JPH04175204A - 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 - Google Patents
物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH04175204A JPH04175204A JP2304942A JP30494290A JPH04175204A JP H04175204 A JPH04175204 A JP H04175204A JP 2304942 A JP2304942 A JP 2304942A JP 30494290 A JP30494290 A JP 30494290A JP H04175204 A JPH04175204 A JP H04175204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- filter plate
- particles
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、酸化物超電導線材等の長尺の酸化物超電導
導体をスパッタリング、レーザ蒸着等の物理蒸着法を用
いて作製する方法の改良に関するものである。
導体をスパッタリング、レーザ蒸着等の物理蒸着法を用
いて作製する方法の改良に関するものである。
「従来の技術」
従来、酸化物系の超電導体を製造する方法として、真空
蒸着法、スパッタリング法、レーザ蒸着法、ＭＢＥ法（
分子線エピタキンー法）、ＣＶＤ法（化学気相成長法）
、ＩＶＤ法（イオン気相成長法）などの成膜法が知られ
ているが、これらの各種の成膜法において、均質で超電
導特性の良好な酸化物超電導薄膜を製造できる方法とし
て、真空成膜プロセスを用い、ターゲットから発生させ
た粒子を対向基板上に堆積させるスパッタリング法、あ
るいはレーザ蒸着法などの物理蒸着法が主流となってい
る。
蒸着法、スパッタリング法、レーザ蒸着法、ＭＢＥ法（
分子線エピタキンー法）、ＣＶＤ法（化学気相成長法）
、ＩＶＤ法（イオン気相成長法）などの成膜法が知られ
ているが、これらの各種の成膜法において、均質で超電
導特性の良好な酸化物超電導薄膜を製造できる方法とし
て、真空成膜プロセスを用い、ターゲットから発生させ
た粒子を対向基板上に堆積させるスパッタリング法、あ
るいはレーザ蒸着法などの物理蒸着法が主流となってい
る。
第２図に代表的なレーザ蒸着装置の一例を示した。この
レーザ蒸着装置は、内部を真空排気自在に構成された処
理容器１を有し、この処理容器１の内部中央に基板支持
台２が設置され、この基板支持台２の上面に基板３が設
置されるとともに、基板支持台２の斜め上方にターゲッ
ト４が配置される一方、処理容器１の外部に設けられた
レーザの発光装置５を備えている。前記ターゲット４は
酸化物超電導体から、あるいは、酸化物超電導体と近時
組成の複合酸化物からなるものである。
レーザ蒸着装置は、内部を真空排気自在に構成された処
理容器１を有し、この処理容器１の内部中央に基板支持
台２が設置され、この基板支持台２の上面に基板３が設
置されるとともに、基板支持台２の斜め上方にターゲッ
ト４が配置される一方、処理容器１の外部に設けられた
レーザの発光装置５を備えている。前記ターゲット４は
酸化物超電導体から、あるいは、酸化物超電導体と近時
組成の複合酸化物からなるものである。
前記構成のレーザ蒸着装置によって基板３上に酸化物超
電導薄膜を形成するには、発光装置５からレーザビーム
を射出し、処理容器ｌの側壁に設けた図示略の透明窓を
介してレーザビームをターゲット４に照射する。これに
よってターゲット４からターゲットの構成粒子が叩き出
されるかえぐり出され、基板３上に粒子が順次堆積して
薄膜か形成される。そしてこの薄膜を熱処理することで
酸化物超電導薄膜を得ることができる。
電導薄膜を形成するには、発光装置５からレーザビーム
を射出し、処理容器ｌの側壁に設けた図示略の透明窓を
介してレーザビームをターゲット４に照射する。これに
よってターゲット４からターゲットの構成粒子が叩き出
されるかえぐり出され、基板３上に粒子が順次堆積して
薄膜か形成される。そしてこの薄膜を熱処理することで
酸化物超電導薄膜を得ることができる。
更に、第２図に示すレーザ蒸着装置を用いて長尺の酸化
物超電導導体を製造する場合、第２図の２点鎖線に示す
ように、処理容器ｌの内部に、長尺の基材６の送出装置
７と巻取装置８を設け、基材６をターゲット４の近傍で
移動させつつ蒸着処理を行うことで長尺の基材６上に酸
化物超電導薄膜を存する酸化物超電導導体を得ることが
できる。
物超電導導体を製造する場合、第２図の２点鎖線に示す
ように、処理容器ｌの内部に、長尺の基材６の送出装置
７と巻取装置８を設け、基材６をターゲット４の近傍で
移動させつつ蒸着処理を行うことで長尺の基材６上に酸
化物超電導薄膜を存する酸化物超電導導体を得ることが
できる。
「発明が解決しようとする課題。
第２図に示す構成のし〜ザ蒸着装置は、緻密な酸化物超
電導薄膜を比較的短時間て成膜できる装置として知られ
ているが、基板支持台２の上面に基板３を設置する場合
、基板３の設置位置によって、即ち、ターゲット４から
基板３まての距離の大小によって基板３上に形成される
酸化物超電導薄膜の組成に変動を来す問題があつ１こ。
電導薄膜を比較的短時間て成膜できる装置として知られ
ているが、基板支持台２の上面に基板３を設置する場合
、基板３の設置位置によって、即ち、ターゲット４から
基板３まての距離の大小によって基板３上に形成される
酸化物超電導薄膜の組成に変動を来す問題があつ１こ。
このようにターゲット４から基板３まての距離の大小に
よって得られる酸化物超電導薄膜の組成か変動するよう
であると、第２図の２点鎖線に示すように長尺の基材６
を移動させつつ酸化物超電導導体を製造する場合、基材
６の長さ方向に沿って組成の異なる酸化物超電導ｉｆ膜
か形成されでしまうことになり、長さ方向に均一な酸化
物超電導導体を製造できない問題かあった。
よって得られる酸化物超電導薄膜の組成か変動するよう
であると、第２図の２点鎖線に示すように長尺の基材６
を移動させつつ酸化物超電導導体を製造する場合、基材
６の長さ方向に沿って組成の異なる酸化物超電導ｉｆ膜
か形成されでしまうことになり、長さ方向に均一な酸化
物超電導導体を製造できない問題かあった。
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、長
さ方向に均一な組成の酸化物超電導薄膜を有する酸化物
超電導導体を製造できる方法を提供することを目的とす
る。
さ方向に均一な組成の酸化物超電導薄膜を有する酸化物
超電導導体を製造できる方法を提供することを目的とす
る。
「課題を解決するための手段」
本発明は前記課題を解決するために、蒸着処理室内に設
けた酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成の
ターゲットから発生させた粒子をターゲットの近傍を移
動中の基材上に順次堆積させて酸化物超電導導体を製造
する方法において、ターゲットと基材との間に、ターゲ
ットから基材に向けて移動するターゲットの粒子を遮る
フィルタ板を配し、このフィルタ板に形成した窓孔によ
って前記粒子の一部のみを選択して基材上に堆積させる
ものである。
けた酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成の
ターゲットから発生させた粒子をターゲットの近傍を移
動中の基材上に順次堆積させて酸化物超電導導体を製造
する方法において、ターゲットと基材との間に、ターゲ
ットから基材に向けて移動するターゲットの粒子を遮る
フィルタ板を配し、このフィルタ板に形成した窓孔によ
って前記粒子の一部のみを選択して基材上に堆積させる
ものである。
「作用Ｊ
フィルタ板に形成した窓孔によってターゲットから発生
して放射状に広がりつつ飛来する粒子の一区画の粒子の
みを基材上に堆積できるので、組成の整った粒子のみを
基材上に堆積させることができ、長さ方向に整った組成
の均質な酸化物超電導薄膜を有する酸化物超電導導体が
得られる。
して放射状に広がりつつ飛来する粒子の一区画の粒子の
みを基材上に堆積できるので、組成の整った粒子のみを
基材上に堆積させることができ、長さ方向に整った組成
の均質な酸化物超電導薄膜を有する酸化物超電導導体が
得られる。
「実施例」
第１図は本発明方法を実施するために使用するレーザ蒸
着装置の一例を示すもので、１０は処理容器を示し、こ
の処理容器１０の内部の蒸着処理室１０ａの底部側には
長尺のテープ状の基材１１が、その上方側にはターゲッ
ト１２が各々設けられ、基材１１とターゲット１２の間
にフィルタ板１３が設けられている。
着装置の一例を示すもので、１０は処理容器を示し、こ
の処理容器１０の内部の蒸着処理室１０ａの底部側には
長尺のテープ状の基材１１が、その上方側にはターゲッ
ト１２が各々設けられ、基材１１とターゲット１２の間
にフィルタ板１３が設けられている。
処理容器１０は排気孔１０ｂを介して図示略の真空排気
装置に接続されて内部を真空排気できるようになってい
る。
装置に接続されて内部を真空排気できるようになってい
る。
蒸着処理室１０ａの底部側には送出装置１４と巻取装置
１５がそれぞれ離間して設けられ、送出装置１４からテ
ープ状の基材１１を繰り出し、巻取装置１５で巻き取る
ことができるとともに、基材１１をターゲット１２の下
方で水平移動できるようになっている。なお、送出装置
Ｉ４と巻取袋ｆ！１５の間には基材１１を加熱するため
の加熱ヒータ１６が設けられている。
１５がそれぞれ離間して設けられ、送出装置１４からテ
ープ状の基材１１を繰り出し、巻取装置１５で巻き取る
ことができるとともに、基材１１をターゲット１２の下
方で水平移動できるようになっている。なお、送出装置
Ｉ４と巻取袋ｆ！１５の間には基材１１を加熱するため
の加熱ヒータ１６が設けられている。
そして、前記基材１１の上方側には、傾斜状態で配設さ
れた基板ホルダ１７によって下面を基材１１側に向けた
傾斜状態で円板状のターゲット１２が支持されている。
れた基板ホルダ１７によって下面を基材１１側に向けた
傾斜状態で円板状のターゲット１２が支持されている。
また、ターゲット１２と基材１１との間には、フィルタ
板１３か水平に設けられている。このフィルタ板１３は
その一端を送出装置１４の上方にまた他端を巻取装置１
５の上方に位置させて設けられ、フィルタ板１３の幅（
テープ状の基材１１の幅方向に沿うフィルタ板１３の幅
）は、ターゲット１２側から基材ＩＩを隠すことができ
るように基材１１の幅よりも大きく形成されている。そ
して、フィルタ板１３の中央部には、基材１１の幅と同
程度あるいは若干広い横幅の窓孔１３ａか形成されてい
る。なお、この窓孔１３ａの形成位置は、レーザビーム
の焦点を基点とし、ターゲツト面に対して直角方向の延
長線上に形成することが好ましい。
板１３か水平に設けられている。このフィルタ板１３は
その一端を送出装置１４の上方にまた他端を巻取装置１
５の上方に位置させて設けられ、フィルタ板１３の幅（
テープ状の基材１１の幅方向に沿うフィルタ板１３の幅
）は、ターゲット１２側から基材ＩＩを隠すことができ
るように基材１１の幅よりも大きく形成されている。そ
して、フィルタ板１３の中央部には、基材１１の幅と同
程度あるいは若干広い横幅の窓孔１３ａか形成されてい
る。なお、この窓孔１３ａの形成位置は、レーザビーム
の焦点を基点とし、ターゲツト面に対して直角方向の延
長線上に形成することが好ましい。
前記ターゲットＩ２は、形成しようとする酸化物超電導
薄膜と同等または近似した組成、あるいは、成膜中に逃
避しやすい成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体、
または、酸化物超電導体のバルクなどから形成されてい
る。現在知られている臨界温度の高い酸化物超電導体と
して具体的には、Ｙ −Ｂ ａ−Ｃｕ−０系、Ｂ ｉ−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ ｉＢ ａ−Ｃａ−Ｃｕ−
○系などがあるので、ターゲット１２としてこれらの系
のものなどを用いることができる。なお、酸化物超電導
体を構成する元素の中で蒸気圧が高く、蒸着の際に飛散
しやすい元素もあるので、このような元素を含むターゲ
ット１２を使用する場合は、蒸気圧の高い元素を目的と
する所定の割合よりも多く含むターゲットを用いれば良
い。
薄膜と同等または近似した組成、あるいは、成膜中に逃
避しやすい成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体、
または、酸化物超電導体のバルクなどから形成されてい
る。現在知られている臨界温度の高い酸化物超電導体と
して具体的には、Ｙ −Ｂ ａ−Ｃｕ−０系、Ｂ ｉ−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ ｉＢ ａ−Ｃａ−Ｃｕ−
○系などがあるので、ターゲット１２としてこれらの系
のものなどを用いることができる。なお、酸化物超電導
体を構成する元素の中で蒸気圧が高く、蒸着の際に飛散
しやすい元素もあるので、このような元素を含むターゲ
ット１２を使用する場合は、蒸気圧の高い元素を目的と
する所定の割合よりも多く含むターゲットを用いれば良
い。
一方、処理容器ＩＯの側方には、レーザ発光装置１８と
第１反射鏡１９と集光レンズ２０と第２反射鏡２１が設
けられ、レーザ発光装置１８が発生させたレーザビーム
を処理容器ＩＯの側壁に取り付けられた透明窓２２を介
してターゲット１３に集光照射できるようになっている
。前記レーザ発光装置１８はターゲット３から構成粒子
を叩き出すことができるものであれば、ＹＡＧレーザ、
エキシマレーザなどのいずれのものを使用しても良い。
第１反射鏡１９と集光レンズ２０と第２反射鏡２１が設
けられ、レーザ発光装置１８が発生させたレーザビーム
を処理容器ＩＯの側壁に取り付けられた透明窓２２を介
してターゲット１３に集光照射できるようになっている
。前記レーザ発光装置１８はターゲット３から構成粒子
を叩き出すことができるものであれば、ＹＡＧレーザ、
エキシマレーザなどのいずれのものを使用しても良い。
次に第１図に示す装置を用いて本発明方法を実施する場
合について説明する。
合について説明する。
基材ＩＩとターゲットＩ２を蒸着処理室１０ａ内に第１
図に示すようにセットしたならば、蒸着処理室１０ａを
真空排気する。ここで必要に応じて蒸着処理室１０ａに
酸素ガスを導入して蒸着処理室１０ａを酸素雰囲気とし
ても良い。また、加熱ヒータ１６を作動させて基板２を
５００〜８００°Ｃに加熱する。
図に示すようにセットしたならば、蒸着処理室１０ａを
真空排気する。ここで必要に応じて蒸着処理室１０ａに
酸素ガスを導入して蒸着処理室１０ａを酸素雰囲気とし
ても良い。また、加熱ヒータ１６を作動させて基板２を
５００〜８００°Ｃに加熱する。
次に、レーザ発光装置１８から発生させたレーザビーム
を第１反射鏡１９と集光レンズ２０と第２反射鏡２Ｉと
透明窓２２を介して蒸着処理室ｌＯａ内に導き、ターゲ
ラ１−１３の表面に集光照射する。この際に、集光レン
ズ２０の位置調節を行ってターゲット１３の表面にレー
ザビームの焦点を合わせる。また、送出装置１４から基
材１１を所定速度で順次繰り出して巻取装置１５に巻き
取る。
を第１反射鏡１９と集光レンズ２０と第２反射鏡２Ｉと
透明窓２２を介して蒸着処理室ｌＯａ内に導き、ターゲ
ラ１−１３の表面に集光照射する。この際に、集光レン
ズ２０の位置調節を行ってターゲット１３の表面にレー
ザビームの焦点を合わせる。また、送出装置１４から基
材１１を所定速度で順次繰り出して巻取装置１５に巻き
取る。
レーザビームが照射されたターゲット１３は表面部分が
えぐり取られるか蒸発されて構成粒子が叩き出され、そ
の粒子の大部分は、フィルタ板１３の上面に堆積するか
、フィルタ板Ｉ３のうち、窓孔１３ａを通過した粒子は
フィルタ板１３を通過して基材１１の上面に堆積する。
えぐり取られるか蒸発されて構成粒子が叩き出され、そ
の粒子の大部分は、フィルタ板１３の上面に堆積するか
、フィルタ板Ｉ３のうち、窓孔１３ａを通過した粒子は
フィルタ板１３を通過して基材１１の上面に堆積する。
そして、粒子が堆積された基材１１は加熱されているの
で、堆積層は堆積と同時に熱処理される。
で、堆積層は堆積と同時に熱処理される。
以上の操作によって基材１１の上面に順次蒸発粒子を堆
積させ、テープ状の基材ＩＩ上に酸化物超電導薄膜を形
成することで酸化物超電導導体を得ることができる。以
上のように形成された酸化物超電厚薄薄膜は、ターゲッ
ト１２から発生させた粒子の内、限られた区画のものの
みをフィルタ板１３の窓孔１３ａで選択して基材１１上
に堆積させて形成されるので、基材１１上には組成の整
った均一の酸化物超電導薄膜が生成する。ここでターゲ
ットより噴出する蒸発粒子束は実際には狭い範囲のみで
適当な組成比となっているため、フィルタ板１３がない
場合は、膜組成の空間分布が大きくなるおそれがある。
積させ、テープ状の基材ＩＩ上に酸化物超電導薄膜を形
成することで酸化物超電導導体を得ることができる。以
上のように形成された酸化物超電厚薄薄膜は、ターゲッ
ト１２から発生させた粒子の内、限られた区画のものの
みをフィルタ板１３の窓孔１３ａで選択して基材１１上
に堆積させて形成されるので、基材１１上には組成の整
った均一の酸化物超電導薄膜が生成する。ここでターゲ
ットより噴出する蒸発粒子束は実際には狭い範囲のみで
適当な組成比となっているため、フィルタ板１３がない
場合は、膜組成の空間分布が大きくなるおそれがある。
なお、前記のように製造された酸化物超電導薄膜の結晶
性をより向上させて均質化するために、成膜後の基材１
１に熱処理を施す。実際には、成膜時の加熱温度（６０
０〜７５０℃）以下でアニーリングすれば良い。
性をより向上させて均質化するために、成膜後の基材１
１に熱処理を施す。実際には、成膜時の加熱温度（６０
０〜７５０℃）以下でアニーリングすれば良い。
以上の操作によって長尺の基材１１上に連続的に酸化物
超電導薄膜を形成することかでき、長さ方向に超電導特
性のばらつきのない良質な酸化物超電導導体を製造する
ことができる。
超電導薄膜を形成することかでき、長さ方向に超電導特
性のばらつきのない良質な酸化物超電導導体を製造する
ことができる。
「製造例」
第１図に示す装置において、ターゲット蒸発用のレーザ
として波長１９３ ｎｍ、平均出力２．５ Ｗ。
として波長１９３ ｎｍ、平均出力２．５ Ｗ。
繰り返し周波数５Ｈｚ、パルス幅１０ ｎ５ｅｃのＡｒ
Ｆエキンマレーザを用いた。また、基材として、ハステ
ロイ製の幅１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのテープ状の基材
を用いるとともに、ターゲットとしてＹ１Ｅａ２Ｃｕ３
０ｔ〜δなる組成の焼結体からなる円板状のターゲット
を用いた。更に蒸着処理室の内部を１０−’Ｔ ｏｒｒ
に排気し、基材を６００〜７ｏｏ℃に加熱してレーザ蒸
着を行った。また、フィルタ板に形成した窓孔の横幅は
１ｃｏ＋、縦幅は１ｃＩ１１とし、フィルタ板は基材の
５ｍｍ上方に位置するように設置した。
Ｆエキンマレーザを用いた。また、基材として、ハステ
ロイ製の幅１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのテープ状の基材
を用いるとともに、ターゲットとしてＹ１Ｅａ２Ｃｕ３
０ｔ〜δなる組成の焼結体からなる円板状のターゲット
を用いた。更に蒸着処理室の内部を１０−’Ｔ ｏｒｒ
に排気し、基材を６００〜７ｏｏ℃に加熱してレーザ蒸
着を行った。また、フィルタ板に形成した窓孔の横幅は
１ｃｏ＋、縦幅は１ｃＩ１１とし、フィルタ板は基材の
５ｍｍ上方に位置するように設置した。
得られた酸化物超電導導体について、液体窒素で冷却し
、臨界温度と臨界電流密度を複数の部分で測定した。そ
の結果、複数の測定箇所において、いずれも 臨界温度 ８５に 臨界電流密度 ５００００ Ａ／ａｍ’（７７Ｋ）なる
値が得られた。
、臨界温度と臨界電流密度を複数の部分で測定した。そ
の結果、複数の測定箇所において、いずれも 臨界温度 ８５に 臨界電流密度 ５００００ Ａ／ａｍ’（７７Ｋ）なる
値が得られた。
また、比較のために、フィルタ板を処理容器から取り除
き、成膜条件を前記と同等に設定して酸化物超電導導体
を製造したが、得られた酸化物超電導導体は測定位置に
よって前記の値よりも低い臨界電流密度を示す部分が認
められた。
き、成膜条件を前記と同等に設定して酸化物超電導導体
を製造したが、得られた酸化物超電導導体は測定位置に
よって前記の値よりも低い臨界電流密度を示す部分が認
められた。
「発明の効果」
以上説明したように本発明は、レーザビームをターゲッ
トに照射して基材上に蒸発粒子を堆積させる場合に、タ
ーゲットから発生する粒子の特定の区画の一部分のみを
フィルタ板の窓孔て選択して長尺の基材上に順次堆積さ
せるので、長さ方向に組成の均一な酸化物超電導薄膜を
有する酸化物超電導導体を製造することができる。また
、この発明を実施するには、ターゲットと基材の間に窓
孔付きのフィルタ板を設けるだけで良いので、容易に実
施できる効果がある。
トに照射して基材上に蒸発粒子を堆積させる場合に、タ
ーゲットから発生する粒子の特定の区画の一部分のみを
フィルタ板の窓孔て選択して長尺の基材上に順次堆積さ
せるので、長さ方向に組成の均一な酸化物超電導薄膜を
有する酸化物超電導導体を製造することができる。また
、この発明を実施するには、ターゲットと基材の間に窓
孔付きのフィルタ板を設けるだけで良いので、容易に実
施できる効果がある。
第１図は本発明方法の実施に用いるレーザ蒸着装置の一
例を示す構成図、第２図は従来のレーザ蒸着装置の一例
を示す構成図である。 ｌＯ・・・処理容器、１０ａ・・蒸着処理室、１０ｂ・
・・排気孔、１１・・基材、１２ ・ターゲット、１３
・・・フィルタ板、１３ａ・・・窓孔、１４・・送出装
置、１５・・・巻取装置、＋６・・・加熱ヒータ、１８
・・・発光装置。
例を示す構成図、第２図は従来のレーザ蒸着装置の一例
を示す構成図である。 ｌＯ・・・処理容器、１０ａ・・蒸着処理室、１０ｂ・
・・排気孔、１１・・基材、１２ ・ターゲット、１３
・・・フィルタ板、１３ａ・・・窓孔、１４・・送出装
置、１５・・・巻取装置、＋６・・・加熱ヒータ、１８
・・・発光装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体または酸化物超電
導体と近似組成のターゲットから発生させた粒子をター
ゲットの近傍を移動中の基材上に順次堆積させて酸化物
超電導導体を製造する方法において、 ターゲットと基材との間に、ターゲットから基材に向け
て移動するターゲットの粒子を遮るフィルタ板を配し、
このフィルタ板に形成した窓孔によって前記粒子の一部
のみを選択して基材上に堆積させることを特徴とする物
理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30494290A JP3187043B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30494290A JP3187043B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04175204A true JPH04175204A (ja) | 1992-06-23 |
| JP3187043B2 JP3187043B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=17939173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30494290A Expired - Lifetime JP3187043B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187043B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210236A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法及び製造装置 |
| CN109911857A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-21 | 福建龙新三维阵列科技有限公司 | 连续制备金属氧化物微纳米阵列的方法 |
| CN113035676A (zh) * | 2016-04-04 | 2021-06-25 | Mi2工厂有限责任公司 | 用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP30494290A patent/JP3187043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210236A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法及び製造装置 |
| CN113035676A (zh) * | 2016-04-04 | 2021-06-25 | Mi2工厂有限责任公司 | 用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件 |
| CN109911857A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-21 | 福建龙新三维阵列科技有限公司 | 连续制备金属氧化物微纳米阵列的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3187043B2 (ja) | 2001-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5206216A (en) | Method for fabricating oxide superconducting wires by laser ablation | |
| US5212148A (en) | Method for manufacturing oxide superconducting films by laser evaporation | |
| DE4340752C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung einer gleichförmigen Dünnschicht auf einer großen Substratfläche unter Verwendung eines Lasers | |
| Fork et al. | Preparation of oriented Bi‐Ca‐Sr‐Cu‐O thin films using pulsed laser deposition | |
| US5019552A (en) | Long-laser-pulse method of producing thin films | |
| EP0702416B1 (en) | Method and apparatus for depositing superconducting layer onto the substrate surface via off-axis laser ablation | |
| JPH01122905A (ja) | 酸化物層を基板上に形成する方法 | |
| EP0265886B1 (en) | Process for forming an ultrafine-particle film | |
| US5264412A (en) | Laser ablation method for forming oxide superconducting thin films using a homogenized laser beam | |
| JP3187043B2 (ja) | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 | |
| Balooch et al. | Y‐Ba‐Cu‐O superconducting films produced by long‐pulse laser vaporization | |
| US5248659A (en) | Process for preparing a superconducting thin oxide film | |
| JPH03174306A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH03174307A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP3157895B2 (ja) | 酸化物超電導膜の形成方法及び酸化物超電導部材 | |
| JPH03174305A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH08306978A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法および装置 | |
| JP3080096B2 (ja) | 大面積薄膜の作製方法 | |
| US5210070A (en) | Process for preparing a single phase bi-containing superconducting thin oxide film by laser ablation | |
| JPH01215963A (ja) | 超電導薄膜形成方法 | |
| JP3522402B2 (ja) | 酸化物超電導導体の製造方法及び製造装置 | |
| JP2817299B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| EP0526331B1 (en) | Method for preparing a superconducting thin film of compound oxide | |
| JP2004018943A (ja) | 酸化物超電導導体の製造方法及びその装置 | |
| JPH02197565A (ja) | レーザ蒸着装置用ターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 10 |