JPH04180683A - 面発光半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
面発光半導体レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04180683A JPH04180683A JP30958490A JP30958490A JPH04180683A JP H04180683 A JPH04180683 A JP H04180683A JP 30958490 A JP30958490 A JP 30958490A JP 30958490 A JP30958490 A JP 30958490A JP H04180683 A JPH04180683 A JP H04180683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- algainp
- layer
- semiconductor laser
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置、情報交換装置等に利用できる面発光
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
近年、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系
、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａ
ＡｓＰ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系などの半導体レーザの研究
開発が進み、これを利用した光デイスク装置や光通信装
置が実用化されている。さらに、半導体レーザを２次元
に集積することが可能な面発光半導体レーザの研究開発
が行われ、波長８５０ｎｍから８７０ｎｍの室温連続発
振が報告されている（アプライド・フィジクス・レター
ズ誌１９８９年第５５巻２２１頁）。
、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａ
ＡｓＰ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系などの半導体レーザの研究
開発が進み、これを利用した光デイスク装置や光通信装
置が実用化されている。さらに、半導体レーザを２次元
に集積することが可能な面発光半導体レーザの研究開発
が行われ、波長８５０ｎｍから８７０ｎｍの室温連続発
振が報告されている（アプライド・フィジクス・レター
ズ誌１９８９年第５５巻２２１頁）。
これまでの報告では、室温でのレーザ発振に必要な注入
電流密度は３６ｋＡ／ａｄ以上である。このように高い
電流密度の注入を与えると、面発光半導体レーザ素子の
特性劣化速度が早い、また、活性層に屈折率差が設けら
れていないために発光光の槓モード制御が不十分で、十
分高い光出力を安定に得ることができない。
電流密度は３６ｋＡ／ａｄ以上である。このように高い
電流密度の注入を与えると、面発光半導体レーザ素子の
特性劣化速度が早い、また、活性層に屈折率差が設けら
れていないために発光光の槓モード制御が不十分で、十
分高い光出力を安定に得ることができない。
本発明の面発光半導体レーザは、第１導電型の半導体基
板上に、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰの活性層とそ
れを挟む第１及び第２導電型で前記活性層より禁制帯幅
の大きいＡｌＧａＩｎＰクラッド層からなるダブルヘテ
ロ構造を少なくとも含む半導体層を備え、前記ダブルヘ
テロ構造のうち発光領域となる円形または多角形の領域
を除いた領域が高濃度の不純物を含むことを特徴とする
構成である。
板上に、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰの活性層とそ
れを挟む第１及び第２導電型で前記活性層より禁制帯幅
の大きいＡｌＧａＩｎＰクラッド層からなるダブルヘテ
ロ構造を少なくとも含む半導体層を備え、前記ダブルヘ
テロ構造のうち発光領域となる円形または多角形の領域
を除いた領域が高濃度の不純物を含むことを特徴とする
構成である。
また、本発明の面発光半導体レーザの製造方法は、第１
導電型の半導体基板上に、Ｇａ１ｎＰ！たはＡｌＧａＩ
ｎＰの活性層とそれを挟む第１及び第２導電型で前記活
性層より禁制帯幅の大きいＡｌＧａＩｎＰクラッド層か
らなるダブルヘテロ構造を少なくとも含む半導体エピタ
キシャル結晶の発光領域となす部分の周囲に、Ｚｎまた
はＭｇまたはＳｉまたはＦｅまたはＣｒまたはＣｕまた
はＡｕ拡散またはイオン打ち込みすることを特徴とする
構成である。
導電型の半導体基板上に、Ｇａ１ｎＰ！たはＡｌＧａＩ
ｎＰの活性層とそれを挟む第１及び第２導電型で前記活
性層より禁制帯幅の大きいＡｌＧａＩｎＰクラッド層か
らなるダブルヘテロ構造を少なくとも含む半導体エピタ
キシャル結晶の発光領域となす部分の周囲に、Ｚｎまた
はＭｇまたはＳｉまたはＦｅまたはＣｒまたはＣｕまた
はＡｕ拡散またはイオン打ち込みすることを特徴とする
構成である。
本発明の面発光半導体レーザの中で主要な役割を果たす
それぞれＡ１組成０，０１のＡｌＧａＩｎＰ活性層およ
びＡ１組成０，６０のＡｕＧａＩｎＰクラッド層の屈折
率ｎと不純物濃度ａのｒｌｌ係を第２図に示す、不純物
濃度が十分低い（１０”ロー３以下）時、活性層とクラ
ッド層の屈折率はそれぞれ３．５３．３．３３である。
それぞれＡ１組成０，０１のＡｌＧａＩｎＰ活性層およ
びＡ１組成０，６０のＡｕＧａＩｎＰクラッド層の屈折
率ｎと不純物濃度ａのｒｌｌ係を第２図に示す、不純物
濃度が十分低い（１０”ロー３以下）時、活性層とクラ
ッド層の屈折率はそれぞれ３．５３．３．３３である。
このとき、それぞれのＡｌＧａＩｎＰ層には超自然格子
が形成されている（ジャパニーズ・ジャーナル・オン・
アプライド・フィジクス誌１９８８年第２７巻２０９８
頁）、不純物濃度が高い（１０”ｃｍ−’以上）時、該
自然超格子は無秩序化され（ジャパニーズ・ジャーナル
・オン・アプライド・フイジクス誌１９８８年第２７巻
Ｌ１５４９頁）、第２図に示すようにＡ Ｉ Ｇａ Ｉ
ｎＰ活性層とＡｌＧａＩｎＰクラッド層のバンドギャ
ップエネルギーＥｇは上昇し、第３図に示したようにＡ
ｌＧａＩｎＰ活性層とＡｌＧａＩｎＰクラッド層の屈折
率は低下する０本発明はこのようにして生じるＡｌＧａ
ＩｎＰ層ののバンドギャップエネルギー差および屈折率
差を活用する。
が形成されている（ジャパニーズ・ジャーナル・オン・
アプライド・フィジクス誌１９８８年第２７巻２０９８
頁）、不純物濃度が高い（１０”ｃｍ−’以上）時、該
自然超格子は無秩序化され（ジャパニーズ・ジャーナル
・オン・アプライド・フイジクス誌１９８８年第２７巻
Ｌ１５４９頁）、第２図に示すようにＡ Ｉ Ｇａ Ｉ
ｎＰ活性層とＡｌＧａＩｎＰクラッド層のバンドギャ
ップエネルギーＥｇは上昇し、第３図に示したようにＡ
ｌＧａＩｎＰ活性層とＡｌＧａＩｎＰクラッド層の屈折
率は低下する０本発明はこのようにして生じるＡｌＧａ
ＩｎＰ層ののバンドギャップエネルギー差および屈折率
差を活用する。
エピタキシャル成長法などで形成したＡｌＧａＩｎＰ活
性層およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層中の不純物濃度が
部分的に低いと、上述の作用に従って該領域のバンドギ
ャップエネルギーは低く、該領域の屈折率は高くなる。
性層およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層中の不純物濃度が
部分的に低いと、上述の作用に従って該領域のバンドギ
ャップエネルギーは低く、該領域の屈折率は高くなる。
その結果、注入されたキャリア（電子およびホール）は
該領域に閉じ込められ、発振光も該領域に−じ込められ
、高い光出力が安定に得られる。
該領域に閉じ込められ、発振光も該領域に−じ込められ
、高い光出力が安定に得られる。
本発明の面発光半導体レーザの製造方法においては、Ａ
］ＧａＩｎＰ活性層及びＡｌＧａＩｎＰクラッド層の不
純物濃度の制御を以下のようにして行う、まず、不純物
ドーピングを行いながらエピタキシャル成長を行い、１
０”Ｃａ１−’以下の低濃度層を形成する０次に適当な
パターンマスクを用いて部分的に不純物拡散またはイオ
ン打ち込みを行って１０”ｃｍづ以上の高濃度領域を形
成する。
］ＧａＩｎＰ活性層及びＡｌＧａＩｎＰクラッド層の不
純物濃度の制御を以下のようにして行う、まず、不純物
ドーピングを行いながらエピタキシャル成長を行い、１
０”Ｃａ１−’以下の低濃度層を形成する０次に適当な
パターンマスクを用いて部分的に不純物拡散またはイオ
ン打ち込みを行って１０”ｃｍづ以上の高濃度領域を形
成する。
高濃度のＺｎ不純物、Ｍｇ不純物、Ｓｔ不純物、Ｆｅ不
純物、Ｃｒ不純物、Ｃｕ不純物、Ａｕ不純物はＡ Ｉ
Ｇａ Ｉ ｎＰ超自然格子を無秩序化することができる
。この結果、前述の面発光半導体レーザが得られる。
純物、Ｃｒ不純物、Ｃｕ不純物、Ａｕ不純物はＡ Ｉ
Ｇａ Ｉ ｎＰ超自然格子を無秩序化することができる
。この結果、前述の面発光半導体レーザが得られる。
本発明の１つの実施例を示す面発光半導体レーザの断面
図を第１図に示す、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１とｐ型ＡＩ Ｇａ Ｉ ｎＰク
ラッド層２からなるダブルヘテロ構造多層層をｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ基板５上にエピタキシャル成長法によって形
成した０次に５ｉ０２誘電帯膜を形成した後にフォトリ
ソグラフィーを用いて直径１０μｍの円盤状の５ｉ０２
誘電体膜を形成した後にフォトリソグラフィーを用いて
直径１０μｍの円盤状の５ｉｎ２誘電体膜を形成した。
図を第１図に示す、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と
ＡｌＧａＩｎＰ活性層１とｐ型ＡＩ Ｇａ Ｉ ｎＰク
ラッド層２からなるダブルヘテロ構造多層層をｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ基板５上にエピタキシャル成長法によって形
成した０次に５ｉ０２誘電帯膜を形成した後にフォトリ
ソグラフィーを用いて直径１０μｍの円盤状の５ｉ０２
誘電体膜を形成した後にフォトリソグラフィーを用いて
直径１０μｍの円盤状の５ｉｎ２誘電体膜を形成した。
Ｓ ｉ ０２誘電体農の形状は、多角形でもよい。次に
、該５ｉ０２誘電体膜をマスクとしてＺｎを封管拡散法
で結晶中に拡散した。拡散の替りにイオン打ち込み法で
高濃度不純物導入領域４を形成してもよい、この結果、
誘電体膜で覆われた円形または多角形の領域（以降、発
光領域と呼ぶ）のダブルヘテロ構造多層膜の不純物濃度
は、その周囲の領域のダブルヘテロ構造多層膜の不純物
濃度にくらべて低く保たれる。つぎに該５ｉ０２誘電体
展を選択成長マスクとしてｐ型ＧａＡｓ層８を形成した
０次に、電極７をウェハの両面に形成した後、リフトオ
フと化学エツチングを用いて該活性領域の上部及び下部
に窓部を設け、さらにこの部分に誘電体多層膜反射膜６
をＣＶＤで形成した。
、該５ｉ０２誘電体膜をマスクとしてＺｎを封管拡散法
で結晶中に拡散した。拡散の替りにイオン打ち込み法で
高濃度不純物導入領域４を形成してもよい、この結果、
誘電体膜で覆われた円形または多角形の領域（以降、発
光領域と呼ぶ）のダブルヘテロ構造多層膜の不純物濃度
は、その周囲の領域のダブルヘテロ構造多層膜の不純物
濃度にくらべて低く保たれる。つぎに該５ｉ０２誘電体
展を選択成長マスクとしてｐ型ＧａＡｓ層８を形成した
０次に、電極７をウェハの両面に形成した後、リフトオ
フと化学エツチングを用いて該活性領域の上部及び下部
に窓部を設け、さらにこの部分に誘電体多層膜反射膜６
をＣＶＤで形成した。
この反射Ｊ！［６は出力光出射面である０以上の工程に
より本発明の面発光半導体レーザは完成した。
より本発明の面発光半導体レーザは完成した。
このレーザの室温ＣＷ発振に必要な閾値電流は１００ｍ
Ａであった。注入電流が１５０ｍＡのとき、光出力１’
Ｏｍ Ｗの基本槽モード発振が得られた。２５℃・３
ｍＷの信頼性試験を行ったところ、寿命はおよそ３００
０時間であった。
Ａであった。注入電流が１５０ｍＡのとき、光出力１’
Ｏｍ Ｗの基本槽モード発振が得られた。２５℃・３
ｍＷの信頼性試験を行ったところ、寿命はおよそ３００
０時間であった。
本実施例はブレーナ型の面発光半導体レーザについて述
べたが、メサ型にすれば電流閉じ込めをさらに高めるこ
とができる。
べたが、メサ型にすれば電流閉じ込めをさらに高めるこ
とができる。
発光領域周辺に導入する不純物は、Ｚｎ以外に、Ｍｇ、
Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ等を用いてもＺｎの場合と同様
の効果が得られる。
Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ等を用いてもＺｎの場合と同様
の効果が得られる。
本発明の面発光半導体レーザでは、反射膜６で構成され
る共振器の中でレーザ発振を起こす、この際、バンドギ
ャップエネルギー差に従って注入キャリアが該活性領域
に閉じ込められるので注入効率が高く、レーザ発振に必
要な注入電流密度を低減でき、十分長い素子寿命を得る
ことができる。さらに屈折率差に従って発振光が閉じ込
められて横モードが制御され、十分高い光出力を安定に
得ることができる０本発明の面発光半導体レーザは、不
純物の急峻な濃度勾配面を界面として電流閉じ込め及び
光閉じ込めを行っているので、化学エツチングやドライ
エツチングなどで形成したメサの側面でこれらを行う面
発光半導体レーザに比べて界面の品質が良く、界面に於
ける非発光再結合と結晶劣化を抑制できる点でも優れて
いる。
る共振器の中でレーザ発振を起こす、この際、バンドギ
ャップエネルギー差に従って注入キャリアが該活性領域
に閉じ込められるので注入効率が高く、レーザ発振に必
要な注入電流密度を低減でき、十分長い素子寿命を得る
ことができる。さらに屈折率差に従って発振光が閉じ込
められて横モードが制御され、十分高い光出力を安定に
得ることができる０本発明の面発光半導体レーザは、不
純物の急峻な濃度勾配面を界面として電流閉じ込め及び
光閉じ込めを行っているので、化学エツチングやドライ
エツチングなどで形成したメサの側面でこれらを行う面
発光半導体レーザに比べて界面の品質が良く、界面に於
ける非発光再結合と結晶劣化を抑制できる点でも優れて
いる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図はクラッド層
のバンドギャップエネルギーと不純物濃度の関係を示す
図、第３図は活性層とクラッド層の屈折率と不純物濃度
の関係を示す図である。 図中、ｌはＡｕＧａＩｎＰ活性層、２はｐ型ＡｌＧａ１
ｎＰクラッド層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
４は高濃度不純物領域、６は誘電体多層膜反射膜を示す
。
のバンドギャップエネルギーと不純物濃度の関係を示す
図、第３図は活性層とクラッド層の屈折率と不純物濃度
の関係を示す図である。 図中、ｌはＡｕＧａＩｎＰ活性層、２はｐ型ＡｌＧａ１
ｎＰクラッド層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
４は高濃度不純物領域、６は誘電体多層膜反射膜を示す
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の半導体基板上に、ＧａＩｎＰまたはＡ
ｌＧａＩｎＰの活性層とそれを挟む第１及び第２導電型
で前記活性層より禁制帯幅の大きいＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層からなるダブルヘテロ構造を少なくとも含む半導
体層を備え、前記ダブルヘテロ構造のうち発光領域とな
る円形または多角形の領域を除いた領域が高濃度の不純
物を含むことを特徴とする面発光半導体レーザ。 ２、第１導電型の半導体基板上に、ＧａＩｎＰまたはＡ
ｌＧａＩｎＰの活性層とそれを挟む第１及び第２導電型
で前記活性層より禁制帯幅の大きいＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層からなるダブルヘテロ構造を少なくとも含む半導
体層をエピタキシャル成長する工程と、前記ダブルヘテ
ロ構造の発光領域となす領域の周辺に、ＺｎまたはＭｇ
またはＳｉまたはＦｅまたはＣｒまたはＣｕまたはＡｕ
のいずれか１つを拡散またはイオン打ち込みする工程と
を少くとも有することを特徴とする面発光半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309584A JP2880788B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309584A JP2880788B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180683A true JPH04180683A (ja) | 1992-06-26 |
| JP2880788B2 JP2880788B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=17994795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2309584A Expired - Fee Related JP2880788B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880788B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199679A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6286883A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6376390A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Nec Corp | 発光半導体素子 |
| JPH03104292A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2309584A patent/JP2880788B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199679A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6286883A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6376390A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Nec Corp | 発光半導体素子 |
| JPH03104292A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2880788B2 (ja) | 1999-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
| JPH10200190A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| GB2046983A (en) | Semiconductor lasers | |
| JPH0856045A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2003142774A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS61168981A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2001057459A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001077465A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH04180683A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2679974B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0462195B2 (ja) | ||
| JP2893990B2 (ja) | 半導体レーザおよびその作製方法 | |
| JP2502835B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| JPH03253089A (ja) | 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法 | |
| JPH0745902A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH06338657A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH03104292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2751699B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JP2000058969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6035591A (ja) | 高性能半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JP3612900B2 (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH10163561A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS60132381A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2855887B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |