JPH041764A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH041764A JPH041764A JP2103521A JP10352190A JPH041764A JP H041764 A JPH041764 A JP H041764A JP 2103521 A JP2103521 A JP 2103521A JP 10352190 A JP10352190 A JP 10352190A JP H041764 A JPH041764 A JP H041764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electron beam
- shielding film
- photomask
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路の製造時に使廟されるフォト
マスクの製造方法に関するものである。
マスクの製造方法に関するものである。
［従来技術とその問題点］
一般的に、フォトマスクはクロム等の遮光膜を一様に蒸
着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布し
、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターンを
形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液に浸漬
し、ウェット（湿式）エツチングすることにより作製さ
れる。しかし、ウェットエツチングでは線幅寸法が細く
なるとクロムのエツチングパターンの直線性が低くなる
。
着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布し
、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターンを
形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液に浸漬
し、ウェット（湿式）エツチングすることにより作製さ
れる。しかし、ウェットエツチングでは線幅寸法が細く
なるとクロムのエツチングパターンの直線性が低くなる
。
また、等方性エツチングのためサイドエツチングにより
遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざるを
えない、近年、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）も遮
光膜として用いられているが、Ｍ ｏ Ｓ ｉはウェッ
トエツチングではエンチング不可能で、ドライエツチン
グでなければならない。
遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざるを
えない、近年、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）も遮
光膜として用いられているが、Ｍ ｏ Ｓ ｉはウェッ
トエツチングではエンチング不可能で、ドライエツチン
グでなければならない。
しかし、反応性イオンエツチング等のドライエツチング
では、レジストのドライエツチング耐性が問題となる。
では、レジストのドライエツチング耐性が問題となる。
ネガ型レジストの、ＣＭＳ （東ソー■製商品名）、５
ＥＬ−Ｎ（ソマール■製商品名）、５ＡＬ６０１（米国
シラプレー社製商品名）等は、エツチング耐性が高い。
ＥＬ−Ｎ（ソマール■製商品名）、５ＡＬ６０１（米国
シラプレー社製商品名）等は、エツチング耐性が高い。
しかし、ＰＢＳ（チッソ■製画品名）、ＥＢＲ−９（東
し■製画品名）、ＦＢＭ−１２０（ダイキン工業■製商
品名）等のポジ型レジストの耐性は低い。そのため、前
記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライエツチング
耐性が低いため、レジストパターンの後退が生じ、遮光
膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法が得られな
いということがおきた。
し■製画品名）、ＦＢＭ−１２０（ダイキン工業■製商
品名）等のポジ型レジストの耐性は低い。そのため、前
記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライエツチング
耐性が低いため、レジストパターンの後退が生じ、遮光
膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法が得られな
いということがおきた。
また、φ−ＭＡＣ（ダイキン工業■製商品名）、ＭＰ２
４００ （米国シラプレー社製商品名）は前記ポジ型電
子線レジストより耐性は高いが、感度が２０μＣ／ｃ４
以下と非常に低く、スループントが低いという欠点があ
る。
４００ （米国シラプレー社製商品名）は前記ポジ型電
子線レジストより耐性は高いが、感度が２０μＣ／ｃ４
以下と非常に低く、スループントが低いという欠点があ
る。
以上のことから明らかなように現在市販されているポジ
型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ高
スループツトで製造することができない。
型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ高
スループツトで製造することができない。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、半導体集積回路の製造時に使用されるフォト
マスクを高解像度で、かつ高スループ。
マスクを高解像度で、かつ高スループ。
トで提供することを目的とする。
［課題を解決する手段］
本発明は、透明基板上に、遮光膜を形成し、該遮光膜上
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエン
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、（１）式で表わされる２−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成しで、ドライエツチングにより
遮光膜をエツチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法である。
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエン
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、（１）式で表わされる２−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成しで、ドライエツチングにより
遮光膜をエツチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法である。
Ｎ
本発明による２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体は、次式（２）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、１万から３００万であるが、分
子量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さ
いと感度が低下することから１０万〜１００万が好まし
い。
体は、次式（２）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、１万から３００万であるが、分
子量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さ
いと感度が低下することから１０万〜１００万が好まし
い。
また、本発明で用いる現像液としては、２−シアノアク
リル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒である
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル
イソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ｎ −プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、ｎ−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
リル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒である
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル
イソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ｎ −プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、ｎ−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
また、フォトマスクに使用される遮光膜は、クロム、ク
ロム系化合物、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等が
あり、フォトマスク作製における遮光膜のエツチング耐
性においてプラズマエツチング、反応性イオンエツチン
グ、反応性イオンビームエツチング、イオンビームエツ
チング等のドライエツチングを用いる。なお、クロムお
よびクロム化合物のエツチングガスとしては四塩化炭素
と酸素、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）は、ＣＦ、
と酸素の混合ガスが好ましい。
ロム系化合物、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等が
あり、フォトマスク作製における遮光膜のエツチング耐
性においてプラズマエツチング、反応性イオンエツチン
グ、反応性イオンビームエツチング、イオンビームエツ
チング等のドライエツチングを用いる。なお、クロムお
よびクロム化合物のエツチングガスとしては四塩化炭素
と酸素、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）は、ＣＦ、
と酸素の混合ガスが好ましい。
［作用］
表１は、２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体と
、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。な
お、感度は電子ビームの加速電圧を２０ｋＶとし、耐ド
ライエツチング性はドライエツチング装置として反応性
イオンエツチング装置を用い、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素の混合ガス−で、圧力４０Ｐａ、パワー
３００Ｗの条件で実施した。（以下余白） 表１ 表１から明らかなように、本発明に用いるレジストは感
度およびドライエツチング耐性の両方に優れるため、半
導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且つ
高スループツトで可能となる。
、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。な
お、感度は電子ビームの加速電圧を２０ｋＶとし、耐ド
ライエツチング性はドライエツチング装置として反応性
イオンエツチング装置を用い、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素の混合ガス−で、圧力４０Ｐａ、パワー
３００Ｗの条件で実施した。（以下余白） 表１ 表１から明らかなように、本発明に用いるレジストは感
度およびドライエツチング耐性の両方に優れるため、半
導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且つ
高スループツトで可能となる。
［実施例１］
２−シアノアクリル酸シクロヘキシル１０ｇ１酢酸２ｇ
、アゾビスイソブチロニトリル０．０５ ｇをガラス封
管に仕込み、窒素気流中で、６０℃にて１０時間反応さ
せた。これを石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱
させ、白色粉末状の共重合体８．３ｇを得た。なお、こ
の共重合体の分子量は７０万（ＧＰＣによるポリスチレ
ン換算）であった。
、アゾビスイソブチロニトリル０．０５ ｇをガラス封
管に仕込み、窒素気流中で、６０℃にて１０時間反応さ
せた。これを石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱
させ、白色粉末状の共重合体８．３ｇを得た。なお、こ
の共重合体の分子量は７０万（ＧＰＣによるポリスチレ
ン換算）であった。
分子量７０万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、１００
０人の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布
法により１８００ ｒ ｐ ｍで３０００人の厚さのレ
ジスト被膜を形成し、１２０℃で３０分間熱処理後、照
射量３．２μＣ／ｃｄ、加速電圧２０ｋＶで電子線照射
した。電子線照射後、メチルイソブチルケトン＝２−プ
ロパツール＝６０：４０の混合溶媒で２０℃において５
分間浸漬し、２−プロパツール中にてリンスして乾燥す
ることによってポジ型レジストパターンが得られた。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、１００
０人の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布
法により１８００ ｒ ｐ ｍで３０００人の厚さのレ
ジスト被膜を形成し、１２０℃で３０分間熱処理後、照
射量３．２μＣ／ｃｄ、加速電圧２０ｋＶで電子線照射
した。電子線照射後、メチルイソブチルケトン＝２−プ
ロパツール＝６０：４０の混合溶媒で２０℃において５
分間浸漬し、２−プロパツール中にてリンスして乾燥す
ることによってポジ型レジストパターンが得られた。
次に反応性イオンエツチング装置を用いて、四塩化炭素
（５０３ＣＣＭ）と酸素（５０５ＣＣＭ）の混合ガスで
、圧力４０Ｐａ、パワー３００Ｗで１０分間、クロムの
エツチングを行なった。
（５０３ＣＣＭ）と酸素（５０５ＣＣＭ）の混合ガスで
、圧力４０Ｐａ、パワー３００Ｗで１０分間、クロムの
エツチングを行なった。
アセトンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に
０．２μｍ線幅のエツジラフネスのないクロムの遮光膜
パターンが得られた。
０．２μｍ線幅のエツジラフネスのないクロムの遮光膜
パターンが得られた。
［実施例２］
ＭｏＳｉの蒸着されたガラス基板上に実施例１と同様に
ポジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエツチ
ング装置を用いて、ＣＦ、（９５ＳＣＣＭ）と酸素（５
ＳＣＣＭ）の混合ガスで、圧力３０Ｐａ、パワー３００
Ｗで３分間、ＭｏＳｉのエツチングを行ない、アセト
ンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に０．２
μｍＷＡ幅のＭ ｏ Ｓ ｉの遮光膜パターンが得られ
た。
ポジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエツチ
ング装置を用いて、ＣＦ、（９５ＳＣＣＭ）と酸素（５
ＳＣＣＭ）の混合ガスで、圧力３０Ｐａ、パワー３００
Ｗで３分間、ＭｏＳｉのエツチングを行ない、アセト
ンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に０．２
μｍＷＡ幅のＭ ｏ Ｓ ｉの遮光膜パターンが得られ
た。
［比較例１コ
クロム蒸着されたガラス基板上に実施例１と同様にポジ
型レジストパターンを形成後、１２０°Ｃ１３０分間加
熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の
クロム用エツチング液にて５０秒間、浸漬すると１００
０人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に０．２５μｍ線幅の
クロムパターンが得られたが、クロムパターンのエツジ
ラフネスは非常に大きかった。
型レジストパターンを形成後、１２０°Ｃ１３０分間加
熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の
クロム用エツチング液にて５０秒間、浸漬すると１００
０人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に０．２５μｍ線幅の
クロムパターンが得られたが、クロムパターンのエツジ
ラフネスは非常に大きかった。
［比較例２］
ＭｏＳｉの蒸着されガラス基板上にＥＢＲ−９を３００
０人の厚さで被膜形成し、温度２００°Ｃで３０分間ブ
リヘーツク後３．２μＣ／ｃ＋ｉｌの電子線を照射した
。電子線照射後、メチルイソブチルケトン中で２０°Ｃ
にて３分間浸漬し、その後、２プロパツールでリンスし
、乾燥した。１２０ ’Ｃで３０分間、ポストベークを
行なった後、反応性イオンエツチング装置を用いて、Ｃ
Ｆ、（９５３ＣＣＭ）と酸素（５３ＣＣＭ）の混合ガス
で、圧力３０Ｐａ、パワー３００Ｗで３分間、ＭｏＳｉ
のエツチングを行なったが、レジストパターンはすべて
消失し、ＭｏＳｉとレジストの選択比がとれなかった。
０人の厚さで被膜形成し、温度２００°Ｃで３０分間ブ
リヘーツク後３．２μＣ／ｃ＋ｉｌの電子線を照射した
。電子線照射後、メチルイソブチルケトン中で２０°Ｃ
にて３分間浸漬し、その後、２プロパツールでリンスし
、乾燥した。１２０ ’Ｃで３０分間、ポストベークを
行なった後、反応性イオンエツチング装置を用いて、Ｃ
Ｆ、（９５３ＣＣＭ）と酸素（５３ＣＣＭ）の混合ガス
で、圧力３０Ｐａ、パワー３００Ｗで３分間、ＭｏＳｉ
のエツチングを行なったが、レジストパターンはすべて
消失し、ＭｏＳｉとレジストの選択比がとれなかった。
［発明の効果］
以上のように、ポジ型電子線レジストの２−ンアノアク
リル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエツチ
ング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積回
路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像塵で、か
つ高スループ、７トで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
リル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエツチ
ング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積回
路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像塵で、か
つ高スループ、７トで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
特 許 出 願 人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴木和夫
Claims (2)
- （１）透明基板上に、遮光膜を形成し、該遮光膜上にポ
ジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーに
よりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエッチン
グすることで、遮光膜をパターン化するフォトマスクの
製造方法において、下記（１）式で表わされる２−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成して、ドライエッチングにより
遮光膜をエッチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
（１） - （２）ドライエッチングが、プラズマエッチング、反応
性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング、
またはイオンビームエッチングである請求項（１）記載
のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041764A true JPH041764A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2522087B2 JP2522087B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14356239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352190A Expired - Lifetime JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522087B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
| US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573047A (en) * | 1978-11-25 | 1980-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of photo mask |
| JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPH01154146A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度感応性放射線レジスト |
| JPH01217341A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 |
| JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH02297553A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストの現像方法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10352190A patent/JP2522087B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573047A (en) * | 1978-11-25 | 1980-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of photo mask |
| JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPH01154146A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度感応性放射線レジスト |
| JPH01217341A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 |
| JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH02297553A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストの現像方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
| US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2522087B2 (ja) | 1996-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5948570A (en) | Process for dry lithographic etching | |
| EP0005775B1 (en) | Article comprising a substrate and an overlying processing layer of actinic radiation-sensitive material and process for fabrication of the article | |
| JP2881969B2 (ja) | 放射線感光レジストとパターン形成方法 | |
| US6436605B1 (en) | Plasma resistant composition and use thereof | |
| US4297433A (en) | Light sensitive compositions of polymethyl isopropenyl ketone | |
| US5688634A (en) | Energy sensitive resist material and process for device fabrication using the resist material | |
| US5403699A (en) | Process for formation of resist patterns | |
| US4388397A (en) | Photosensitive composition for dry development | |
| CN1173928A (zh) | 光敏化合物 | |
| JPH041764A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US6511792B2 (en) | Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same | |
| EP0236914A2 (en) | Fabrication of electronic devices utilizing lithographic techniques | |
| JP3779882B2 (ja) | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 | |
| US4201580A (en) | Lithographic fabrication with treatment of "living polymer" | |
| JP2001318472A5 (ja) | ||
| US7468227B2 (en) | Method of reducing the average process bias during production of a reticle | |
| JPH03150568A (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JPH0381143B2 (ja) | ||
| JPH04307545A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| EP0007976A1 (en) | Lithographic resist and device processing utilizing same | |
| JPS5860537A (ja) | 乾式パタ−ン形成方法 | |
| JPH01217341A (ja) | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 | |
| JP2618978B2 (ja) | レジスト材料およびこのレジスト材料を使用するパターン形成方法 | |
| JPH02264259A (ja) | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
| JPS6315241A (ja) | パタ−ニング方法及びレジスト |