚が約３０
μｍの光散乱層を形成した。

次に、アルカリ・・ライド輝尽性蛍光体（ＹＬｂＢｒ：
０．０００６ＴＩりの粒子と線状ポリエステル樹脂との
混合物にメチルエチルケトンを添加し、さらに硝化度１
１．５％のニトロセルー−スを添加して蛍光体粒子を分
散状態で含有する分散液を調製した。次に、この分散液
に燐酸トリクレジル、ｎ−ブタ／−ル、そしてメチルエ
チルケトンを添加したのち、プロペラミキサーを用いて
充分に攪拌混合して、蛍光体粒子が均一に分散し、結着
剤と蛍光体との混合比が１：２０（重量比）、且つ粘度
が２５〜３５　ＰＳ　（２５”Ｏ）の塗布液をＵ！Ａ製
した。

この塗布液を上記と同様の操作により、光散乱層上に塗
布したのち、乾燥することによって層厚が約２００μｍ
の輝尽性蛍光体層を形成した。

このよ５１Ｃして支持体、光散乱層、輝尽性蛍光体層か
ら構成される比較の放射Ｍ　１ｉＩｉｉ（ｆＪ変換パネ
ルを製造した。

さらに、輝尽性蛍光体層の層厚を１００〜４００ｔｔｍ
の範囲で変化させることにより、支持体、光散乱層、輝
尽性蛍光体層から構成される種々の比較の放射線画像変
換パネルＱを製造した。

前記比較の放射線画像変換パネルＱは実施例１と同様に
して放射線感度及び画像の鮮鋭性を評価し、結果を第４
図の曲線Ｑとして示す。

第４図より明らかなように本発明の放射ＩｉＩ画像変換
パネルＡ、Ｂ、Ｃは、従来の放射線画像変換パネルＰ、
ＱＫ比較していずれも放射線感度が同一であれば画像の
鮮鋭性が高く、逆に画像の鮮鋭性が同一であれば放射線
感度が高い。

（発明の効果） 前述のように輝尽性蛍光体層を、接合して形成され層厚
方向に脈理を有し霜柱状に蛸果した微細柱状結晶を用い
且つ該層の層界面に光散乱層を設けることによって、相
反的であった感度と鮮鋭性を共に改善することができた
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の輝尽性蛍光体層の説明図であって同図
（ａ）は気相堆積法によって形成された微細結晶から成
る層のクロスセックジョンの電子顕微鏡写真、同図１ｂ
ｌは該層の光の指向性を示す図式的断面図である。 第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明に係る支持体の輝尽性
蛍光体を堆積させる層表の形状例を示し、同図１ｃｌ及
び（ｄｉは該層表に輝尽性蛍光体層を形成した時の断面
を示す。 第３図は本発明に用いられる放射線画像変換方法の概略
図である。 第４図は本発明の放射ａ画像変換パネルＡ、Ｂ。 Ｃ及び比較の放射線画像変換パネルＰ、Ｑに於ける相対
感度と画像の鮮鋭性との関係を示す図である。 ２１及び２２・・・支持体　２３・・・・・・タイル状
板２４及び２５　　・・輝尽性蛍光体層 ２７　・・・・光散乱層　　　２６　・・・・亀裂３１
　　・・・放射線発生装置 ３２・・・被写体 ３３　　・放射線画像変換パネル ３４　　・輝尽励起光源 ３８　　　フィルター 出願人　小西六写真工業株式会社 木２図 （ａ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）第３図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルに
   於て、前記輝尽性蛍光体層が、接合して形成された形態
   を有する蛍光体相からなり、且つ該輝尽性蛍光体層のい
   ずれか一方の層界面側に光散乱層を有することを特徴と
   する放射線画像変換パネル。
2. （２）前記輝尽性蛍光体層が接合して形成された形態を
   有する蛍光体相に於て層厚方向に脈理を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変換パ
   ネル。
3. （３）前記光散乱層が輝尽励起光波長領域の光及び／ま
   たは輝尽発光波長領域の光に対して５０％以上の平均反
   射率を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項記載の放射線画像変換パネル。
4. （４）前記放射線画像変換パネルが光散乱層よりも輝尽
   励起光の入射側に着色を施され、前記輝尽性蛍光体層を
   透過しての輝尽励起光波長領域の光に対する平均反射率
   が同義輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率より小
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
   または第３項記載の放射線画像変換パネル。
5. （５）前記放射線画像変換パネルが、支持体、前記光散
   乱層、前記輝尽性蛍光体層の順に積層されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の放射
   線画像変換パネル。
6. （６）前記光散乱層が光学的屈折率の変異する微細界面
   を有してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
   至第５項記載の放射線画像変換パネル。