JPS604241A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS604241A JPS604241A JP11204183A JP11204183A JPS604241A JP S604241 A JPS604241 A JP S604241A JP 11204183 A JP11204183 A JP 11204183A JP 11204183 A JP11204183 A JP 11204183A JP S604241 A JPS604241 A JP S604241A
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- wirings
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に関するものである。
今日、集積回路は、素子面積の縮少ぽかりでなく多層配
線技術を使ってその集積度金玉げてきている。このこと
は、初期のへ４ＯＳトランジスターがアルミ一層の集積
回路であり、現在ポリシリ２層アルミ２層品が作られて
いることからもわかる◎このような多層配線構造へのプ
ロセスの発展に伴なって、各配線間に寄生督曖が付きや
すくなる。
線技術を使ってその集積度金玉げてきている。このこと
は、初期のへ４ＯＳトランジスターがアルミ一層の集積
回路であり、現在ポリシリ２層アルミ２層品が作られて
いることからもわかる◎このような多層配線構造へのプ
ロセスの発展に伴なって、各配線間に寄生督曖が付きや
すくなる。
この寄生容量が影゛響【７てデジタル回路では誤動作を
アナログ回路では雑音を引き起しやすくなる。
アナログ回路では雑音を引き起しやすくなる。
この原理を第１図に示す。半導体基板１上に絶縁膜２を
形成し、その上に層間絶縁膜３を介して配線４、配線５
が交差し、その上に保護膜６が形成される。この図で配
線５は紙面に垂直方向へ伸び・配線４，５ハたとえばア
ルミで、−゛絶縁膜２゜３保１乃膜６Ｉま二酸化けい紫
膜が使われる。この配線４と５の交差によって生じる寄
生容量を０４５また配線４．５が基板に対してＣ，、Ｃ
，なる容量金持つとすると第２図に示す回路で第１図の
構造の寄生６−叶による雑音を説明できる。まず、配線
４に市！ＥＶ、ケ印加すると配線５には、Ｃ４゜ Ｖ１１＝ −−ｍ−−−−Ｘ Ｖ。
形成し、その上に層間絶縁膜３を介して配線４、配線５
が交差し、その上に保護膜６が形成される。この図で配
線５は紙面に垂直方向へ伸び・配線４，５ハたとえばア
ルミで、−゛絶縁膜２゜３保１乃膜６Ｉま二酸化けい紫
膜が使われる。この配線４と５の交差によって生じる寄
生容量を０４５また配線４．５が基板に対してＣ，、Ｃ
，なる容量金持つとすると第２図に示す回路で第１図の
構造の寄生６−叶による雑音を説明できる。まず、配線
４に市！ＥＶ、ケ印加すると配線５には、Ｃ４゜ Ｖ１１＝ −−ｍ−−−−Ｘ Ｖ。
Ｃ４５十Ｃ５
の電Ｆ−Ｅが、また配線５に電圧ｖ、′を印加すると、
の＋ＩｔＬ）Ｅが配Ｉｓ ４に印加されることがゎがる
＠この回路は、配Ｉ％１５あるい１−ｊ４が電気的に浮
遊であるとして、訂生容！Ｉ′ｔによる他方の自由礫の
電位変化をめたが、英際の回路ではほとんどの場合、あ
る電位に固定されている。このことを考慮に入れたのが
第３図の回路である。この回路は配線５がある電位に固
定されていることを等価的に内部抵抗Ｒｉと電圧源Ｖｉ
で表わした。この回路よりＪ動するように配線４に電圧
ｖ４を時刻ｔ ＝ ｏに印加した場合、配線５には、 ＋Ｖｉ（ｔ≧０） の電圧が発生する。この寄生容量Ｃ４！、ＶＣよって配
線４での電位変化が、配線５で時定数Ｒｉ （Ｃ５＋
Ｃ４１１）のスパイクノイズとしてあられれることがこ
の式よりわかる。この雑音がデジタル回路での誤動作や
、アナログ回路での雑音の原因となる。
の＋ＩｔＬ）Ｅが配Ｉｓ ４に印加されることがゎがる
＠この回路は、配Ｉ％１５あるい１−ｊ４が電気的に浮
遊であるとして、訂生容！Ｉ′ｔによる他方の自由礫の
電位変化をめたが、英際の回路ではほとんどの場合、あ
る電位に固定されている。このことを考慮に入れたのが
第３図の回路である。この回路は配線５がある電位に固
定されていることを等価的に内部抵抗Ｒｉと電圧源Ｖｉ
で表わした。この回路よりＪ動するように配線４に電圧
ｖ４を時刻ｔ ＝ ｏに印加した場合、配線５には、 ＋Ｖｉ（ｔ≧０） の電圧が発生する。この寄生容量Ｃ４！、ＶＣよって配
線４での電位変化が、配線５で時定数Ｒｉ （Ｃ５＋
Ｃ４１１）のスパイクノイズとしてあられれることがこ
の式よりわかる。この雑音がデジタル回路での誤動作や
、アナログ回路での雑音の原因となる。
本発明はこの寄生容量による雑音の低減を目的としたも
のである。
のである。
本発明の特徴は、半導体基板上に絶縁膜を介して多層配
線が形成される半導体装置において該多層配線の交差部
分をおおって形成される配線を該多層配線間に挿入し、
一定電位に固定する半導体装置にある。そして上記挿入
配線としてアルミニウムまたはポリシリコンを用いるこ
とが好ましい。
線が形成される半導体装置において該多層配線の交差部
分をおおって形成される配線を該多層配線間に挿入し、
一定電位に固定する半導体装置にある。そして上記挿入
配線としてアルミニウムまたはポリシリコンを用いるこ
とが好ましい。
本発明の一実施例を第４図に示す。この図は前記第１図
の配線４，５のあいだに絶縁膜８を、介して配線７を挿
入したものである。この配線７は配線４，５の交差領域
をすべておおうように作られ、基板電位に固定されてい
る。よって配線抵抗が充分小さいアルミなどの金属で配
線７を形成すれば、配線７は配線４，５間の電気的遮蔽
効果を持ち、一方の電位変化を他方へ伝えない。よって
、寄生容量による雑音がなくなることがわかる。
の配線４，５のあいだに絶縁膜８を、介して配線７を挿
入したものである。この配線７は配線４，５の交差領域
をすべておおうように作られ、基板電位に固定されてい
る。よって配線抵抗が充分小さいアルミなどの金属で配
線７を形成すれば、配線７は配線４，５間の電気的遮蔽
効果を持ち、一方の電位変化を他方へ伝えない。よって
、寄生容量による雑音がなくなることがわかる。
才た本発明の別の一実施例として配線７を電源配線と結
線すれば、一般に電源に内部抵抗が小さい為、この配線
７は寄生容量による電圧変動を受けにくく、このため配
線４，５間の電気的遮蔽効果を持つ。捷た、配線７の材
料をアルミなど金属からポリシリコンへかえてもこの市
、気的遮蔽効果を持つ。
線すれば、一般に電源に内部抵抗が小さい為、この配線
７は寄生容量による電圧変動を受けにくく、このため配
線４，５間の電気的遮蔽効果を持つ。捷た、配線７の材
料をアルミなど金属からポリシリコンへかえてもこの市
、気的遮蔽効果を持つ。
第１図は従来の方法による配線の交差部分の断面図、第
２図、第３図はその等価回路、第４図は本発明の一実施
例により作られる配線の交差部分の断面図、である。 なお、図において、１・・・・・・半導体基板、２・・
・・・・絶縁膜、３・・・・・・層間絶縁膜、４，５・
・・・・・配線、６・・・・・・保護膜、７・・・用配
線、８・・・・・・絶縁１１α、である。 代理人 弁理士 ビ］ 原 Ｊ 日 、１ − ′
２図、第３図はその等価回路、第４図は本発明の一実施
例により作られる配線の交差部分の断面図、である。 なお、図において、１・・・・・・半導体基板、２・・
・・・・絶縁膜、３・・・・・・層間絶縁膜、４，５・
・・・・・配線、６・・・・・・保護膜、７・・・用配
線、８・・・・・・絶縁１１α、である。 代理人 弁理士 ビ］ 原 Ｊ 日 、１ − ′
Claims (5)
- （１）半導体基板上に絶縁膜を介して多層配線が形成さ
れる半導体装置において、該多層配線の交差部分をおお
って形成される配線を該多層配線間に挿入して一定電位
に固定することを特徴とする半導体装置。 - （２）挿入配線としてアルミニウムまたはポリシリコン
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の半導体装置。 - （３）挿入配線を電源電圧供給配線に結合することを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項もしくは第（２）項
記載の半導体装置。 - （４）挿入配線を接地電位に固定することを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項本しくは第（２）項記載の半
導体装置。 - （５）挿入配線を基板電位に固定することを特徴とする
特許請求の範囲第（］）項もしくは第（２）項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204183A JPS604241A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204183A JPS604241A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604241A true JPS604241A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14576531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11204183A Pending JPS604241A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604241A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126652A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
| JPS62174373A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-07-31 | Hitachi Metals Ltd | クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 |
| JPS6395650A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPS63245941A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS63276245A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH01170032A (ja) * | 1986-12-03 | 1989-07-05 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 多層配線を有する集積半導体回路 |
| JPH01235256A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| US4916502A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device to be coupled with a control circuit by a photocoupler |
| US5281555A (en) * | 1990-11-23 | 1994-01-25 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for alleviating the step difference in a semiconductor and a semiconductor device |
| US5345105A (en) * | 1992-02-03 | 1994-09-06 | Motorola, Inc. | Structure for shielding conductors |
| US5689134A (en) * | 1995-01-09 | 1997-11-18 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit structure having reduced cross-talk and method of making same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255881A (en) * | 1975-11-04 | 1977-05-07 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS53108391A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS53130991A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11204183A patent/JPS604241A/ja active Pending
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