JPS62262043A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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JPS62262043A
JPS62262043A JP61103745A JP10374586A JPS62262043A JP S62262043 A JPS62262043 A JP S62262043A JP 61103745 A JP61103745 A JP 61103745A JP 10374586 A JP10374586 A JP 10374586A JP S62262043 A JPS62262043 A JP S62262043A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分テア 本発明は、感光性樹脂組成物、さらに詳しくいえば、ド
地基板に対する密it性および現像性を向にさせたポジ
型の感光性樹脂組成物に関するものである。
従来の技術 一般に、F4体、プリント回路)Is板、印刷板などの
製Φにおいては、エツチング、めっき、拡散などのよう
な処理が施されるが、これらの処理は1通常はド地基板
りの一部を保護することによって行われる。そして、こ
のド地基板りを選択的に保護するr役としては、例えば
有機高分子系の感光性樹脂(以ド、「ホトレジスト」と
記す)をF地ノ、(板1−に塗布し、所安の原画フィル
ムを介して活性光線を照射したのち、現像処理を施すこ
とによってド地基根1−にレジストパターンを形成させ
、このレジストバター/をマスクとして露出したド地)
、(板に」−記した種々の処理が行われるのが一般的で
ある。
ところで5ホトレンストには、活性光線の照射部分が硬
化して不溶化する性質を利用し、未明射部分を現像液に
より溶解除去することによってレシストバ2−ンを形成
するネガ型のものと、逆に照射部分が現像液により溶解
除去されることによってレジストパターンを形成するポ
ジ型のものが知られている。ポジ型ホトレジストは、ネ
カ型ホトレジストに比べて画像のνJれや解像度に優れ
、か−)活性光線の照射時に酸素による′#響を受けず
、また、塗Iu後の安定性にも憬れているため、加工・
r法の微細化に対応できるものとして注目されている。
しかしながら、この加[−=r法の微細化に対応するに
は、ポジやホトレジストの有する解tI&′度に加えて
、下地基板との密着性が極めて屯要であり、微細なレジ
ストパターンが、現像、エツチノグなどの処理中、ド地
基板から容易に剥離することなく強<’fEEしている
ことが要求される。
この、1ユにおいて、従来のポジ型ホトレジストは十分
でなく、加工寸法の微細化に対応できなくなっている。
このポジ型ホトレジストの下地基板に対する雀Ii性を
向ヒさせるために、ポジ型ホトレジストに、」(役ジエ
ン玉合体とα、β−不飽和ジカルボン酩もしくはその無
水物との付加体に、アルコール性水酸基を有する化合物
を反応させて部分エステル化を行うことによって得られ
る化合物を添加したもの(、4!fBel昭59−17
0836号公報)または、不飽和ジカルボン酸とエチレ
ンクリコールから−R1&1合反応により得られる化合
物をポジ型ホトレジストに添加したもの(特開昭59−
172643 t;公報)などが知られている。しかし
ながら、これらのものにおいても現在の加工寸法の微細
化に対応するためにには、下J1!!基板に対して必ず
しも部分な密着性を有しておらず、また畜漬性を向にさ
せるためにポリマー系の化合物を添加するから、ポジ型
ホトレジストの現像性を悪くし、現像処理の際、活性光
線の照射部分が完全に現像液により除去されず、レジス
ト残りを生じるという新たな問題点を有している。
発明が解決しようとする問題点 本発明者らは、従来のポジ型感光性樹脂Ml成物の欠点
を4斤し、下J1!基板に対する密着性及び現像性の向
上したポジ型の感光性樹脂組成物の提供を目的として鋭
意研究した結果、ポジ型ホトレジストにベンツトリアゾ
ールカルボン酸類を含有させることによって、その目的
が達成されることを見い出して本発明をするに至った。
問題点を解決するための手段 本発明は、ポジ型ホトレジストに一般式(式中のRは、
水素原子または炭素原子数が1〜3つ脂肪族炭化水素基
を表わす、)で示されるベンツトリアゾールカルボン酸
類を含イーすることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成
物である。
以ド、本発明の詳細な説明する。
(ポジ型ホトレジスト) 本発明で使用しうるポジ型ホトレジストは、0−キノン
ジアジド化合物からなる感光性物質を必須成分として含
有するもので、感光性物質としては1分子中にキノンジ
アジド基を有し、300y500nmの波長をもつ活性
光線の照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキ
シル基を生じ、アルカリ不溶性の状態からアルカリ67
溶性となる化合物であり、具体的1こは、ナフトキノン
シアシトスルホン酸エステルを主成分をするものが好ま
しい、このナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは
、ナフトキノンシアシトスルホン酸と、ポリヒドロキシ
ベンツフェノンやフェノールやフレソールなどとアルデ
ヒド類から合成されるノボラック46411nなどのフ
ェノール性水酸基を4+ jる化合物とのエステル化反
応生成物であり、このものは、常υ、に従って容易に得
ることができ゛る。
フェノール性水酸基を有する化合物としては。
例えば前記ノボラック樹脂のほかに没食子酸アルキル、
p−ヒ1ζロキシスナレンのホモポリマー。
ピロカロールとア七トンとの縮合物のポリヒドキシフェ
ニル、テトラヒドロキシベンソフェ、ノンのようなポリ
ヒドロキシベンツフェノン、  l−リヒドロキシベン
ゼン、トリヒドロキシベンゼンモノエーテル類、2.2
’、4.4’−テトラヒドロキシジフェニルメタン、4
.4′−ジヒドロキシジフェニルプロパン、4.4’−
ジヒドロキシジフェニルス慶しホン、2.2’−ジヒド
ロキシ−1,1−ジナフチルメタン、2−ヒドロキシフ
ルオレン、2−ヒドロキシフェナントレン、ポリヒドロ
キシアントラキノン、プルプロガリン及びその誘導体、
フェニル2,4.6−)リヒドロキシ安忌杏酸エステル
などを挙げることができる。
また、感光性物質としては、を記したナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルに限らず、芳香族アミン化合物
との反応生成物であるナフトキノンジアジドスルホン酸
アミドあるいはナフトキノ/ジアジドカルボン酸アミド
などを用いることもできる。
さらに、必裳に応じて、アルカリ水溶液に溶解または膨
油する被膜形成物質および各種添加剤を加えてもよい、
この被膜形成物質としては1例えば、フェノールやフレ
ソールなどとアルデヒド類とから合成されるノボラック
樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルキルエー
テル、スチレンとアクリル酸との」(重合体、ポリヒド
ロキシスチレン、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、
ポリビニルヒドロキシベンザルなどを挙げることができ
、これらは中油でも、また2種以ト混合して用いてもよ
い。
また、各種添加剤としては1例えば感脂性を向りさせる
ための親油性フェノールホルムアルデヒド樹脂、塗/I
j性を改良するための界面活性剤1画tlR色のための
オイルブルー、クリスタルバイオレット1の染料、プリ
ントアウト性能をグーえるための材料としてO−ナフト
キノンジアジド−4−スルホニルクロリド、ホトクロミ
・?り化合物τ。
塗膜のOf 1A性を改良するための可塑剤としてフタ
ル酸エステル類、リン酸エステル類、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルエーテル類など
を挙げることができる。
(ペンツトリアソールカルボン 本発明の感光性樹脂組成物は、曲記したようなポジ型ホ
トレジストにベンゾトリアゾールカルボンI’l!類を
含りさせることを特徴とするが,このベンゾトリアソー
ルカルボン酸類は、下記一般式(式中のRは、水素原子
または炭素原f−数が1〜3の脂肪族炭化水素基を表わ
す.)で示されるものであればよく,例えば4−ヘンゾ
トリアンールカルボン酸,5−ベンソトリアンールカル
ポ/Iv、ヘンソトリアゾールカルポン酸の低級アルキ
ルエステルなどを挙げることができる。
flfましくは、4−ヘンソトリアソールカルポン酸及
び5−ペンツトリアソールカルボン酸の混合物が[カル
ポキシベンントリアソール(CarboxTbenzo
 triazole) J  (シャーウイン−ウイリ
アルズ社fM)として南限されており、これをそのまま
使用することであるが,それに限らす上記の一般式で示
されるベンゾトリアソールカルボン酸類であれば、どれ
でも使用することができる。
ペンツトリアソールカルボン酸類のポジ型ホトレジスト
への配合礒は、ホトレジストの固形分屯t(に対し0.
05〜5屯f%,好ましくは0.2〜2 1R jlj
.%である.この範囲より配合竣が多いと現像処理にお
ける温度、時間の制御が難しく,現像条件の許容幅がせ
まくなるから好ましくない。
また1−記範囲より少ないと、)′地基板に対する密着
性が不1・分となる。
(使用方法) 未発IIの感光性樹脂組成物は. +iir記のポジ型
ホトレジストとベンゾトリアソールカルボン酸類とを適
当な溶剤に溶解して.溶液の形で用い,ド地基板に適用
して薄膜とするのがtlfましい。
このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどのケ
トン類,エチレングリコールモノアルキルエーテル、お
よびそのアセテート類,エチレングリコール、エチレン
グリコールモノアセテート、ジエチレンクリコール又は
ジエチレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル。
モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モツプナ
ルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコ
ール類及びその誘導体、ジオキサンのような環式エーテ
ル類:及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなとの
エステル類を挙げることができる。これらは中油で用い
てもよく、また2種以l−混合して用いてもよい。
(F地基板) 本発明の組成物を塗/14するド地ノふ板としては。
鉄、アルミニウム、亜鉛、ニッケルー鉄合金。
銅、ステンレス鋼などの金属ノフ板、ポリエステルなど
のプラスチックンー1、あるいは半導体素r−の製造に
使用されるシリコンウェハーなどの基板を挙げることが
できるが、金属基板に対しては、特に高い密着性を41
するからプリント回路基板の製造に使用される銅張り積
層板には極めて有効である。
未発191のM1成物は、ド地ノふ板■−にロールコー
タ−、ティンプコーター、スピンナーなどを使用して塗
41シ、乾燥後、所変の原画フィルムを介して、低J1
.水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯。
アーク灯、キセノンランプなどにより活性光線を選択的
に照り#する0次いでアルカリ性水溶液、例えばアルカ
リ剤としてケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、第3リ
ン酸ナトリ11.第2リン酸ナトリム、第3リン酸アン
モニウム、第2リン酸アンモニウム、炭酸ナトリウム、
)^酸カリウム、屯炭酸ナトリウムなどの電機アルカリ
、低級アミン、モノエタノールアミン、ジェタノールア
ミン、トリエタノ−アミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドなどの有機アルカリを用いた水溶液により
活性光線の照射部分を溶解除去することによって、下J
’I!!基板にに、密着性の極めて潰れたレジストパタ
ーンを形成することができる。
実  施  例 実施例1 m−タレソールノボランク樹脂PR−51136A(住
友デュレズ社製)とナフトキノン−1゜2−ンアシドー
5−スルホン酸クロリドとの縮合物30屯を送部、フェ
ノールノボランク樹脂PR−1050(仕にデュしズ社
製)50屯j、X部、メタクリル酸メチル−メタクリル
酸のノ(重合樹脂20千、 H,を部、オイルブルー#
603 (オリエント社製油性染料)0.751rI:
111部、「カルホキシヘンントリアンール」 (シャ
ーウィン、ウィリアルズ社”A ) 1 屯:+1部を
エレチ/グリコールモノエチルエーテルアセテ−) 3
50 iI+、 ニアを部とメチル力ルヒトール50屯
;翳部の混合溶液に溶解し、ろ過することによってポジ
型感光性樹脂組成物の塗711液を得た0次いで、物理
的に表面研磨された銅張りJ+’を層板にヒ記塗71ノ
液をロールコータ−により乾燥膜厚が5gmになるよう
に被γQし乾燥したのち、3kW超品川本銀灯を用いて
、ポジフィルムを介して活性光vjを照射し1次いで1
.5小、S−%水酸化カリウム水溶液を用いて液温25
℃で60秒間現像し、水洗い、リンスを施したのち乾燥
した。この後、30ホ一メ度の塩化第ニー鉄溶液を90
秒間スプレーすることによって押出した銅を選択的にエ
ツチング除去し、プリント回路基板を得た。回路部を観
χ(したところ50pmのパターンがF)現されていた
。これに対して、上記ポジ型感光性樹脂組成物において
「カルポキシベンゾトリアンール」を配合しなかったも
のを使用して同様の実験を?fっだ結果、70pmのレ
ジストパターンのI+)現しか得られなかった。これに
より本発明品の銅張り積層板に対する密着性の向りが確
認された。
実施例2 12食子酸イソアミル1モルとナフ)+ノンー1.2−
ノアシト−5−スルりン醇クロリド2モルとの縮合物2
Q i((r/r部、フェノールノボランク樹脂PR−
1050(住人デュレズ?F、製)50屯+112部、
カンニー変性ノボランク樹脂17BB(カンニー社’%
J)10屯礒部、ポリビニルメチルエーテルLuton
a1M−40(BASF社SJ)20Tttit!W、
「カルボキシベンツトリアゾール」(シャーウィン・ウ
ィリアルズ社製)  1 、5 屯埴部をエチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテ−)150ffi罎部
、メチルエチルケトン100ffi 1m部及びエチレ
ングリコールモノメチルエーテル50重啜部から成る混
合溶液に溶解し、ろ過することによってポジ型感光性樹
脂組成物の塗布液を得た0次いで、アルカリ脱脂剤及び
希硫酸で脱脂及び洗詐された、市販の0.15mm厚ニ
ッケルー鉄合金材に、上記塗布液をディップコーターを
用いて、乾燥膜厚がlOILmになるように塗布し、乾
燥したのち、3kW超高圧水銀灯により、ポジフィルム
を介して活性光線を照射した0次いで1玉量%水酸化ナ
トリウム水溶液に90秒間浸情することによって安定し
た画像を得た。そして、現−像後のレジスト現像残りを
観察したところ、20JLm幅のスペースパターンが解
像されており、またそのスペース上にレジストの現像残
りは見られなかった。また、l二足感光性樹脂組成物に
おいてrカルボキシベンツトリアソール」(シャーウィ
ン・ウィリアムズ社製)を配合しないものを使用して同
様の実験を行ったところ。
40ILmlllJ以ドのスペースパターンにおいてレ
ジストの現像残りが確認された。これによって本発明組
成物の現像性の高さを確認した。
実施例3 2.3.4−トリヒドロキシベンツフェノン1モルとナ
フトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド2モルとの縮合物25 玉!11:部、フェノールノ
ボラック樹脂PSF−2805(群栄化学社袈)75i
[部、ベンツトリアソールカルボン酸エチル9 、5 
l i部をエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート350 i μ部及びエチレングリコールモノメ
チルエーテル50 i(<1部から成る混合溶液に溶解
し、ろ過することによってポジ型感光性樹脂組成物の1
?布液を得た。
次いで、ガラス基板[−に400オングストローム厚の
酸化インジウム皮膜を形成した基板に、L記塗布液をス
ピンナーにより乾燥膜厚が1.5gmになるように塗布
し、乾燥したのち、3kW超高圧水銀灯によりポジフィ
ルムを介して活性光線を照射した0次いで2.5ff(
法部%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
よって25℃で30秒間現像し、1−分水洗い−したの
ち、露出した酪化インジウム皮膜を35重jlj−%の
塩1’192屯早部、6部屯M%の硝酸1屯星部、水2
重Y部から成る混合溶液にて40’、30秒間スプレー
エツチン′グしたところ5gm幅のパターンがアングー
カットすることなく原画に忠実なエツチング画像が得ら
れた。
実施例4 ピロガロールとア七トンの縮合物であるポリヒドロキシ
フェニルとナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スル
ホン酸クロリドとの縮合物40屯ψ部、クレゾールノボ
ラック樹脂P R−1767C住人テユL/ズ社製) 
57.5 f[(;k FiBP −tert−ブチル
フェノール/ボラック樹脂CK M2400 (昭和ユ
ニオン社製)2.5重壁部、ナフトキノンー1゜2−ジ
アジド−4−スルホン酸クロリド21Tj +p、’部
、クリスタルバイオレットパウダー(保二1;ケ谷化°
7′社製染料)0.75!T!に部、Eカルボキシベン
ゾトリアソール」 (シャーウィンφウィリアムズ社製
) 2 、5 %rJ部をエチレングリコールモノメチ
ルエーテル400 % F4一部に溶解し、ろ過するこ
とによってポジ型感光性樹脂組成物の塗布液を得た6次
いで、酸1°I立てして、リン酸で陽iM化皮膜を施し
た厚さ0.24mmのアルミニウム板1−に、に記塗布
液をホワイラーにより乾燥後の屯!IIが2.5g/r
yfになるように塗布し、乾燥することによってPS版
を得た。このPS版に3kW超高圧水銀灯によりポジフ
ィルムを介して活性光線を照射したのち、3重壁%メタ
ケイ酸ナトリウム水溶液で45秒間現像し、水洗いリン
スしたところ、活性光線照射部に、レジスト残りのない
良好なオフセット印刷板が得られた。このオフセット印
刷版を使用し、印刷したところ2部万部の耐刷枚数があ
り、最後までインキの着きは良好であった。
また、!、記ポジ型感光性樹脂組成物においてFカルボ
キシベンツトリアゾール」 (シャーウCン・ウィリア
ムズ社製)を配合しなかったもので同様にPS版を作成
したところ、10万部からインキの11きが劣化し、1
2万部で印刷不能となった。PS版の保存安定性につい
て経時変化を調へたところ1本発明の「カルボキシベン
ゾトリアソール」を配合したものは6ケ月後において現
像速度、感度に劣化は認められず、配合しなかったもの
は感度の低ド及びレジスト残りの発生が認められ、保存
性においても優れている賽が確認された。
発明の効果 本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られるレジ
ストパターンは、ド地り&板との密着性が極めて高く、
しかも経時変化も少なくて安定であるため、次り程であ
る下地基板に対するエツチングやめっきなどの処理にお
いてレジストパターンのド地基板からの浮き上がりや剥
れ、また、めっきもぐりなどが発生しにくいという効果
を有するとともに、現像性も高く、活性光線の照射部を
アルカリ性水溶液により完全に溶解できるため、ド地基
板に対して高品質、高精度の加重処理ができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポジ型ホトレジストに、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは、水素原子または炭素原子が1〜3の脂肪
    族炭化水素基を表わす。) で示されるベンゾトリアゾールカルボン酸類を含有する
    ことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
  2. (2)ベンゾトリアゾールカルボン酸類が、ポジ型ホト
    レジストに対して0.05〜5重量%含有される特許請
    求の範囲第1項記載のポジ型感光性樹脂組成物。
JP61103745A 1986-05-08 1986-05-08 ポジ型感光性樹脂組成物 Granted JPS62262043A (ja)

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JP61103745A JPS62262043A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 ポジ型感光性樹脂組成物
US07/041,671 US4847178A (en) 1986-05-08 1987-04-30 Positive photosensitive o-quinone diazide composition with benzotriazole carboxylic acid or alkyl ester

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61103745A JPS62262043A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 ポジ型感光性樹脂組成物

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JPH0582935B2 JPH0582935B2 (ja) 1993-11-24

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