JPH04174850A - ポジ型フォトレジスト用現像液 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト用現像液Info
- Publication number
- JPH04174850A JPH04174850A JP2301020A JP30102090A JPH04174850A JP H04174850 A JPH04174850 A JP H04174850A JP 2301020 A JP2301020 A JP 2301020A JP 30102090 A JP30102090 A JP 30102090A JP H04174850 A JPH04174850 A JP H04174850A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing solution
- developing
- regist
- active agent
- solution
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、水酸化アルカリ水溶液からなるポジ型フォト
レジスト用現像液に関する。
レジスト用現像液に関する。
プリント回路基板等のパターン製作にはフォトリソグラ
フィ技術が用いられ、このためのフォトレジストとして
は、ネガ型とポジ型があるが、最近は、解像度の面で優
れていることがらポジ型が主流になってきている。
フィ技術が用いられ、このためのフォトレジストとして
は、ネガ型とポジ型があるが、最近は、解像度の面で優
れていることがらポジ型が主流になってきている。
このポジ型フォトレジストは、一般に水酸化ナトリウム
等のアルカリ水溶液に、これに可溶なノボラック樹脂と
ナフトキノンジアジド系感光剤を加えたものが用いられ
、この感光剤が紫外線の照射を受けてアルカリ水溶液に
可溶となる反応を利用し、次いで、この感光剤を現像液
で処理してパターン形成が行なわれる。
等のアルカリ水溶液に、これに可溶なノボラック樹脂と
ナフトキノンジアジド系感光剤を加えたものが用いられ
、この感光剤が紫外線の照射を受けてアルカリ水溶液に
可溶となる反応を利用し、次いで、この感光剤を現像液
で処理してパターン形成が行なわれる。
このポジ型フォトレジスト用の現像液の代表的なものと
して、有機アルカリ化合物（水酸化テトラメチルアンモ
ニウム等）が用いられているが、この現像液は解像度や
寸法精度の低下、歩留の低下等の問題があった。これを
解決する”手段として、この現像液にメタノール、エタ
ノール等の有機溶剤或いは界面活性剤を添加する方法が
提案されている（特開昭５８−５７１２８号公報）、。
して、有機アルカリ化合物（水酸化テトラメチルアンモ
ニウム等）が用いられているが、この現像液は解像度や
寸法精度の低下、歩留の低下等の問題があった。これを
解決する”手段として、この現像液にメタノール、エタ
ノール等の有機溶剤或いは界面活性剤を添加する方法が
提案されている（特開昭５８−５７１２８号公報）、。
一方、より安価な現像液として、アルカリ金属水酸化物
の水溶液が使用されている。このアルカリ金属水酸化物
からなる現像液は、露光部の溶解速度が遅く、現像効率
が悪いという問題があった。
の水溶液が使用されている。このアルカリ金属水酸化物
からなる現像液は、露光部の溶解速度が遅く、現像効率
が悪いという問題があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり
、本発明の目的は、ポジ型レジストの露光部の溶解速度
を早め、現像効率を高めることができる現像液を提供す
ることにある。
、本発明の目的は、ポジ型レジストの露光部の溶解速度
を早め、現像効率を高めることができる現像液を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者は、上記課題を達成するために鋭意、研究を進
めた結果、アルカリ金属水酸化物水溶液からなる現像液
に、特定の界面活性剤を添加することにより、前記アル
カリ金属水酸化物水溶液のみからなる現像液に比べて、
レジスト露光部の溶解速度力τ著しく増加し、現像後の
残膜がなく、現像工程を連続して行なうプリント回路基
板あるいはテープキャリア等の製造においてポジ型フォ
トレジストを使用する場合、極めて有効であることを見
出した。
めた結果、アルカリ金属水酸化物水溶液からなる現像液
に、特定の界面活性剤を添加することにより、前記アル
カリ金属水酸化物水溶液のみからなる現像液に比べて、
レジスト露光部の溶解速度力τ著しく増加し、現像後の
残膜がなく、現像工程を連続して行なうプリント回路基
板あるいはテープキャリア等の製造においてポジ型フォ
トレジストを使用する場合、極めて有効であることを見
出した。
本発明は、かかる知見に基づきなされたもので、本発明
のポジ型フォトレジスト用現像液は、アルカリ金属水酸
化物の水溶液にスルホン酸塩及び又は硫酸エステル塩の
アニオン界面活性剤を含有させることからなるものであ
る。
のポジ型フォトレジスト用現像液は、アルカリ金属水酸
化物の水溶液にスルホン酸塩及び又は硫酸エステル塩の
アニオン界面活性剤を含有させることからなるものであ
る。
本発明の現像液に用いられるアルカリ金属水酸化物とし
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好適に用い
られ、この化合物の水溶液濃度は、１〜５％が好ましい
。この濃度が１％未満であれば、現像速度が遅く、また
５％以上とすると非露光部のレジストが溶解されるよう
になり好ましくない。
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好適に用い
られ、この化合物の水溶液濃度は、１〜５％が好ましい
。この濃度が１％未満であれば、現像速度が遅く、また
５％以上とすると非露光部のレジストが溶解されるよう
になり好ましくない。
本発明の現像液に添加されるスルホン酸塩界面活性剤と
しては、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼン及びア
ルキルナフタレンフルホン酸、スルホコハク酸、α−オ
レフィンスルホン酸、Ｎ−アシルスルホン酸、アルキル
アリルエーテルスルホン酸等のナトリウム、アンモニウ
ム、カリウム等のアルカリ金属との塩、また硫酸エステ
ル塩アニオン界面活性剤としては、アルキル硫酸エステ
ル、アルキルエーテル硫酸エステル、アルキルアリルエ
ーテル硫酸エステル、アルキルアミド硫酸、硫酸化油等
のナトリウム、アンモニウム、カリウム等のアルカリ金
属との塩等のいずれも、特に支障なく用いることができ
る。
しては、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼン及びア
ルキルナフタレンフルホン酸、スルホコハク酸、α−オ
レフィンスルホン酸、Ｎ−アシルスルホン酸、アルキル
アリルエーテルスルホン酸等のナトリウム、アンモニウ
ム、カリウム等のアルカリ金属との塩、また硫酸エステ
ル塩アニオン界面活性剤としては、アルキル硫酸エステ
ル、アルキルエーテル硫酸エステル、アルキルアリルエ
ーテル硫酸エステル、アルキルアミド硫酸、硫酸化油等
のナトリウム、アンモニウム、カリウム等のアルカリ金
属との塩等のいずれも、特に支障なく用いることができ
る。
この界面活性剤のうちでも、特には、アルキルジフェニ
ルエーテルジスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタレ
ンスルホン酸ナトリウム、或いはポリオキシエチレンア
ルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム等が好ましい。
ルエーテルジスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタレ
ンスルホン酸ナトリウム、或いはポリオキシエチレンア
ルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム等が好ましい。
これらの界面活性剤は、現像液に対し、ｏ、。
１〜１０ｗｔ％添加することが好ましい。０．０１ｗｔ
％以下の濃度では、界面活性剤が添加された効果が認め
られず、また１０ｗｔ％以上では、添加量の増加の割に
は、゛効果の向上が期待できないため、１０ｗｔ％以下
とすることが好ましい。
％以下の濃度では、界面活性剤が添加された効果が認め
られず、また１０ｗｔ％以上では、添加量の増加の割に
は、゛効果の向上が期待できないため、１０ｗｔ％以下
とすることが好ましい。
本発明の現像液は、従来の現像液とほとんど同じ条件、
方法で使用でき、２０〜３０℃の液温で、−浸漬、パド
ル、スプレー等の現像法が好適に採用される。
方法で使用でき、２０〜３０℃の液温で、−浸漬、パド
ル、スプレー等の現像法が好適に採用される。
以下に、本発明を実施例について説明するが、本発明は
これらによって限定されるものではない。
これらによって限定されるものではない。
（実施例１）
５．５ｃｍ平方の銅張ガラスエポキシ積層板上に、クレ
ゾールノボラック樹脂２５％、０−ナフトキノンジアジ
ドフェニルスルホネート１０％、ジエチレングリコール
モノブチルエーテルアセテート６５％の混合物をスピン
コーターを用い、２０Ｏｒｐｍ、２分間塗布し、８０℃
、３０分間乾燥した。このとき膜厚は４．４μｍであっ
た。
ゾールノボラック樹脂２５％、０−ナフトキノンジアジ
ドフェニルスルホネート１０％、ジエチレングリコール
モノブチルエーテルアセテート６５％の混合物をスピン
コーターを用い、２０Ｏｒｐｍ、２分間塗布し、８０℃
、３０分間乾燥した。このとき膜厚は４．４μｍであっ
た。
本積層板にラインアンドスペース５０μｍのくし型ポジ
パターン（＜シ本数１１）をのせ、超高圧水銀灯（５０
００ｗ）を用い、５００ｍＪ／ｃｎｆで露光した。
パターン（＜シ本数１１）をのせ、超高圧水銀灯（５０
００ｗ）を用い、５００ｍＪ／ｃｎｆで露光した。
これを第１表に示す現像液に、２５℃で、６０秒間浸′
漬し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を
測定したところ７３ｎｍ／ｓであった。本パターンの断
面を観察したところ、露光部にレジスト残は認められな
かった。
漬し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を
測定したところ７３ｎｍ／ｓであった。本パターンの断
面を観察したところ、露光部にレジスト残は認められな
かった。
第１表現像液組成
（実施例２）
実施例１と同様に露光まで処理した積層板を第２表に示
す現像液に、２５℃の温度で、６゜秒間浸漬し、露光部
を溶解した。レジスト露光２部の溶解速度を測定したと
ころ、７３部ｍ／ｓであう 二つだ。本パターンの断面を観察したところ、露光部に
レジスト残は認められなかった。
す現像液に、２５℃の温度で、６゜秒間浸漬し、露光部
を溶解した。レジスト露光２部の溶解速度を測定したと
ころ、７３部ｍ／ｓであう 二つだ。本パターンの断面を観察したところ、露光部に
レジスト残は認められなかった。
第２表現像液組成
（比較例１）
実施例１と同様に露光まで処理した積層板を水酸化ナト
リウム１．３％水溶液に、２５℃の温度で、６０秒間浸
漬し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を
測定したところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの
断面を観察したところ、露光部にレジスト残が観察され
た。
リウム１．３％水溶液に、２５℃の温度で、６０秒間浸
漬し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を
測定したところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの
断面を観察したところ、露光部にレジスト残が観察され
た。
（比較例２）
実施例１と同様に露光まで処理した積層板を水酸化カリ
ウム１．８％水溶液に、２５℃の温度で、６０秒間浸漬
し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を測
定したところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの断
面を観察したと゛ころ、露光部にレジスト残が観察され
た。
ウム１．８％水溶液に、２５℃の温度で、６０秒間浸漬
し、露光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を測
定したところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの断
面を観察したと゛ころ、露光部にレジスト残が観察され
た。
（比較例３）
実施例１と同様に露光まで処理した積層板を水酸化テト
ラメチルアンモニウム３％水溶液にドデシルジフェニル
エーテルジスルホン酸ナトリウム０．９％を添加した現
像液を用い、２５℃の温度で、６０秒間浸漬し、露光部
を溶解した。
ラメチルアンモニウム３％水溶液にドデシルジフェニル
エーテルジスルホン酸ナトリウム０．９％を添加した現
像液を用い、２５℃の温度で、６０秒間浸漬し、露光部
を溶解した。
レジスト露光部の溶解速度を測定したところ、５９部ｍ
／ｓであった。本パターンの断面を観察したところ、露
光部にレジスト残が観察された。
／ｓであった。本パターンの断面を観察したところ、露
光部にレジスト残が観察された。
（比較例４）
水酸化ナトリウム１．３％水溶液にトリエチレングリコ
ールノニルフェニルエーテルを０．９％濃度になるよう
に混合した。トリエチレングリコールノニルフェニルエ
ーテルは、水酸化ナトリウム水溶液にほとんど不溶であ
った。析出物を除去した液に、実施例１と同様に露光ま
で処理した積層板を２５℃、６０秒間浸漬しレジスト露
光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を測定した
ところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの断面を観
察したところ、露光部にレジスト残が観察された。
ールノニルフェニルエーテルを０．９％濃度になるよう
に混合した。トリエチレングリコールノニルフェニルエ
ーテルは、水酸化ナトリウム水溶液にほとんど不溶であ
った。析出物を除去した液に、実施例１と同様に露光ま
で処理した積層板を２５℃、６０秒間浸漬しレジスト露
光部を溶解した。レジスト露光部の溶解速度を測定した
ところ、６７部ｍ／ｓであった。本パターンの断面を観
察したところ、露光部にレジスト残が観察された。
（比較例５）
実施例１と同様に露光まで処理した積層板を第３表に示
す現像液に、２５℃、６０秒間浸漬し、レジスト露光部
を溶解した。
す現像液に、２５℃、６０秒間浸漬し、レジスト露光部
を溶解した。
第３表現像液組成
本パターンの断面を観察したところ、レジスト非露光部
が１．６μｍ減少していた。
が１．６μｍ減少していた。
［発明の効果］
以上のように、本発明のポジ型フォトレジスト用現像液
によれば、従来の現像液に比べ露光部の溶解速度が早く
、レジスト残が発生しない、という格別の効果を奏する
。
によれば、従来の現像液に比べ露光部の溶解速度が早く
、レジスト残が発生しない、という格別の効果を奏する
。
Claims (1)
- アルカリ金属水酸化物の水溶液にスルホン酸塩及び又は
硫酸エステル塩のアニオン界面活性剤を含有させること
を特徴とするポジ型フォトレジスト用現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301020A JPH04174850A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ポジ型フォトレジスト用現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301020A JPH04174850A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ポジ型フォトレジスト用現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174850A true JPH04174850A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17891879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2301020A Pending JPH04174850A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ポジ型フォトレジスト用現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174850A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04204454A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用現像液組成物 |
| JPH0561205A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
| JPH05204164A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP2301020A patent/JPH04174850A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04204454A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用現像液組成物 |
| JPH0561205A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
| JPH05204164A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
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