JPH04179150A - 半導体封止用容器 - Google Patents
半導体封止用容器Info
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- JPH04179150A JPH04179150A JP30426290A JP30426290A JPH04179150A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP 30426290 A JP30426290 A JP 30426290A JP H04179150 A JPH04179150 A JP H04179150A
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- semiconductor
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- sealing
- ceramic
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- Pending
Links
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体封止用容器に関し、特にα線等放射線
量の多い環境の中で用いる半導体封止用容器に関する。
量の多い環境の中で用いる半導体封止用容器に関する。
従来の半導体装置は、気密性保持するなめ半導体封止用
金属容器または半導体封止用セラミック容器で外部から
保護されているものの、宇宙空間では放射線量は地上と
比較にならないくらい多い。また、原子炉に於けるα線
の放射量は炉内。
金属容器または半導体封止用セラミック容器で外部から
保護されているものの、宇宙空間では放射線量は地上と
比較にならないくらい多い。また、原子炉に於けるα線
の放射量は炉内。
炉建屋内ても]万う1〜以上あり搭載された半導体装置
には一般には厚い遮蔽壁て外部の放射線から保持しなけ
ればならないのか現状である。
には一般には厚い遮蔽壁て外部の放射線から保持しなけ
ればならないのか現状である。
また、宇宙機器に於いては、許容搭載物の軽減が最大の
課題とされていることから、遮蔽なして使用できる半導
体装置の要求は大きい。通信衛星の将来としては、地上
局アンテナの小型軽量化。
課題とされていることから、遮蔽なして使用できる半導
体装置の要求は大きい。通信衛星の将来としては、地上
局アンテナの小型軽量化。
情報量の増大、搭載燃料の長期化、充電可能なバッテリ
ー等により、大型化せさるを得ない方向にある。
ー等により、大型化せさるを得ない方向にある。
ケイ素及びガリウムひ素化合物半導体を基板とする半導
体装置では、宇宙機器の場合、許容搭載物の軽減が最大
の課題であり遮蔽壁の型巣を軽減することが課題とされ
ており、また原子炉分野では、炉内等α線の放射量の多
く人間か入り込めない箇所での保守・点検・管理に使用
される半導体装置の耐放射線性が強く要求され遮蔽なし
て使用できる半導体装置開発か大きな課題となっていた
。
体装置では、宇宙機器の場合、許容搭載物の軽減が最大
の課題であり遮蔽壁の型巣を軽減することが課題とされ
ており、また原子炉分野では、炉内等α線の放射量の多
く人間か入り込めない箇所での保守・点検・管理に使用
される半導体装置の耐放射線性が強く要求され遮蔽なし
て使用できる半導体装置開発か大きな課題となっていた
。
従来の半導体封止用金属容器または半導体封止用セラミ
ック容器には放射線を遮蔽する効果はなか−)/S0 本発明の[」的は、放射線に対して誤動作のない半導体
封止用容器を提供することにある。
ック容器には放射線を遮蔽する効果はなか−)/S0 本発明の[」的は、放射線に対して誤動作のない半導体
封止用容器を提供することにある。
1]課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、ケイ素及びガリウムひ素化合物
を基板とする半導体の気密性を保持する半導体封止用金
属容器及び゛半導体封止用セラミック容器に鉛層を多層
構造することにより、外部から侵入するα線または放射
線を遮蔽する構造となっている。半導体封止用金属容器
の場合は釦の蒸気圧か悪影響しなけれは従来使用されて
いる鉄・ニッケル・コバル暑・合金を使用せずに釦たけ
で半導体封止用金属容器を構成してもよい。
を基板とする半導体の気密性を保持する半導体封止用金
属容器及び゛半導体封止用セラミック容器に鉛層を多層
構造することにより、外部から侵入するα線または放射
線を遮蔽する構造となっている。半導体封止用金属容器
の場合は釦の蒸気圧か悪影響しなけれは従来使用されて
いる鉄・ニッケル・コバル暑・合金を使用せずに釦たけ
で半導体封止用金属容器を構成してもよい。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図である。金属容器の表面には鉛か鍍金金またはクラ
ラI・方式により2層化されている。
面図である。金属容器の表面には鉛か鍍金金またはクラ
ラI・方式により2層化されている。
第2図は半導体封止用セラミック容器の断面図である。
セラミックの表面及び放熱板の裏面には鉛が鍍金または
クラット方式またはスパッタにより鉛層が形成されてい
る。尚、釦は蒸気圧か低いのて半導体チップのある半導
体封止用容器内側には層を形成しない方か好ましい。同
時にセラミックー鉛構造を用途によりセラミックー釦−
セラミック構造にすることも有効である。
クラット方式またはスパッタにより鉛層が形成されてい
る。尚、釦は蒸気圧か低いのて半導体チップのある半導
体封止用容器内側には層を形成しない方か好ましい。同
時にセラミックー鉛構造を用途によりセラミックー釦−
セラミック構造にすることも有効である。
以」−説明したように本発明は、半導体封止用容器表面
に放射線またはα線を遮蔽する鉛層を形成したので、放
射線またはα線に対して誤動作のない半導体装置を提供
することかできる。また宇宙機器用途については鉛の遮
蔽枚か不要になったことにより許容搭載物の重量を増す
ことも可能となる。同時に原子炉分野では装置が鉛の遮
蔽板が不要になったことによりより軽量化、小型化する
ことができる。
に放射線またはα線を遮蔽する鉛層を形成したので、放
射線またはα線に対して誤動作のない半導体装置を提供
することかできる。また宇宙機器用途については鉛の遮
蔽枚か不要になったことにより許容搭載物の重量を増す
ことも可能となる。同時に原子炉分野では装置が鉛の遮
蔽板が不要になったことによりより軽量化、小型化する
ことができる。
第1図は本発明の一実施例の半導体封止用金属容器の断
面図、第2図は本発明の半導体封止用セラミック容器の
断面図、第3図は従来の半導体封止用セラミック容器の
断面図である。 ]・・・釦鉛層2・・・鉄・ニッケル・コバルト合金、
3・・半導体チップ、4・・・外部リード端子、5・・
・コバーカラス、6・・セラミック、7・・放熱板。
面図、第2図は本発明の半導体封止用セラミック容器の
断面図、第3図は従来の半導体封止用セラミック容器の
断面図である。 ]・・・釦鉛層2・・・鉄・ニッケル・コバルト合金、
3・・半導体チップ、4・・・外部リード端子、5・・
・コバーカラス、6・・セラミック、7・・放熱板。
Claims (1)
- 表面あるいは、多層構造の一層に鉛層を有することを
特徴とする半導体封止用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30426290A JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30426290A JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179150A true JPH04179150A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17930937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30426290A Pending JPH04179150A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 半導体封止用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04179150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091637A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种igbt模块管壳及其制作方法 |
| TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP30426290A patent/JPH04179150A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091637A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种igbt模块管壳及其制作方法 |
| TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
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