JPH04177824A - スポット露光装置 - Google Patents
スポット露光装置Info
- Publication number
- JPH04177824A JPH04177824A JP30691190A JP30691190A JPH04177824A JP H04177824 A JPH04177824 A JP H04177824A JP 30691190 A JP30691190 A JP 30691190A JP 30691190 A JP30691190 A JP 30691190A JP H04177824 A JPH04177824 A JP H04177824A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- exposure
- spot
- shielding plate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられるスポット露光装
置に関する。
置に関する。
従来、ウェハー周縁部等のチップ領域以外に塗布された
フォトレジストを、選択的に除去する為に露光処理を行
うスポット露光装置は、第１図に示す様に、光源から光
ファイバー２を用いて、ウェハー４の表面部分まで露光
光を運び、そこで第６図に示すようなスポットサイズの
遮光板３で露光領域をしぼり、スポット露光を行う構造
となっていた。
フォトレジストを、選択的に除去する為に露光処理を行
うスポット露光装置は、第１図に示す様に、光源から光
ファイバー２を用いて、ウェハー４の表面部分まで露光
光を運び、そこで第６図に示すようなスポットサイズの
遮光板３で露光領域をしぼり、スポット露光を行う構造
となっていた。
上述した従来のスポット露光の遮光板３は第６図に示し
た様に、ウェハー４の表面と平行な面がある為、−度つ
エバー４の表面に露光された光が反射し、この反射光６
が遮光板３の表面に反射し、再度ウェハー４の表面に照
射されていた。この為、例えば、遮光板３のウェハー表
面と平行な部分の長さが３ｍｍの場合、第５図に示す様
に、ラインとスペースが２μｍであるフォトレジストパ
ターンを露光した場合、実際のスポット露光部分より約
３ｍｍ程度スポット露光周辺に光が回り込み、フォトレ
ジストパターンの寸法精度を悪化させるという欠点があ
る。
た様に、ウェハー４の表面と平行な面がある為、−度つ
エバー４の表面に露光された光が反射し、この反射光６
が遮光板３の表面に反射し、再度ウェハー４の表面に照
射されていた。この為、例えば、遮光板３のウェハー表
面と平行な部分の長さが３ｍｍの場合、第５図に示す様
に、ラインとスペースが２μｍであるフォトレジストパ
ターンを露光した場合、実際のスポット露光部分より約
３ｍｍ程度スポット露光周辺に光が回り込み、フォトレ
ジストパターンの寸法精度を悪化させるという欠点があ
る。
本発明のスポット露光装置は、光ファイバーによりウェ
ハー表面に部分的にスポット露光を行うスポット露光装
置において、ウェハーからの反射光がウェハーに戻るの
を防止する為の遮光板を前記光ファイバーの先端に設け
たものである。
ハー表面に部分的にスポット露光を行うスポット露光装
置において、ウェハーからの反射光がウェハーに戻るの
を防止する為の遮光板を前記光ファイバーの先端に設け
たものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図、第２図は第１
の実施例に用いられる遮光板の断面図である。第１図い
おいて、光源部１から光ファイバー２を使用し、ウェハ
ーチャック５に保持されたウェハー４の上部の露光部ま
で光を運び、遮光板３Ａで露光光のスポットサイズを調
整し、ウェハー４の表面へスポット露光を行う。
の実施例に用いられる遮光板の断面図である。第１図い
おいて、光源部１から光ファイバー２を使用し、ウェハ
ーチャック５に保持されたウェハー４の上部の露光部ま
で光を運び、遮光板３Ａで露光光のスポットサイズを調
整し、ウェハー４の表面へスポット露光を行う。
遮光板３Ａは第２図に示す様に、ウェハー４の表面と平
行な部分が無いように構成されている為、ウェハー４の
表面に露光された光７が反射し、遮光板３Ａに当って、
反射光６となっても、再度ウェハー４の表面に照射され
る事が無い、このため、第５図に示す様に、スポット露
光周辺部分のフォトレジストパターン寸法の細る部分も
、スポット露光部のエッチから○、１ｍｍ程度と極めて
少なくなり、フォトレジストパターンのＭ度は向上した
ものとなる。
行な部分が無いように構成されている為、ウェハー４の
表面に露光された光７が反射し、遮光板３Ａに当って、
反射光６となっても、再度ウェハー４の表面に照射され
る事が無い、このため、第５図に示す様に、スポット露
光周辺部分のフォトレジストパターン寸法の細る部分も
、スポット露光部のエッチから○、１ｍｍ程度と極めて
少なくなり、フォトレジストパターンのＭ度は向上した
ものとなる。
第３図は本発明の第２の実施例に用いる遮光板の断面図
である。
である。
遮光板３Ｂはウェハー４の表面と平行な部分のある形状
をしているが、その材質としては、石英の様な透明なも
のを使用しており、第４図に示すように、ウェハー４と
反対側の面にクロム等の遮光膜１０が設けである。
をしているが、その材質としては、石英の様な透明なも
のを使用しており、第４図に示すように、ウェハー４と
反対側の面にクロム等の遮光膜１０が設けである。
第４図に示されている様に、光ファイバーからの露光光
７は、遮光板３Ｂでスポットに遮光されてウェハー４の
表面に露光される。ウェハー４の表面で反射された光６
は、遮光板３Ｂの石英等の透明な材質中に取り込まれ、
内部での屈折により内部を動き、ウェハー４の表面には
照射されることはない。
７は、遮光板３Ｂでスポットに遮光されてウェハー４の
表面に露光される。ウェハー４の表面で反射された光６
は、遮光板３Ｂの石英等の透明な材質中に取り込まれ、
内部での屈折により内部を動き、ウェハー４の表面には
照射されることはない。
この様に構成された遮光板３Ｂを用いる事によって第１
の実施例と同様に、光の廻り込みによるスポット露光周
辺部のフォトレジストパターン寸法の細る部分も０．１
ｍｍ程度と極めて少なくなる。
の実施例と同様に、光の廻り込みによるスポット露光周
辺部のフォトレジストパターン寸法の細る部分も０．１
ｍｍ程度と極めて少なくなる。
以上説明したように本発明は、ウェハーからの反射光が
ウェハーに戻るのを防止する為の遮光板を光ファイバー
の先端に設けることにより、スポット露光によるフォト
レジストのパターン寸法精度を向上させることができる
。このため半導体集積回路の歩留りを大幅に向上させる
ことができるという効果がある。
ウェハーに戻るのを防止する為の遮光板を光ファイバー
の先端に設けることにより、スポット露光によるフォト
レジストのパターン寸法精度を向上させることができる
。このため半導体集積回路の歩留りを大幅に向上させる
ことができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図、第２図は第１
図の実施例に用いられる遮光板の断面図、第３図及び第
４図は第２の実施例に用いられる遮光板の断面図及び拡
大図、第５図はフォトレジストパターンの寸法精度を示
す図、第６図は従来例に用いられる遮光板の断面図であ
る。 １・・・光源部、２・・・光ファイバー、３，３Ａ。 ３Ｂ・・・遮光板、４・・・ウェハー、５・・・ウェハ
ーチャック、６・・反射光、７・・・露光光、１０・・
・遮光膜。
図の実施例に用いられる遮光板の断面図、第３図及び第
４図は第２の実施例に用いられる遮光板の断面図及び拡
大図、第５図はフォトレジストパターンの寸法精度を示
す図、第６図は従来例に用いられる遮光板の断面図であ
る。 １・・・光源部、２・・・光ファイバー、３，３Ａ。 ３Ｂ・・・遮光板、４・・・ウェハー、５・・・ウェハ
ーチャック、６・・反射光、７・・・露光光、１０・・
・遮光膜。
Claims (1)
- 光ファイバーによりウェハー表面に部分的にスポット
露光を行うスポット露光装置において、ウェハーからの
反射光がウェハーに戻るのを防止する為の遮光板を前記
光ファイバーの先端に設けたことを特徴とするスポット
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30691190A JPH04177824A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スポット露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30691190A JPH04177824A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スポット露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04177824A true JPH04177824A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17962759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30691190A Pending JPH04177824A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | スポット露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04177824A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319320A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP30691190A patent/JPH04177824A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319320A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
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