JPH04184302A - カラーフィルターの表面保護膜 - Google Patents
カラーフィルターの表面保護膜Info
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- JPH04184302A JPH04184302A JP2315179A JP31517990A JPH04184302A JP H04184302 A JPH04184302 A JP H04184302A JP 2315179 A JP2315179 A JP 2315179A JP 31517990 A JP31517990 A JP 31517990A JP H04184302 A JPH04184302 A JP H04184302A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は受光素子や表示素子用のカラーフィルターの表
面保護膜に関する。
面保護膜に関する。
[従来の技術]
従来、受光素子や表示素子用のカラーフィルター上の表
面保護膜としては、たとえばアクリル系ポリマー(電子
材料、1988年12月号、53〜60頁)、ポリイミ
ド(特開昭61−254905号公報)、さらには末端
がカゴ型または水酸基型のオルガノシリコーンラダーポ
リマー(特開昭61−3120号公報、特開閉81−3
124号公報)などからなる表面保護膜が知られている
。
面保護膜としては、たとえばアクリル系ポリマー(電子
材料、1988年12月号、53〜60頁)、ポリイミ
ド(特開昭61−254905号公報)、さらには末端
がカゴ型または水酸基型のオルガノシリコーンラダーポ
リマー(特開昭61−3120号公報、特開閉81−3
124号公報)などからなる表面保護膜が知られている
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前記アクリル系ポリマーは光透過性はよ
いが耐熱性に劣り、光透過性が劣化することがある。こ
れは、カラーフィルターの製造において表面保護膜が製
膜されたのち、表示素子では表面保護膜上に透明電極が
250℃以上で形成され、また受光素子では素子の最終
製造工程で樹脂による封止が250℃で行なわれ、さら
に実装するために基板への半田付けか250℃以上の温
度で行なわれるためである。したがって、表面保護膜に
はこのような熱処理に耐え、かつ下地のカラーフィルタ
ーを保護することが求められている。
いが耐熱性に劣り、光透過性が劣化することがある。こ
れは、カラーフィルターの製造において表面保護膜が製
膜されたのち、表示素子では表面保護膜上に透明電極が
250℃以上で形成され、また受光素子では素子の最終
製造工程で樹脂による封止が250℃で行なわれ、さら
に実装するために基板への半田付けか250℃以上の温
度で行なわれるためである。したがって、表面保護膜に
はこのような熱処理に耐え、かつ下地のカラーフィルタ
ーを保護することが求められている。
前記ポリイミドは耐熱性には優れているが、加熱硬化後
に、硬化時に発生する有機成分がウェハー表面に付着し
てその後の工程の妨げとなるため酸素プラズマ処理が必
要であり、工程が繁雑になる。また形成された膜は光透
過性に劣っており、さらにはポリイミドの前駆体ワニス
が極性の溶剤を使用するため耐湿性に劣り、前駆体ワニ
スを冷暗所で保存する必要かあるなとの欠点を有してい
る。
に、硬化時に発生する有機成分がウェハー表面に付着し
てその後の工程の妨げとなるため酸素プラズマ処理が必
要であり、工程が繁雑になる。また形成された膜は光透
過性に劣っており、さらにはポリイミドの前駆体ワニス
が極性の溶剤を使用するため耐湿性に劣り、前駆体ワニ
スを冷暗所で保存する必要かあるなとの欠点を有してい
る。
一方、前記特開昭61−3120号公報、特開昭61−
3124号公報に開示されているオルガノシリコーンラ
ダーポリマーのうち、末端がカゴ型のオルガノシリコー
ンラダーポリマーは下地基板との接着性に劣り、カラー
フィルターから剥離することかある。しかも加熱しても
硬化することがなく、パターン形成後のレジスト剥離工
程などの溶剤を使用するプロセスで溶解したりすること
かあり、耐溶剤性に劣り不適当である。また末端が水酸
基のオルガノシリコーンラダーポリマーは、硬化触媒と
してD B U (1,8−シアサビシクロ−[5,4
,01−7−ウンデセン)を用い150〜350℃で加
熱硬化するが、加熱後硬化触媒の存在により表面保護膜
の光透過性が劣り、カラーフィルターの特性に悪影響を
及ぼす。さらにはこの末端水酸基オルガノシリコーンラ
ダーポリマーの分子量が低く(5XIO’)成膜性に劣
り、成膜後の種々のプロセスを紅過する中で保護膜にク
ラックが発生しやすく、また厚膜が形成できないなどの
欠点を有している。
3124号公報に開示されているオルガノシリコーンラ
ダーポリマーのうち、末端がカゴ型のオルガノシリコー
ンラダーポリマーは下地基板との接着性に劣り、カラー
フィルターから剥離することかある。しかも加熱しても
硬化することがなく、パターン形成後のレジスト剥離工
程などの溶剤を使用するプロセスで溶解したりすること
かあり、耐溶剤性に劣り不適当である。また末端が水酸
基のオルガノシリコーンラダーポリマーは、硬化触媒と
してD B U (1,8−シアサビシクロ−[5,4
,01−7−ウンデセン)を用い150〜350℃で加
熱硬化するが、加熱後硬化触媒の存在により表面保護膜
の光透過性が劣り、カラーフィルターの特性に悪影響を
及ぼす。さらにはこの末端水酸基オルガノシリコーンラ
ダーポリマーの分子量が低く(5XIO’)成膜性に劣
り、成膜後の種々のプロセスを紅過する中で保護膜にク
ラックが発生しやすく、また厚膜が形成できないなどの
欠点を有している。
本発明の目的は、前記の課題を解決した、耐熱性、光透
過性、下地との接着性に優れ、かつ保存安定性と成膜性
に優れたワニスから形成されるカラーフィルターの表面
保護膜を提供することであり、レジストをマスクとして
パターンか形成され、かつ270℃以下の低温で硬化さ
せてえられる耐熱性、光透過性のオルガノシリコーンラ
ダーポリマー膜からなる表面保護膜を提供することであ
る。
過性、下地との接着性に優れ、かつ保存安定性と成膜性
に優れたワニスから形成されるカラーフィルターの表面
保護膜を提供することであり、レジストをマスクとして
パターンか形成され、かつ270℃以下の低温で硬化さ
せてえられる耐熱性、光透過性のオルガノシリコーンラ
ダーポリマー膜からなる表面保護膜を提供することであ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ビニル基、アリル
基などのアルケニル基を少量含有させ、微量の芳香族ジ
アジド化合物を触媒として加えることで、ポリフェニル
シルセスキオキサンの優れた光透過性、耐熱性などの特
性を活かしつつ、低温で硬化するオルガノシリコーンラ
ダー樹脂組成物かえられ、この樹脂組成物を用いるとレ
ジストをマスクとして有機溶剤によりパターン形成がで
きることを見出し、本発明を完成するに至った。
基などのアルケニル基を少量含有させ、微量の芳香族ジ
アジド化合物を触媒として加えることで、ポリフェニル
シルセスキオキサンの優れた光透過性、耐熱性などの特
性を活かしつつ、低温で硬化するオルガノシリコーンラ
ダー樹脂組成物かえられ、この樹脂組成物を用いるとレ
ジストをマスクとして有機溶剤によりパターン形成がで
きることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、受光素子または表示素子のカラー
フィルターの保護膜てあって、低温硬化型オルガノシリ
コーンラダー樹脂組成物をカラーフィルター上に成膜し
、その上にポジ型レジストを塗布し、リソグラフィー工
程をへてパターンを形成したのち、270℃以下の温度
で熱硬化してえられる透明性の樹脂膜からなるカラーフ
ィルターの表面保護膜に関する。
フィルターの保護膜てあって、低温硬化型オルガノシリ
コーンラダー樹脂組成物をカラーフィルター上に成膜し
、その上にポジ型レジストを塗布し、リソグラフィー工
程をへてパターンを形成したのち、270℃以下の温度
で熱硬化してえられる透明性の樹脂膜からなるカラーフ
ィルターの表面保護膜に関する。
[実施例]
本発明のカラーフィルターの表面保護膜は低温硬化型オ
ルガノシリコーンラダー樹脂組成物を用いて形成される
。
ルガノシリコーンラダー樹脂組成物を用いて形成される
。
前記樹脂組成物としては、
(A)一般式(1):
l2
(式中、R,Rはそれぞれフェニル基、メチル基または
アルケニル基゛、ただしn個のR1およびR2の2.5
〜lO%はアルケニル基、nは重量平均分子量が75.
000〜250,000となる整数を示す)で表わされ
る末端に水酸基を有するオルガノシリコーンラダーポリ
マーおよび (B)オルガノシリコーンラダーポリマーに対して0.
25〜2.5重量%の芳香族ジアジド化合物を含有した
組成物が好ましい。
アルケニル基゛、ただしn個のR1およびR2の2.5
〜lO%はアルケニル基、nは重量平均分子量が75.
000〜250,000となる整数を示す)で表わされ
る末端に水酸基を有するオルガノシリコーンラダーポリ
マーおよび (B)オルガノシリコーンラダーポリマーに対して0.
25〜2.5重量%の芳香族ジアジド化合物を含有した
組成物が好ましい。
前記オルガノシリコーンラダーポリマーを表わす一般式
(+)中のRおよびR2のうちのアルケニル基の割合は
2.5〜10%、好ましくは3〜8%であり、該割合が
2,5%未満では硬化性に劣り、加熱硬化には300℃
以上の加熱が必要となり、また1[1%をこえると硬化
温度は15(1℃にまで下がるものの、加熱硬化後のオ
ルガノシリコーンラダーポリマー膜の耐熱性が低下する
。該アルケニル基としては、側鎖が短い方が加熱硬化後
の耐熱性がよいという点からビニル基やアルケニル基が
好ましい。
(+)中のRおよびR2のうちのアルケニル基の割合は
2.5〜10%、好ましくは3〜8%であり、該割合が
2,5%未満では硬化性に劣り、加熱硬化には300℃
以上の加熱が必要となり、また1[1%をこえると硬化
温度は15(1℃にまで下がるものの、加熱硬化後のオ
ルガノシリコーンラダーポリマー膜の耐熱性が低下する
。該アルケニル基としては、側鎖が短い方が加熱硬化後
の耐熱性がよいという点からビニル基やアルケニル基が
好ましい。
一般式(1)中のnは重量平均分子量が75.000〜
250.000 、好ましくは100,000〜200
,000となる整数である。これは、1〜10μmの膜
厚のものの成膜性をつるためには重量平均分子量が75
.(11)[)以上であるのが好ましく、また所望のパ
ターンを形成するためにウェットエツチングをするとき
、分子量があまり大きいとエツチング時間か長くなり、
またパターンの精度がわるくなるので重量平均分子量が
250,000以下であることが好ましいためである。
250.000 、好ましくは100,000〜200
,000となる整数である。これは、1〜10μmの膜
厚のものの成膜性をつるためには重量平均分子量が75
.(11)[)以上であるのが好ましく、また所望のパ
ターンを形成するためにウェットエツチングをするとき
、分子量があまり大きいとエツチング時間か長くなり、
またパターンの精度がわるくなるので重量平均分子量が
250,000以下であることが好ましいためである。
また、本発明に用いるオルガノシリコーンラダーポリマ
ーは、下地基板との接着性を向上させるため、末端に水
酸基を有する。
ーは、下地基板との接着性を向上させるため、末端に水
酸基を有する。
前記オルガノシリコーンラダーポリマーの具体例として
は、たとえばポリフェニルビニルシルセスキオキサン、
ポリアリルフェニルシルセスキオキサン、ポリメチルビ
ニルシルセスキオキサン、ポリアリルメチルシルセスキ
オキサン、ポリエチルビニルシルセスキオキサン、ポリ
アリルエチルシルセスキオキサンなどがあげられる。
は、たとえばポリフェニルビニルシルセスキオキサン、
ポリアリルフェニルシルセスキオキサン、ポリメチルビ
ニルシルセスキオキサン、ポリアリルメチルシルセスキ
オキサン、ポリエチルビニルシルセスキオキサン、ポリ
アリルエチルシルセスキオキサンなどがあげられる。
前記オルガノシリコーンラダーポリマーは、トリクロル
シラン化合物を有機溶媒に溶解し、加水分解を行ない、
プレポリマーを含成し、ついでそれを含む有機層に重合
触媒を加えて加熱することにより高分子量のポリマーと
してうろことができる。
シラン化合物を有機溶媒に溶解し、加水分解を行ない、
プレポリマーを含成し、ついでそれを含む有機層に重合
触媒を加えて加熱することにより高分子量のポリマーと
してうろことができる。
前記樹脂組成物に配合される硬化触媒としては紫外線の
吸収がカラーフィルターの特性領域にないことが必要で
あるため、芳香族ジアジド化合物が用いられる。さらに
芳香族ジアジド化合物のなかでも、たとえば3.3−ジ
アジドジフェニルスルホン、4.4’−ジアジドジフェ
ニルスルホンなどが好ましい。2.6−ジ(4°−アジ
ドベンザル)シクロヘキサノンなどの芳香族アジド化合
物も同じように熱硬化触媒として作用するが、フィルタ
ーの特性領域に吸収があり、かつ加熱硬化後の分解残存
生成物の吸収が長波長側ヘシフトしてカラーフィルター
の光学特性が損なわれるので好ましくない。
吸収がカラーフィルターの特性領域にないことが必要で
あるため、芳香族ジアジド化合物が用いられる。さらに
芳香族ジアジド化合物のなかでも、たとえば3.3−ジ
アジドジフェニルスルホン、4.4’−ジアジドジフェ
ニルスルホンなどが好ましい。2.6−ジ(4°−アジ
ドベンザル)シクロヘキサノンなどの芳香族アジド化合
物も同じように熱硬化触媒として作用するが、フィルタ
ーの特性領域に吸収があり、かつ加熱硬化後の分解残存
生成物の吸収が長波長側ヘシフトしてカラーフィルター
の光学特性が損なわれるので好ましくない。
芳香族ジアジド化合物の配合割合は、前記オルガノシリ
コーンラダーポリマーに対して0.25〜2.5重量%
、好ましくは0.3〜2重量%である。
コーンラダーポリマーに対して0.25〜2.5重量%
、好ましくは0.3〜2重量%である。
該割合が0.25重量%未満では触媒効果が乏しく、2
70℃をこえる温度での加熱が必要であり、2,5重量
%をこえるとカラーフィルターの分光特性に悪影響を及
ぼす傾向がある。
70℃をこえる温度での加熱が必要であり、2,5重量
%をこえるとカラーフィルターの分光特性に悪影響を及
ぼす傾向がある。
前記樹脂組成物にはさらにアニソール、キシレン、ベン
ゼンなどの芳香族系炭化水素、メチルイソブチルケトン
、アセトンなどのケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、
イソプロピルエーテルなどのエーテル系溶剤、さらには
エチルセルソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N、
N’−ジメチルアセトアミドなどの溶剤が配合されてい
てもよい。
ゼンなどの芳香族系炭化水素、メチルイソブチルケトン
、アセトンなどのケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、
イソプロピルエーテルなどのエーテル系溶剤、さらには
エチルセルソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N、
N’−ジメチルアセトアミドなどの溶剤が配合されてい
てもよい。
本発明の表面保護膜は、前記樹脂組成物がカラーフィル
ター上に成膜され、その上にポジ型レジストが塗布され
、リソグラフィー工程をへて所望のパターンにされたの
ち、270℃以下の温度て熱硬化してえられる透明性の
樹脂膜である。
ター上に成膜され、その上にポジ型レジストが塗布され
、リソグラフィー工程をへて所望のパターンにされたの
ち、270℃以下の温度て熱硬化してえられる透明性の
樹脂膜である。
前記樹脂組成物の膜の形成方法としては、樹脂組成物を
回転塗布法などにより塗布したのち、溶媒の沸点に近い
温度で、溶媒が蒸発するまで、約30分間乾燥するなど
の方法があげられる。えられる膜の厚さは1〜10μm
であるのが好ましい。
回転塗布法などにより塗布したのち、溶媒の沸点に近い
温度で、溶媒が蒸発するまで、約30分間乾燥するなど
の方法があげられる。えられる膜の厚さは1〜10μm
であるのが好ましい。
ポジ型レジストの塗布は樹脂組成物の膜が未硬化の状態
で行なわれる。レジスト膜の厚さは、通常2〜4.5μ
m程度である。なお、表面保護膜の膜厚が厚いばあいは
、それに伴なってレジストの膜厚を厚くすると、表面保
護膜のウェットエツチング時にレジストの損傷がなく精
度の高いパターンを表面保護膜に形成することができる
。
で行なわれる。レジスト膜の厚さは、通常2〜4.5μ
m程度である。なお、表面保護膜の膜厚が厚いばあいは
、それに伴なってレジストの膜厚を厚くすると、表面保
護膜のウェットエツチング時にレジストの損傷がなく精
度の高いパターンを表面保護膜に形成することができる
。
前記リソグラフィー工程は、たとえばマスクなどによる
露光現像により所望のレジストパターンを形成し、この
レジストをマスクとしてメトキシベンゼンおよびキシレ
ンなどからなる有機混合溶剤を用いてエツチングし、所
望のパターンを形成する工程である。
露光現像により所望のレジストパターンを形成し、この
レジストをマスクとしてメトキシベンゼンおよびキシレ
ンなどからなる有機混合溶剤を用いてエツチングし、所
望のパターンを形成する工程である。
ついで熱硬化が270℃以下で行なわれる。加熱温度が
270℃をこえるとカラーフィルターの特性が失われる
。加熱時間は45分以下が好ましい。
270℃をこえるとカラーフィルターの特性が失われる
。加熱時間は45分以下が好ましい。
こうして、カラーフィルターの特性を失わずに、厚さ1
〜10μm程度で透明性の表面保護膜を形成することが
できる。なお、本明細書にいう透明性とは、300n−
での透過率が90%以上であることをいう。
〜10μm程度で透明性の表面保護膜を形成することが
できる。なお、本明細書にいう透明性とは、300n−
での透過率が90%以上であることをいう。
以上のようにしてえられる本発明の表面保護膜は、下地
との接着性、耐熱性、光透過性、耐溶剤性に優れている
。
との接着性、耐熱性、光透過性、耐溶剤性に優れている
。
以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
末端が水酸基で側鎖の3%がビニル基である重量平均分
子量150,000のポリフェニルシルセスキオキサン
に、3,3°−ジアジドフェニルスルホンをポリマーに
対して1.8重量%加え、メトキシベンゼンを加えて樹
脂組成物溶液を調製した(ポリマー濃度15重量%)。
子量150,000のポリフェニルシルセスキオキサン
に、3,3°−ジアジドフェニルスルホンをポリマーに
対して1.8重量%加え、メトキシベンゼンを加えて樹
脂組成物溶液を調製した(ポリマー濃度15重量%)。
この樹脂組成物溶液をカラーフィルター上に4μm塗布
し、80℃で30分間乾燥したあと150℃で30分間
乾燥し、その上にポジ型レジストを塗布して膜厚3μm
のレジスト膜を形成し、露光現像により所望のパターン
を形成し、これをマスクとしてメトキシベンゼン/キシ
レンが1/3(容量比)の混合溶液で透明樹脂相をエツ
チングして所望のパターンを形成し、通常のレジスト剥
離剤でレジストを取り除き、260℃で30分間の加熱
で硬化させた。
し、80℃で30分間乾燥したあと150℃で30分間
乾燥し、その上にポジ型レジストを塗布して膜厚3μm
のレジスト膜を形成し、露光現像により所望のパターン
を形成し、これをマスクとしてメトキシベンゼン/キシ
レンが1/3(容量比)の混合溶液で透明樹脂相をエツ
チングして所望のパターンを形成し、通常のレジスト剥
離剤でレジストを取り除き、260℃で30分間の加熱
で硬化させた。
えられた表面保護膜は厚さ4μmで耐熱性、透明性で下
地との密着性に優れていた。また、カラーフィルターに
はクラックの発生もなかった。
地との密着性に優れていた。また、カラーフィルターに
はクラックの発生もなかった。
この表面保護膜上に透明電極を形成して、エツチング液
として酸を用いる所定のパターン形成プロセスを経ても
、透明電極の剥離や表面保護膜にクラックの発生もなく
問題はなかった。また前記樹脂組成物溶液は40℃で1
000時間保存しても粘度変化もなく、しかもこれを用
いても初期と同じように優れたカラーフィルターの表面
保護膜を形成することができた。
として酸を用いる所定のパターン形成プロセスを経ても
、透明電極の剥離や表面保護膜にクラックの発生もなく
問題はなかった。また前記樹脂組成物溶液は40℃で1
000時間保存しても粘度変化もなく、しかもこれを用
いても初期と同じように優れたカラーフィルターの表面
保護膜を形成することができた。
実施例2〜7
表1に示すポリフェニルシルセスキオキサン、硬化触媒
を用いたほかは、実施例1と同様にして樹脂組成物溶液
の調製、パターン形成、加熱硬化、透明電極形成を行な
ったが表1に示すように問題はなかった。また、樹脂組
成物溶液を40’Cで1000時間保存後のものを用い
たばあいも、初期と同じように問題なく製膜できた。
を用いたほかは、実施例1と同様にして樹脂組成物溶液
の調製、パターン形成、加熱硬化、透明電極形成を行な
ったが表1に示すように問題はなかった。また、樹脂組
成物溶液を40’Cで1000時間保存後のものを用い
たばあいも、初期と同じように問題なく製膜できた。
比較例1
ポリフェニルシルセスキオキサンとして末端がカゴ型で
重量平均分子量100,000のものをベンゼン溶液に
して、カラーフィルター上に成膜し、その上にレジスト
を製膜し、レジストおよび保護膜に所望のパターンを形
成したのち、レジストを剥離するために剥離剤に浸漬し
たところ、末端がカゴ型であるためカラーフィルターと
の接着性がわるく保護膜の一部がはがれた。
重量平均分子量100,000のものをベンゼン溶液に
して、カラーフィルター上に成膜し、その上にレジスト
を製膜し、レジストおよび保護膜に所望のパターンを形
成したのち、レジストを剥離するために剥離剤に浸漬し
たところ、末端がカゴ型であるためカラーフィルターと
の接着性がわるく保護膜の一部がはがれた。
比較例2〜5
第1表に示すポリフェニルシルセスキオキサン、硬化触
媒を用い、実施例1と同様のプロセスにより樹脂組成物
溶液の調製、パターン形成、加熱硬化、透明電極の形成
を行なった。
媒を用い、実施例1と同様のプロセスにより樹脂組成物
溶液の調製、パターン形成、加熱硬化、透明電極の形成
を行なった。
比較例2では触媒を含まないため加熱硬化に350℃ノ
加熱が必要であり、この工程後力5−7イルターは退色
し劣化した。
加熱が必要であり、この工程後力5−7イルターは退色
し劣化した。
比較例3では、保護膜の硬化は200℃でできるがビニ
ル基の含有量が多いため耐熱性が低下し、透明電極形成
後表面保護膜が劣化した。
ル基の含有量が多いため耐熱性が低下し、透明電極形成
後表面保護膜が劣化した。
比較例4ではアリル基含有量を10%にして、触媒量を
02重量%と低くしたところ、触媒硬化がなく、加熱硬
化に300℃を要し、カラーフィルターが退色した。
02重量%と低くしたところ、触媒硬化がなく、加熱硬
化に300℃を要し、カラーフィルターが退色した。
比較例5ではアリル基含有量を2%と低くしたところ、
触媒を3重量%と多くしても280℃の加熱が必要であ
り、カラーフィルターは退色劣化し[発明の効果] 本発明の表面保護膜は、受光素子または表示素子のカラ
ーフィルター上にレジストをマスクとしてパターン形成
を行ない、270℃以下の低温で熱硬化してえられたも
のであり、下地カラーフィルターの特性を損なわずに形
成される光透過性に優れた表面保護膜であり、優れた色
受光特性、色表示特性を有する素子を製造しうる。この
ような表面保護膜は、少量のアルケニル基を側鎖に含む
末端に水酸基を有するポリアルキルシルセスキオキサン
と微量の芳香族ジアジド化合物と有機溶剤とからなる樹
脂組成物を用いることによりうろことができる。
触媒を3重量%と多くしても280℃の加熱が必要であ
り、カラーフィルターは退色劣化し[発明の効果] 本発明の表面保護膜は、受光素子または表示素子のカラ
ーフィルター上にレジストをマスクとしてパターン形成
を行ない、270℃以下の低温で熱硬化してえられたも
のであり、下地カラーフィルターの特性を損なわずに形
成される光透過性に優れた表面保護膜であり、優れた色
受光特性、色表示特性を有する素子を製造しうる。この
ような表面保護膜は、少量のアルケニル基を側鎖に含む
末端に水酸基を有するポリアルキルシルセスキオキサン
と微量の芳香族ジアジド化合物と有機溶剤とからなる樹
脂組成物を用いることによりうろことができる。
代 理 人 大 岩 増 雄手続補
正書(自発) 平成4年2月、≠日
正書(自発) 平成4年2月、≠日
Claims (2)
- (1)受光素子または表示素子のカラーフィルターの保
護膜であって、低温硬化型オルガノシリコーンラダー樹
脂組成物をカラーフィルター上に成膜し、その上にポジ
型レジストを塗布し、リソグラフィー工程をへてパター
ンを形成したのち、270℃以下の温度で熱硬化してえ
られる透明性の樹脂膜からなるカラーフィルターの表面
保護膜。 - (2)低温硬化型オルガノシリコーンラダー樹脂組成物
が、 (A)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼:( I ) (式中、R^1、R^2はそれぞれフェニル基、メチル
基またはアルケニル基、ただしn個のR^1およびR^
2の2.5〜10%はアルケニル基、nは重量平均分子
量が75,000〜250,000となる整数を示す)
で表わされる末端に水酸基を有するオルガノシリコーン
ラダーポリマーおよび (B)オルガノシリコーンラダーポリマーに対して0.
25〜2.5重量%の芳香族ジアジド化合物を含有した
樹脂組成物である請求項1記載の表面保護膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517990A JP2752786B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | カラーフィルターの表面保護膜 |
| KR1019910015171A KR940008666B1 (ko) | 1990-11-19 | 1991-08-31 | 색 필터(color filter)의 표면 보호막 |
| CH3356/91A CH684481A5 (de) | 1990-11-19 | 1991-11-18 | Lösung, insbesondere für einen Oberflächenschutzfilm für Farbfilter. |
| DE4138180A DE4138180A1 (de) | 1990-11-19 | 1991-11-18 | Oberflaechenschutz von farbfiltern |
| US07/794,060 US5415968A (en) | 1990-11-19 | 1991-11-19 | Surface protective film of color filter |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517990A JP2752786B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | カラーフィルターの表面保護膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184302A true JPH04184302A (ja) | 1992-07-01 |
| JP2752786B2 JP2752786B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18062374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2752786B2 (ja) |
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| CH (1) | CH684481A5 (ja) |
| DE (1) | DE4138180A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014214028A1 (de) | 2013-09-24 | 2015-03-26 | J-Fiber Gmbh | Faser zur Bildübertragung und Vorform für eine derartige Faser und Verfahren zu deren Herstellung |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS62190871A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置の製造方法 |
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| US4507384A (en) * | 1983-04-18 | 1985-03-26 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Pattern forming material and method for forming pattern therewith |
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| DE3574418D1 (en) * | 1984-05-30 | 1989-12-28 | Fujitsu Ltd | Pattern-forming material and its production and use |
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| JPS61144639A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 |
| JPH0690325B2 (ja) * | 1985-05-08 | 1994-11-14 | 東レ株式会社 | カラ−フイルタ |
| US4822716A (en) * | 1985-12-27 | 1989-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds |
| EP0232167B1 (en) * | 1986-02-07 | 1988-12-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane |
| FR2597110A1 (fr) * | 1986-04-14 | 1987-10-16 | Rhone Poulenc Multi Tech | Composition organopolysiloxane, potentiellement reticulable et utilisable notamment en microlithographie, et son procede d'application |
| JP2542075B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1996-10-09 | 三菱電機株式会社 | シリコ―ンラダ―系樹脂にパタ―ンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液 |
| US5059512A (en) * | 1989-10-10 | 1991-10-22 | International Business Machines Corporation | Ultraviolet light sensitive photoinitiator compositions, use thereof and radiation sensitive compositions |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31517990A patent/JP2752786B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-31 KR KR1019910015171A patent/KR940008666B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-18 DE DE4138180A patent/DE4138180A1/de not_active Withdrawn
- 1991-11-18 CH CH3356/91A patent/CH684481A5/de not_active IP Right Cessation
- 1991-11-19 US US07/794,060 patent/US5415968A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613120A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | カラ−液晶表示用装置 |
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| DE102014214028A1 (de) | 2013-09-24 | 2015-03-26 | J-Fiber Gmbh | Faser zur Bildübertragung und Vorform für eine derartige Faser und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102014214028B4 (de) | 2013-09-24 | 2022-08-11 | J-Fiber Gmbh | Faser zur Bildübertragung und Vorform für eine derartige Faser und Verfahren zu deren Herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920010344A (ko) | 1992-06-26 |
| KR940008666B1 (ko) | 1994-09-24 |
| CH684481A5 (de) | 1994-09-30 |
| JP2752786B2 (ja) | 1998-05-18 |
| DE4138180A1 (de) | 1992-05-21 |
| US5415968A (en) | 1995-05-16 |
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