JPS647653B2

JPS647653B2 -

Info

Publication number: JPS647653B2
Application number: JP56146011A
Authority: JP
Inventors: Eru Maachin Robaato; Ei Gibuson Jooji
Original assignee: Shipley Co Inc
Current assignee: Shipley Co Inc
Priority date: 1980-09-15
Filing date: 1981-09-16
Publication date: 1989-02-09
Also published as: EP0047895A2; DE3173131D1; JPS5784456A; EP0047895A3; EP0047895B1; US4304681A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、新規な剥離用溶液およびポジのホト
レジストを無機支持体表面から除去するときのそ
の使用に関する。あるパターン、たとえば、印刷回路板および集
積回路の製作における金属回路、を無機支持体上
へ形成する場合、それは適当な領域に、たとえ
ば、電気めつきにより、選択的に置くことがで
き、あるいはそれは支持体上に置き、そして化学
的エツチングにより選択的に除去することができ
る。このような選択的作用を行う分野においてよ
く知られている方法は、支持体（または金属被覆
した支持体、以後金属を被覆しない支持体と一ま
とめにして“支持体”という）の金属の析出（ま
たは金属の除去）から保護すべき領域上に、レジ
ストの層を形成することを含む。典型的には、レ
ジスト層は、金属析出（または金属除去）法によ
り実質的に影響を受けず、こうして支持体の下に
横たわる領域を保護できる、ポリマーの有機物質
から形成することができる。この目的に、種々の
物質、すなわち、写真画像を通して活性線に露出
したとき支持体上に所望のパターンを形成する物
質、が知られている。ホトレジストは、一般に２つのタイプ、すなわ
ち、ポジのホトレジストおよびネガのホトレジス
トである。活性線、すなわち、Ｘ線または電子ビ
ームに露出する前に、ポジのレジストは現像溶液
に不溶性である。露出すると、ホトレジストの光
があたつた部分は現像剤に可溶性となるが、露出
されなかつた部分は不溶性のままである。通常塩
基性水溶液で現像すると、可溶化された部分は除
去され、レジスト層の不溶性部分が支持体上に写
真画像のパターンで残る。ネガに作用するホトレジストはポジのレジスト
と化学的に区別され、活性線に露出されると不溶
性化される。ネガのホトレジストは、たとえば、
環化されたゴム系レジストであり、一方ポジのホ
トレジストは、典型的には、感光性物質を混入す
ることにより塩基溶液中に可溶性とされた、たと
えば、ノボラツク、アクリレート、メタクリレー
トまたはポリアミン系樹脂である。活性線に露出
すると、感光性物質は化学的に変えられ、もはや
レジストを現像剤中の溶解から保護しない。他の
タイプのポジのレジストおよびネガのホトレジス
トも知られている。支持体の露光された部分上に金属または酸化物
を置いた（またはエツチング除去した）後、レジ
スト層を除去しなくてはならない。この除去法は
支持体または金属の層に悪影響を及ぼしてはなら
ない。支持体は、半導体のミクロ回路の製作にお
けるような、二酸化ケイ素被覆ケイ素のウエーフ
アーであることができ、そして金属のミクロ回路
は典型的にはアルミニウムまたはアルミニウム合
金である。I.C.の製造に使用される、たとえば印
刷回路板に使用される、他の材料は、広範な無機
支持体材料、たとえば、ガーネツトの結晶、L.E.
D、およびL.C.D.の表面；たとえば、酸化インジ
ウム、酸化鉄、クロムおよび事実上すべての他の
金属を包含する。レジストをストリツピングする
ために用いられる手段は、このような材料の表面
を腐食、溶解または鈍化させず、かつ支持体を形
成する材料を化学的に変えないで、作用しなくて
はならない。ポジのホトレジストを除去する先行技術は、米
国特許第3871929号に例示されているような、フ
エノールと線状アルキルベンゼンスルホン酸とか
らなる有機ストリツピング組成物を使用すること
からなる。他の既知の有機ストリツピング組成物
は、米国特許第4165295号に開示されているよう
に、式Ｒ―SO₃H（式中Ｒは有機基である）の有
機スルホン酸、有機溶媒、フツ素イオン、および
必要に応じてフエノール、を含有する。先行技術の無機ストリツピング組成物は、米国
特許第3932130号、米国特許第3654001号および米
国特許第3080071号に例示されているように、フ
フツ素イオンを含有する水性硫酸組成物を包含す
る。前述の無機のストリツピング組成物は、フツ素
イオン分により生ずると思われる、二酸化ケイ素
の支持体の望ましくないエツチングを起こす傾向
があるという欠点を有する。前述の有機ストリツ
ピング組成物は、支持体上に置いたアルミニウム
回路の表面を不都合には鈍化し、あるいは二酸化
ケイ素の支持体を不都合にはエツチングするとい
う欠点を有する。フエノール類を含有するストリ
ツピング組成物は、フエノール類は毒性であり、
廃物処理に劣り、そしてポジ型ホトレジストのス
トリツピング用組成物中に使用するとき、ストリ
ツピング効率を実際に低下しうるということにお
いて、有意な欠点を有する。フエノール型ストリ
ツパーの使用は、環境を考慮すると容易に維持し
えないものとなる。〔L.H.KaplanおよびB.K.
Bergin，J.Electrochemical Soc.，127，386
（1980）〕多くの既知のストリツピング組成物は、ある種
のレジストに対して効果が十分でないという欠点
を有する。特に、既知のストリツピング組成物
は、装置の製造の間、高温、たとえば例外的に高
い後焼付けの間の温度、高エネルギー加工、たと
えば注入工程の間の高エネルギー、または例外的
に苛酷な環境、たとえば白金およびメサ（mesa）
のエツチングの環境に暴露されたレジストに対し
て、効果が不十分である。これはそれらの有用性
を一般に減少し、そしてそれらを使用する加工ラ
インの融通性を制限する。ポジのホトレジストのある種の既知のストリツ
ピング溶液は不透明であるか、あるいは着色され
ているため、自動終点決定に用いるストリツピン
グ法において、それらの使用が制限される。本発明の１つの目的は、ポジ型ホトレジストを
効率よく除去するストリツピング組成物を提供す
ることである。これに関して、本発明の他の目的
は、レジスト層を除去するが、金属層または無機
支持体、たとえば、ケイ素、二酸化ケイ素（熱的
またはスパツター法で生長させた）、ポリシリコ
ン、アルミニウムおよびアルミニウム合金の支持
体に有意に悪影響を及ぼさない、ストリツピング
溶液を提供することである。本発明の他の目的は、イオン注入したポジホト
レジストフイルムを容易に除去するストリツピン
グ組成物を提供することである。本発明の他の目的は、光学的に透明でありかつ
着色を含まず、それゆえ自動終点検知を可能とす
る、ストリツピング組成物を提供することであ
る。本発明の他の目的は、フツ素イオン、フエノー
ル系化合物または廃物処理が困難な他の物質を含
有しない、ストリツピング組成物を提供すること
である。本発明の他の目的は、室温において液体である
ストリツピング組成物を提供することである。本発明の他の目的は、ポジ型ホトレジストを無
機支持体、たとえば金属化支持体、から、とくに
集積回路および印刷回路板を製作するとき、スト
リツピングする方法を提供することである。したがつて、本発明によれば、ａ式（）式中ＲおよびR′は各々１〜３炭素原子を有
する直鎖および分枝鎖のアルキル、およびフエ
ニルであり、各フエニル基は１または２以上の
ヒドロキシルで置換されていてもよく、あるい
はＲおよびR′は一緒になつて３〜６炭素原子
のアルキレンであることができる、を有する溶媒。およびｂ適当な有機スルホン酸、からなることを特徴とする、支持体からポジのホ
トレジストをストリツピングするための新規なス
トリツピング組成物、が提供される。また、本発明によれば、ポジのホトレジストを
本発明の新規なストリツピング組成物と約20〜
150℃、好ましくは75〜100℃、最も好ましくは80
〜90℃において、レジスト層を除去するのに十分
な時間、接触することを特徴とする、ポジのホト
レジストを支持体、たとえば無機支持体、から除
去する方法が提供される。本発明の新規なストリツピング溶液は、組成が
簡単であり、そしてポジのホトレジストのストリ
ツピングにおける効率に驚ろくほどすぐれるとい
うことにおいて独特である。それは、式（）式中ＲおよびR′は上に定義したとおりである、に従う高度に極性の水溶性スルホキシド溶媒から
なる。本発明のスルホキシド溶媒は、たとえば、
ジプロピルスルホキシド、ジエチルスルホキシ
ド、メチルエチルスルホキシド、ジフエニルスル
ホキシド、メチルフエニルスルホキシドおよび
１，1′―ジヒドロキシフエニルスルホキシドの１
種または２種以上からなることができる。室温に
おいて液状であるスルホキシド溶媒は、ストリツ
ピング組成物の調製および使用が容易であるとい
うことにおいて、有利であるので、好ましい。水
混和性である本発明のスルホキシド溶媒は、それ
を用いるストリツピング組成物中でストリツピン
グした加工片を水で洗浄することができ、その結
果方法の設計のコストが節約されかつそれが容易
であるので、同様に好ましい。最も好ましくは、スルホキシド溶媒はジメチル
スルホキシド（DMSO）である。なぜなら、
DMSOは極性が高く、コストが低く、非毒性で
あり、そして廃物処理が容易であるからである。本発明のスルホキシド溶媒はポジのレジストに
ある程度のストリツピング作用を与えるが、適当
な有機スルホン酸を加えると、ストリツピング速
度は大きく高上することが、今回発見された。本
発明のストリツピング溶液中に適用するのに適し
た有機スルホン酸は、スルホキシド溶媒中に十分
に可溶性であるものを包含する。これに関して使
用するとき、十分に可溶性であるということは、
溶媒の少なくとも約１重量％、好ましくは少なく
とも約５重量％可溶性であることを意味する。好ましい有機スルホン酸は、式（）式中Ｑはアルキル、アリール、アリールアルキ
ル、モノアルキルアリールまたはジアルキルアリ
ールであり、前記アルキルおよびアリール部分は
１または２以上のハロゲン、ヒドロキシ、メトキ
シおよびニトロで置換されていてもよい、のものを包含する。有機スルホン酸の例は、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸およびドデシルベンゼンスルホン酸であ
る。適当な有機スルホン酸は、有機ポリスルホン酸
も包含する。有機ポリスルホン酸の例は、ベンゼ
ンジスルホン酸、たとえばベンゼン―１，３―ジ
スルホン酸、およびナフタレンジ―およびポリ―
スルホン酸である。また、有機スルホン酸は、十
分に可溶性のポリスルホン化ポリマー材料、たと
えばコポリマー、ターポリマーなどからなること
ができる。ポリマー材料の例は、スチレン、ビニ
ルトルエン、ジビニルベンゼンなどのモノマーか
ら構成されたものである。ポリマー材料は、既知
の方法に従い、重合後に、あるいは少なくとも実
質的な部分においてスルホン化されているモノマ
ーを用いることにより、スルホン化されているこ
とができる。他の適当な有機スルホン酸は、当業者には容易
に明らかであろう。最も好ましい有機スルホン酸
は、広い商業的に入手容易性、低いコスト、およ
び本発明のスルホキシド溶媒中の高い溶解度から
見て、パラ―トルエンスルホン酸（ｐ―TsOH）
である。本発明の有意の利点は、新規なストリツピング
組成物により提供されるストリツピング速度に関
する。さらに詳しくは、ストリツピング速度はス
ルホキシド溶媒中の有機スルホン酸の広範囲の濃
度にわたつて実質的に一定であることがわかつ
た。たとえば、DMSO中の５％以下、40％以上
までのパラ―トルエンスルホン酸の濃度はレジス
トの除去の実質的に均一な初期速度を提供するこ
とが、発見された。本発明は、最も好ましくは約
５〜20重量％の有機スルホン酸からなる。より高
い濃度はコストの利点を提供し、ストリツピング
溶液の使用寿命を延長し、一方より低い濃度は支
持体への攻撃を減少する。本発明の新規なストリツピング組成物は、好ま
しい実施態様がある種のフエノール化合物を含有
しないので、廃物処理に関しても有意な利点を提
供する。さらに、本発明のストリツピング組成物
において用いる好ましいスルホキシド溶媒は室温
において液体であり、これによつて取り扱いを大
きく促進し、そして多数の溶媒、たとえば、水、
アルコール、キシレン、アセトンおよびエチルア
セテートと混和性である。その上、スルホキシド
溶媒および有機スルホン酸中に金属イオン分が存
在しない（金属イオンは一般に不純物としてのみ
存在する）ので、ストリツピングの間これらのイ
オンによる支持体の汚染を排除し、またストリツ
ピング組成物は廃物処理がいつそう容易となる。
さらに、フツ素イオンが存在しないので、本発明
のストリツピング溶液の酸化物表面への攻撃は排
除される。本発明のストリツピング組成物は、ポジのホト
レジストを、いかなる既知の有機ストリツピング
組成物よりも、速くかつ低い温度において、効果
的に除去する。その上、金属、たとえば、アルミ
ニウム、酸化物および他の無機の支持体材料、た
とえばケイ素および二酸化ケイ素への攻撃速度
は、他のストリツピング組成物よりも有意に低い
ことがわかつた。他の成分、たとえば、この分野において知られ
ている、染料、着色剤、または湿潤剤、を新規な
ストリツピング溶液に加えて、この溶液を特定の
用途に適合させることができる。しかしながら、
典型的な用途、たとえば、ケイ素および二酸化ケ
イ素の支持体の上にアルミニウムを用いる集積回
路の製造および印刷回路板の製造において、湿潤
剤の添加は不必要であることがわかり、そしてス
トリツピング溶液の効能に有意に影響を及ぼすこ
とは発見されなかつた。ポジのホトレジストを現像後軟らかく焼付けす
るとき、すなわち流延溶媒を約90℃の温度におい
て追い出すが、レジスト樹脂成分が他の点では未
変化にとどまるとき、本発明のストリツピング組
成物は室温程度に低い温度においてさえ効果的に
使用できることがわかつた。レジストを硬く焼付
け（120〜200℃）、これによつて典型的なポジの
ホトレジストにおいて、熱的橋かけが樹脂中に起
こるとき、本発明のストリツピング溶液は約50〜
150℃、好ましくは約80〜90℃において最も効果
的に使用できる。これより低い温度は、ストリツ
ピングの期間を長くして、使用できる。最も驚ろくべきことには、本発明の新規なスト
リツピング組成物は、集積回路の製造においてイ
オン注入法と関連して使用するときでさえ、ポジ
のホトレジストをストリツピングするのに高度に
有効であることが発見された。他の既知のストリ
ツピング組成物は、非常に長い時間、しばしば多
数時間を、このようなレジストの除去に要し、そ
してしばしばレジストをまつたく除去しない。本
発明のストリツピング組成物を使用すると、レジ
ストはきれいに除去され、残留物は存在せず、そ
して簡単な水洗により、ストリツピング溶液は加
工片から完全に除去される。新規なストリツピング組成物に加えて、本発明
はそれを用いてポジのホトレジストを支持体から
除去する方法を提供する。好ましい実施法におい
て、ポジのホトレジストをストリツピングすべき
装置を本発明の新規なストリツピング溶液中に浸
漬する。この溶液は室温（20℃）程度に低い温度
であることができるが、典型的には約50〜150℃、
好ましくは80〜90℃の間である。ストリツピング
溶液はかきまぜるか、あるいは他の方法で撹拌す
ることができる。装置をストリツピング溶液と、
好ましくは連続的に、あるいは不連続的に、典型
的にはレジストを完全に除去するのに十分な時
間、接触させる。別の実施法において、レジスト
をストリツピングすべき装置は、ストリツピング
組成物のスプレーと接触させることができる。本発明のストリツピング法およびストリツピン
グ組成物は、前述の温度範囲または濃度範囲に限
定されず、むしろ、好ましい範囲外であつても、
ある程度効果がある。有機スルホン酸の濃度に関すると、０％以上か
ら飽和までのいかなる濃度を使用することもでき
る。しかしながら、有機スルホン酸の濃度が非常
に低い溶液は急速に使い尽され、効率を失ない、
一方40％以上の濃度の溶液は金属および他の支持
体材料を攻撃することがある。本発明の新規な組成物は、ポジのホトレジスト
の除去において効能にきわめてすぐれるのと対照
的に、ある種の材料、たとえば、ポリ―イミドお
よび“環化ゴム”のレジストを有意に除去しない
ので、他の予期されない利点を提供する。したが
つて、本発明のストリツピング溶液はポジのレジ
ストの１または２以上の層を除去できると同時
に、支持体上にこのような材料の１または２以上
の層を無傷で残すことができる。こうして、この
新規なストリツピング溶液を二層または三層のマ
スキング技術と関連させて使用して、たとえば、
集積回路および印刷回路板の、製造を簡単化しか
つ改良することができる。本発明の新規なストリツピング組成物はポジの
ホトレジストのストリツピングにおける驚ろくべ
き効能について最も顕著であるが、本発明の組成
物でストリツピング可能なネガのホトレジストま
たは他のマスク層をストリツピングするためのそ
の使用は本発明の範囲から排除されないことを理
解すべきである。１種より多い適当な有機スルホン酸をストリツ
ピング組成物中に使用できること、そして同様
に、１種より多い溶媒を本発明の範囲から逸脱し
ないで使用できることは、当業者にとつて自明で
あろう。また、容易に理解されるように、溶媒と
いう語は、スルホキシド成分が有機スルホン酸よ
りも多い量で一般に存在するので、スルホキシド
成分を意味する。しかしながら、あるそれほど好
ましくはない実施態様において、有機スルホン酸
は室温において液体であり、そしてスルホキシド
成分は固体であることがある。本発明の開示は例示のみを目的とし、本発明は
特許請求の範囲に入るすべての変更および改良を
包含することを理解すべきである。次の実施例によつて、本発明をさらに説明す
る。実施例１二酸化ケイ素で被覆した直径３フイート（91.4
cm）のケイ素のウエーフアーを、普通の技術を用
いて、ほぼ1.5μmの厚さのAZ―1350Jホトレジス
ト（Shipley Co.，Newton，Mass.）で被覆し
た。ジメチルスルホキシド（DMSO）から成る
第１溶液と、DMSO中のパラ―トルエンスルホ
ン酸の10％溶液（10％ｐ―TsOH）から成る第２
溶液の２種の溶液を調製した。両方の溶液を、磁気かきまぜ機で一定にかきま
ぜながら、80℃に維持した。各溶液についての最
小のストリツピング時間は、次のように観測され
た： DMS／５〜６分 10％ｐ−TsOH／３分実施例２二酸化ケイ素で被覆したケイ素のウエーフアー
を、実施例１に記載するように被覆した。本発明
に従う、ジメチルスルホキシド中の、それぞれ１
％、５％および10％のパラ―トルエンスルホン酸
（ｐ―TsOH）から成る、３種の２のストリツ
ピング溶液を調製した。各ストリツピング溶液を
ほぼ80℃に維持し、一定にかきまぜた。ウエーフ
アーを10ずつの３つのグループに分け、各グルー
プを次いで３種の溶液に３分間、一定にかきまぜ
ながら、浸漬した。結果を表に示す。

【表】実施例３本発明に従う、ジメチルスルホキシド
（DMSO）中のパラ―トルエンスルホン酸（ｐ―
TsOH）から成るストリツピング溶液を調製し
た。各溶液をかきまぜの間ほぼ80℃に維持した。
実施例１におけるように準備したケイ素のウエー
フアーを、これらの溶液の各々中でストリツピン
グした。各溶液について観測された最小ストリツ
ピング時間を、表に示す。

【表】実施例４種々の商業的に入手可能なポジおよびネガのホ
トレジストとともに使用するときの、本発明の新
規な組成物の効能を決定するための試験を実施し
た。DMSO中の10％のｐ―TsOHから成るスト
リツピング溶液を調製した。溶液は80±５℃に維
持した。8000Åの新らしく生長させた熱的酸化物
を有するケイ素のウエーフアーを、表における
スケジユールに従い、ホトレジストで被覆した。
使用した種々のレジストをそれらの商業的表示に
従い記載し、そして各々をポジ（“＋”）またはネ
ガ（“−”）のポトレジストのいずれかで識別す
る。

【表】

【表】＊ストリツピング時間の終了前に、レジスト
は完全に除去された。
実施例５次のストリツピング溶液を調製した：１ DMSO 450ml メタンスルホン酸 50ml ２ DMSO 450ml ベンゼンスルホン酸 50ml 各々を80℃に維持した。ケイ素のウエーフアー
をポジのホトレジストAZ1350J（Shipley Co.，
Newton，Massachusetts）で、製造者の指示
（90℃で25分間軟らく焼付け、175℃で25分間後焼
付けする）に従い被覆した。レジストの厚さは、
各々についてほぼ1.6μmであると決定された。被
覆したウエーフアーを、２つのグループに分け
た。各グループを２種のストリツピング溶液の１
つでストリツピングした。ウエーフアーをストリ
ツピングするために要した時間は、各溶液につい
て３分よりも短かかつた。実施例６実施例２におけるように準備した、ケイ素のウ
エーフアーを用いて、本発明のストリツピング組
成物を、既知の市販のストリツパーと比較した。
DMSO中の10％ｐ―TsOHから成るストリツパ
ー溶液を、80℃で使用した。商業的に入手できる
ストリツピング溶液、Burmar712D（E.K.
Chemical Corp.，San Francisco，Calif.）を、
製造者の指示に従い90〜100℃の浴温度で使用し
た。商業的に入手できるストリツパー溶液、Ｊ―
100（Indust―Ri―Chem Laboratory，
Richardson，Texas）を、製造者の指示に従い
90℃の温度で使用した。本発明のストリツパー溶
液の観測されたすぐれたストリツピング速度およ
びその低い使用温度を、表Ｖに示す。

【表】実施例７アルミニウム化した２インチ×２インチ（5.1
cm×5.1cm）のガラス板を、２種のストリツピン
グ溶液のいずれかに浸漬してアルミニウムへの攻
撃速度を比較した。第１の溶液はDMSO中の10
％ｐ―TsOHから成り、80℃で使用した。第２の
溶液はBurmar712D（E.K.C.Chemical Corp.，
San Francisco，Calif.）であり、製造者の推奨
した温度で使用した。結果を表に表わす。本発
明のストリツパー溶液について記載した攻撃の速
度は、検知しうる攻撃を本質的に示さない。

【表】＊製造者のデータ。
実施例８ストリツパー溶液を実施例７におけるように調
製し、そして各々について1.6μmのイオン注入し
たポジのホトレジストAZ―1350J（Shipley
Company，Newton，Mass）を除去するのに要
した時間を決定した。結果を表および表に表
わし、これらの表は使用した加速エネルギーとイ
オン密度を記載する。星印は、ストリツピング溶
液のあとに、イソプロピルアルコール中の15秒間
の洗浄を用いたことを示す。

【表】

Claims

【特許請求の範囲】１ａ式（）式中ＲおよびR′は各々１〜３炭素原子を有
する直鎖および分枝鎖のアルキル、またはフエ
ニルであり、各フエニル基は１または２以上の
ヒドロキシルで置換されていてもよく、あるい
はＲおよびR′は一緒になつて３〜６炭素原子
のアルキレンであつてもよい、の化合物の１種または２種以上からなる溶媒、
およびｂ適当な有機スルホン酸、からなることを特徴とする、支持体からポジに作
用するホトレジストを剥離するための剥離用組成
物。２有機スルホン酸は溶媒の約５〜40容量％の量
で存在する特許請求の範囲第１項記載の組成物。３有機スルホン酸は溶媒の約10容量％の量で存
在する特許請求の範囲第１項記載の組成物。４有機スルホン酸は、式（）式中Ｑはアルキル、アリール、アリールアルキ
ル、モノアルキルアリールまたはジアルキルアリ
ールであり、前記アルキルおよびアリール部分は
１または２以上のハロゲン、ヒドロキシ、メトキ
シおよびニトロで置換されていてもよい、のものの中から選ばれる特許請求の範囲第１項記
載の組成物。５有機スルホン酸はパラートルエンスルホン酸
である特許請求の範囲第１項記載の組成物。６溶媒はジメチルスルホキシドおよびジエチル
スルホキシドからなる群より選ばれる特許請求の
範囲第１項記載の組成物。７溶媒はジメチルスルホキシドからなる特許請
求の範囲第１項記載の組成物。８溶媒はジメチルスルホキシドからなり、そし
て有機スルホン酸は溶媒の約10重量％の量で存在
するパラ―トルエンスルホン酸からなる特許請求
の範囲第１項記載の組成物。９ａ式（）式中ＲおよびR′は各々１〜３炭素原子を有
する直鎖および分枝鎖のアルキル、またはフエ
ニルであり、各フエニル基は１または２以上の
ヒドロキシルで置換されていてもよく、あるい
はＲおよびR′は一緒になつて３〜６炭素原子
のアルキレンであつてもよい、の化合物の１種または２種以上からなる溶媒、
およびｂ適当な有機スルホン酸、からなる組成物を、ポジに作用するホトレジスト
と接触させることを特徴とする、ポジに作用する
ホトレジストを支持体から剥離する方法。１０前記組成物は約20〜150℃である特許請求
の範囲第９項記載の方法。１１前記組成物は約80〜90℃である特許請求の
範囲第９項記載の方法。１２溶媒はジメチルスルホキシドであり、そし
て有機スルホン酸はパラートルエンスルホン酸で
あり、そして溶媒の約５〜40重量％の量で存在す
る特許請求の範囲第９，１０または１１項記載の
方法。