JPH04181594A - 半導体メモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体メモリに関し、半導体メモリの初期化時
間を短縮することに関する。

〔従来の技術〕

周知のように、書き込み、読み出し動作が可能な半導体
メモリに対しては電源投入後に初期化を行う。初期化は
半導体メモリのメモリセルに同一データを書き込み、電
源投入後の半導体メモリの記憶内容を確定させる動作で
ある。

第２図は従来の半導体メモリのブロック図である。ロウ
デコーダ２はロウアドレスバッファ１からのアドレスで
メモリアレイ７から１本のワード線を選択するものであ
る。コラムデコーダ４はコラムアドレスバッファ３から
のアドレスでメモリアレイ７のデータ線を選択するもの
である。コラムｌ１０４はＩ１０バッファ５とコラムデ
コーダ４で選択されたデータ線を接続するものである。

次に、従来のメモリ初期化動作を第２図をもとに説明す
る。入力アドレスに対応してロウデコーダ２により１本
のワード線が選択される。この選択されたワード線に接
続された複数のメモリセルから、コラムデコーダ４で選
択されたメモリセルヘデータが書き込まれる。この動作
をメモリの先頭アドレスから最終アドレスまで順次実行
することで初期化が行われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

半導体メモリの大容量化が急速に進み、上記従来技術で
は初期化に多大な時間を要してしまい、半導体メモリを
使ったシステムの使い勝手が悪くことにもなる。

本発明は、システムのスタートを速くするために半導体
メモリの初期化時間を短縮することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明の半導体メモリは初
期化時に複数のワード線を同時選択できるようにしたも
のである。

〔作用〕

本発明の半導体メモリでは、電源投入後の初期化時にお
いて、外部入力アドレスに対応するワード線ｎとともに
ワード線πを同時に選択できるようにしたので、メモリ
の初期化時間を短縮させることが可能になる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図をもとに説明する。

第１図は本発明の一実施例による半導体メモリを示した
ものである。従来例の半導体メモリに対して、初期化時
に初期化アドレス発生回路８により。

２本のワード線が同時選択できるようになっている。第
３図に示す初期化アドレス発生回路において、メモリ初
期化時にＩＮＩＴ信号をＩＩ　Ｈ１１としてインバータ
１０の出力后をワード線肩に接続することによりワード
線ｎとｉが同時に選択される通常動作時はＩＮＩＴ信号
をｉｔ　Ｌ　ｕとすることでワード線ｎのみが選択され
る。

Ｉ−Ｎ　Ｉ　Ｔ信号は電源投入時に発生するようにして
、初期化終了時にＣＰＵ　（図示していない）から消す
ようにすればよい。もちろん、他の方法で発生させても
よい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、同一データを書き込む初期化動作時に
複数のワード線が同時に選択できるため初期化時間が短
縮できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体メモリのブロッ
ク図、第２図は従来例の半導体メモリのブロック図、第
３図は初期化アドレス発生回路の構成図である。 １・・・ロウアドレスバッファ、２・・・ロウデコーダ
、３・・・コラムアドレスバッファ、４・・・コラムデ
コーダ、５　・工／○バッファ、６・・・コラムＩ１０
．７・・メモリアレイ、８・・・初期化アドレス発生回
路、９・・・トライステートゲート、ｌＯ・・・インバ
ータ。 纂　Ｉ　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、行方向、列方向にアレイ状に配置されたメモリセル
   を持ち、列の選択は入力アドレスに対応するビット線を
   カラムデコーダにより選択することで行い、行の選択は
   入力アドレスに対応するワード線をロウデコーダにより
   選択することで行う書き込み、読み出し動作が可能な半
   導体メモリにおいて、メモリ初期化時に複数のワード線
   を同時に選択し同一データを書き込む手段を具備したこ
   とを特徴とする半導体メモリ。