JPH04180026A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH04180026A JPH04180026A JP2310775A JP31077590A JPH04180026A JP H04180026 A JPH04180026 A JP H04180026A JP 2310775 A JP2310775 A JP 2310775A JP 31077590 A JP31077590 A JP 31077590A JP H04180026 A JPH04180026 A JP H04180026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal layer
- thickness
- crystal element
- spacers
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、映像機器や情報機器などに用いて有効な液晶
素子に関する。
素子に関する。
従来の技術
近年、液晶素子は、コンピュータを中心とする情報機器
分野及びテレビジョンなどを中心とする映像機器分野に
おいて、プリンターなどに用いる薄型の光ンヤンタや大
画面で薄型の表示装置として実用化されつつある。
分野及びテレビジョンなどを中心とする映像機器分野に
おいて、プリンターなどに用いる薄型の光ンヤンタや大
画面で薄型の表示装置として実用化されつつある。
以下図面を参照しながら、上述した従来の液晶素子の一
例について説明する。
例について説明する。
第３図は従来の液晶素子の断面図を示すものである。第
３図において、１．２は偏光板である。
３図において、１．２は偏光板である。
３．４は硝子基板である。５，６はＩＴＯ膜からなる矩
形状の透明な導電電極である。７．８はＴｉｅＸ−３ｉ
ｎＸからなる絶縁膜である。９゜１０は配向膜である。
形状の透明な導電電極である。７．８はＴｉｅＸ−３ｉ
ｎＸからなる絶縁膜である。９゜１０は配向膜である。
１１は液晶層である。１２は液晶層にばらまいたスペー
サーである。８はシールである。９はシール樹脂に混入
したスペーサーである。
サーである。８はシールである。９はシール樹脂に混入
したスペーサーである。
以上のように構成された液晶素子において、液晶層内を
負圧とし、液晶層の厚みｄＬＣをばらまかれたスペーサ
ーの径の平均ｄｓＰと同し程度にして、均−な液晶層の
厚みａｔＣを得ている。
負圧とし、液晶層の厚みｄＬＣをばらまかれたスペーサ
ーの径の平均ｄｓＰと同し程度にして、均−な液晶層の
厚みａｔＣを得ている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、スペーサーのばら
まき密度により液晶層の厚みが変化するので、均一な液
晶層の厚みｄＬＣを得ることが難しいという問題点を有
していた。
まき密度により液晶層の厚みが変化するので、均一な液
晶層の厚みｄＬＣを得ることが難しいという問題点を有
していた。
本発明は上記問題点に鑑み、より均一な液晶層の厚みを
持つ液晶素子を提供するものである。
持つ液晶素子を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の液晶素子は、液晶
層を一定厚みにするため液晶層内にばらまくスペーサー
の径の最大値と標準偏差をそれぞれｄ ！ｉＰＭ□、σ
８．としたとき、液晶層の厚みｄｔゎを ｄ ＳＰＭＡＸ ３ σ、Ｐ≦ｄＬＣ≦ｄ ５
ＰＩＩＡＸとした構成を備えたものである。
層を一定厚みにするため液晶層内にばらまくスペーサー
の径の最大値と標準偏差をそれぞれｄ ！ｉＰＭ□、σ
８．としたとき、液晶層の厚みｄｔゎを ｄ ＳＰＭＡＸ ３ σ、Ｐ≦ｄＬＣ≦ｄ ５
ＰＩＩＡＸとした構成を備えたものである。
作用
液晶層の厚みは、基板とスペーサーと液晶との力の釣り
合いによって決定されているが、本発明は上記した構成
によって、スペーサーのうちで液晶層厚より大きい径を
しているため基板によりつふされているスペーサーの数
は少なくなり、液晶層の厚みのスペーサーから受ける力
の影響が小さくなり、スペーサーのばらまき密度による
液晶層の厚みの変化が小さくなるため、均一な液晶層の
厚みを得ることとなる。
合いによって決定されているが、本発明は上記した構成
によって、スペーサーのうちで液晶層厚より大きい径を
しているため基板によりつふされているスペーサーの数
は少なくなり、液晶層の厚みのスペーサーから受ける力
の影響が小さくなり、スペーサーのばらまき密度による
液晶層の厚みの変化が小さくなるため、均一な液晶層の
厚みを得ることとなる。
実施例
以下本発明の実施例の液晶素子について、図面を参照し
ながら説明する。第１図は本発明の実施例における液晶
素子の断面図を示すものである。
ながら説明する。第１図は本発明の実施例における液晶
素子の断面図を示すものである。
第１図において、１．２は偏光板である。３，４は硝子
基板である。５．６はＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な
導電電極で１５００オングストロームの厚みを有する。
基板である。５．６はＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な
導電電極で１５００オングストロームの厚みを有する。
７． ８はＴｉＯオ ・５ｉＯＸからなる絶縁膜で１
０００オングストロームの厚みを有する。９．１０は配
向膜で、窒素蛛製配向膜材料ＰＳＩ−Ａ２３０１をそれ
ぞれ、スピンナーで塗布し、熱重合させ、液晶分子の交
差角が２５０” となるよう通常のラビング処理をした
。
０００オングストロームの厚みを有する。９．１０は配
向膜で、窒素蛛製配向膜材料ＰＳＩ−Ａ２３０１をそれ
ぞれ、スピンナーで塗布し、熱重合させ、液晶分子の交
差角が２５０” となるよう通常のラビング処理をした
。
１１は液晶層である。１２は液晶層にばらまいたスペー
サーで、最大粒子径８．５ＣＨｔｍ標準偏差０．３４μ
ｍの樹脂ビーズを使用した。ばらまき密度は１００個／
ｆｆｌｆｆ１２から２００個／ｆｆＬｆｆ１２程度であ
る。
サーで、最大粒子径８．５ＣＨｔｍ標準偏差０．３４μ
ｍの樹脂ビーズを使用した。ばらまき密度は１００個／
ｆｆｌｆｆ１２から２００個／ｆｆＬｆｆ１２程度であ
る。
１３はシールで、エポキシ樹脂を用いた。１４はシール
樹脂に混入したスペーサーで、表示部とシール部の段差
を考慮して平均径８．５μｍの硝子ファイバーを使用し
た。
樹脂に混入したスペーサーで、表示部とシール部の段差
を考慮して平均径８．５μｍの硝子ファイバーを使用し
た。
上記のような構成でパネルを作り、液晶組成物Ａを真空
注入により充填し液晶層の厚みが８．２μｍになるよう
に封口した。上記液晶素子を観察すると、従来の８．２
５μｍの平均粒子径をもつスペーサーをばらまいて液晶
層の厚みを８．２μｍとしたものと比べて、液晶層の厚
みのむらに起因する表示むらが改善され、表示の均一性
は迩かに向上した。
注入により充填し液晶層の厚みが８．２μｍになるよう
に封口した。上記液晶素子を観察すると、従来の８．２
５μｍの平均粒子径をもつスペーサーをばらまいて液晶
層の厚みを８．２μｍとしたものと比べて、液晶層の厚
みのむらに起因する表示むらが改善され、表示の均一性
は迩かに向上した。
上記液晶層の厚みむらは、ばらまき密度のむらによる。
そこで、第２図にばらつき密度とある一定内圧にある液
晶層の厚みとのグラフを示す。従来の平均粒径８．２５
μｍをばらまいた液晶素子は内圧０．７ｋｇ／ｃｆｆｌ
で、本発明による構成による液晶素子は内圧５０ｇ／ｃ
ｎで測定した。第２図から、本発明による構成のほうが
スペーサーのばらまき密度による液晶層の厚みの変化が
小さいことが分かる。このことから、本発明による構成
の液晶素子は、従来のものより、液晶層の厚みのむらに
起因する表示むらが改善され、表示の均一性は這かに向
上した。
晶層の厚みとのグラフを示す。従来の平均粒径８．２５
μｍをばらまいた液晶素子は内圧０．７ｋｇ／ｃｆｆｌ
で、本発明による構成による液晶素子は内圧５０ｇ／ｃ
ｎで測定した。第２図から、本発明による構成のほうが
スペーサーのばらまき密度による液晶層の厚みの変化が
小さいことが分かる。このことから、本発明による構成
の液晶素子は、従来のものより、液晶層の厚みのむらに
起因する表示むらが改善され、表示の均一性は這かに向
上した。
又上記のような構成で、ばらまくスペーサーの標準偏差
を０．３４μｍで一定にして最大粒径を変化させたとこ
ろ、 ｄ ＳＰＭＡＸ ３σ３．≦ｄＬＣ≦ｄ ５ＰＨＡＸ
とした範囲で表示むらが改善され表示の均一性が向上し
た。ここで、ｄ ＳＰＭ□はばらまいたスペーサーの最
大粒径で、σ、Ｐはばらまいたスペーサーの粒径の標準
偏差で、ｄＬＣは液晶素子の液晶層の厚みである。
を０．３４μｍで一定にして最大粒径を変化させたとこ
ろ、 ｄ ＳＰＭＡＸ ３σ３．≦ｄＬＣ≦ｄ ５ＰＨＡＸ
とした範囲で表示むらが改善され表示の均一性が向上し
た。ここで、ｄ ＳＰＭ□はばらまいたスペーサーの最
大粒径で、σ、Ｐはばらまいたスペーサーの粒径の標準
偏差で、ｄＬＣは液晶素子の液晶層の厚みである。
以上の例は、スーパーライステノド不マチ、り液晶素子
の例を示したが、強誘電性液晶素子や、その他の液晶素
子においてもこの方法で表示むらが改善された。
の例を示したが、強誘電性液晶素子や、その他の液晶素
子においてもこの方法で表示むらが改善された。
また、ばらまくスペーサーの種類を変えて調べたところ
、最も樹脂ビーズが効果あることが分かった。
、最も樹脂ビーズが効果あることが分かった。
発明の効果
以上のように本発明は、液晶層内にばらまくスペーサー
の径の最大値と標準偏差をそれぞれｄ ＳＰＭＡＸ 、
σ３．としたとき、液晶層の厚みｄＬＣをｄ ＳＰ
ＭＡＸ ３σ３．≦ａｔＣ≦ｄ ＳＰＭ□としたこ
とにより、厚みむらによる表示むらのない均一な液晶素
子を得ることができる。
の径の最大値と標準偏差をそれぞれｄ ＳＰＭＡＸ 、
σ３．としたとき、液晶層の厚みｄＬＣをｄ ＳＰ
ＭＡＸ ３σ３．≦ａｔＣ≦ｄ ＳＰＭ□としたこ
とにより、厚みむらによる表示むらのない均一な液晶素
子を得ることができる。
第１図は本発明の実施例によって得られる液晶素子の概
略断面図、第２図はばらつき密度とある一定内圧にある
液晶層の厚みとのグラフ、第３図は従来の液晶素子の概
略断面図である。 １．２・・・・・・偏光板、３，４・・・・・・硝子基
板、５゜６・・・・・・ＩＴｏ膜からなる矩形状の透明
な導電電極、７．８・・・・・・絶縁膜、９．１０・・
・・・・配向膜、１１・・・・・・液晶層、１２・・・
・・・液晶層にばらまいたスペーサー、１３・・・・・
・シール、１４・・・・・・シール樹脂に混入したスペ
ーサー。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 はが２名７トーμｔ４
１ ９、＋ｏ−Ｊｌｌ；Ｉ賎 Ｕ −：狼晶ｌ ＋２−一一耐１＋ｌ：＋ｌ）Ｌ＋＋＋：ズイ°亨−１３
−−−ソール １４−−−ツル猪「真ｉｉ１：ンＬ入しＬ−７へ１１寸
−第 ２ 図
略断面図、第２図はばらつき密度とある一定内圧にある
液晶層の厚みとのグラフ、第３図は従来の液晶素子の概
略断面図である。 １．２・・・・・・偏光板、３，４・・・・・・硝子基
板、５゜６・・・・・・ＩＴｏ膜からなる矩形状の透明
な導電電極、７．８・・・・・・絶縁膜、９．１０・・
・・・・配向膜、１１・・・・・・液晶層、１２・・・
・・・液晶層にばらまいたスペーサー、１３・・・・・
・シール、１４・・・・・・シール樹脂に混入したスペ
ーサー。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 はが２名７トーμｔ４
１ ９、＋ｏ−Ｊｌｌ；Ｉ賎 Ｕ −：狼晶ｌ ＋２−一一耐１＋ｌ：＋ｌ）Ｌ＋＋＋：ズイ°亨−１３
−−−ソール １４−−−ツル猪「真ｉｉ１：ンＬ入しＬ−７へ１１寸
−第 ２ 図
Claims (2)
- （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印加手
段とを具備したパネルにおいて、液晶層を一定厚みにす
るため液晶層内にばらまくスペーサーの径の最大値と標
準偏差をそれぞれｄ＿Ｓ＿Ｐ＿Ｍ＿Ａ＿Ｘ、σ＿Ｓ＿Ｐ
としたとき、液晶層の厚みｄ＿Ｌ＿Ｃを ｄ＿Ｓ＿Ｐ＿Ｍ＿Ａ＿Ｘ−３σ＿Ｓ＿Ｐ≦ｄ＿Ｌ＿Ｃ≦
ｄ＿Ｓ＿Ｐ＿Ｍ＿Ａ＿Ｘとしたことを特徴とする液晶素
子。 - （２）スペーサーが樹脂ビーズであることを特徴とする
請求項（１）記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310775A JPH04180026A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310775A JPH04180026A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180026A true JPH04180026A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=18009324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310775A Pending JPH04180026A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486936B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Liquid crystal panel with seal containing hard and soft spacers |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2310775A patent/JPH04180026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486936B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Liquid crystal panel with seal containing hard and soft spacers |
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