JPH04186679A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH04186679A JPH04186679A JP2311931A JP31193190A JPH04186679A JP H04186679 A JPH04186679 A JP H04186679A JP 2311931 A JP2311931 A JP 2311931A JP 31193190 A JP31193190 A JP 31193190A JP H04186679 A JPH04186679 A JP H04186679A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- emitting diode
- active layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオードに関し、特に、波長の異なる複
数種類の光を同時に発光する発光ダイオードに関するも
のである。
数種類の光を同時に発光する発光ダイオードに関するも
のである。
従来の技術
基板上に気相成長法や液相成長法などのエピタキシャル
成長法により種々の層を積層してｐｎ接合を形成するこ
と等により発光ダイオードを作製することか行われてい
る。かかる発光ダイオードにおいて、ｐｎ接合をたとえ
ば２つ設けて波長の異なる２種類の光を発光できるよう
に構成することが考えられている。たとえば工業調査会
出版「化合物半導体デバイスＩＩｊ（１９８−５年１月
ｌＯ日発行）の第１１７頁に記載されたものかそれてあ
り、かかる発光ダイオードによれば、波長の異なる２種
類の光を同時に発光することもできる。
成長法により種々の層を積層してｐｎ接合を形成するこ
と等により発光ダイオードを作製することか行われてい
る。かかる発光ダイオードにおいて、ｐｎ接合をたとえ
ば２つ設けて波長の異なる２種類の光を発光できるよう
に構成することが考えられている。たとえば工業調査会
出版「化合物半導体デバイスＩＩｊ（１９８−５年１月
ｌＯ日発行）の第１１７頁に記載されたものかそれてあ
り、かかる発光ダイオードによれば、波長の異なる２種
類の光を同時に発光することもできる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のように複数のｐｎ接合を備えて波
長の異なる複数種類の光を同時に発光する発光ダイオー
ドを作製するに際しては、発光用の正負画電極のうち少
なくとも一方はｐｎ接合の数に応じて複数設けねばなら
ないため、ｐｎ接合を複数設けることと相俟って加工プ
ロセスか複雑となってコストか高くなる欠点かあった。
長の異なる複数種類の光を同時に発光する発光ダイオー
ドを作製するに際しては、発光用の正負画電極のうち少
なくとも一方はｐｎ接合の数に応じて複数設けねばなら
ないため、ｐｎ接合を複数設けることと相俟って加工プ
ロセスか複雑となってコストか高くなる欠点かあった。
本発明は以上の事情を背景として為されたものであって
、その目的とするところは、加工プロセスを複雑化する
ことなく、波長の異なる複数種類の光を同時に発光する
ことかできる発光ダイオードを提供することにある。
、その目的とするところは、加工プロセスを複雑化する
ことなく、波長の異なる複数種類の光を同時に発光する
ことかできる発光ダイオードを提供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明の要旨とするところは
、基板上に積層されて波長の異なる複数種類の光を同時
に発光する発光ダイオードであって、（ａ）通電される
ことにより第１の光を発生する活性層と、（ｂ）その活
性層から発生した第１の光に基づいてその第１の光より
長い波長を有する第２の光を発生するホトルミネセンス
層とを含むことにある。
、基板上に積層されて波長の異なる複数種類の光を同時
に発光する発光ダイオードであって、（ａ）通電される
ことにより第１の光を発生する活性層と、（ｂ）その活
性層から発生した第１の光に基づいてその第１の光より
長い波長を有する第２の光を発生するホトルミネセンス
層とを含むことにある。
作用および発明の効果
かかる構成の発光ダイオードにおいては、通電により活
性層から第１の光が発生すると、その第１の光に基づい
てホトルミネセンス層から第１の光より長い波長を有す
る第２の光が発生し、これにより、波長の異なる複数種
類の光を同時に発光することができる。この場合におい
て、波長の異なる複数種類の光を同時に発光するために
複数種類の活性層を設けたり電極の数を増大させたりす
る必要がないため、上記の発光ダイオードを作製する際
の加工プロセスが簡単となってその発光ダイオードを比
較的安価に提供し得る。
性層から第１の光が発生すると、その第１の光に基づい
てホトルミネセンス層から第１の光より長い波長を有す
る第２の光が発生し、これにより、波長の異なる複数種
類の光を同時に発光することができる。この場合におい
て、波長の異なる複数種類の光を同時に発光するために
複数種類の活性層を設けたり電極の数を増大させたりす
る必要がないため、上記の発光ダイオードを作製する際
の加工プロセスが簡単となってその発光ダイオードを比
較的安価に提供し得る。
実施例
第１図は本発明の一実施例である発光ダイオード１０の
斜視図であり、第２図はその積層構成を説明するための
図である。それらの図において、発光ダイオード１０は
、ダブルへテロ構造の面発光型発光ダイオードであり、
ｐ−ＧａＡｓ単結晶から成る基板１２上には、反射・ホ
トルミネセンス層Ｉ４、ｐＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ １
ｏ４ｓＡ Ｓから成るクラッド層１６、ｐ Ｇａｏ、ａ
７Ａ１゜１３Ａｓから成り、７８０ｎｍの波長の光を発
生する活性層１８、ｎ Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ １
ｏ、 ４６Ａ Ｆｙから成るクラッド層２０、およびｎ
−ＧａＡｓから成るコンタクト層２２が、たとえば有機
金属化学気相成長法によって単結晶の状態で順次気相成
長させられることにより積層されている。上記基板１２
は３５０μｍ、クラッド層１６．２０は２μｍ１活性層
１８およびコンタクト層２２は０．１μｍの膜厚てそれ
ぞれ設けられており、平面形状か３５０μｍＸ３５０μ
ｍの正方形に加工されている。そして、基板１２の底面
にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミック電極
２４か設けられているとともに、コンタクト層２２の上
面にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミック電
極２６か設けられており、そのコンタクト層２２の上面
のオーミック電極２６が設けられていない部分が光取出
面２８とされている。
斜視図であり、第２図はその積層構成を説明するための
図である。それらの図において、発光ダイオード１０は
、ダブルへテロ構造の面発光型発光ダイオードであり、
ｐ−ＧａＡｓ単結晶から成る基板１２上には、反射・ホ
トルミネセンス層Ｉ４、ｐＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ １
ｏ４ｓＡ Ｓから成るクラッド層１６、ｐ Ｇａｏ、ａ
７Ａ１゜１３Ａｓから成り、７８０ｎｍの波長の光を発
生する活性層１８、ｎ Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ １
ｏ、 ４６Ａ Ｆｙから成るクラッド層２０、およびｎ
−ＧａＡｓから成るコンタクト層２２が、たとえば有機
金属化学気相成長法によって単結晶の状態で順次気相成
長させられることにより積層されている。上記基板１２
は３５０μｍ、クラッド層１６．２０は２μｍ１活性層
１８およびコンタクト層２２は０．１μｍの膜厚てそれ
ぞれ設けられており、平面形状か３５０μｍＸ３５０μ
ｍの正方形に加工されている。そして、基板１２の底面
にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミック電極
２４か設けられているとともに、コンタクト層２２の上
面にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成るｎ型オーミック電
極２６か設けられており、そのコンタクト層２２の上面
のオーミック電極２６が設けられていない部分が光取出
面２８とされている。
上記反射・ホトルミネセンス層１４は、６５ｎｍの厚み
のｐ−ＡｌＡｓ層３０と５４ｎｍの厚みのｐ−ＧａＡＳ
層３２とが交互に２０対積層されることにより所謂超格
子に構成されており、活性層１８からの入力光の一部を
光波干渉作用により反射するとともに、活性層１８から
の入力光の一部を吸収して活性層１８の発光波長である
７８０ｎｍより長い８７０ ｎｍの波長の光を発生する
。
のｐ−ＡｌＡｓ層３０と５４ｎｍの厚みのｐ−ＧａＡＳ
層３２とが交互に２０対積層されることにより所謂超格
子に構成されており、活性層１８からの入力光の一部を
光波干渉作用により反射するとともに、活性層１８から
の入力光の一部を吸収して活性層１８の発光波長である
７８０ｎｍより長い８７０ ｎｍの波長の光を発生する
。
反射・ホトルミネセンス層１４は、活性層１８から発生
する光のエネルギーすなわち活性層１８の電子のエネル
ギーギャップより小さいエネルギーギャップを有してい
るのである。本実施例においては、反射・ホトルミネセ
ンス層１４がホトルミネセンス層を構成するとともに、
活性層１８から発生する光が第１の光に、反射・ホトル
ミネセンス層１４から発生する光か第２の光にそれぞれ
相当する。なお、第１図および第２図において、反射・
ホトルミネセンス層１４、クラッド層１６゜２０、活性
層１８、およびコンタクト層２２はそれらの膜厚の相互
関係を殆と無視して描かれている。
する光のエネルギーすなわち活性層１８の電子のエネル
ギーギャップより小さいエネルギーギャップを有してい
るのである。本実施例においては、反射・ホトルミネセ
ンス層１４がホトルミネセンス層を構成するとともに、
活性層１８から発生する光が第１の光に、反射・ホトル
ミネセンス層１４から発生する光か第２の光にそれぞれ
相当する。なお、第１図および第２図において、反射・
ホトルミネセンス層１４、クラッド層１６゜２０、活性
層１８、およびコンタクト層２２はそれらの膜厚の相互
関係を殆と無視して描かれている。
以上のように構成された発光ダイオード１０においては
、オーミック電極２４．２６間に順方向の駆動電流が流
されることにより、活性層１８から７８０ｎｍの波長の
光か発生させられる。たとえば第２図において実線およ
び破線の矢印で示すように、活性層１８から光取出面２
８側へ向かう光はそのまま光取出面２８から放射される
一方、活性層１８から基板１２側へ向かう光の一部は反
射・ホトルミネセンス層１４により反射されて活性層１
８等を通して光取出面２８から放射され、さらに、活性
層１８から基板１２側へ向かう光の一部は反射・ホトル
ミネセンス層１４内において吸収されることにより、そ
の反射・ホトルミネセンス層１４から８７０ｎｍの光が
発生して活性層１８等を通して光取出面２８から放射さ
れる。これにより、光取出面２８からは波長の異なる２
種類の光か同時に発光させられることとなる。第３図に
上記発光ダイオード１０の発光スペクトルを示す。かか
る発光ダイオード１０は光多重通信や光センサ用光源な
どに利用される。
、オーミック電極２４．２６間に順方向の駆動電流が流
されることにより、活性層１８から７８０ｎｍの波長の
光か発生させられる。たとえば第２図において実線およ
び破線の矢印で示すように、活性層１８から光取出面２
８側へ向かう光はそのまま光取出面２８から放射される
一方、活性層１８から基板１２側へ向かう光の一部は反
射・ホトルミネセンス層１４により反射されて活性層１
８等を通して光取出面２８から放射され、さらに、活性
層１８から基板１２側へ向かう光の一部は反射・ホトル
ミネセンス層１４内において吸収されることにより、そ
の反射・ホトルミネセンス層１４から８７０ｎｍの光が
発生して活性層１８等を通して光取出面２８から放射さ
れる。これにより、光取出面２８からは波長の異なる２
種類の光か同時に発光させられることとなる。第３図に
上記発光ダイオード１０の発光スペクトルを示す。かか
る発光ダイオード１０は光多重通信や光センサ用光源な
どに利用される。
このように本実施例によれば、一対のオーミック電極２
４．２６間に駆動電流を流すだけで、活性層１８からは
７８０ｎｍの波長の光か、反射・ホトルミネセンス層１
４からは８７０ｎｍの波長の光がそれぞれ発生し、それ
ら波長の異なる２種類の光を同時に発光することができ
るため、従来のように波長の異なる２種類の光を同時に
発光するために２種類の活性層を設けたり電極の数を増
大させたりする必要がなく、発光ダイオード１゜を作製
する際の加工プロセスが簡単となって発光ダイオード１
０を比較的安価に提供することかできるのである。
４．２６間に駆動電流を流すだけで、活性層１８からは
７８０ｎｍの波長の光か、反射・ホトルミネセンス層１
４からは８７０ｎｍの波長の光がそれぞれ発生し、それ
ら波長の異なる２種類の光を同時に発光することができ
るため、従来のように波長の異なる２種類の光を同時に
発光するために２種類の活性層を設けたり電極の数を増
大させたりする必要がなく、発光ダイオード１゜を作製
する際の加工プロセスが簡単となって発光ダイオード１
０を比較的安価に提供することかできるのである。
また、本実施例によれば、活性層１８の光取出面２８側
とは反対側に反射・ホトルミネセンス層１４か設けられ
ているため□、活性層１８から発生して光取出面２８側
と反対側へ向かう光か無駄なく利用されて、活性層１８
からの７８０ｎｍの波長の光の出力か高められ且つ反射
・ホトルミネセンス層１４から８７０ｎｍの波長の光か
出力されるので、電力消費を好適に節減てきる利点があ
る。
とは反対側に反射・ホトルミネセンス層１４か設けられ
ているため□、活性層１８から発生して光取出面２８側
と反対側へ向かう光か無駄なく利用されて、活性層１８
からの７８０ｎｍの波長の光の出力か高められ且つ反射
・ホトルミネセンス層１４から８７０ｎｍの波長の光か
出力されるので、電力消費を好適に節減てきる利点があ
る。
また、本実施例によれば、反射・ホトルミネセンス層１
４はＡ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ超格子層にて
構成されているため、ｐ−ＧａＡｓ基板】２やｐ−Ｇ
ａ ０． ｓｓＡ １ ｏ、 ａ５Ａ Ｓクラッド層１
６との間て格子不整合を生ずることかなく、良質の発光
ダイオード１０が得られる。
４はＡ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ超格子層にて
構成されているため、ｐ−ＧａＡｓ基板】２やｐ−Ｇ
ａ ０． ｓｓＡ １ ｏ、 ａ５Ａ Ｓクラッド層１
６との間て格子不整合を生ずることかなく、良質の発光
ダイオード１０が得られる。
以上、本発明の一実施例を図面に基づいて説明したが、
本発明は他の態様で実施することもてきる。
本発明は他の態様で実施することもてきる。
たとえば、前記実施例において、基板１２と反射・ホト
ルミネセンス層１４との間に、反射・ホトルミネセンス
層１４から発光して基板１２側へ向かう光を光取出面２
８側へ反射する反射層を設けてもよい。
ルミネセンス層１４との間に、反射・ホトルミネセンス
層１４から発光して基板１２側へ向かう光を光取出面２
８側へ反射する反射層を設けてもよい。
また、前記実施例では、活性層１８の光取出面２８側と
は反対側に反射・ホトルミネセンス層１４が設けられて
いるか、反射機能を有しないホトルミネセンス層を反射
・ホトルミネセンス層１４に替えて、若しくは活性層１
８と光取出面２８との間に設けてもよいし、あるいは、
反射・ホトルミネセンス層１４を設けることなく基板１
２やコンタクト層２２をホトルミネセンス層として構成
することもできる。
は反対側に反射・ホトルミネセンス層１４が設けられて
いるか、反射機能を有しないホトルミネセンス層を反射
・ホトルミネセンス層１４に替えて、若しくは活性層１
８と光取出面２８との間に設けてもよいし、あるいは、
反射・ホトルミネセンス層１４を設けることなく基板１
２やコンタクト層２２をホトルミネセンス層として構成
することもできる。
また、前記実施例では、７８０ ｎｍおよび８７０ｎｍ
の波長の２種類の光を同時に発光するように構成されて
いるが、活性層およびホトルミネセンス層の材料を適宜
選択することによりそれ以外の波長の光を発光するよう
に構成することもできるし、ホトルミネセンス層を２種
類以上設けて波長の異なる３種類以上の光を同時に発光
するように構成することもできる。ホトルミネセンス層
を２種類以上設ける場合においては、全てのホトルミネ
センス層か活性層からの光を吸収することによって発光
するように構成してもよいし、あるいは、活性層からの
光を吸収して発光したホトルミネセンス層からの光によ
って他のホトルミネセンス層が発光するように構成する
こともてきる。要するに、ホトルミネセンス層は活性層
から発生した光に基ついて発光させられればよいのであ
る。
の波長の２種類の光を同時に発光するように構成されて
いるが、活性層およびホトルミネセンス層の材料を適宜
選択することによりそれ以外の波長の光を発光するよう
に構成することもできるし、ホトルミネセンス層を２種
類以上設けて波長の異なる３種類以上の光を同時に発光
するように構成することもできる。ホトルミネセンス層
を２種類以上設ける場合においては、全てのホトルミネ
センス層か活性層からの光を吸収することによって発光
するように構成してもよいし、あるいは、活性層からの
光を吸収して発光したホトルミネセンス層からの光によ
って他のホトルミネセンス層が発光するように構成する
こともてきる。要するに、ホトルミネセンス層は活性層
から発生した光に基ついて発光させられればよいのであ
る。
また、前記実施例の発光ダイオードｌＯはＧａＡｌＡｓ
ダブルへテロ構造を成す面発光型発光ダイオードである
が、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ。
ダブルへテロ構造を成す面発光型発光ダイオードである
が、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ。
ＩｎＧａＡｓＰなどの他の化合物半導体から成るダブル
へテロ構造や単一へテロ構造の面発光型発光ダイオード
、あるいはホモ構造の面発光型発光ダイオード、さらに
は端面発光型発光ダイオードにも本発明は同様に適用さ
れ得る。
へテロ構造や単一へテロ構造の面発光型発光ダイオード
、あるいはホモ構造の面発光型発光ダイオード、さらに
は端面発光型発光ダイオードにも本発明は同様に適用さ
れ得る。
その他−々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
第１図は本発明の一実施例である発光ダイオードの斜視
図である。第２図は第１図の発光ダイオードの積層構造
を説明するための図であって、−部を断面にして示す図
である。第３図は第１図の発光ダイオードの発光スペク
トルを示す図である。 １０：発光ダイオード １２；基板 １４：反射・ホトルミネセンス層（ホトルミネセンス層
） １８：活性層
図である。第２図は第１図の発光ダイオードの積層構造
を説明するための図であって、−部を断面にして示す図
である。第３図は第１図の発光ダイオードの発光スペク
トルを示す図である。 １０：発光ダイオード １２；基板 １４：反射・ホトルミネセンス層（ホトルミネセンス層
） １８：活性層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に積層されて波長の異なる複数種類の光を同時に
発光する発光ダイオードであって、通電されることによ
り第１の光を発生する活性層と、 該活性層から発生した第１の光に基づいて該第１の光よ
り長い波長を有する第２の光を発生するホトルミネセン
ス層と を含むことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311931A JPH04186679A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 発光ダイオード |
| EP91119535A EP0486052A1 (en) | 1990-11-16 | 1991-11-15 | Light-emitting diode for concurrently emitting lights having different wavelengths |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311931A JPH04186679A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186679A true JPH04186679A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18023155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311931A Pending JPH04186679A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 発光ダイオード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0486052A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04186679A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442203A (en) * | 1993-08-24 | 1995-08-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having AlGaAsP light reflecting layers |
| JP2001257379A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2003529200A (ja) * | 1999-01-25 | 2003-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 混色の電磁放射を発生させる半導体コンポーネント |
| WO2004004018A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19629920B4 (de) * | 1995-08-10 | 2006-02-02 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor |
| DE59713024D1 (de) | 1996-06-26 | 2010-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| DE19625622A1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| TW406442B (en) | 1998-07-09 | 2000-09-21 | Sumitomo Electric Industries | White colored LED and intermediate colored LED |
| TW413956B (en) * | 1998-07-28 | 2000-12-01 | Sumitomo Electric Industries | Fluorescent substrate LED |
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