JPH04181730A - ウェハ処理方法 - Google Patents

ウェハ処理方法

Info

Publication number
JPH04181730A
JPH04181730A JP31058690A JP31058690A JPH04181730A JP H04181730 A JPH04181730 A JP H04181730A JP 31058690 A JP31058690 A JP 31058690A JP 31058690 A JP31058690 A JP 31058690A JP H04181730 A JPH04181730 A JP H04181730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
photoresist film
plate
holding
processing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31058690A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromasa Kaida
海田 洋正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP31058690A priority Critical patent/JPH04181730A/ja
Publication of JPH04181730A publication Critical patent/JPH04181730A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウェハの処理技術、特に、ウェハのワックスレ
ス鏡面研磨に伴うエツチングむらを防止するために用い
て効果のある技術に関するものである。
〔従来の技術〕
シリコンウェハの鏡面研磨におけるウェハ保持技術には
、大別すると三方式がある。すなわち、■研磨プレート
に直接ウェハをワックスによって貼り付けるワックス方
式、及び■プレートとウェハの間に保持パッド(例えば
、ポリウレタン樹脂の発泡体を板状にしたもの)の表面
張力によってウェハを保持するワックスレス方式がある
上記2方式の内、ワックス方式は、直接プレートに貼り
付けるため、裏面がエツチングされず、保持精度が高い
ため、ウェハ平坦度の精度が優れている。
ところで、本発明者は、ワックスレス方式でウェハを保
持した場合のエツチングむらについて検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。
すなわち、第4図に示すように、ウェハlを底面に保持
するプレート2は、中心に軸を有し、この軸はトルカ−
アーム3及び軸受4に支持され、かつ上端には加圧シリ
ンダ5が取り付けられている。また、第5図に示すよう
に、ウェハ1はプレート2に貼着された保持パット6に
保持され、この保持バット6を囲繞するようにしてテン
プレート7かプレート2の底面に取り付けられている。
保持パット6は、ウェハの平坦度を維持するために、ウ
ェハ1の外径より小さい値にされている。
このテンプレート7は、第6図に示すように、ウェハの
外径相当の開口かバランスを考量して複数個か設けられ
、ウェハlが研磨中にプレート2外へ飛び出すの防止し
ており、プレート2の底面に両面接着テープを用いて貼
着される。
また、ウェハIを研磨するために、研磨クロス8が定盤
9上に貼り付けられている。定盤9上には、液状の研磨
材IOか注がれる。
このような研磨装置にあって、ワックスレス研磨を行う
には、ウェハlをセットしたプレート2をトルカ−アー
ム3によって定盤9上に位置決めし、さらに加圧シリン
ダ5によって定u9方向へ加圧を行う。この操作に連動
して定盤9を回転させると共に、研磨材10を供給する
。これにより、ウェハ1は研磨クロス8との摩擦および
アルカリ性の研磨材lOのエツチング作用により、ウェ
ハ1の表面は鏡面状態に仕上げられる。
この方式は、前記ワックス方式に比へ、量産性に優れる
特長かある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、前記の如くワックスレス方式でウェハを保持
すると、第5図のように、保持バット6かウェハ用の開
口穴より小径で、かつウェハの保持が接着剤を用いずに
発泡ポリウレタンパッドの表面張力のみで保持している
ため、保持材とウェハの裏面の間に研磨材11か侵入し
、裏面かエツチングされ、しかもウェハごとに異なる状
態で成されることが本発明者によって見出された。この
ため、顧客ニーズか裏面の外観状態を同一にすることを
要求している場合には、不良品扱いのウェハが増え、歩
留りを低下させることになる。
また、ウェハ平坦度を向上させようとして保持精度を上
げると、保持力か低下し、ウェハ裏面へ研磨剤か容易に
浸入し、上記の問題か更に促進される。
そこで、本発明の目的は、ワックスレスにしなからウェ
ハ裏面の外観不良の発生を防止することのできる技術を
提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェハの保持精度を高め、ウェハ
の平坦度を向上させることのできる技術を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、プレートにウェハを保持して回転させながら
、ウェハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨す
るウェハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレ
ジスト膜を施しておくことにより研磨処理を行うもので
ある。
〔作用〕
上記した手段によれば、ウェハの裏面に予め施されたホ
トレジスト膜は、ウェハ裏側に研磨材か浸入しても、ウ
ェハ裏面をエツチングすることかない。したかって、裏
面エツチングむらに起因する製品の歩留り低下の改善か
可能になる。
以下、本発明によるウェハ処理方法を図面に基づいて説
明する。
〔実施例1〕 第1図は本発明方法を適用するに好適な研磨装置を示す
断面図である。
ウェハlの裏面(保持バッド6に装着される面)には、
ホトレジスト膜12が形成されている。
このホトレジストRI2は、研磨材10にアルカリ性の
ものを用いた場合、これに合わせて耐アルカリ性の材料
を用いる。
ホトレジスト膜12は、ウェハ1の裏面のエツチング面
を、研磨材10から保護することかでき、ウェハ裏面は
研磨材10によってエツチングされることが無い。した
がって、エツチングむらを生しさせることがない。
〔実施例2〕 第2図は本発明の第2実施例を示す断面図である。
本実施例は、保持パッド6に代えて、硬質ポリエチレン
シート13を保持部材として用いるようにしたものであ
る。なお、この実施例においては、ホトレジスト膜12
の図示を省略しているが、実際には第1図と同様に設け
られる。
この構成によれば、ホトレジスト膜12を設けたことに
よってウェハ裏面のエツチングが防止される。したがっ
て、従来、裏面のエツチングを防止するために、ウェハ
の保持力を強くする必要があったが、本実施例によれば
ウェハ裏面のエツチングが解決されるため、保持力を小
さくすることができる。これにより、保持力は小さいも
のの保持精度が高い硬質ポリエチレンシート13を用い
ることが可能になり、ウェハの平坦度を向上させること
かできる。
〔実施例3〕 第3図は本発明の第3実施例を示す断面図である。
本実施例は、保持パット6及びテンプレート7を用いず
、ウェハ1を直接プレート2に保持させるようにしたも
のである。この実施例においても、図示を省略している
が、ホトレジスト膜12かプレート2側に形成される。
本実施例によれば、保持パッド6が介在しないため、保
持パッド6に起因する平坦度不良骨が除外され、ウェハ
平坦度を向上させることができる。
以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである
すなわち、プレートにウェハを保持して回転させなから
、ウェハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨す
るウェハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレ
ジスト膜を施しておくようにしたので、裏面エツチング
むらに起因する製品の歩留り低下の改善が可能になる。
また、保持部材を介することなく或いは硬質の保持部材
を介してウェハを保持させることにより、裏面に施した
ホトレジスト膜による効果に加え、ウェハ平坦度の向上
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を適用するに好適な研磨装置を示す
断面図、 第2図は本発明の第2実施例を示す断面図、第3図は本
発明の第3実施例を示す断面図、第4図は従来の研磨装
置を示す正面図、第5図は従来の研磨装置のウェハ保持
部の詳細を示す断面図、 第6図は従来技術においてテンプレートにウェハを保持
した状態を示す底面図である。 l・・・ウェハ、2・・・プレート、3・・・トルカ−
アーム、4・・・軸受、5・・・加圧シリンダ、6・・
・保持パッド、7・・・テンプレート、8・・・研磨ク
ロス、9・・・定盤、10゜11・・・研磨材、12・
・・ホトレジスト膜、13・・・硬質ポリエチレンシー
ト。 代理人  弁理士 筒 井 大 和 第1図 6:保持パッド 第2図 を 第3図 \ 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、プレートにウェハを保持して回転させながら、ウェ
    ハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨するウェ
    ハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレジスト
    膜を施しておくことを特徴とするウェハ処理方法。 2、前記ホトレジスト膜の形成されたウェハの裏面に、
    硬質ポリエチレンシートを保持材として配設したことを
    特徴とする請求項1記載のウェハ処理方法。 3、前記ホトレジスト膜の形成されたウェハを、前記プ
    レートに直接保持することを特徴とする請求項1記載の
    ウェハ処理方法。
JP31058690A 1990-11-16 1990-11-16 ウェハ処理方法 Pending JPH04181730A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31058690A JPH04181730A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ウェハ処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31058690A JPH04181730A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ウェハ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04181730A true JPH04181730A (ja) 1992-06-29

Family

ID=18007029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31058690A Pending JPH04181730A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ウェハ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04181730A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000067305A1 (fr) * 1999-04-30 2000-11-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de polissage et procede de nettoyage de tranches, et film de protection
JP2011257744A (ja) * 2010-05-12 2011-12-22 Konica Minolta Business Technologies Inc 静電荷像現像用トナー

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000067305A1 (fr) * 1999-04-30 2000-11-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de polissage et procede de nettoyage de tranches, et film de protection
JP2011257744A (ja) * 2010-05-12 2011-12-22 Konica Minolta Business Technologies Inc 静電荷像現像用トナー

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0413568A (ja) バッキングパッド、その精密平面加工方法およびそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
KR20030040204A (ko) 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법
JP2001179578A (ja) ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置
JPH09267257A (ja) ウェハ研磨装置
US6471566B1 (en) Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
US6422922B1 (en) Workpiece holder for polishing, apparatus for polishing workpiece and method for polishing workpiece
US20110081841A1 (en) Wafer support member, method for manufacturing the same and wafer polishing unit comprising the same
JPH04181730A (ja) ウェハ処理方法
JPH02208931A (ja) 化合物半導体基板の研磨方法
US7156933B2 (en) Configuration and method for mounting a backing film to a polish head
JP3821944B2 (ja) ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置
US6399498B1 (en) Method and apparatus for polishing work
JPH0745565A (ja) 半導体ウェハの研磨装置
JPH10156710A (ja) 薄板の研磨方法および研磨装置
JP4019349B2 (ja) ワックスレスマウント式研磨装置
JPH0319336A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JP3820432B2 (ja) ウエーハ研磨方法
JPH0253558A (ja) 吸着治具
US6638146B2 (en) Retention plate for polishing semiconductor substrate
US20090036030A1 (en) Polishing head and chemical mechanical polishing process using the same
JPH10146755A (ja) 被加工物保持用バックフィルム
JPH10113859A (ja) 半導体ウエハの化学的機械的研磨方法
JPH08192353A (ja) 半導体ウェーハの研磨装置およびその製造方法
JPH02294032A (ja) ウエハー研磨方法及び研磨装置
JPS63123645A (ja) 半導体装置の製造方法