JPH0418706B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0418706B2 JPH0418706B2 JP58131497A JP13149783A JPH0418706B2 JP H0418706 B2 JPH0418706 B2 JP H0418706B2 JP 58131497 A JP58131497 A JP 58131497A JP 13149783 A JP13149783 A JP 13149783A JP H0418706 B2 JPH0418706 B2 JP H0418706B2
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- josephson
- semiconductor
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- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は三次元集積回路装置の構造に関する。
従来ジヨセフソン素子による集積回路は、絶縁
基板上に形成された超伝導膜に形成されるのが通
例であつた。
基板上に形成された超伝導膜に形成されるのが通
例であつた。
しかし、上記従来技術によるジヨセフソン素子
による集積回路装置では、全ての回路が必ずしも
高速性を要する訳ではなく、且つ、入力及び出力
レベルをジヨセフソン素子への低電圧レベルのみ
で処理する場合には、やはり、半導体素子による
入力及び出力レベルを保つた方が効率的であると
いう場合に半導体素子をジヨセフソン素子と高集
積で集積化できないという事等の欠点があつた。
による集積回路装置では、全ての回路が必ずしも
高速性を要する訳ではなく、且つ、入力及び出力
レベルをジヨセフソン素子への低電圧レベルのみ
で処理する場合には、やはり、半導体素子による
入力及び出力レベルを保つた方が効率的であると
いう場合に半導体素子をジヨセフソン素子と高集
積で集積化できないという事等の欠点があつた。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、高集
積度で且つ半導体集積回路との接続が可能なジヨ
セフソン集積回路装置を提供することを目的とす
る。
積度で且つ半導体集積回路との接続が可能なジヨ
セフソン集積回路装置を提供することを目的とす
る。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、三次元集積回路装置に於て、半導体集積回
路とジヨセフソン素子による集積回路とが一体と
なり多層に形成されて成ることを特徴とする。
成は、三次元集積回路装置に於て、半導体集積回
路とジヨセフソン素子による集積回路とが一体と
なり多層に形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は従来技術による二次元配線ジヨセフソ
ン素子の断面図である。絶縁基板１の表面には第
１のNb等からなる超電導体膜２が形成され、
Sio2等からなる層間絶縁膜３を介して酸化ニオブ
等からなるジヨセフソン接合４を挟んで、第２の
Nb等からなる超電導体膜２が形成され、該ジヨ
セフソン接合が絶縁基板１上に二次元に配されて
成る。
ン素子の断面図である。絶縁基板１の表面には第
１のNb等からなる超電導体膜２が形成され、
Sio2等からなる層間絶縁膜３を介して酸化ニオブ
等からなるジヨセフソン接合４を挟んで、第２の
Nb等からなる超電導体膜２が形成され、該ジヨ
セフソン接合が絶縁基板１上に二次元に配されて
成る。
第２図は、本発明の一実施例を示すジヨセフソ
ン集積回路と半導体集積回路とを三次元に配した
集積回路装置の断面図である。半導体基板１の表
面には、フイールド酸化膜２，拡散層３，ゲート
酸化膜４、ゲート電極５、層間絶縁膜６、電極配
線７等よりなる第１の集積回路としての半導体集
積回路が形成され、該第１の集積回路上に、絶縁
膜８を介して、超電導膜９，１０に挟まれて形成
たれたジヨセフソン接合１１からなる第２の集積
回路としてのジヨセフソン集積回路が三次元集積
回路として形成される。本発明は半導体基板のみ
ならず絶縁基板上の半導体膜に形成された半導体
集積回路と、その上に形成されたジヨセフソン集
積回路、および絶縁体上に形成されたジヨセフソ
ン集積回路上に形成された半導体膜に形成された
半導体集積回路等による三次元集積回路に適用す
ることができる。
ン集積回路と半導体集積回路とを三次元に配した
集積回路装置の断面図である。半導体基板１の表
面には、フイールド酸化膜２，拡散層３，ゲート
酸化膜４、ゲート電極５、層間絶縁膜６、電極配
線７等よりなる第１の集積回路としての半導体集
積回路が形成され、該第１の集積回路上に、絶縁
膜８を介して、超電導膜９，１０に挟まれて形成
たれたジヨセフソン接合１１からなる第２の集積
回路としてのジヨセフソン集積回路が三次元集積
回路として形成される。本発明は半導体基板のみ
ならず絶縁基板上の半導体膜に形成された半導体
集積回路と、その上に形成されたジヨセフソン集
積回路、および絶縁体上に形成されたジヨセフソ
ン集積回路上に形成された半導体膜に形成された
半導体集積回路等による三次元集積回路に適用す
ることができる。
第１図は従来技術によるジヨセフソン集積回路
装置の断面図、第２図は本発明による三次元集積
回路装置の一実施例を示す断面図である。 １……絶縁基板、２，５，１９，２０……超電
導膜、４，２１……ジヨセフソン接合、３，１
８，１６……層間絶縁膜、１２……フイールド酸
化膜、１３……拡散層、１４……ゲート酸化膜、
１５……ゲート電極、１７……電極配線。
装置の断面図、第２図は本発明による三次元集積
回路装置の一実施例を示す断面図である。 １……絶縁基板、２，５，１９，２０……超電
導膜、４，２１……ジヨセフソン接合、３，１
８，１６……層間絶縁膜、１２……フイールド酸
化膜、１３……拡散層、１４……ゲート酸化膜、
１５……ゲート電極、１７……電極配線。
Claims (1)
- １ 半導体集積回路とジヨセフソン素子による集
積回路とが一体となり多層に形成されて成ること
を特徴とする三次元集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131497A JPS6024049A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 三次元集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131497A JPS6024049A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 三次元集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024049A JPS6024049A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0418706B2 true JPH0418706B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15059386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131497A Granted JPS6024049A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 三次元集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101406479B1 (ko) * | 2012-10-06 | 2014-06-11 | 윤종수 | 다단 유압실린더 장치 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58131497A patent/JPS6024049A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101406479B1 (ko) * | 2012-10-06 | 2014-06-11 | 윤종수 | 다단 유압실린더 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6024049A (ja) | 1985-02-06 |
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