JPH04177642A - 磁性薄膜の製造方法及びオーバーライト可能な光磁気紀録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オーバーライト（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ　）
可能な光磁気記録媒体に有用な磁性薄膜の製造方法及び
オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関す
る。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力か成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
再生層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎ
ｄｉｃｕｌａｒ　＋＊ａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏ
ｒ　１ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばア
モルファスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ５ＧｄＦｅＣｏ、、Ｔ
ｂＦｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記
録層は一般に同心円状又はらせん状のトラックを成して
おり、このトラックの上に情報が記録される。ここで、
本明細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　
Ｊ又は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）Ｊの何れか一方を
、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録す
べき情報は、予め２値化されており、この情報か「Ａ向
きＪの磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の
磁化を有するビット（Ｂｏ）の２つの信号で記録される
。これらのビットＢ、、Ｂ、は、デジタル信号の１．０
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれ
る。その上でトラックにＵＡ向きＪの磁化を有するビッ
ト（Ｂ１）を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）の
有無及び／又はビット長によって記録される。

ビット形成の原理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）か有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同し位に小さいスポットにビームか絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録再生層に直径か１μｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０’　ビット／ｄまでの記録密度を達成するこ
とができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほ
とんど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮
（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することか出来るからであ
る。

第１図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録再生層（１）の上に絞りこみ、それ
を加熱する。その間、初期化された向きとは反対の向き
の記録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加す
る。そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（
ｃｏｅｒｓｉｖｉＬｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より
小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（
Ｈｂ）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが
形成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｅの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｅが急激に低下する。この低下したＨｃは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負がされる。

つまり、記録か可能になる。この記録プロセスはＴｏ６
□　書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこたわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再生の原理： 第２図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録再生層（１）に照
射されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録再
生層（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）
の向きに従って回転する。この回転する現象は、磁気カ
ー　（Ｋｅｒｒ）効果又は磁気ファラデー（Ｆａｒａｄ
ａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面か「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向きｊ磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向きＪに磁化されたビット（ＢＯ）から反射された
光はアナライザーを透過することかできない。それに対
してｒＡ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）から反射さ
れた光は、　（ｓ　ｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲
される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ
１）は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。このディテクターからの電気信号は、記録され
た情報に従って変調されるので、情報か再生されるので
ある。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（ｎ＋）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。

もっとも、もし記録磁界（Ｈｂ）の向きを必要に応じて
ｒＡ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら
、記録磁界（Ｈｂ）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Ｈｂ）印加手段が永久
磁石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる
必要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させるこ
とは、無理である。記録磁界（Ｈｂ）印加手段が電磁石
である場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速
で変えることは不可能である。

そのため、光磁気記録では従来オーバーライトはできな
いとされていた。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界Ｈｂの強
度（ＯＮ、　ＯＦＦを含む）又は記録磁界Ｈｂの向きを
変調せずに、照射する光ビームの強度を記録すべき２値
化情報に従い変調するだけで、オーバーライトが可能な
光磁気記録方法と、それに使用されるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体と、同しくそれに使用されるオーバ
ーライト可能な記録装置か発明され、特許出願された（
特開昭６２−１７５９４８号）。以下、この発明を「基
本発明」と引用する。

〔基本発明の説明〕

基本発明の記録方法（１）は、次のように定義される。

（１）光磁気記録媒体の記録再生層に対して、情報を上
向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットで
記録する光磁気記録方法において、その方法か、 （ａ）前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１層
を記録再生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録
補助層とする多層光磁気記録媒体を使用すること； （ｂ）前記媒体を移動させること； （Ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録する
前までに、記録再生層の磁化はそのままにしておき、記
録補助層の磁化のみを、上向き又は下向きの何れか一方
に揃えておくこと；（ｄ）レーザービームを媒体に照射
すること；（ｅ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情
報に従いパルス状に変調すること１ （ｆ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること； （ｇ）前記パルス状ビームの強度か高レベルの時に上向
き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの何
れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベルの時に、他
方のビ・ノドを形成させること； からなるオーバーライト可能な光磁気記録方法を提供す
る。

基本発明の方法では、レーザービームは、記録すべき情
報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身
は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２
値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は
既知の手段である。例えば、ＴＨＥ　　ＢＥＬＬ　　Ｓ
ＹＳＴＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬＪＯＵＲＮＡＬ、　
　Ｖｏｌ、６２（１９８３）、１９２３−１９３６に詳
しく記載されている。

基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度か高レベ
ルの時に、記録磁界（Ｈｂ）により記録補助層の「Ａ向
き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）させ
、この記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録再生
層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有する
ビットを形成する。

ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向き」
磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は［逆Ａ
向き」磁化］を有するビットを形成する。

必要な高レベルと低レベルが与えられれば、前述の文献
等に記載された変調手段を部分的に修正するだけで、ビ
ーム強度を基本発明に従い変調することは、当業者にと
って容易である。

なお、本明細書では、 ○○○〔又は△△△〕という表現は、先に〔〕の外のＯ
ＯＯを読んだときには、以下のＯＯＯ〔又は△△△〕の
ときにも、〔〕の外のＯＯＯを読むことにする。それに
対して先にＯＯＯを読まずに〔〕内の△△△の方を選択
して読んだときには、以下のＯＯＯ〔又は△△△〕のと
きにもＯＯＯを読まずに〔〕内の△△△を読むものとす
る。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーザービームを非常な低レベル１で点灯することがある
。また、レーザービームを再生に兼用するときには、非
常な低レベル１の強度でレーザービームを点灯させるこ
とがある。基本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低しベノビにすることもある。しがし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
”よりも高い。従って、例えば、基本発明におけるレー
ザービームの出力波形は、次の通りになる。

ビーム強度 情報信号の例　　　１１１００１１１１０００基本発明
は、また光磁気記録装置に於いて、その装置が、 （ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補
助磁界印加手段： （ｃ）レーザービーム光源： （ｄ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、（１
）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビッ
トの何れか一方のビットを形成させるのに適当な温度を
媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形成さ
せるのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパルス
状に変調する手段。

（ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることかあ
り得る記録磁界印加手段： からなるオーバーライト可能な装置を提供する。

なお、基本発明に使用される変調手段は、ビーム強度の
高レベルと低レベルか与えられれば、従来の変調手段を
一部修正するだけで入手することができる。当業者にと
って、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レ
ベルが与えられれば、容易であろう。

更に、基本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補
助層とするオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体を
提供する。

基本発明は、第１実施態様と第２実施態様とに大別され
る。いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層構
造を有し、この構造は次のように分、けられる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度か低い記録
再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保
磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いず
れも垂直磁化膜からなる。

なお、第１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成
されていてもよい。場合により第１層と第２層との間に
第３の層が存在していてもよい。更に第１層と第２層と
の間に明確な境界がなく、−方から徐々に他方に変わっ
てもよい。

第１実施態様では、記録再生層１の保磁力をＨ（１、記
録補助層２のそれをＨＣＩ、記録再生層ｌのキュリー点
をＴ。１、記録補助層２のそれをＴ。７、室温をＴＲ１
低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体の温
度をＴＬ、高レベルのレーザービームを照射した時のそ
れをＴＲ１，記録再生層重が受ける結合磁界をＨＤＩ、
記録補助層２か受ける結合磁界を）（Ｄｔとした場合、
記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして室温で式２〜
５を満足するものである。

ＴＲ＜Ｔ。１熔Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃｔ＃　Ｔ　ＩＩ−・
・−・−・−・・−・・・・式ｌＨｃ＋　＞　Ｈｃｓ　
＋　ｌ　Ｈｏ１＋　Ｈｏｒ　１−−−−一−−−−−式
２ＨＣｌ　＞　ＨＤ　ｌ　　−−−−−−−−−−−−
−−−一式３ＨＣ２＞　ＨＤ　！−−・−−−−”−’
−’−”−’−””””’−’−−−−””’−”””
−式４Ｈｃｒ　＋　ＨＤ２＜　　ＩＨｉｎｉ、　　１＜
　Ｈｃ＋±ＨＤ　ヒ−・・・・式５上記式中、符号「停
Ｊは、等しいか又はほぼ等しい（±２０℃位の差）こと
を表す。また上記式中、複合±、；については、上段が
後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒
体の場合であり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅ
ｌ）タイプの媒体の場合である。なお、フェロ磁性体及
び静磁結合した媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は記録再生層１のそれを、太線は記録補
助層２のそれを表す。

Ｔ　Ｌ　　　　　Ｔ　。

従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、記録再生層１の磁化
の向きは反転せずに記録補助層２の磁化のみが反転する
。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）
を印加すると、記録補助層２のみを「Ａ向き」□ここで
は「Ａ向きＪを便宜的に本明細書紙面において上向きの
矢９で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢８で示す□に磁
化させることかできる。そして、１旧、かゼロになって
も、式４により、記録補助層２の磁化？は再反転せずに
そのまま保持される。

初期補助磁界（１旧、）により記録補助層２のみが、記
録直前まで「Ａ向き」？に磁化されている状態を概念的
に表すと、次のようになる。

ここで、記録再生層冒における磁化の向き′は、それま
でに記録されていた情報を表わす。以下の説明において
は、向きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上
記の表を簡単のために、次のように表す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴ。に上昇させる。すると、ＴＨはキュリー点
Ｔｅｌより高温度なので記録再生層１の磁化は消失して
しまう。更にＴ。はキュリー点Ｔｃ＋付近なので記録補
助層２の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の
種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（
Ｈｂ）を印加する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身から
の浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向
き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加したとする。媒体は移動
しているので、照射された部分は、レーザービームから
直ぐに遠ざかり、空気で冷却される。

Ｈｂの存在下で、媒体の温度が低下すると、記録補助層
２の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「逆Ａ向き」の磁
化となる（状態２１１）。

そして、さらに放冷か進み、媒体温度がＴ　ｃ　＋より
少し下がると、再び記録再生層冒の磁化が現れる。その
場合、磁気的結合（交換結合ないし静磁結合）力のため
に、記録再生層１の磁化の向きは、記録補助層２の磁化
の向きの影響を受ける。その結果、媒体に応じて８（Ｐ
タイプの媒体の場合）又は０（Ａタイプの媒体の場合）
が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。Ｔ、はキュリー点ＴＣＩ付近なので
記録再生層１の磁化は全く又はほぼ消失してしまうか、
キュリー点ＴＣＩよりは低温であるので記録補助層２の
磁化は消失しない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＨＣ２はまだ大きいままなので、Ｈｂによって
記録補助層２の磁化が反転することはない。

媒体は移動しているので、照射された部分は、レーザー
ビームから直ぐに遠ざかり、空気で冷却される。冷却か
進むと、再び記録再生層１の磁化か現れる。現れる磁化
の向きは、磁気的結合力のために記録補助層２の磁化の
向きの影響を受ける。

その結果、媒体によって０（Ｐタイプの場合）又は８（
Ａタイプの場合）の磁化か出現する。この磁化は室温で
も変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、記録再生層１の磁化の向きがど
うであれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互
いに反対向きの磁化？又は８を有するビットが形成され
る。つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高
温サイクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパル
ス状に変調することによりオーバーライトか可能となる
。

Ｐタイプ媒体の場合 ↓　　　　　　　　Ｌ （室温状態）　　　　　　　（室温状態）（室温状態）
　　　　　　　（室温状態）なお、記録媒体は一般にデ
ィスク状であり、記録時、媒体は回転される。そのため
、記録された部分（ビット）は、１回転する間に再び１
旧、の作用を受け、その結果、記゛録補助層２の磁化は
元の「Ａ向き」合に揃えられる。しかし、室温では、記
録補助層２の磁化の影響か記録再生層１に及ぶことはな
く、そのため記録された情報は保持される。

そこで、記録再生層１に直線偏光を照射すれば、その反
射光には情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒
体と同様に情報か再生される。

このような記録再生層１及び記録補助層２を構成する垂
直磁化膜は、■補償温度を有せずキュリー点を有するフ
ェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュ
リー点の双方を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶
質からなる群から選択される。

以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の説
明である。それに対して第２実施態様は室温より高い所
定の温度に於いて低下したＨｃをを利用するものである
。第２実施態様は、第１実施態様に於けるＴＣＩの代わ
りに記録再生層１か記録補助層２に磁気結合される温度
Ｔ　５１を使用し、Ｔｃ＋の代わりに記録補助層２かＨ
ｌｌで反転する温度ＴＳ２を使用すれば、第１実施態様
と同様に説明される。

第２実施態様では、記録再生層１の保磁力をＨＣＩ、記
録補助層２のそれをＨ６２、記録再生層１か記録補助層
２に磁気的に結合される温度をＴ　、＋とし、記録補助
層２の磁化がＨｂで反転する温度ヲＴｓ２、室温をＴＲ
１低レベルのレーザービームを照射した時の媒体の温度
をＴＬ、高レベルのレーザービームを照射した時のそれ
をＴ。、記録再生層１が受ける結合磁界をＨｌ）い記録
補助層２が受ける結合磁界をＨ８２とした場合、記録媒
体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜１０を満足
するものである。

Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　、、２Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｌ２ｚＴＨ−−
−−−一　式６Ｈｃ　＋　＞　Ｈｃｒ　＋　　ｌ　Ｈｏ
１＋　Ｈｏ２１　−−−−−−−−−一式７Ｈｃ　＋　
＞　Ｈｏ　＋　　−−””’−”−””””””””−
””””’−””””’−式８ＨＣ２＞　ＨＤ　ｌ１１
．−−−−−−−一−−−＝−−−−−−−−−−−−
一式９ＨＣ１＋ＨＤ２＜　　１Ｈｉｎｉ、　　ｌ　　＜
Ｈｃ＋±ＨＤ　ｌ−一式１０上記式中、複合±、；につ
いては、上段か後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅ
ｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ　（
ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、記録再生層１、記録補助層
２の双方か遷移金属（例えばＰｅ、　Ｃｏ）−重希土類
金属（例えばＧｄ、　Ｔｂ、　ＤＹその他）合金組成か
ら選択された非晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ま
しい。

記録再生層１と記録補助層２の双方とも、遷移金属（ｔ
ｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属（
ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを点線のベクトル？で表わし、
ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合金全
体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル合で表
す。このとき、ベクトル合はベクトル↑とベクトル↑と
の和として表わされる。ただし、合金の中では７Ｍスピ
ンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル↑とベク
トル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って、己と
↑との和或いは↓と↑との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの合金組
成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔ　ｉｏｎｃｏｍｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときに
は、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し、いず
れか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有するベ
クトル（？又は８）を有する。

このベクトルの磁化か外部に現れる。例えば↑−は？と
なり、ｔは８となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度か、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

記録再生層１と記録補助層２の両方について、７Ｍリッ
チな組成とＲＥリッチな組成とに分けられる。従って、
縦軸座標に記録再生層１の組成を横軸座標に記録補助層
２の組成をとると、基本発明の媒体全体としては、種類
を次の４象限に分類することができる。先に述べたＰタ
イプは工象限と■象限に属するものであり、Ａタイプは
■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１層） ■ ＴＭリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力か一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成かある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｅ、
□　）と呼ばれる。

補償温度は、ＴＭリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第■象限の媒体は、
４つ全部のタイプか含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は記録再生層１のそれであり、
太線は記録補助層２のそれである。

タイプ１ 保磁力 タイプ２ 保磁力 タイプ３ 保磁力 タイプ４ 保磁力 ここで、記録再生層１と記録補助層２の両方についてＲ
Ｅリッチか７Ｍリッチかで分け、かつ補償温度を持つか
持たないがで分けると、記録媒体は次の９クラスに分類
される。

第　　１　　表 第　　１　　表　　（続き） ここで第１表に示したクラスｌの記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプＩ）に属する特定の媒体階１を例にとり
、基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体魔１は、次式１１゜ ＴＲ＜Ｔｅ６ｆｆｉＤ、＋＜ＴＣ１２ＴＬｚＴｃ０．、
、ｒ＜Ｔｃ、ｚＴ。

の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

Ｔ　ｃｏｍｅ、　ｌ　Ｔ　ｅａｍｐ、　１室温Ｔ、で記
録再生層百の磁化が初期補助磁界１旧、により反転せず
に記録補助層２のみか反転する条件は、式１２である。

この媒体Ｎｌ１ｌは式１２を満足する。式１２： ％式％ ただし、Ｈｏｌ：記録再生層１の保磁力Ｈｃ、・記録補
助層２の保磁力 ＭＳ、：１の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）Ｍｓ２＋２の飽和磁気モーメント ｔｌ　：１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ、；界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　　ｗａｌｌ　　　　ｅｎｅｒ
ｇｙンこのとき、１旧、の条件式は、式１５で示される
。

Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける
。それでも層２の磁化か再度反転せずに保持される条件
は、式１３〜１４で示される。この媒体陳１は式１３〜
１４を満足する。

σ　冑 ２Ｍｓ＋ｊ＋ 式１４：　　Ｈｃ２＞ ２Ｍｓ＋ｔ＋ 式１５・ ２　Ｍｓ２ｔ　２　　　　　　　　　　２　Ｍｓ＋　ｔ
　ｌ室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の記
録補助層２の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を
満足する旧ｎ１．により例えば「Ａ向き」宕（↑、、）
に揃えられる。このとき、記録再生層ｌは記録状態のま
まで残る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□？Ａ温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２．）。

ロー一二 さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度か記録補助層２のＴ３゜７２．より少し高い温
度になったとき、ＲＥｌＴＭの各スピンの方向は変わら
ないが、強度の大小関係か逆転する（千−一↑−）。そ
のため、層２の磁化か反転し、「逆Ａ向き」８の磁化に
なる（状態３□）。

しかし、この温度ではＨ６２かまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって層２の磁化か反転されることはない。さらに温
度か上昇し、ＴＨになると、層２の温度はほぼキュリー
点Ｔ　Ｃ２となり、層２の磁化も消失する（状態４Ｍ）
。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がると、層２に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓Ａ）の磁化が生
じる（状態５□）。しかし、温度はまだＴｅｌより高い
ので層１には磁化は現れない。

そして、媒体の温度か更に下かり、Ｔｏ。□２２以下に
なると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないか、
強度の大小関係か逆転する（、□−↓へ）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、合から「逆Ａ向き
」８になる（状態６゜）。

この状態６゜では媒体の温度はＴｃ１より高いので層１
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
ＨＣＩは大きいので層２の磁化８は、↑Ｈｂで反転する
ことはない。

そして、更に温度が低下してＴＣＩより少し下がると、
層１に磁化か出現する。そのとき層２からの交換結合力
がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃え
るように働（。そして、層１の温度はＴ３゜０．０以上
なので７Ｍスピンの方か大きく、そのため層１には。°
つまり？の磁化か出現する。この状態が状態７Ｈである
。

媒体の温度がこの状態７Ｈのときの温度から更に低下し
て、Ｔ　ｃｏｓｐ、　’以下になると、層１のＲＥスピ
ンと７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転か起こる（　、
７−↓へ　）。その結果、■の磁化が出現する（状態８
Ｍ）。

そして、やがて媒体の温度は状態８゜のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６１は十分に大きいので
層重の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状態
８□か保持される。こうして、［逆Ａ向きｊのビット形
成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーサービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層１の
キュリー点Ｔ。、にほぼ等しいのて、層１の磁化は消失
する（状態２．）。

この状態２Ｌに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅ＋より少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑９）の影響が交換結合力により記録
再生層冒の各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（
↑）、ＴＭスピン同士（＄）を揃える力が働く。その結
果、層１には、礼即ち８の磁化が記録磁界↑Ｈｂに打ち
勝って出現する（状態３Ｌ）。この状態の温度はＴｅ０
ＩＩＤ、１以上なので７Ｍスピンの方が大きい。

媒体温度が更にＴｃ０□１以下に冷えると高温サイクル
と同様に層１のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係が
逆転する（　↑こ−↑、　）。その結果、層１の磁化は
９となる（状態４Ｌ）。

この状！！４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」今のビット形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・工
象隈・タイプ２）に属する特定の媒体隘２を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体走２は、次式１６・ Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　ｃｔ夕Ｔ　Ｌ　郊Ｔ　ｔｏｗｎ、　＋　
〈Ｔ　ｘｒ夕Ｔ　ｙの関係を有する。この関係をグラフ
で示すと、次の如くなる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　ｃａｍｅ、　ｒ　　Ｔ　Ｈ室温ＴＲで記
録再生層１の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ、により反転
せずに記録補助層２の磁化のみが反転する条件は、式１
７である。この媒体隘２は式１７を満足する。　式１７
゜ ２　Ｍ　ｓ□ｔ＋　　　２Ｍｓ＋ｔ＋ ただし、Ｈ（、：記録再生層１の保磁力Ｈｃｆｆ：記録
補助層２の保磁力 Ｍ、、：１の飽和磁気モーメント ＭＳ２・２の飽和磁気モーメント ｔ＋：１の膜厚 ｔ２　・２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、１旧、の条件式は、式２０で示される。

１旧、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交
換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化か再度反転せずに保持される条件は、
式１８〜１９で示される。この媒体階２は式１８〜１９
を満足する。

式１８：　　　　ＨｃＩ＞□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ σ　。

式１９：　　　　ＨＣ２＞□ ２Ｍｓ＋ｊ＋ 式２０： ％式％ 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足
する１旧、により例えば「Ａ向き」合（↑−）に揃えら
れる。このとき、記録再生層１は記録状態のままで残る
（状態ｌ）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２゜）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が記録補助層２のＴ　ｅｌ＋１９．より少し高
い温度になったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変
わらないが、強度の大小関係か逆転する（↑９−↑こ）
。そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８
の磁化になる（状態３Ｍ）。

しかし、この温度ではＨｃ４かまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって層２の磁化が反転されることはない。さらに温
度か上昇し、ＴＨになると、媒体特に層２の温度はほぼ
キュリー点Ｔｃ２となり、層２の磁化は消失する（状態
４゜）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ、より少し下がると、層２に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂによって１ｌｉ（，７）の磁化
が生じる。しかし、温度はまだＴ　ｅ　ｌより高いので
層重には磁化は現れない。この状態が状態５．Ｉである
。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔ６゜□、以下ニな
ると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないか、強
度の大小関係か逆転する（、−一↓−）。

その結果、合金全体の磁化は反転して會から「逆Ａ向き
」８になる（状態６１．り。

この状態６゜では媒体の温度はＴ。ｌより高いので層１
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
ＨＣ２は大きいので層２の磁化か↑Ｈｂで反転すること
はない。

そして、更に温度が低下してＴ　ｃ＋より少し下がると
、層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結合
力かＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃
えるように働く。そのため層１には↓一つまり８の磁化
が出現する。この状態が状態７Ｍである。

そして、やがて媒体の温度は状態７Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６１は十分に大きいので
層１の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状態
７Ｈか保持される。こうして、「逆Ａ向き」のヒツト形
成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、に上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層１の
キュリー点ＴＣＩにほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する（状態２Ｌ）。

この状態２．に於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ　ｃ＋より少し下がると、記録補助層２の
ＲＥ、７Ｍスピン（↑、）の影響か交換結合力により記
録再生層１の各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士
（↑）　、ＴＭスピン同士（。）を揃える力か働く。そ
の結果、層１には、↑−即ち９の磁化か出現する（状態
３．）。

この状態３Ｌは媒体温度か更に低下しても変化がない。

その結果、記録再生層１には、「Ａ向き」のビットが形
成される。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ３）に属する特定の媒体漱３を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎα３は、次式２１： ％式％： の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＣＱイＤ、ｌＴＬ　　　　　　ＴＨ 室温Ｔｉで記録再生層１の磁化が初期補助磁界１旧、に
より反転せずに記録補助層２のみか反転する条件は、式
２２である。この媒体ＮｃＬ３は式２２を満足する。式
２２ ％式％ ただし、Ｈｃ＋：記録再生層１の保磁力Ｈａｔ：記録補
助層２の保磁力 ＭＳ、：１の飽和磁気モーメント Ｍｓ＋：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　・１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ、・界面磁壁エネルギー このとき、）ｌｉｎｉ、の条件式は、式２５で示される
。

Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける
。それでも層２の磁化か再度反転せずに保持される条件
は、式２３〜２４で示される。この媒体階３は式２３〜
２４を満足する。

σ　ツ 式２３：　　Ｈｃｌ＞ ２Ｍｓ＋ｊ＋ σ　豐 式２４：　　ＨＣＩ＞　− ２Ｍ５＋ｔ＋ 式２５ ％式％ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足
する旧ｎ１．により例えば「Ａ向き」９（↑−）に揃え
られる。このとき、記録再生層１は記録状聾のままで残
る（状態１）。

一 この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記Ｎ
磁界（Ｈｂ　）はとの向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点ＴＣＩにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２゜）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴＨとなると
、Ｔ８は記録補助層２のＴｃ、にほぼ等しいので、層２
の磁化も消失する（状態３８）。

この状態３１．Ｉにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ、より少し下がると、層２に磁化が生
じる。この場合、↓Ｈｂによって８（↓−）の磁化か生
しる。しかし、温度はまだＴｅ＋より高いので層１には
磁化は現れない。この状態か状態４Ｈである。

更に、媒体温度か低下してＴ。１より少し下がると、層
１にも磁化か出現する。この場合、層２の磁化か交換結
合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士（１
）　、ＴＭスピン同士（′″）を揃える力か働く。この
場合、媒体温度はまだＴｃｏｍｐ１以上にあるので、Ｔ
Ｍスピンの方かＲＥスピンより大きくなる（１勺。その
結果、層２にはｔの磁化か出現する（状態５゜）。

この状ｐ５Ｈの温度から、媒体温度か更に低下してＴゎ
。、、１以下になると、層１の７ＭスピンとＲＥスピン
の強度の大小関係が逆転する（、−一↓へ）。そのため
、層１の磁化が反転し、「逆Ａ向き」−８の磁化になる
（状態６Ｍ）。

そして、やがて媒体の温度は状１１のときの温度から室
温まで低下する。室温でのＨ６ｌは十分に大きいので層
１の磁化は、安定に保持される。

こうして、［逆Ａ向きｊのビット形成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録再生層重の
キュリー点Ｔ　ｃ＋にほぼ等しいので、層重の磁化は消
失する。しかし、この温度ではまだ層２のＨｅ２は大き
いので、層２の磁化は↓Ｈｂによって反転されることは
ない（状態２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度かＴｃ＋より少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑９）の影響か交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ふ。つまりＲＥスピン同士（↑
）、ＴＭスピン同士（３）を揃える力が働く。その結果
、層１には、↑こ即ち８の磁化が出現する。この場合、
温度はＴ６゜１．３以上なので７Ｍスピンの方が大きく
なる（状態３．）。

媒体温度か更にＴｅ６□１以下に冷えると高温サイクル
と同様に層１のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関係が
逆転する（　礼−↑−）。その結果、層１の磁化は↓Ｈ
ｂに打ち勝って９となる（状態４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向きＪ？のビット形成が完了する。

次に′ｆ４１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ
・Ｉ象限・タイプ４）に属する特定の媒体階４を例にと
り、基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体漱４は、次式２６・ Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　ｃ　ＩｚＴ　Ｌ　＜　Ｔ　、　ＨｚＴ　
ｓの関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如
くなる。

ＴＬ　　　　ＴＨ 室温Ｔ、で記録再生層１の磁化が初期補助磁界Ｈｉｏｉ
、により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は
、式２７である。この媒体階４は式２７を満足する。式
２７・ ２　Ｍｓｒ　ｊ　＋　　　　２　Ｍｓｒ　ｔ　まただし
、Ｈｏ１・記録再生層１の保磁力ＨＣＩ　　記録補助層
２の保磁力 Ｍ　５１・１の飽和磁気モーメント Ｍ５□・２の飽和磁気モーメント ｔｌ　　１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

Ｈｉｎｉ　　が無くなると、反転した記録補助層２の磁
化は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受け
る。それでも層２の磁化か再度反転せずに保持される条
件は、式２８〜２９で示される。この媒体隘４は式２８
〜２９を満足する。

２Ｍ、１ｔ１ ２Ｍｓ＋ｊ＋ 式３０゜ ２　ＭＳ！　ｔ　２　　　　　　　　　　　　　　　　
２　Ｍｓｌｊ　＋室温で式２７〜２９の条件を満足する
記録媒体の記録補助層２の磁化は、記録の直前までに式
３０の条件を満足する旧ｎ１．により例えば「Ａ向き」
９（↑、）に揃えられる。このとき、記録再生層１は記
録状態のままで残る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点ＴＣＩにほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２゜）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、層２の温度Ｔ、４はキュリー点Ｔ。。

にほぼ等しいので、層２の磁化も消失する。これが状態
３Ｈである。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓−）の磁化が
出現する。しかし、温度はＴ。１より高いので層１には
磁化が現れない。この状態が状態４８である。

そして、媒体温度か更に下かり、ＴＣＩより少し下がる
と、層ｌに磁化か出現する。そのとき層２からの交換結
合力かＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を
揃えるように働く。そのため層１には↓へっまり■の磁
化か出現する。この状態が状態５゜である。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６，は十分に大きいので
層１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き
」のビット形成が完了する。

−一一七温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録再生層１の
キュリー点ＴＣＩを越えているので、層１の磁化は消失
する。この状態では、Ｈｃ、はまだ十分に大きいので、
記録補助層２の磁化廿は↓Ｈｂで反転することはない。

この状態か状態２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑、）の影響が交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ぶ。つまり交換結合力はＲＥス
ピン同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士（３）を揃えるように
働く。その結果、層１には、↑−即ち介の磁化か↓Ｈｂ
に打ち勝って出現する。

この状態か状態３Ｌである。

ローーーー 卑 状態３Ｌ　　　　　　、ＩＨｂ ■又」 この状態３．は媒体温度か室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」宕のビット形成か完了する。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体隘５を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ１１５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　、＝−、＋　Ｔ　Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｍ室温Ｔ１１
で記録再生層１の磁化が初期補助磁界１旧　により反転
せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式３２であ
る。この媒体黒５は式−３２を満足する。式３ま ただし、Ｈａｔ：記録再生層曹の保磁力ＨＣ２：記録補
助層２の保磁力 Ｍ　５Ｈ・１の飽和磁気モーメント Ｍ、２２の飽和磁気モーメント １、　　・１の膜厚 ｔ、、２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｏｉ、の条件式は、式３５で示される。

１旧、か無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交
換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式３３〜３４で示される。この媒体階５は式３３〜３４
を満足する。

σ　。

Ｍｓ１ｔｔ σ　。

式３４・　ＨＣＩ＞　− ２Ｍ５＋ｔ＋ 式３５ ％式％ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足
する１旧、により例えば「Ａ向き」立（、−）に揃えら
れる。このとき、記録再生層１は記録状態のままで残る
（状態１）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は記録再生層ｌのキュリー
屯ＴＣ、にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２８）。

］　　　Ｉ さらにビームの照射か続き、媒体の温度かＴＨとなると
、ＴＨは７．２にほぼ等しいので、層２の磁化も消失す
る（状態３．、）。

この状態３８においてレーザービームのスボ、Ｉ上領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度かＴＣＩより少し下がると、層２の磁化か出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑、、）の磁化
か出現する。しかし、温度はＴｃ＋より高いので層重に
は磁化が現れない。この状態が状態４Ｈである。

［− 更に、媒体温度か低下してＴ。１より少し下がると、層
１にも磁化か出現する。この場合、層２の磁化が交換結
合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士（Ｔ
）、ＴＭスピン同士（８）を揃える力が働く。この場合
、媒体温度はまだＴ６゜、１以上にあるので、７Ｍスピ
ンの方がＲＥスピンより大きくなる（礼）。その結果、
層２には８の磁化が出現する（状魁５Ｍ）。

この状態５Ｈの温度から、媒体温度が更に低下してＴ、
。□１以下になると、層１の７ＭスピンとＲＥスピンの
強度の大小関係か逆転する（↑−−↑−）。そのため、
層１の磁化が反転し、「Ａ向き」９の磁化になる（状態
６１１）。

そして、やがて媒体の温度は状態６８のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６１は十分に大きいので
層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のピント形成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層１の
キュリー点Ｔｃ１にほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する。しがし、この温度ではまだ層２のＨｃｌは大きい
ので、層２の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはな
い（状！Ｂ　２　Ｌ　）。

この状態２Ｌでビームの照射か終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴ。、より少し下がると、記
録補助層２のＲＥ、７Ｍスピン（、°）の影響が交換結
合力により記録再生層１の各スピンに及ぶ。つまりＲＥ
スピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（？）を揃える力が
働く。その結果、層１には、工°即ち合の磁化が↓Ｈｂ
に打ち勝って出現する。この場合、温度はＴ、。□１以
上なので７Ｍスピンの方か大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴ　ｒｏｗｒｐ、　１以下に冷えると高
温サイクルと同様に層重のＲＥスピンと７Ｍスピンとの
大小関係が逆転する（　↓゛−↓−）。その結果、層１
の磁化は８となる（状態４．）。

この状態４Ｌは媒体温度か室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のヒ・ノド形成か完了す
る。

次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体隘６を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ１１６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ＊　　　　　　Ｔｃ＋　　　　　ＴｃｔＴ　Ｌ　　　
　　Ｔ　。

１室温ＴＲで記録再生層１の磁化が初期補助磁界１旧、
により反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、
式３７である。この媒体漱６は式３７を満足する。式３
７： ただし、ＨＣ１記録再生層１の保磁力 ＨＣ２・記録補助層２の保磁力 Ｍ　ｓ　ｌ・１の飽和磁気モーメント Ｍｓ＋＋２の飽和磁気モーメント ｔｌ　　１の膜厚 ｔ、：２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、）ｌｉａｉ、の条件式は、式４０で示される
。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける
。それでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式３８〜３９で示される。この媒体瀬６は式３８〜
３９を満足する。

式３８：　　　Ｈｃ＋〉□ ２Ｍ５．ｔ。

σ　。

式３９：　　ＨＣｌ＞□ ２Ｍｓ＋ｔ　２ 式４０： ％式％ 室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足
するＨｉ旧、により例えば「Ａ向き」９（↓７）に揃え
られる。このとき、記録再生層重は記録状態のままで残
る（状態ｌ）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は記録再生層１のキュリー
点Ｔｃ、にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２Ｈ）。

ビームの照射か続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、層２の温度Ｔ、はＴｃ２にほぼ等しいので、層２
の磁化も消失する。これが状態３゜である。

この状態３゜においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度かＴ。２より少し下がると、層２の磁化が出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（、Ｑ）の磁化が
出現する。しかし、温度はＴ　ｅｌより高いので層ｌに
は磁化か現れない。この状態が状態４Ｈである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（己）を
揃えるように働く。そのため層１には↑。っまり９の磁
化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が状態５Ｈ
である。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ６ｌは十分に大きいので
層１の磁化は安定に保持される。こうして、ＵＡ向き」
？のビット形成が完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は記録再生層１の
キュリー点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する。この状態では、ＨＣｌはまだ十分に大きいので、
記録補助層２の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない。

この状態か状態２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ＋より少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、ＴＭスピン（、゛）の影響が交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同
士（土）　、ＴＭスピン同士（＋）を揃えるように働く
。その結果、層１には、↓へ即ち８の磁化か出現する。

この状態か状態３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度か室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビット化成か完了する
。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎ７を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体に７は、次式４１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ、　　　　　Ｔ。

室温ＴＲで記録再生層１の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉ
、により反転せずに記録補助層２のみか反転する条件は
、式４２である。この媒体階７は式４２を満足する。式
４２ ％式％ ただし、ＨＣ１記録再生層１の保磁力 Ｈｃｍ、記録補助層２の保磁力 ＭＳ、：１の飽和磁気モーメント ＭＳ２：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　、１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σＷ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

１旧、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交
換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。そ
れでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式４３〜４４で示される。この媒体隘７は式４３〜４４
を満足する。

σ　１ 式４３：　　Ｈａｔ＞□ ２Ｍ、１ｔ１ 式４４：　　Ｈａｔ＞□ ２Ｍｓ＋ｊ＋ 式４５： ％式％ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の記録補
助層２の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足
する１旧、により例えば「Ａ向き」９（、°）に揃えら
れる。このとき、記録再生層１は記録状響のままで残る
（状態ｌ）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点Ｔ　Ｃ１にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状
蓄２４．）。

ビームの照射か続いて、媒体温度か更に上昇しＴ、にな
ると、層２の温度Ｔ、はキュリー点Ｔ。２にほぼ等しい
ので、層２の磁化も消失する。これか状態３８である。

一一一 ■−■ この状態３□においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度かＴＣＩより少し下がると、層２の磁化か出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑−）の磁化か
出現する。しかし、温度はまだＴ。１より高いので層１
には磁化か現れない。この状態か状態４４．である。

そして、媒体温度か更に下かり、Ｔｅｌより少し下がる
と、層１に磁化か出現する。そのとき層２（１−）から
の交換結合力かＲＥスピン同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士
（已）を揃えるように働く。そのため層１には↑一つま
り８の磁化か出現する。この状態か状態５１Ｉである。

そして、やがて媒体の温度は状態５．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
層１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き
」εのビット形成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを詔射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層重の
キュリー点Ｔｃ＋にほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する。この状態では、ＭＣＩはまだ十分に大きいので、
記録補助層２の磁化行は↓Ｈｂで反転することはない。

この状態か状態２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度かＴＣｌより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（、゛）の影響か交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同
士（↓）、ＴＭスピン同士（＋）を揃えるように働く。

その結果、層１には、↓へ即ちＣの磁化か↓Ｈｂに打ち
勝って出現する。この状態か状態３Ｌである。

■ｙ■ この状態３Ｌは媒体温度か室温まで下かっても保持され
る。その結果、「Ａ向きＪ９のビット形成か完了する。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体隘８を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体阻８は、次式４６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　ｈ　６ｆｆｉｌ　２　Ｔ　Ｈ室温Ｔ、で
記録再生層１の磁化か初期補助磁界旧ｎ１．により反転
せずに記録補助層２のみか反転する条件は、式４７であ
る。この媒体隘８は室温で式４７を満足する。式４７ ただし、ＨＣＩ：記録再生層１の保磁力ＨＣ２：記録補
助層２の保磁力 Ｍ　ｓ　１・１の飽和磁気モーメント ＭＳ２：２の飽和磁気モーメント ｔ、・１の膜厚 ｔ２　：２の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、１旧、の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける
。それでも層２の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式４８〜４９で示される。この媒体隘８は式４８〜
４９を満足する。

σ　。

式４８：　　Ｈｃｌ＞□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ σ　。

式４９：　　Ｈａｔ＞□ Ｍｓｔｔｚ 式５０コ ２　　Ｍｓｔ　　ｔ　　２　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　２　　Ｍｓ＋　　ｔ　　＋室
温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足す
るＭｉｎｉ、により例えばｒＡ向きＪｆｔ（↑、）に揃
えられる。このとき、記録再生層ｔ　＋を記録状態のま
まで残る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）はＴの向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録再生層曹のキュリー
点Ｔ。１にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
２゜）。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴ　ｅ　Ｏ□２
より少したかくなると、ＲＥスピン（↑）及び１Ｍスピ
ン（↓）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑−→　↑：、）。その結果、層２の磁化は反転し
て「逆Ａ向き」８となる。この状態か状！ｌ５３Ｈであ
る。

しかし、この温度ではＨ６，がまだ大きいので、層２の
磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度か更に上昇
してＴ、になったとする。すると、Ｔ、はＴＣ７にほぼ
等しいので、層２の磁化も消失する（状態４Ｍ）。

この状態４゜においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅ２より少し下がると、層２に磁化か生じ
る。この場合、↑Ｈｂにより０（↓勺の磁化が出現する
。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので、層１には磁
化が現れない。この状態が状態５Ｈである。

さらに媒体温度が低下してＴ　＋ｏｍｐ、より少し下が
ると、ＲＥスピン（↓）及び７Ｍスピン（？）の向きは
変わらずに、強度の大小関係か逆転する＜、＝　　−↓
−）。その結果、層２の磁化は反転して「逆Ａ向き」８
となる。この状態では、Ｈａｔは既に相当大きくなって
いるので層２の磁化８は↑Ｈｂにより反転されることは
ない。そして、温度はまだＴ。１より高いので層１の磁
化はまだ現れない。この状態か状態６Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴｃ＋より少し下がると、層
１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化（↓−）
が交換結合力により層１に及ぶ。その結果、ＲＥスピン
同士（↓）、ＴＭスピン同士（？）を揃える力か働く。

その結果、層１には−（９）の磁化が出現する（状態７
１（）。

そして、やがて媒体の温度は状態７１１のときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨＣ１は十分に大きいの
で層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き
」合のビット形成が完了する。

−一−（温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層１の
キュリー点Ｔｃ１にほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する。しかし、この温度ではまだ層２のＨ＋２は大きい
ので、層２の磁化は↑Ｈｂによって反転されることはな
い（状態２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑Ｖ）の影響が交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ぶ。つまりＲＥスピン同士（ｉ
）　、ＴＭスピン同士（９）を揃える力が働く。その結
果、層ｌには、↑：即ち８の磁化が↑Ｈｂに打ち勝って
出現する。この状態が状態３．である。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向きＪ８のビット形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体階９を例にとり、
基本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体隘９は、次式５１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフて示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ＲＴ　ｃ　ｌＴ　ｃ　＋ ＴＬ　　　　　Ｔ。

室ｆ！ＬＴＲで記録再生層ｌの磁化か初期補助磁界旧ｎ
ｉ、により反転せずに記録補助ｉ１２のみか反転する条
件は、式５２である。この媒体階９は式５２を満足する
。式５２− ただし、ＨＣＩ　　記録再生層１の保磁力）１ｃ＋　　
記録補助層２の保磁力 Ｍ５．：１の飽和磁気モーメント ＭＳ＋：２の飽和磁気モーメント ｔｌ　、１の＠厚 ｔｌ　：２の膜厚 σＷ：界面磁壁工不ルズー このとき、１旧、の条件式は、式５５で示される。

Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した記録補助層２の磁化
は交換結合力により記録再生層１の磁化の影響を受ける
。それでも層２の磁化か再度反転せずに保持される条件
は、式５３〜５４で示される。この媒体階９は式５３〜
５４を満足する。

式５３：　　Ｈｃｒ＞□ ２Ｍ５１ｔ　ｌ σ　。

式５４：　　Ｈｃｒ〉□ ２　Ｍｓ□ｔ２ 式５５・ ２　Ｍｓ＋　ｔ　２　　　　　　　　　　　　　　２　
Ｍｓｌｔ　１室温で式５２〜５４の条件を満足する記録
媒体の記録補助層２の磁化は、ｋ！、緑の直前までに式
５５の条件を満足する旧ｎ１．により例えば「Ａ向き」
９（Ｔ−）に揃えられる。このとき、記録再生層１は記
録状態のままで残る（状Ｑ１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは記録再生層１のキュリー
点Ｔ。ｌにほぼ等しいので、層１の磁化は消失する（状
態２＋＋）。

し■ ビームの昭射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ４．に
なると、媒体特に層２の温度Ｔ８はＴＣＩにほぼ等しい
ので、層２の磁化も消失する。これが状態３゜である。

この状態３１１においてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度かＴｃ２より少し下がると、層２の磁化か出
現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓−）の磁化か
出現する。しかし、この温度はまだＴｃ１より高いので
層１には磁化は現れない。この状態か状態４１１である
。

：　　　　１ 状態４Ｈミー−≠↓Ｈｂ 口■ そして、媒体温度か更に下かり、Ｔｏｌより少し下がる
と、層ｌに磁化か出現する。そのとき層２（↓へ）から
の交換結合力かＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士
（＋）を揃えるように働く。そのため層１には↓゛つま
り會の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態か
状態５゜である。

そして、やがて媒体の温度は状ｔ！：’５Ｈのときの温
實から室温まで低下する。室温でのＨ２１は十分に大き
いので層１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ
向きシ９のヒツト形成か完了する。

−低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを昭射りで媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは記録再生層１の
キュリー点Ｔ。ｌにほぼ等しいので、層１の磁化は消失
する。この状態では、ＨＣ２はまた十分に大きいので、
記録補助層２の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない。

この状態か状態２Ｌである。

一一 ■閂■ この状！！！２．においてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度かＴＣＩより少し下がると、記録補助層２のＲ
Ｅ、７Ｍスピン（↑−）の影響か交換結合力により記録
再生層１の各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同
士（↑）、ＴＭスピン同士（１）を揃えるように働く。

その結果、層１には、↑−即ち８の磁化か出現する。こ
の状態か状態３Ｌである。

この状態３．は媒体温度か室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビットか形成が完了す
る。

以上の通り、基本発明は、光磁気記録において、記録磁
界ＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることなく、又はＨｂの向きを
変えることなく、オーバーライトを初めて可能にした。

しかしなから、誤解してならないことは、基本発明の本
質の１つは、室温で第１層の磁化の向きは変えないで第
２層の磁化のみを所定の向きに揃える（向けさせる）こ
とかできる媒体を使用することである。このとき、第２
層の磁化の向きを所定の向きに揃える手段（基本発明の
明細書で言う初期補助磁界）は、発明の本質とは直接の
関係かないことである。

従って、基本発明のオーバーライト可能な光磁気記録媒
体を別の表現方法で定義すれば、以下の通りに定義され
る。

「垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からなる記録層（第
１りと垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からなる記録補
助層（第２層）との少なくとも２層を積層してなり、両
層は互いに交換結合しており、かつ、第１層の磁化の向
きは変えないで第２層の磁化の向きを所定の向きに揃え
ることかできるオーバーライト可能な光磁気記録媒体」
〔発明が解決しようとする課題〕 オーバーライト可能な媒体は、前述した通り、第２層か
初期化されたときにも、第１層の磁化の向きは反転して
はならず、また、初期化された第２層の磁化の向きか第
１層の影響で部分的に再反転して初期化前の状態に戻っ
てはならない。

これらの特性は、媒体か次の２つの式 ％式％ を満足させることで達成される。

ところで、第１層、第２層を構成する垂直磁気異方性を
有する磁性薄膜は、代表的には重希土類（ＲＥ）−遷移
金属（ＴＭ）合金で構成される。

一般にＲＥ−ＴＭ金合金らなる磁性薄膜の２層膜は、σ
、か比較的大きい。

σ、か大きい場合、上記２つの式から理解されるように
、オーバーライトを可能にするには、ＭｓＨｃ積を大き
くするか、又は膜厚ｔを厚くしなければならない。

一般に、ＭｓＨｃ積は磁性薄膜の成分、組成によって決
定されると信じられており、この積か小さい場合、オー
バーライトを可能にするには、膜厚ｔを厚くしなければ
ならなかった。

そのため、２層膜全体の膜厚がより厚くなった。

磁性薄膜の膜厚が厚い媒体は、記録時に高いレーザー強
度を必要とし、また、遅い記録速度を必要とする問題点
かあった。

従って、本発明の目的は、ＭｓＨｃ積の大きな磁性薄膜
を入手し、それによって、膜厚をより厚くせずともオー
バーライトが可能で、そのため、記録速度の速い光磁気
記録媒体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、鋭意研究の結果、ＲＥ−ＴＭ金合金らな
る磁性薄膜を、■目的とする磁性薄膜と同一組成の合金
からなる蒸着源を用いた１元真空蒸着法や■目的とする
磁性薄膜と同一組成の合金からなる合金ターゲットを用
いた１元スパッタリング法により製造した場合に比べ、
２元同時スパッタリングにより製造した場合には、得ら
れた磁性薄膜のＭ　ｓ　Ｈｃ積かより大きくなることを
見出し、本発明を成すに至った。

よって、本発明の第１発明（請求項第１項）は、「ター
ゲットからその構成物質をスパッタリングすることによ
り基板上に重希土類−遷移金属合金からなる磁性薄膜を
製造する方法において、前記ターゲットとして少なくと
も２個使用し、一方に前記合金を構成する成分の少なく
とも１種を構成物質とするターゲットを使用し、他方に
残りを構成物質とするターゲットを使用し、同時スパッ
タリングすることを特徴とするＭＳＨｃ積の大きな磁性
薄膜の製造方法」を提供する。

また、本発明の第２発明（請求項第２項）は、「垂直磁
気異方性を有する重希土類−遷移金属合全磁性薄膜から
なる記録層（第１層）と垂直磁気異方性を有する重希土
類−遷移金属合金磁性薄膜からなる記録補助層（第２層
）との少なくとも２層を積層してなり、両層は互いに交
換結合しており、かつ、第１層の磁化の向きは変えない
で第２層の磁化の向きを所定の向きに揃えることができ
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造する方法
おいて、 前記第１層又は第２層の磁性薄膜を第１発明のの方法に
より製造することを特徴とする方法」を提供する。

〔作用〕

本発明に従い、２つ以上のターゲットを用意する場合、
目的とする磁性薄膜の成分に応じて任意の１成分又は２
成分以上からなる第１１第２、場合により第３、第４−
・・−・−・・等のターゲットを用意すればよい。例え
ば、７１）［１ｙＦｅＣｏからなる磁性薄膜を形成した
い場合、［１）Ｔｂからなる第１ターゲツトとＤｙＦｅ
Ｃｏからなる第２ターゲツトとを用意しても　゛よいし
、ｆ２１ＴｂＤｙＦｅからなる第１ターゲツトとＣｏか
らなる第２ターゲツトとを用意してもよいし、（３）Ｔ
ｂからなる第１ターゲツトとＤＹからなる第２ターゲツ
トとＦｅからなる第３ターゲツトとＣｏからなる第４タ
ーゲツトとを用意してもよいし、＋４）　Ｔ　ｂ　Ｄ　
Ｙからなる第１ターゲツトとＦｅからなる第２ターゲツ
トとＣｏからなる第３ターゲツトとを用意してもよいし
、＋５）ＴｂＤｙからなる第１ターゲツトとＦｅＣｏか
らなる第２ターゲツトとを用意してもよい。

なかでも、ＲＥツタ−ットとＴＭツタ−ットの２つだけ
を用意することは好ましいことである。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するか、本発
明はこれに限定されるものではない。

〔実施例Ｌ−−−−−媒体漱６のうちの１つ〕３元のＲ
Ｆマグネトロン・スパッタリング装置を用い、下記第２
表に示すターゲット：　Ｔｂ、　Ｆｅ。

ＦｅＣｏ合金の３個を置く。ターゲットは最初にＴｂと
Ｆｅの２個（２元）を使用し、次にＴｂとＦｅＣｏ合金
の２個（２元）を使用する。　厚さ　１．２ｍｍ、直径
２０Ｏｎ＋ｍのガラス基板を該装置のチャンバー内にセ
ットする。

該装置のチャンバー内を一旦７×１０〜’Ｔｏｒｒ、以
下の真空度に排気した後、Ａｒガスを５　Ｘ　１０−’
Ｔｏｒｒ。

導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）速度
約２Ａ／秒で、スパッタリングを行なう。これにより基
板上に、厚さ５００人のＴｂｚｔＦｅ＋ｘの第１層（記
録再生層）を形成する。続いて、真空状態を保持したま
ま、ターゲットを変える。そして、またスパッタリング
を行ない、第１層の上に厚さ１０００人のＴｂ１ｌＦｅ
７４Ｃｏ８の第２層（記録補助層）を形成する。

第１及び第２層ともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス６　（Ａタイプ・第■象限・タイプ４
）に属する２層光磁気記録媒体隠７が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第７表に示す。

第　　７　　表 この媒体は、Ｔ、　＝　１５５℃、Ｔ、　＝　２２０’
Ｃとすれば、 式３６： ＴＲ＜Ｔ、１４ＴＬ　＜Ｔ、ｔ４ＴＨ 及び式３７ ％式％ を満足している。また、式４０に於いて、σ　。

２Ｍ５ｚｊ＋ σ　。

Ｈｃ　＋　＋　−＝　８２５０　０　ｅ２Ｍｓ＋ｊ＋ であるので、初期補助磁界Ｈｉｎｉ、を４０００　０ｅ
とすれば、式４０を満足する。そうすれば、記録再生層
ｌの磁化は室温でＨｉｎｉ、によって反転されずに、記
録補助層２の磁化のみか反転される。

更に、式３８゜ σ　。

Ｈ，、＝７０００　０ｅ　＞　−＝１２５０　０ｅ２Ｍ
ｓ＋ｔ＋ 及び式３９・ σ　Ｗ Ｈｃ＋＝３０００　０ｅ　＞　　　　　　　＝５０００
ｅ２Ｎ１５゜ｔ２ を満足しているので、１旧　か取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、１旧　−４００００ｅの初期補助磁界を例えば
「Ａ向きｊ　↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記録磁
界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバーライ
トか可能になる。

なお、第１層のＭ５Ｈｃ積は、８．４　ＸＩＯ’で第２
層のＭＳＨｃ積は、４．５　ＸＩＯ’であった。

〔比較例１〕 予め実施例１に使用した第１層と同一組成のＴｂＦｅ合
金ターゲットを用言し、これを用いて基板上に単元ＲＦ
マグネトロン・スパッタリング装置で実施例１と同様に
してスパッタリングを行ない、第１層を形成した。

同様に第２層と同一組成のＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット
を用意し、これを用いて同様に第１層の上に第２層を形
成した。

各層のＭ５とＨ６をそれぞれ測定したＭ５Ｈ６積を求め
ると下記の通りであった。

第１層のＭｓＨｃ積：　　４．２　ＸＩＯ’第２層のＭ
５Ｈｏ積　　２．３Ｘ１０″いずれの層も、実施例の方
が約２倍と大きい。

〔実施例２−　・−−−−媒体１！１７のうちの１つ〕
実施例１と同様に、基板上に厚さ１０００人のＴｂ＋＋
Ｆｅ＋ｓの第１層（記録再生層）及びその上に厚さ１０
００人のＴｂ１ｓＦｅｘＣＯｒの第２層（記録補助層）
を形成する。これにより、クラス７（Ｐタイプ・第■象
限・タイプ４）に属する媒体間７か製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。

第　　３　　表 この媒体は、Ｔ１−１５５℃、Ｔ１１＝　２２０℃とす
れば、 式４１゜ Ｔ　ｐ　＜　Ｔ　、ｚＴＬ＜　Ｔ　、２８Ｔ　Ｈ及び式
４２ ％式％ を満足している。また、式４５に於いて、σ　１ ２Ｍ５＋ｊ＋ σ　。

ＨＣ，−−＝５９２９　０ｅ ２Ｍｓ＋ｊ＋ であるので、初期補助磁界旧ｎｉ　　を４０００　０ｅ
とすれば、式４５を満足する。そうすれば、記録再生層
１の磁化は室温で旧ｎ１．によって反転されずに、記録
補助層２の磁化のみか反転される。

更に、式４３゜ σ　。

）（ｃ＋−７００００ｅ　＞　　　　　　　□］０７１
　０ｅ２Ｍｓ１し＋ 及び式４４ ％式％ を満足しているので、Ｈｉｎｉ　　か取り去られても、
層１及び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、１旧、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界を例
えば「Ａ向き」　↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することによりオーバー
ライトか可能になる。

〔実施例３−−−−一媒体漱８のうちの１つ〕実施例１
と同様に、基板上に厚さ５００人のＴｂ２□Ｆｅｙｅの
第１層（記録再生層）及びその上に厚さ２０ｏＯ人のＧ
ｄ＋ｔＴｂ３Ｆｅｔ３の第２層（記録補助層）を形成す
る。これにより、クラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する媒体Ｎα８か製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。

第　　４　　表 この媒体は、Ｔ、＝１５５℃、ＴＨ＝　２３０℃とすれ
ば、 式４６゜ Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　、ｚＴＬ　＃Ｔ　、ｏ−ｏ　ｒ＜　Ｔ　
、２２Ｔ　Ｈ及び式４７゜ ＝　２２７３　０　ｅ を満足している。また、式５０に於いて、σ　。

Ｈ，、＋　−−５７００ｅ ２Ｍｓ＋ｔｚ ２Ｍｓ＋ｔ＋ であるので、初期補助磁界胴貼、を８００　０ｅとすれ
ば、式５０を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁
化は室温で旧ｎ１．によって反転されずに、記録補助層
２の磁化のみが反転される。

更に、式４８： σ　。

Ｈｃ＋＝７０００　０ｅ　＞　　　　　　　＝２１４３
　０ｅ２Ｍｓｔｊ＋ 及び式４９ ％式％ を満足しているので、１旧　か取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。

従って、）Ｉｉｎｉ、　＝　８００　０ｅ　（Ｄ初期補
助磁界を例えばＦＡ向きＪ　デに印加し、Ｈｂ　＝８０
００ｅ　（Ｄ記録磁界を「Ａ向き」↑に印加することに
よりオーバーライトか可能になる。尚、Ｈｂと旧ｎ１．
の大きさ及び向きが等しいので、この場合、それぞれの
印加手段を１つに兼用した記録装置を使用することがで
きる。

〔参考例１−−−光磁気記録装置〕 この装置は記録専用であり、その全体構成を第３図（概
念図）に示す。

口の装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１゜ （ｂ）初期補助磁界）１ｉｏｉ　　印加手段２２゜（ｃ
）レーザービーム光源２３゜ （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度ＴＨを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度Ｔ　＋、　ヲ与よる低レベ
ルとにパルス状に変調する手段２４： （ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５； からなる。

記録磁界Ｈｂ印加手段２５は、電磁石又は好ましくは永
久磁石か一般的である。場合によっては、記録磁界Ｈｂ
は記録媒体の記録トラック以外の部分からの浮遊磁界を
利用してもよく、その場合には、印加手段２５は、記録
媒体２０の垂直磁化膜（第１及び第２層）のうち浮遊磁
界を発生する領域を指す。

ここでは、印加手段２５として、Ｈｂ　＝　３０００ｅ
で磁界の向きが「逆Ａ向き」　↓の永久磁石を使用する
。この永久磁石２５は、ディスク状媒体２０の半径方向
の長さに相当する長さを有する棒状のものを固定して設
置する。永久磁石２５は、光源２３を含む記録ヘッド（
ピックアップ）と共に移動させることはしないことにす
る。その方かピックアップが軽くなり、高速アクセスか
可能になる。

また、初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２としては、電
磁石又は好ましくは永久磁石が使用される。

ここでは）ｌｉｎｉ、　＝　４０１）ＯＯｅ　、磁界の
向きが「Ａ向き」　↑の永久磁石を使用する。この永久
磁石２２は、ディスク状媒体の半径方向の長さに相当す
る長さを有する棒状のものを固定して設置する。

なお、本記録装置は、再生系の装置を付加して記録再生
兼用装置に修正してもよい。

〔参考例２−一−−−−−−・−・−・光磁気記録装置
〕この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（
概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｃ）レーザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度ＴＨを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルとに
パルス状に変調する手段２４； （ｂ、ｅ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ、印加手段２２と兼用
された記録磁界Ｈｂ印加手段２５；からなる。

記録磁界Ｈｂの向きと初期補助磁界旧Ｄ１．の向きとか
一致するときには、記録磁界Ｈｂ印加手段２５と初期補
助磁界胴貼、印加手段２２とを兼用させることかできる
場合かある。これは次のような場合である。仮に磁界を
集中したい記録個所（ビームの当たっているスポット領
域）に記録磁界Ｈｂ印加手段２５を設置しても、磁界を
一点に集中することは不可能である。つまり、記録個所
の周囲には必ず漏れ磁界か印加されてしまう。従って、
この漏れ磁界を利用すれば、記録の前に初期補助磁界胴
貼、磁界を印加することか可能となる。そこで、本実施
例の装置では手段２２と２５を兼用させた。

兼用された手段２２＆２５は、一般に電磁石又は好まし
くは永久磁石である。ここでは、Ｈｂ＝）＋ｉｎｉ、　
＝　６００　０ｅで磁界の向きか「Ａ向きＪｆの永久磁
石を使用する。この永久磁石２２＆２５は、ディスク状
記録媒体２０の半径方向の長さに相当する長さを有する
棒状のものである。この磁石２２＆２５は、本記録装置
に固定して設置し、光源２３を含むピックアップと共に
移動させることはしないことにする。その方かピックア
ップが軽くなり、高速アクセスか可能になる。

〔参考例３−−−−−−−−−−−−−光磁気記録装置
〕この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（
概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｃ）レーザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れが一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度Ｔ□を与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度Ｔ、を与える低レベルとに
パルス状に変調する手段２４； （ｂ、ｅ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ、印加手段２２と兼用
された記録磁界Ｈｂ印加手段２５；からなる。

兼用された手段２２＆２５として、ここでは、Ｈｂ　＝
）ｌｉｎｉ、　＝　８００　０ｅで磁界の向きか「Ａ向
き」　↑の永久磁石を使用する。この永久磁石２２＆２
５は、ディスク状記録媒体２０の半径方向の長さに相当
する長さををする棒状のものである。

この磁石２２＆２５は、本記録装置に固定して設置ｔ、
光源２３を含むピックアップと共に移動させることはし
ないことにする。

〔参考例４　−−−−光磁気記録］ 参考例１の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気記
録を実施する。まず、回転手段２１で実施例１の記録媒
体（Ｎｏ、６）２０を８．５ｍ／秒の一定線速度で移動
させる。その媒体２０に対し、レーザービームを照射す
る。このビームは、手段２４により高レベル時：　８．
１　ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時　５．９　
ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力かでるように調整され
ている。そしてビームは、手段２４により情報に従いパ
ルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を周波
数５Ｍｔｌｚの信号とした。従って、ビームを周波数５
　ＭＨｚで変調させながら媒体２０に照射した。これに
より、５ＭＨｚの信号か記録されたはずである。別の光
磁気再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は４９ｄＢであり
、記録されていることか確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数３Ｍ
）Ｉｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−５１ｄＢで新
たな情報か再生された。エラー発生率は、１０−’〜１
０−８であった。このとき、５ＭＨｚの信号（前の情報
）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトか可能であることか判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時・ＴＨ
＝２２０℃、低レベル時：　Ｔ　Ｌ　＝　１５５°Ｃに
達する。

〔参考例５−−−−−−−一光磁気記録〕参考例１の記
録袋ｆｉ（第３図参照）を使用して光磁気記録を実施す
る。まず、回転手段２１で実施例２の記録媒体（Ｎｏ、
７）２０を８５ｍ／秒の一定線速度で移動させる。その
媒体２０に対し、レーザービームを照射する。このビー
ムは、手段２４により高レベル時：　８．９　ｍＷ　（
ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：５．９　ｍＷ　（ｏｎ
　ｄｉｓｋ）の出力かでるように調整されている。そし
てビームは、手段２４により情報に従いパルス状に変調
される。ここでは、記録すべき情報を周波数５ＭＨｚの
信号とした。従って、ビームを周波数５ＭＨ２で変調さ
せなから媒体２０に照射した。これにより、５ＭＨｚの
信号か記録されたはずである。別の光磁気再生装置で再
生すると、Ｃ／Ｎ比は４９ｄＢであり、記録されている
ことか確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２Ｍ
）Ｉｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−５２ｄＢで新
たな情報か再生された。エラー発生率は、１０−’〜１
０−６であった。このとき、５　ＭＨｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトか可能であることか判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：Ｔ、
＝２２０℃、低レベル時　ＴＬ＝１５５℃に達する。

〔参考例６　−−−−−−−一光磁気記録）参考例３の
記録装置（第４図参照）を使用して光磁気記録を実施す
る。まず、回転手段２１で実施例３の記録媒体（Ｎｏ、
８）２０を８．５ｍ／秒の一定線速度で移動させる。そ
の媒体２０に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段２４により高レベル時：　９．３　ｍＷ　
（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：　５．９　ｍＷ　（
ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整されている。

そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状に
変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数Ｉ　Ｍ
Ｈｚの信号とした。従って、ビームを周波数ＩＭＨｚで
変調させながら媒体２０に照射した。これにより、Ｉ　
ＭＨｚの信号か記録されたはずである。別の光磁気再生
装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５２ｄＢであり、記録さ
れていることか確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ，／Ｎ比−５１ｄＢで
新たな情報か再生された。エラー発生率は、１０−’〜
１０−’であった。このとき、１ＭＨｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトか可能であることか判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時・ＴＨ
＝２３０°Ｃ１低レヘル時：ＴＬ＝１５５℃に達する。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、２元以上の多元同時ス
パッタリングすることにより、ＭＳ　Ｈｃ積の大きい磁
性薄膜を得ることかできる。従って、σ、の大きいオー
バーライト可能な光磁気記録媒体であっても、本発明に
従えば、　膜厚を厚くせずともオーバーライトが可能で
、そのため、記録速度の速い光磁気記録媒体か提供され
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第２図は、光磁気記録方式の再生原理を説明す、　　る
概念図である。 第３図は、参考例１にかかる光磁気記録装置の全体構成
を示す概念図である。 第４図は、参考例１及び２にかかる光磁気記録装置の全
体構成を示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−・−一−−−−−レーザービーム Ｌｌ＋−一直線偏光 Ｂ　＋　−−−’　Ａ向き」磁化を有するビットＢ　ｏ
−、、−、ｒ逆Ａ向き」磁化を有するビット１−ｍ−−
−−・−記録再生層 ２０−−−一〜−光磁気記録媒体 ２０ａ　一基板 ２１−一−−−−−記録媒体を移動させる手段又はその
−例としての回転手段 ２２−−−・初期補助磁界胴貼、印加手段２３−−−−
−レーザービーム光源 ２７！−−・記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度
を、（１）ｒＡ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向
き」磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適
当な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビッ
トを形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルと
にパルス状に変調する手段 ２５−一記録磁界Ｈｂ印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　ターゲットからその構成物質をスパッタリングする
   ことにより基板上に重希土類−遷移金属合金からなる磁
   性薄膜を製造する方法において、 前記ターゲットとして少なくとも２個使用し、一方に前
   記合金を構成する成分の少なくとも１種を構成物質とす
   るターゲットを使用し、他方に残りを構成物質とするタ
   ーゲットを使用し、同時スパッタリングすることを特徴
   とするＭＳＨｃ積の大きな磁性薄膜の製造方法。 ２　垂直磁気異方性を有する重希土類−遷移金属合金磁
   性薄膜からなる記録層（第１層）と垂直磁気異方性を有
   する重希土類−遷移金属合金磁性薄膜からなる記録補助
   層（第２層）との少なくとも２層を積層してなり、両層
   は互いに交換結合しており、かつ、第１層の磁化の向き
   は変えないで第２層の磁化の向きを所定の向きに揃える
   ことができるオーバーライト可能な光磁気記録媒体を製
   造する方法おいて、 前記第１層又は第２層の磁性薄膜を請求項第１項記載の
   方法により製造することを特徴とする方法。