JPH04174584A - 面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法 - Google Patents
面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法Info
- Publication number
- JPH04174584A JPH04174584A JP29991090A JP29991090A JPH04174584A JP H04174584 A JPH04174584 A JP H04174584A JP 29991090 A JP29991090 A JP 29991090A JP 29991090 A JP29991090 A JP 29991090A JP H04174584 A JPH04174584 A JP H04174584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- layer
- laser
- emitting laser
- surface emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法に関し
、 活性層の位置に影響されず、安定して発振を行うことが
できる面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法
を提供することを目的とし、本発明の面発光レーザは、
レーザ光を発光するための活性層と、その上方および下
方の反射膜で構成した共振器とを含む面発光レーザにお
いて、活性層で発光されたレーザ光の位相を調整するた
めの層を、活性層の上下にそれぞれ設けて構成し、本発
明のレーザ発振方法は、本発明の面発光レーザを用い、
その作動時に、前記位相調整層に電流を印加して前記共
振器内のレーザ光行路の屈折率を変化させることにより
、該共振器内に生成している定在波の電界強度ピーク位
置を前記活性層の位置に一致させるように構成する。
、 活性層の位置に影響されず、安定して発振を行うことが
できる面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法
を提供することを目的とし、本発明の面発光レーザは、
レーザ光を発光するための活性層と、その上方および下
方の反射膜で構成した共振器とを含む面発光レーザにお
いて、活性層で発光されたレーザ光の位相を調整するた
めの層を、活性層の上下にそれぞれ設けて構成し、本発
明のレーザ発振方法は、本発明の面発光レーザを用い、
その作動時に、前記位相調整層に電流を印加して前記共
振器内のレーザ光行路の屈折率を変化させることにより
、該共振器内に生成している定在波の電界強度ピーク位
置を前記活性層の位置に一致させるように構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方
法に関する。
法に関する。
近年、光の空間並列性を利用した画像処理システムや演
算処理システムが有望視されている。面発光レーザは、
このようなシステムを構成する非常に重要な素子の一つ
である。面発光レーザは、膜厚方向で光を帰還させてレ
ーザ発振動作を起こさせるものであり、２次元的にアレ
イ配置することにより、例えば画像用光源として用いる
ことができる。
算処理システムが有望視されている。面発光レーザは、
このようなシステムを構成する非常に重要な素子の一つ
である。面発光レーザは、膜厚方向で光を帰還させてレ
ーザ発振動作を起こさせるものであり、２次元的にアレ
イ配置することにより、例えば画像用光源として用いる
ことができる。
［従来の技術〕
面発光レーザは、レーザ光を発光するための活性層と、
その上方および下方の反射膜で構成した共振器とを含ん
で成る。
その上方および下方の反射膜で構成した共振器とを含ん
で成る。
第３図（Ａ）および（Ｂ）を参照して、従来の面発光レ
ーザの構成を説明する。ｐ−ＩｎＰ基板３１上に形成し
たｐ−１ｎＰ層３２、Ｉ ｎＧａＡｓＰ活性層３３（λ
ａ ＝１．５５μｍ、厚さ＝０．２ ｔｔｍ）およびｎ
−１ｎＰ層３４から成る円錐台形の領域が、ｎ−１ｎＰ
層３５で埋め込まれており、円錐台領域の上面（＝ｎ−
１ｎＰ層３４上面）および基板３１下面にはそれぞれＡ
ｕ等の高反射膜３６Ａおよび３６Ｂが、埋め込みｎ−１
ｎＰｉ３５の上面および基板３１の下面にはそれぞれｎ
側電極３７およびｐ＠電極３８が設けである。
ーザの構成を説明する。ｐ−ＩｎＰ基板３１上に形成し
たｐ−１ｎＰ層３２、Ｉ ｎＧａＡｓＰ活性層３３（λ
ａ ＝１．５５μｍ、厚さ＝０．２ ｔｔｍ）およびｎ
−１ｎＰ層３４から成る円錐台形の領域が、ｎ−１ｎＰ
層３５で埋め込まれており、円錐台領域の上面（＝ｎ−
１ｎＰ層３４上面）および基板３１下面にはそれぞれＡ
ｕ等の高反射膜３６Ａおよび３６Ｂが、埋め込みｎ−１
ｎＰｉ３５の上面および基板３１の下面にはそれぞれｎ
側電極３７およびｐ＠電極３８が設けである。
電極３７および３８から電流を注入すると活性層３３で
レーザ光が発光し、上面反射膜３６Ａおよび下面反射膜
３６Ｂによりこのレーザ光に帰還がかかり、同図（Ａ）
の上下方向（膜厚方向）でレーザ発振を起こす（同図中
に矢印で表示）。
レーザ光が発光し、上面反射膜３６Ａおよび下面反射膜
３６Ｂによりこのレーザ光に帰還がかかり、同図（Ａ）
の上下方向（膜厚方向）でレーザ発振を起こす（同図中
に矢印で表示）。
最近、薄膜活性層厚さ数〜数１０ｎｍの、いわゆる量子
井戸構造活性層の面発光レーザの開発が進められている
。この場合、活性層の位置が共振方向（膜厚方向）で僅
かに変動すると、発振を起こすのに必要な電流のしきい
値が著しく変化するという問題が生ずる。
井戸構造活性層の面発光レーザの開発が進められている
。この場合、活性層の位置が共振方向（膜厚方向）で僅
かに変動すると、発振を起こすのに必要な電流のしきい
値が著しく変化するという問題が生ずる。
すなわち、活性層３３では光が増幅されるが、活性層３
３内に含まれる電界強度が大きい程この増幅作用が大き
い。一方、面発光レーザでは、第３図（Ｃ）に示すよう
に共振方向（膜厚方向）に沿って定在波Ｗが生成する。
３内に含まれる電界強度が大きい程この増幅作用が大き
い。一方、面発光レーザでは、第３図（Ｃ）に示すよう
に共振方向（膜厚方向）に沿って定在波Ｗが生成する。
活性層３３の位置が定在波Ｗの山Ｐ（電界強度ピーク位
置）と一致するときは大きな増幅率が得られるが、定在
波Ｗの谷Ｂ（電界強度最低位置）と一致するときは光の
増幅率が小さくなる。したがって、活性層３３が定在波
Ｗの谷Ｂの位置にあると、レーザ光を発振させるために
はより大きな注入電流が必要となり、発振しきい値が高
くなる。定在波の山と谷の間隔は０．２ μｍ程度と狭
いので、量子井戸構造の活性層の面発光レーザでは、活
性層の位置が僅かに変わるだけで発振しきい値が大きく
変わり、安定した発振が得られないという問題があった
。
置）と一致するときは大きな増幅率が得られるが、定在
波Ｗの谷Ｂ（電界強度最低位置）と一致するときは光の
増幅率が小さくなる。したがって、活性層３３が定在波
Ｗの谷Ｂの位置にあると、レーザ光を発振させるために
はより大きな注入電流が必要となり、発振しきい値が高
くなる。定在波の山と谷の間隔は０．２ μｍ程度と狭
いので、量子井戸構造の活性層の面発光レーザでは、活
性層の位置が僅かに変わるだけで発振しきい値が大きく
変わり、安定した発振が得られないという問題があった
。
〔発明が解決しようとする課題］
本発明は、活性層の位置に影響されず、安定して発振を
行うことができる面発光レーザおよびそれを用いたレー
ザ発振方法を提供することを目的とする。
行うことができる面発光レーザおよびそれを用いたレー
ザ発振方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明の面発光レーザは
、レーザ光を発光するための活性層と、その上方および
下方の反射膜で構成した共振器とにそれぞれ設けたこと
を特徴とする。
、レーザ光を発光するための活性層と、その上方および
下方の反射膜で構成した共振器とにそれぞれ設けたこと
を特徴とする。
本発明のレーザ発振方法は、上記本発明の面発光レーザ
を用い、その作動時に、前記位相調整層に電流を印加し
て前記共振器内のレーザ光行路の屈折率を変化させるこ
とにより、該共振器内に生成している定在波の電界強度
ピーク位置を前記活性層の位置に一致させることを特徴
とする。
を用い、その作動時に、前記位相調整層に電流を印加し
て前記共振器内のレーザ光行路の屈折率を変化させるこ
とにより、該共振器内に生成している定在波の電界強度
ピーク位置を前記活性層の位置に一致させることを特徴
とする。
第１図を参照して、本発明における位相調整層の作用を
説明する。同図（Ａ）には、説明を簡潔にするため、ｎ
−１ｎＰ層１１を上下から一対の位相調整用ｐ型半導体
層１２Ａおよび１２Ｂで挾んだ形の原理的構造を示した
。各位相調整層１２Ａおよび１２Ｂには、それぞれ位相
調節電流供給用電極１３Ａおよび１３Ｂから位相調整用
電流１４Ａおよび１４Ｂが供給され、ｎ−１ｎＰ層１１
内を通って、流出用電極１５から流出する。
説明する。同図（Ａ）には、説明を簡潔にするため、ｎ
−１ｎＰ層１１を上下から一対の位相調整用ｐ型半導体
層１２Ａおよび１２Ｂで挾んだ形の原理的構造を示した
。各位相調整層１２Ａおよび１２Ｂには、それぞれ位相
調節電流供給用電極１３Ａおよび１３Ｂから位相調整用
電流１４Ａおよび１４Ｂが供給され、ｎ−１ｎＰ層１１
内を通って、流出用電極１５から流出する。
同図（Ｂ）には、上記各層１２Ａ、１１．１２Ｂの積層
方向（膜厚方向）に沿って生成している定在波を、それ
ぞれ上側電極１３Ａからの電流１４Ａを供給し、下側電
極１３Ｂからの電流１４Ｂは供給しない場合（状態１）
と、逆に上側電極１３Ａからの電流１４Ａは供給せず、
下側電極１３Ｂからの電流１４Ｂを供給した場合（状態
２）について示す。例えば膜厚方向Ｘの位置ＸＯについ
ては、状態１では定在波Ｗの谷Ｂが一致しているが、状
態２では山Ｐが一致するように変化している。これは、
位相調整用半導体層１２Ａまたは１２Ｂに電流が流れる
と、レーザ光行路の屈折率（主として位相調整層の屈折
率）が変化して定在波の波長（周期）が変わるためであ
る。
方向（膜厚方向）に沿って生成している定在波を、それ
ぞれ上側電極１３Ａからの電流１４Ａを供給し、下側電
極１３Ｂからの電流１４Ｂは供給しない場合（状態１）
と、逆に上側電極１３Ａからの電流１４Ａは供給せず、
下側電極１３Ｂからの電流１４Ｂを供給した場合（状態
２）について示す。例えば膜厚方向Ｘの位置ＸＯについ
ては、状態１では定在波Ｗの谷Ｂが一致しているが、状
態２では山Ｐが一致するように変化している。これは、
位相調整用半導体層１２Ａまたは１２Ｂに電流が流れる
と、レーザ光行路の屈折率（主として位相調整層の屈折
率）が変化して定在波の波長（周期）が変わるためであ
る。
本発明では、上記の原理を利用し、位相調整層に適当な
大きさの電流を注入して、定在波Ｗの山Ｐを活性層の位
Ｗ（例えばＸ＝ＸＯ）に一致させることにより、活性層
の位置に影響されず、発振しきい値の変動を防止して最
適の発振状態を安定して得ることができる。
大きさの電流を注入して、定在波Ｗの山Ｐを活性層の位
Ｗ（例えばＸ＝ＸＯ）に一致させることにより、活性層
の位置に影響されず、発振しきい値の変動を防止して最
適の発振状態を安定して得ることができる。
（実施例］
第２図（Ａ）およびＣＢ）に、本発明に従った面発光レ
ーザの構成例を示す。
ーザの構成例を示す。
同図の面発光レーザ２００においては、ｐ−１ｎＰ基板
２０１上に形成したｐ−１ｎＰ層２０２、量子井戸活性
層２０３、ｎ−１ｎＰ層２０４およびｐ−１ｎＧａＡｓ
Ｐ位相調整層２０５から成る上端直径５μｍの円錐台形
の領域が、ｎ−１ｎｎ−１ｎＰで埋め込まれており、基
板２０１の下面にはもうｎ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層
２０７が設けである。量子井戸活性層２０３は、ノンド
ープＩ ｎＣ；ａＡｓ量子井戸層２０３Ａ（組成λａ＝
１．６７μｍ、厚さ＝１０ｎｍ）を上下からそれぞれノ
ンドープＩｎＣｙａＡｓＰバリア層２０３Ｂ（＆Ｍ成λ
ｂ＝１．３μｍ、厚さ＝０．１ ｕｍ）で挟んだサンド
インチ構造である。ｐ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０
５およびｎ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０７はいずれ
も組成λａ ＝１．４ μｍ、厚さ＝３μｍである。円
錐台領域の上面すなわちＰ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整
層２０５の上面およびｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整
層２０７の下面には、それぞれＡｕの高反射膜２０８Ａ
および２０８Ｂが、埋め込みｎ−１ｎＰ層２０６の上面
および基板２０１の下面にはそれぞれ発光用のｐｌＪｉ
ｉ極２０９極右０９Ａ側電極２０９Ｂが設けである。更
に、埋め込みｎ−１ｎＰ層２０６上面には、このｎ−Ｉ
ｎＰ層２０６内のＺｎ拡散領域２１１によりｐ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ位相調整層２０５と電気的に接続された位相調
整電流供給用の上部電極２１５が設けられている。一方
、ｎ−１ｎＣ；ａＡｓＰ位相調整層２０７の下面には、
位相調整電流供給用の下部電極２１７が設けられている
。
２０１上に形成したｐ−１ｎＰ層２０２、量子井戸活性
層２０３、ｎ−１ｎＰ層２０４およびｐ−１ｎＧａＡｓ
Ｐ位相調整層２０５から成る上端直径５μｍの円錐台形
の領域が、ｎ−１ｎｎ−１ｎＰで埋め込まれており、基
板２０１の下面にはもうｎ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層
２０７が設けである。量子井戸活性層２０３は、ノンド
ープＩ ｎＣ；ａＡｓ量子井戸層２０３Ａ（組成λａ＝
１．６７μｍ、厚さ＝１０ｎｍ）を上下からそれぞれノ
ンドープＩｎＣｙａＡｓＰバリア層２０３Ｂ（＆Ｍ成λ
ｂ＝１．３μｍ、厚さ＝０．１ ｕｍ）で挟んだサンド
インチ構造である。ｐ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０
５およびｎ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０７はいずれ
も組成λａ ＝１．４ μｍ、厚さ＝３μｍである。円
錐台領域の上面すなわちＰ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整
層２０５の上面およびｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整
層２０７の下面には、それぞれＡｕの高反射膜２０８Ａ
および２０８Ｂが、埋め込みｎ−１ｎＰ層２０６の上面
および基板２０１の下面にはそれぞれ発光用のｐｌＪｉ
ｉ極２０９極右０９Ａ側電極２０９Ｂが設けである。更
に、埋め込みｎ−１ｎＰ層２０６上面には、このｎ−Ｉ
ｎＰ層２０６内のＺｎ拡散領域２１１によりｐ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ位相調整層２０５と電気的に接続された位相調
整電流供給用の上部電極２１５が設けられている。一方
、ｎ−１ｎＣ；ａＡｓＰ位相調整層２０７の下面には、
位相調整電流供給用の下部電極２１７が設けられている
。
電極２０９Ａから流出する電流は活性層２０３を流れて
、活性層２０３で発光を起こす。活性層２０３で発光し
たレーザ光は上下の光反射膜２０８Ａおよび２０８Ｂで
帰還され、同図（Ａ）の上下方向で発振を起こす。
、活性層２０３で発光を起こす。活性層２０３で発光し
たレーザ光は上下の光反射膜２０８Ａおよび２０８Ｂで
帰還され、同図（Ａ）の上下方向で発振を起こす。
一方、位相調整電流２および３はそれぞれ位相調整層２
０５および２０７を流れる。電流１を流すことにより面
発光レーザ２００は発振を開始するが、この時電流２お
よび３の値を調整することにより、定在波の山と谷の位
置を移動させて山を活性層２０３の位置に一致させる。
０５および２０７を流れる。電流１を流すことにより面
発光レーザ２００は発振を開始するが、この時電流２お
よび３の値を調整することにより、定在波の山と谷の位
置を移動させて山を活性層２０３の位置に一致させる。
これにより、発振しきい値の増加を防止して安定いた発
振を行うことができる。
振を行うことができる。
第２図の面発光レーザは以下のような手順で製造するこ
とができる。
とができる。
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いて、（１０
０） ｐ−１ｎＰ基板２０１上に、ｐ−１ｎＰ層２０２
、量子井戸活性１１２０３（ノンドープＩ ｎＧａＡｓ
量子井戸層２０３Ａ（組成λａ−１，６７μｍ、厚さ＝
１０ｎｍ）を上下からそれぞれノンドープＩｎＣ；ａＡ
ｓＰバリア層２０３Ｂ（組成λｂ＝１．３μｍ、厚さ＝
０．１ μｍ）で挟んだサンドイッチ構造）、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層２０４（厚さ１μｍ）、およびＰ−１ｎＧａＡｓＰ
位相調整層２゜５（組成λａ＝１．４μｍ、厚さ＝３μ
ｍ）を順次積層状態に成長させる。
０） ｐ−１ｎＰ基板２０１上に、ｐ−１ｎＰ層２０２
、量子井戸活性１１２０３（ノンドープＩ ｎＧａＡｓ
量子井戸層２０３Ａ（組成λａ−１，６７μｍ、厚さ＝
１０ｎｍ）を上下からそれぞれノンドープＩｎＣ；ａＡ
ｓＰバリア層２０３Ｂ（組成λｂ＝１．３μｍ、厚さ＝
０．１ μｍ）で挟んだサンドイッチ構造）、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層２０４（厚さ１μｍ）、およびＰ−１ｎＧａＡｓＰ
位相調整層２゜５（組成λａ＝１．４μｍ、厚さ＝３μ
ｍ）を順次積層状態に成長させる。
フォトリソグラフィーと化学工・ンチングにより上記積
層部を上端直径５μｍの円錐台形に成形した後、その周
囲を液相成長法によりｎ−１ｎＰ層２０６で埋め込む。
層部を上端直径５μｍの円錐台形に成形した後、その周
囲を液相成長法によりｎ−１ｎＰ層２０６で埋め込む。
その後、液相成長法を用いて、基板２０１の裏面にｎ−
１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０７（組成λａ＝１．４
μｍ、厚さ＝３μｍ）を成長させる。
１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０７（組成λａ＝１．４
μｍ、厚さ＝３μｍ）を成長させる。
次に、ｎ−１ｎＧａＡｓＰ位相調整層２０７を一部分エ
ッチングして成形してから、上下の高反射膜２０８Ａお
よび２０８Ｂ、各電極２０９Ａ、２０９Ｂ、２１５．２
１７をそれぞれ真空蒸着法により形成して、面発光レー
ザ２００を得る。
ッチングして成形してから、上下の高反射膜２０８Ａお
よび２０８Ｂ、各電極２０９Ａ、２０９Ｂ、２１５．２
１７をそれぞれ真空蒸着法により形成して、面発光レー
ザ２００を得る。
なお、本実施例においては位相調整層２０５および２０
７を反射１１！’２０８ Ａおよび２０８Ｂに接して設
けたが、本発明の位相調整層の位置はこれに限定されず
、活性層２０３と上下の反射膜２０８Ａおよび２０８Ｂ
との間であればよい。
７を反射１１！’２０８ Ａおよび２０８Ｂに接して設
けたが、本発明の位相調整層の位置はこれに限定されず
、活性層２０３と上下の反射膜２０８Ａおよび２０８Ｂ
との間であればよい。
以上説明したように、本発明の面発光レーザは、活性層
の位置に影響されず、発振しきい値の変動を防止して最
適の発振状態を安定して得ることができる。
の位置に影響されず、発振しきい値の変動を防止して最
適の発振状態を安定して得ることができる。
第１図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の原理を示す（Ａ
）素子断面図および（Ｂ）定在波のグラフ、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明に従った面発光レ
ーザの構成例を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）平面図、
および 第３図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、従来の面発光レ
ーザの構成例を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）平面図、
および（Ｃ）定在波のグラフである。 １１：ｎ−１ｎＰ層、 １２Ａ、１２Ｂ：位相調整用Ｐ型半導体層、１３Ａ、１
３Ｂ：位相調節電流供給用電極、２００：面発光レーザ
、 ２０１：ｐ−１ｎＰ基板、 ２０２：ｐ−ＩｎＰ層、 ２０３：量子井戸活性層、 ２０３Ａ：ノンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸層、２０３
Ｂ：ノンドーブＩｎＧａＡｓＰバリア層、２０４ ：
ｎ−１ｎ ＰＩ。 ２０５ ： ｐ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整層、２０６
：ｎ−１ｎＰ層、 ２０７ ： ｎ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整層、２０８
Ａ、２０８Ｂ：反射膜、 ２０９Ａ：発光用ｐ＠電極、 ２０９Ｂ：発光用ｎｌｌ！ｌ電極、 ２１１：Ｚｎ拡散領域、 ２１５：位相調整電流供給用の下部電極、２１７：位相
調整電流供給用の下部電極、３１：ｐ−１ｎＰ基板、 ３２：ｐ−１ｎＰ層、 ３３、： Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３４：ｎ−１ｎ
Ｐ層、 ３５：ｎ−１ｎＰ層、 ３６Ａ、３６Ｂ：反射膜、 ３７：ｎ＠電極、 ３８：ｐ側電極。
）素子断面図および（Ｂ）定在波のグラフ、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明に従った面発光レ
ーザの構成例を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）平面図、
および 第３図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、従来の面発光レ
ーザの構成例を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）平面図、
および（Ｃ）定在波のグラフである。 １１：ｎ−１ｎＰ層、 １２Ａ、１２Ｂ：位相調整用Ｐ型半導体層、１３Ａ、１
３Ｂ：位相調節電流供給用電極、２００：面発光レーザ
、 ２０１：ｐ−１ｎＰ基板、 ２０２：ｐ−ＩｎＰ層、 ２０３：量子井戸活性層、 ２０３Ａ：ノンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸層、２０３
Ｂ：ノンドーブＩｎＧａＡｓＰバリア層、２０４ ：
ｎ−１ｎ ＰＩ。 ２０５ ： ｐ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整層、２０６
：ｎ−１ｎＰ層、 ２０７ ： ｎ−１ｎＧａＡｓ Ｐ位相調整層、２０８
Ａ、２０８Ｂ：反射膜、 ２０９Ａ：発光用ｐ＠電極、 ２０９Ｂ：発光用ｎｌｌ！ｌ電極、 ２１１：Ｚｎ拡散領域、 ２１５：位相調整電流供給用の下部電極、２１７：位相
調整電流供給用の下部電極、３１：ｐ−１ｎＰ基板、 ３２：ｐ−１ｎＰ層、 ３３、： Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、３４：ｎ−１ｎ
Ｐ層、 ３５：ｎ−１ｎＰ層、 ３６Ａ、３６Ｂ：反射膜、 ３７：ｎ＠電極、 ３８：ｐ側電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光を発光するための活性層と、その上方およ
び下方の反射膜で構成した共振器とを含む面発光レーザ
において、活性層で発光されたレーザ光の位相を調整す
るための層を、活性層の上下にそれぞれ設けたことを特
徴とする面発光レーザ。 ２、請求項１記載の面発光レーザを用い、その作動時に
、前記位相調整層に電流を印加して前記共振器内のレー
ザ光行路の屈折率を変化させることにより、該共振器内
に生成している定在波の電界強度ピーク位置を前記活性
層の位置に一致させることを特徴とするレーザ発振方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29991090A JPH04174584A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29991090A JPH04174584A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174584A true JPH04174584A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17878408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29991090A Pending JPH04174584A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2004207724A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ヴァーティカルエミッション型半導体レーザー |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP29991090A patent/JPH04174584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2004207724A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ヴァーティカルエミッション型半導体レーザー |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070201527A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser | |
| CN100454697C (zh) | 垂直腔面发射激光器 | |
| US7769067B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser device | |
| KR102368946B1 (ko) | 파장 가변 레이저 장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| US5408486A (en) | Surface emitting laser provided with light modulator | |
| JP4833665B2 (ja) | フォトニック結晶半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH04229688A (ja) | 半導体垂直キャビティ面発光レーザ | |
| JP7754653B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子 | |
| US6480516B1 (en) | Surface semiconductor optical amplifier with transparent substrate | |
| JPH0793473B2 (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH04174584A (ja) | 面発光レーザおよびそれを用いたレーザ発振方法 | |
| JP3243772B2 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JP3570094B2 (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法及び波長可変方法 | |
| US6744798B2 (en) | Surface-type light amplifer device and method of manufacture thereof | |
| WO2022172663A1 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ素子 | |
| US5042046A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5727016A (en) | Spatially coherent diode laser with lenslike media and feedback from straight-toothed gratings | |
| JPH0563301A (ja) | 半導体光素子および光通信システム | |
| JP2875929B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2007234721A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ | |
| JPH01248585A (ja) | 分布帰還形半導体レーザ | |
| JPH04101486A (ja) | モニタ付き面発光型半導体レーザ装置 | |
| JP3215531B2 (ja) | 光増幅器 | |
| JPH1117285A (ja) | 波長可変型面発光レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS63269594A (ja) | 面発光型双安定半導体レ−ザ |