JPH04187394A - レーザ加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は主としてインクジェットヘッドにおけるインク
吐出口の孔を加工することを目的とじて開発されたレー
ザによる孔開は加工機に関するものである。

【従来の技術】

レーザ光を用いてワークに対して所定形状、寸法の孔開
けを行なうのは主としてその加工精度が高い点に着目し
てのことである。特に、コンピューターやワードプロセ
ッサに附帯するプリンタで用いられるインクジェットヘ
ッドのインク吐出口の孔は、加工精度がそのまま、イン
ク吐出量、吐出方向などに影響するので、この加工には
細心の注意が必要である。 なお、上記インクジェットヘッドはインクジェット記録
方式の中でも、とくにバブルジェット方式の記録ヘッド
に採用されている。そして、上記バブルジェット方式の
記録装置の代表的な構成および原理は例えば米国特許第
４７２３１２９号、同第４７４０７９６号明細書などに
開示されており、所謂、オンデマンド型、コンティニュ
アス型のいずれにも適用可能である。この方式は、例え
ばオンデマンド型をあげて説明すると、液体（インク）
が保持されているシートや液路に対応して電気熱変換体
を配設し、該電気熱変換体に駆動信号に応じた熱エネル
ギーを発生させ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰を起し
、結果的に上記駆動信号に一対一で対応した気泡を液体
（インク）内に形成し、この気泡の成長、収縮で吐出口
より液体（インク）を液滴の形で吐出させるのである。 ここで与える駆動信号は米国特許第４４６３３５９号、
同第４３４５２６２号明細書に開示されているようなパ
ルス信号が望ましいものである。また、上記熱作用面の
温度上昇率については米国特許第４３１３１２４号明細
書に開示された条件が採用されるとよい。 上記インクジェットヘッドの構成は、上述した各明細書
に開示されているような吐出口、液路（直線状液流路ま
たは直角液流路）、電気熱変換体の組合わせで成るが、
このほかにも、熱作用部が屈曲する領域に配置されてい
る６例えば米国特許第４５５８３３３号、同第４４５９
６００号明細書に開示されている構成であってもよい、
更には、上記インクジェットヘッドの構成は複数の電気
熱変換体に対して、共通するスリットを電気熱変換体の
吐出部とする構成、例えば特開昭５９−１２３６７０号
公報所載の構成、あるいは熱エネルギーの出力波を吸収
する開孔を吐出部に対応した構成、例えば特開昭５９−
１３８４６１号公報所載の構成であってもよい、なお、
上述した明細書に所載の記録ヘッドは、複数記録ヘッド
を組合わせて所定幅に対応できる長さを確保しているが
、１つの記録ヘッドで所定幅（記録装置が記録できる最
大記録媒体の幅）に対応した長さに構成してもよい。 また、上記インクジェットヘッドの構成は、装置本体に
装着されることで電気的（電気熱変換体のため）な接続
ができ、またインクの供給をうける交換可能なチップタ
イプあるいは記録ヘッド自体に設けられるカートリッジ
タイプとしてもよい。 このように、種々の形態において使用される上記インク
ジェットヘッドを形成するための加工方法として、所定
形状の開口が設けられたマスクを介してレーザ光をワー
クに照射するレーザ加工装置が提案されている。それに
よると、複数個の列状に配設された穴を開けたマスクに
レーザ光を照射し、加工を行うワークに該マスクに形成
された穴と相似形のレーザ光を投影させることによりワ
ークに孔を開けるように構成されている。また、該マス
クは、照射されるレーザ光が該マスクの全ての穴を含む
ように高さ方向および横方向の位置を微調整できるよう
に構成されており、位置調整は人手によって行なわれ、
その確認は目視によるものとされていた。レーザ光の強
度は照射される位置によって異なるものであり、同様の
形状の穴を介してレーザ光を照射しても、そのビーム照
射位置によってワークに形成される孔の形状は異なるも
のとなるため、上述したマスクの位置調整は、実際にワ
ークを加工し、形成した孔の状態を確認して行なってい
た。

【発明が解決しようとする課題Ｊ 上述した従来のレーザ加工装置は、マスク交換時には実際にワークを加工して、該加工孔の形状からマスク位置の確認を行うため、マスク位置の調整に時間がかかり、生産性が悪いという問題点がある。 本発明は上記従来技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、マスク交換作業を迅速に行うことができ、生産性の高いレーザ加工装置を実現することを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明のレーザ加工装置は、 レーザ光を所定形状の開口が複数設けられたマスクを介してワークに照射することにより、該ワークに複数の孔を形成するレーザ加工装置において、 前記マスクを任意の位置に移動させるためのマスク位置調整機構と、 前記ワークに形成された複数の孔の位置を計測するための測定光学系と、 前記測定光学系により計測された複数の孔の位置から前記レーザ光に対するマスクのずれ量な算出し、前記マスク位置調整機構を介して前記マスクを移動させて前記ずれ量を補正する制御系とを有する。 この場合、測定光学系はワークに形成された孔の面積を計測するものとし、制御系は該孔の面積からずれ量を補正するものとしてもよい。 また、ワークに複数設けられる所定形状の開口がインクジェットヘッドのオリフィスプレートに形成されるインク吐出口に対応したものであり、ワークであるインクジェットヘッドを加工するものとしてもよい。 〔作　　　用〕

マスクの交換が行なわれると、ワークに実際に開けられ
た孔の位置もしくは面積が測定光学系によって采められ
る。制御系はこの孔位置もしくは孔の面積か６レーザ光
軸に対するマスクのずれ量を求めて、これを補正するよ
うにマスク位置調整機構を介してマスクを移動させるの
で、人手を介することなくマスク位置の調整が行なわれ
ることになる。 〔実　施　例Ｊ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。 第１図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明のレーザ孔
開は加工機の一例を示す平面図および側面図である。 本実施例のレーザ孔開は加工機は、エキシマレーザを用
いたレーザ光源１０が発する紫外光のレーザ光Ｐを、開
けようとする孔に対応して所望の形状にするマスク３０
を通し、該マスク３ｏを通過したマスク像を、前記レー
ザ光Ｐに直交するように位置合わせして装着されたイン
クジェットヘッド等のワークＷに照射して該ワークＷに
インク吐出口等となる孔を開けるものである。 本実施例のレーザ孔開は加工機は、レーザ光源１０が発
するレーザ光Ｐを前記マスク３０に一様に照射させるた
めの照射光学系２０と、前記マスク３０の位置調整を行
なうためのマスク位置調整機構３２と、前記ワークＷが
装着される位置決め治具４０を備えた移動ステージ１２
０と、前記マスク３０を通って出射したマスク像を前記
ワークＷに投影する投影光学系５ｏと、前記ワークＷの
位置合わせの際、該ワークＷに、前記レーザ光源１０側
から照明光を照射する透過照明系６ｏと、該透過照明系
６０とは逆方向から照明光をを照射する反射光学系７４
．８４　（第１１図（ａ）参照）を備えるとともに、前
記透過照明系６゜および反射光学系７４．８４によって
ワークＷに照明光を照射することで形成される光像な２
つのインダストリアルテレビ（以下、ＩＴＶと称す）７
１．８１にそれぞれ結像させる測定光学系７０．８０と
が装置フレーム９ｏ上に載置されており、さらに、前記
ＩＴＶ７１．８１で結像した像の画像信号をそれぞれ取
込んで前記ワークＷの位置合わせに関る信号処理を行な
う２つの画像処理系２０８，２０９と、レーザ光源１０
の発光およびワークＷの位置合わせをコントロールする
、表示器２０１を有する制御系２００とを備えている。 ここで、ワークＷについて、第２図（ａ）。 （ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。 第２図（ａ）、（ｂ）、、（ｃ）は、それぞれ、孔開け
が行なわれたワークＷを示す斜視図、断面図および正面
図である。 本実施例のワークＷは、インクジェットヘッドを形成す
るためのものであり、６４個あるいは１２８個の、イン
ク流路となる溝孔Ｇ〔第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に
おいてはＧ＋　、Ｇａ　。 Ｇ、、Ｇ、の４個のみ示している〕が長手方向に並列配
置された天部材Ｗ２に対して、オリフィスプレートとな
る板状部材Ｗｓ（加工面Ｗ＋）を−体的に形成したもの
である。該ワークＷに形成すべき、吐出口となる孔Ｈ【
第２図（ａ）。 （ｂ）、（Ｃ）においてはＨ＋　、Ｈｚ　、Ｈｓ　。 Ｈ４の４個のみ示している）は前記溝孔ＧＧ＋　、Ｇａ
　、Ｇｓ　、Ｇａ　）に一致するようにして、前記マス
ク３０を通過したレーザ光によって１回もしくは複数回
に分けて前記板状部材Ｗ、に開けられる。このワークＷ
は位置決め治具４０に前記板状部材Ｗ、の加工面Ｗ、側
を前記レーザ光源１に向けて２個装着され、その後、レ
ーザ光に対する位置合わせが行なわれる。 本実施例のレーザ孔開は加工機では、ワークＷの位置合
わせは、所定の２つの溝孔の中心位置を、以前にワーク
Ｗに開けた孔のうち、前記２つの溝孔に対応する２つの
孔の中心位置に一致させることにより行なう、この孔の
中心位置および溝孔の中心位置は前記測定光学系７０．
８０のＩＴＶ７１．８１で観測した、孔の像および溝孔
の像の画像信号を、画像処理系２０８，２０９にて信号
処理することで求められ、求めた孔の中心位置は基準値
として記憶手段であるＲＡＭ２０２〔第１図（ｂ）参照
〕に、制御系２００を介して格納される。また、制御系
２００では、前記画像処理系２０８，２０９で求めた溝
孔の中心位置を前記基準値と比較してワークＷのずれ量
を算出し、算出したずれ量を移動量として移動系コント
ローラ２０６へ伝え、該移動系コントローラ２０６を介
して移動ステージ１２０を駆動することによってワーク
Ｗの孔の中心と溝孔の中心とが一致される。 前記レーザ孔開は加工機において、レーザ光源ｌＯから
出射したレーザ光束Ｐ（２００１１ｚ。 ５０　Ｗ、　２８ｍｍＸ　６ｍｍ）は、まず、照明光学
系２０に入射し、その後、マスク３０を照射する。 この照明光学系２０では、最初に、第３図（ａ）に示す
ように、楕円マスク２１、凹シリンドリカルレンズ２２
および凸シリンドリカルレンズ２３の組み合わせにより
円形に変換される。これは、２８＋ｎｍＸ６ｍｍの長方
形で出射したレーザ光Ｐの光束の中央に、第３図（ｂ）
に示すようなマスク穴２１１を備えた楕円マスク２１を
配して前記レーザ光Ｐを楕円に切り出し、はじめの凹シ
リンドリカルレンズ２２を光束の巾の狭い方向（６ｍｍ
側）に広げるように配置して、凸シリンドリカルレンズ
２３により光束が２８ｍｍの円形でかつ平行光Ｐ８とな
るように戻す、これは、２枚の凹、凸のシリンドリカル
レンズ２２．２３を、前記楕円マスク２１からの、それ
ぞれの距離ｆｌ、ｆ、の比ｆｓ：ｆ意が、第３図（ｃ）
に示すようにｆ、：ｆｚ＝６：２８となるように、レー
ザ光Ｐの光軸上に配置して、凹、凸のシリンドリカルレ
ンズ２２．２３のパワーの比を６：２８（凹：凸）とす
ることで可能となる。 さらに、前記平行光Ｐｔの光路上に、凸レンズ２４と凹
レンズ２５を、それらの創立間隔の距離ｆ３．ｆ４の比
ｆ３　：ｆ４を２８：２０として焦点の位置が同一とな
るように配置して構成したビームフンブレッサにより、
前記２８ｍｍの円形の平行光Ｐ、を２０ｍｍの円形の平
行光Ｐ、に変換する。 次に、６ｍｍの直径をした７個の凸レンズ２６１を第３
図（ａ）、　　（ｂ）のように配置したケラ−照明用の
フライアイレンズ２６とフィールドレンズ２７とを、第
５図に示すように、順に前記平行光Ｐ３の光軸上に配置
して該平行光Ｐ３を７つに分割し、分割した光束を、第
６図に示すように、マスク３０に形成されている１９の
ｍｍ直線上にならんだ開ける孔の形状をしたマスク穴３
１を照明する。 マスク３０は、２５μｍのＮｉを使用して、開けようと
する孔の形状の４倍の大きさのマスク穴３１をエツチン
グにより加工したものである。 このマスク３０は、マスク位置調整機構３２上の不図示
のマスクホルダに固定されており、制御系２００からイ
ンターフェース２０５を介して伝えられる指示によって
位置調整される。 マスク位置調整機構３２は、第７図に示すようにゴニオ
ステージ３２１、Ｘステージ３２２、Ｚステージ３２３
およびＹステージ３２４より構成されている。上記の各
ステージは、それぞれ独立に設けられたモータ３２１ａ
、３２２ａ、３２３ａおよび３２４ａによって移動する
もので、各モータ３２１ａ〜３２４ａは、何れも画像処
理系２０８．２０９と接続する制御系２００　［第１図
（ｂ）参照〕からインターフェース２０５を介して伝え
られる駆動信号によって駆動される。ゴニオステージ３
２１はレーザ光軸な中心とした回転方向の調整用であり
、Ｘステージ３２２はマスク３０のマスク穴３１の並び
方向の調整用、２ステージ３２３は前記レーザ光軸とマ
スク穴３１の並びに対して垂直な方向の調整用、Ｙステ
ージ３２４は、上述したレーザ光軸の調整用であり、こ
れらの各ステージによってマスク３０に設けられたマス
ク穴３１がレーザ光軸中に位置するように調整される。 第８図はワークＷの位置調整を行う移動ステージ１２０
の構成を示す図である。 ワークＷは位置決め治具４０上に載置され、該位置決め
治具４０は載置台９０２上に設けられている。載置台９
０２はゴニオステージ９０３、θステージ９０４．２ス
テージ９０５、Ｙステージ９０６およびＸステージ９０
７上に設けられている。これらの各ステージは独立に設
けられたモータ９０３ａ〜９０７ａにより移動するもの
で、各モータ９０３ａ〜９０７ａの駆動は、第７図に示
したマスク位置調整機構３２の制御と同様に制御系２０
０により行われる。 前述のように、照明光学系２０で分割されてマスク３０
に照射された７つの光束のうちマスク３０を出た、孔開
けに必要な形状をした光束は、投影光学系５０を形成す
るテレセントリックな４分の１の縮小投影レンズ５１に
よりワークＷに結像され、必要な形状の孔を開ける。 ワークＷは、第９図（ａ）に示すように、前記位置決め
治具４０上に、加工面Ｗ１を、レーザ光源１０側に傾斜
させた状態で装着されている。 位置決め治具４０は、２個のワークＷを保持するため、
第９図（ｂ）に示すような、２つのバキューム穴４０１
を２組備えているとともに、該バー１１−ニーム穴４０
１で吸着保持したワークＷを固定するための突き当て機
構を備えている。この位置決め治具４０は、第９図（ｃ
）に示すように、制御系２００からインターフェース２
０４を介して伝えられる駆動信号によってバキュームソ
レノイド４０２を駆動することで不図示の吸引源による
吸引動作が行なわれて、２個のワークＷを、それぞれ２
つずつのバキューム穴４０１で吸着保持する。さらに、
前記バキューム穴４０１における吸引圧力はバキューム
センサ４０３によって常に検出されており、その検出圧
力に基づいて、制御系２００が前記ワークＷの保持状態
を監視している。また、位置決め治具４０は、第９図（
ｂ）および第１０図に示すように、吸着保持面側の２点
とワークＷの側面の３点との計５点の位置決め基準４０
４を持っていて、オートハンド１００によってワークＷ
を位置決め治具４０上に供給した後、バキューム吸着し
、第１０図に示すように、レーザ光Ｐの光軸方向からの
２つの突き当て機構４０５．４０６によりレーザ光Ｐの
光軸方向（矢示Ｙ方向）に突き当て、その後、孔の並び
方向からの突き当て機構４０７により孔の並び方向（矢
示Ｘ方向）に突き当てて、２個のワークＷを固定する。 ２つの突き当て機構４０５．４０６は、位置決め治具４
０上で保持した２つのワークＷそれぞれに対応するもの
である。この突き当て機構４０５．４０６と孔の並び方
向の突き当て機構４０７は、それぞれ、制御系２００か
らの指示によって、ソレノイドバルブ４１１，４１２゜
４１３を開閉させて、エアシリンダ４０８゜４０９．４
１０を駆動することで動作する。 上述の突き当て機構４０５，４０６．４０７によってワ
ークＷを固定した後、ワークＷの溝位置の測定を行なう
。 溝位置の測定は、レーザ光源１０側の透過照明系６０か
らの透過照明光Ｑ１をワークＷに照射して溝の光像な、
板状部材Ｗ、を透過させ、レーザ光源１０と反対側の測
定光学系７０．８０にて観測することで行なう、前記透
過照明系６０では、透過照明光Ｑ１をワークＷに照射す
るため、第１１図に示すように、該透過照明光Ｑ１をワ
ークＷへ導く光ファイバ６１と４５＠ミラー６２とが設
けられている。 光ファイバ６１は、その出射光がレーザ光Ｐの光軸と直
交するように配置され、また、４５°ミラー６２は、光
ファイバ６１によって導かれた透過照明光Ｑ１がレーザ
光Ｐと同一方向に反射されるように配置されており、さ
らに、この４５°ミラー６２は、回転方向に規制された
エアシリンダ６３に取り付けられて、レーザ発光時には
、該レーザ光を遮断しない位置う移動可能な構成となっ
ている。 透過照明系６０は、制御系２００からインターフェース
？０４を介して伝えられる指示によって、出射光を遮断
しているシャッター６５を移動させることで、該出射光
が出射され、また、４５°ミラー６２は、同様に制御系
２００からの指示によってバキュームソレノイド６４を
介してエアシリンダ６３を駆動することで移動される。 観測する溝は、ワークＷに開けようとする孔を６４個と
すると、第１２図に示すように１両端の溝（第１番目の
溝孔Ｇ、と第６４番目の溝孔Ｇ６４）の１つ内側の溝で
ある第２番目の溝孔Ｇ。 と第６３番目の溝孔Ｇｓｓの２つであり、前記透過照明
光Ｑ＋によって照射されて生じる前記第２番目の溝孔Ｇ
、と第６３番目の溝孔Ｇａｓの光像は、第１１図に示す
ように、それらの光路上に配置した、２つの反射面を有
するミラー６６によって、それぞれ、反射されて干渉す
ることなく測定光学系７０．８０へ入射する。 前記測定光学系７０．８０の構成について説明すると、
第１３図（ａ）に示すように、ミラー６６による光像の
反射光に、それぞれ、対物レンズ７２．８２が配置され
、さらに、該対物レンズ７２．８２を通過した光像の光
軸上に、該光像が結像する、５００Ｘ４８０画素の分解
能を持った％インチのＩＴＶ７１．８１が配置されてい
る。 また、前記対物レンズ７２．８２とＩＴＶ７１゜８１の
間の、前記光像の光軸上には、それぞれ、ハーフミラ−
７３，８３が配置されており、該ハーフミラ−７３，８
３によって、それらの反射光路上に設けられた反射光学
系７４．８４が発生する光を、それぞれ、前記ミラー６
６側へ反射させる。ＩＴＶ７１．８１には、ワークＷの
溝位置の測定の際、透過照明系６０によってワークＷを
照明することで生じる透過光像が、ミラー６６で反射さ
れた後、前記ハーフミラ−７３，８３を通過して結像し
、また、後述する、加工孔の位置および加工孔の面積の
測定の際、前記反射光学系７４．８４から発せられる光
が、それぞれハーフミラ−７３，８３で反射された後さ
らにミラー６６によって反射されて、前記ワークＷを反
レーザ光源側から照射し、それによってワークＷから反
射する、前記加工孔の反射光像が、ミラー６６で反射さ
れた後、それぞれハーフミラ−７３゜８３を通過して結
像する０反射光学系７４．８４は、それぞれ、光の出射
部にシャッター７５゜８５が設けられており、該シャッ
ター７５．８５を、制御系２００からインターフェース
２０４を通して伝えられる指示によって移動させること
で、出射光がハーフミラ−７３，８３方向へ発せられる
。 上述した測定光学系７０．８０は、それぞれ、手動によ
る位置調整用の調整手段７６．８６上に載置されている
。この調整手段７６．８６は、第１３図（ｂ）に示すよ
うに、それぞれ、測定光学系７０．８０の光軸方向への
調整用である移動ステージ７６２，８６２と、レーザ光
軸と孔の並び方向とで形成される平面に対して垂直な方
向への調整用である移動ステージ７６３．８６３と、前
記移動ステージ７６２，８６２の移動方向と移動ステー
ジ７６３，８６３の移動方向とで形成される平面に対し
て垂直な方向への調整用である移動ステージ７６１，８
６１とを備えたものである。 また、前記測定光学系７０．８０は、第１３図（Ｃ）に
示すように、それぞれ、オートフォーカスユニット７７
．８７を備えており、該オートフォーカスユニット７７
．８７は、ワークＷの、溝位置測定後の位置合わせの際
の精度を向上させるため、溝のレーザ光軸方向の位置情
報を制御系２００へ送出する。 この測定光学系７０．８０において、ミラー６６にて反
射した、ワークＷの、第２番目の溝孔Ｇ２と第６３番目
の溝孔Ｇａ３どの２つの溝の光像は、それぞれ、対物レ
ンズ７２．８２とハーフミラ−７３，８３を通過してＩ
ＴＶ７１．８１Ｇｍ４０倍の倍率で０．３３μｍ／画素
の分解能で結像される。 そして、ＩＴＶ７１，８１−の２つの出力信号Ｓ１は、
第１図において、それぞれ２つの画像処理系２０８．２
０９に入力されて該画像処理系２０８．２．０９にて前
記２つの溝位置を求める。 ここで、画像処理系２０８，２０９の溝位置測定につい
て、第１４図に示すフローチャートに沿って説明する。 なお、画像処理系２０８，２０９は、同時に同一の方法
で、それぞれ、第２番目の溝孔Ｇ２、第６３番目の溝孔
ａＳＳの溝位置を測定するため、一方の画像処理系２０
８についてのみ説明する。 まず、測定光学系７０のＩＴＶ７１に映された第２番目
の溝孔Ｇ、の像の画像信号を取込む（Ｓ５０１）、ＲＡ
Ｍ上に取込まれた画像情報は横方向が５００００画素方
向が４８０８０画素像取込エリアにおいて、横方向ｉ番
目、縦方向５番目の画素を（ｔ、ｊ）であられし、その
画素データをＶ（ｉ、ｊ）であられす、Ｖ（ｉ、ｊ）は
明るさをあられし０〜２５５の８ビツトのデータであら
れされる。（０：黒、２５５：白）第１５図（ａ）にＩ
ＴＶ７１に映された溝孔Ｇ２の像を示す。この像は、溝
孔Ｇ２を示すラインが黒色で表わされる。この溝孔Ｇ２
の像には、ワークＷの成形時に付いたと思われるキズも
映されており、取込んだ画像信号についてもキズを示す
ものが含まれていることになる。そこで、溝孔Ｇ２の画
像信号に対してフィルタリング処理を施して前記キズの
部分を取除（（Ｓ５０２）。 このフィルタリング処理は、以下のとおりのものである
。 初めに２値化の処理を行なう０画素（ｉ、ｊ）の明るさ
Ｖ（ｉ、ｊ）の値が一定値（スライスレベル）以上のも
のをＶ　（ｉ、ｊ）＝１とし、スライスレベル以下のも
のをＶ　（ｉ、ｊ）＝０とし、これを全ての画素につい
て行なう、スライスレベルは２値化の処理の前に全ての
画素のデータの中での最大値と最小値をさがし、この最
大値と最小値の平均の値とする０次にフィルタリング処
理を行なう、（ｉ、ｊ）の画素の処理を行なうのに、こ
の画素を中心にｉ−２からｉ＋２．ｊ−２からｊ＋２の
範囲の中で１つでも１があるとＶ（ｉ。 ｊ）＝１とし、〔第１４図（ｃ）参照〕全てがＯのとき
（７）ミＶ　（ｉ　、　ｊ　）　＝０　（第１４図（ｄ
）参照】とする、これをｉが２〜４９７、ｊが２〜４７
７の範囲の画素について行なう、これ以外の画素は１と
する。これによりｉが５画素、Ｊが５画素の範囲で全て
が黒くないキズ等は消すことができる〔第１４図（ａ）
、（ｂ）参照Ｊ。 上述のように、本実施例では、５画素分のフィルタリン
グをしているので、５画素以下の画像を取除いてしまう
ことになるが、通常、前記溝孔を示すラインは１０画素
分程度となるので、溝孔を示す画像が取除かれることは
ない、フィルタリング処理後の溝孔Ｇ２の画像を、第１
５図（ｂ）に示す。 次に、溝孔Ｇ２のアゴ乗せ部、すなわち、前述した第２
図（ａ）において、天部材Ｗ２と板状部材Ｗ３とで形成
される角部のラインのＹ座標を求める（Ｓ５０３）、こ
の場合、フィルタリング処理後の溝孔Ｇ！の像を映した
ＩＴＶ７１の全画素（５００Ｘ４８０画素）について、
行毎の明る８ビツトのバイナリ−コードは、大きい方が
明るいものとする。この行毎の明るさの和Ｖ、を行対応
で表わしたものが第１５図（ｄ）のグラフである。この
グラフにおいて、明るさの最低の部分は、第１５図（ｂ
）に示すアゴ乗せ部のライン上となる。′ 第１５図（ｄ）のグラフにおいて明るさの最低部分の拡
大図を、第１５図（ｅ）に示す。 ここで、行毎の明るさの和■ｊの中の最低値Ｖ　ｍ　ｌ
　ｎを求め、その最低値Ｖ　ｗｈ　Ｉ　ｈに所定の値Ｆ
（例えば１０）を加え、これをスライスレベルとし、前
記グラフと交わる２点の中央に相当するＹ座標をアゴ乗
せ部の位置ｙＩ２とする。 そして、前記アゴ乗せ部の位置ｙＩ２に所定の値ａを加
えた結果を前記溝孔Ｇ２のＹ位置（Ｙ＝ｙＩ２＋ａ）と
する、ａの値は、例えば溝孔の深さを４０μｍとすると
、２０μｍｍ程度が良い。 前記アゴ乗せ部の位置としたＹ座標ｙＩ２は、該アゴ乗
せ部のラインの中央を示すものとなっている。このアゴ
乗せ部は、拡大すると、実際には、凹凸があるため、前
記Ｙ座標ｙ℃に所定の値ｂ（本実施例では、２０画素分
６．６μｍ）を加えて、第１５図（Ｃ）に示すような、
アゴ乗せ部に相当する安定したライン（ｙ＝ｙＩ２＋ｂ
）を考える（Ｓ５０５）。 このγβ＋ｂのラインの明るさＶ（ｉ、ｙβ＋ｂ）で表
わしたものが、第１５図（ｆ）であり、２つの暗部（明
るさの低い点）が現われる。この２つの暗部は、第１５
図（Ｃ）において、Ｙ＝ｙＩ２＋ｂのラインが溝を示す
ラインと交わる点Ａ、Ｂの部分に相当するもので、その
暗部の拡大図を第１５図（ｇ）に示す。 この第１５図（ｇ）において、２つの暗部について、そ
れぞれ明部から暗部に変化する点と暗部から明部に変化
する点の２点の中央に相当するＸ座標Ｘ、、Ｘ、を算出
する（Ｓ５０６）、＋Ｌ。 で、算出したＸ＋　、　Ｘｉ　（７）中央（ｘ＝Ａ−一
＋Ｘ。 に相当するＸ座標を溝孔ＧｔのＸ位置とする（Ｓ５０７
）。 求めた溝位置において、Ｘ位置は孔の並び方向（Ｘ方向
）に対応し、Ｙ位置はレーザ光軸と孔の並び方向とに垂
直な方向（２方向）に対応するものであり、溝孔Ｇ＊　
、　Ｇａｓについて、それぞれ、画像処理系２０８，２
０９によって同時に求められる。 上述のようにして画像処理系２０８，２０９で求めた溝
孔Ｇ＊　、　Ｇａｓそれぞれの溝位置の結果はケーブル
Ｓ２　（ＲＳ２３２）およびインターフェース２０７を
通して制御系２００に伝えられ、該制御系２００にて、
伝えられた溝位置のデータとあらかじめＲＡＭ２０２に
記憶された基準値とのずれ量を算出する。 ・算出内容は、孔の並び方向（Ｘ方向）と、レーザ光軸
と孔の並び方向とに垂直な方向（Ｚ方向）と、レーザ光
の光軸を回転軸とする移動方向（θ、力方向の３軸につ
いて算出する。 この３軸についての移動量は下記の式によって算出され
る。 ここで、第２番目の溝孔Ｇ、の、Ｘ方向および２方向の
位置を（ｘｔ　、　ｚｔ　）　、第６３番目の溝孔Ｇ６
３の、Ｘ方向および２方向の位置を（Ｘｚ３゜ｚ６３）
とし、溝孔Ｇりに対応する基準値を、同様に（Ｘ２．Ｚ
り、溝孔ＧＳＳに対応する基準値を（Ｘ　＠３．　　Ｚ
　ａｓ）とすると、Ｚ方向のずれ量ｄＺは、 ｄＺ＝ （Ｚａｓ−Ｚｚ　）　／　２　　（Ｚ＠５−Ｚｚ　）　
／　２Ｘ方向のずれ量ｄＸは ｄＸ＝ （（ｘｓｓ−Ｘａｓ）　＋　（ｘｔ　−Ｘｚ　）　）　
／　２となる。 また、前記測定光学系７０．８０の位置検出機構の光軸
間距離なりとすると、前記基準値が示す２つの基準点の
間の距離は、Ｄ＋ｘ、＋Ｘａｓで表わされる、ここで、
ｘｔ＊＞Ｄ、Ｘｓｓ＞Ｄとすると、２つの基準点間の距
離はＤとなる。 したがって、θ、力方向ずれｆｆ１ｄθ７は、（ｚ６ｓ
＋Ｚ２）／２−　（Ｚ６３＋Ｚ２）／２ｄθア＝ｔａｎ
−’−−−−−−−−−−−−−り となる。 上記各式に基づいて算出した３軸についてのずれ量を、
ワークＷの移動量として制御系２００から移動系コント
ローラ２０６に入力する。移動系コントローラ２０６は
、前記移動量に基づいて前記３軸に対応する３つのドラ
イバを介して移動ステージ１２０を駆動する。この位置
決めにおいて、前記３軸以外のレーザ光軸方向（Ｙ方向
）、レーザ光軸と孔の並び方向と垂直な軸を回転軸とす
る回転方向（θ２方向）の２軸については、−定の精度
のなかに入るので調整は行なわないが、より精度を上げ
るため、前記測定光学系７０゜８０に取り付けられたオ
ートフォーカスユニット７７．８７の信号の値とＲＡＭ
２０２に格納されている基準値との差から、前記２軸に
ついての移動量を算出し、その移動量を制御系２００か
ら移動系コントローラ２０６に入力し、該移動系コント
ローラ２０６が入力された移動量に基づいて前記２軸に
対応する２つのドライバを介して、移動ステージ１２０
を移動させることで調整することも可能である。 ワークＷの位置調整後、制御系２００からレーザ光源１
０を、ケーブルＳ３　（Ｒ３２３２）およびインターフ
ェース２０３を介して一定時間（２秒間）発光させる。 これにより、ワークＷには所定の孔が開き、その後、後
述するような孔位置と孔径の校正を行なって２個目のワ
ークＷの位置に位置決め治具４０を移動させ、１個目と
同様にして孔開けを行なう。 ２個目の加工の後、位置決め治具４０を１個目のワーク
Ｗの加工の位置に移動させて、制御系２００によって、
バキュームソレノイド４０２を駆動することでワークＷ
の吸着状態を断つとともに、オートハンドコントローラ
１０３にケーブルＳ４を介して終了信号を送る。 オートハンド１００は供給側と排出側のフィンガーを持
っていて、終了信号を受信後、加工済ワークを排出側フ
ィンガーで排出し、その後、供給側フィンガーによって
未加工のワークを孔開は加工機の位置決め治具４０に供
給する。 本実施例のオートハンドｌＯＯのフィンガーは、供給側
、排出側ともに、第１７図に示すように、２つの吸引口
１０１，１０２を備えており、同時に２個の供給、排出
を行なう。 孔開は加工において、インクの吐出口となる孔の位置精
度と印字性能（特に吐出方向のバラツキ）は大きく関係
するため、該印字性能を一定値に抑える必要があり、孔
澗けの位置精度を一定範囲（例えば±２μｍ）に入れな
ければならない。 この位置精度としては、例えば、第１８図に示すような
、孔の並び方向とレーザ光軸とで形成する平面に対して
垂直な方向（矢示Ａ方向）、孔の並び方向（矢示Ｂ方向
）および孔径のバラツキが考えられる。第１８図は、孔
開は加工後のワークＷを用いて作製したインクジェット
ヘッドからインクを吐出した印字ドツトを示している。 ここで、孔開は加工が終了したワークＷを用いて作製し
た製品（インクジェットヘッド）について、第１９図（
ａ）、（ｂ）および第２０図（ａ）、（ｂ）を参照して
説明する。 第１９図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、前記インクジェ
ットヘッドを示す斜視図と縦断面図であり、第２０図（
ａ）、（ｂ）は、それぞれ、インクジェットの吐出口近
辺を示す縦断面図と横断面図である。 このインクジェットヘッドは、第１９図（ａ）。 （ｂ）Ｇ：、示すように、孔開は加工が施されたワーク
Ｗを、ヒータボード１４３上に載置して形成したもので
ある。ヒータボード１４３は、第２０図（ａ）、（ｂ）
に示すように、ワークＷの溝孔Ｇ−（Ｇ＋　、Ｇｔのみ
図示している）に対応してヒータ１４３、（１４３１，
１４３＊のみ図示している）を並列配置したものであり
、前記ワークＷは、前記溝孔Ｇ。とヒータ１４３ｎをそ
れぞれ一致するようにして、前記ヒータボード１４３上
に載置される。また、第１９図（ａ）。 （ｂ）に示すように、ワークＷに開けられた孔Ｈ，が吐
出口１４１．、該吐出口１４１ｏに通ずる溝孔Ｇｎがイ
ンク流路、板状部材Ｗ、がオリフィスプレート１４２と
なり、天部材Ｗ２の内部にインク■が蓄えられる。前記
ヒータ１４３□は、インクジェットヘッドが印字装置に
組込まれた際、第２０図（ｂ）に示すように、それぞれ
、配線材１４４７を介して、不図示の印字駆動部に接続
される。 このインクジェットヘッドにおいて、吐出口１４１１か
らインクを吐出させる場合、前記印字駆動部からの駆動
信号によってヒータ１４３．を駆動して、溝孔Ｇｌ内の
インクＩを熱することで、第２０図（ｂ）のように、該
溝孔Ｇ、内に泡を発生させて、該泡から吐出口１４１１
側のインクな液滴として飛翔させる。他の吐出口１４１
゜についても同様である。 このようなインクジェットヘッドの印字性能を一定値に
抑えるために、マスク３０を通った後のレーザ光の位置
（マスク像）と測定光学系７０゜８０の相対位置関係の
ずれ量を抑える必要がある。そのため、開けた孔位置を
一測定し、この位置を、次に孔開けを行なうワークＷの
溝位置の基準位置とする校正方法をとる。これには前記
測定光学系７０．８０とその測定光学系７０．８０に取
り付けられた反射光学系７４．８４およびＩＴＶ７１，
８１からの信号Ｓ１の画像処理を行なう画像処理系２０
８，２０９と制御系２００を用いる。孔開は加工後、前
記反射光学系７４゜８４の出射光を遮断しているシャッ
ター７５゜８５を開けて、該出射光を、それぞれハーフ
ミラ−７３，８３で反射させて対物レンズ７２゜８２を
通した後、ミラー６６にて反射させてワークＷに照射さ
せる。そして、ワークＷから反射した、開けた孔の形状
を示す光像を、測定光学系７０．８０（７）ＩＴＶ７１
，８１４ｍ結像させ、該ＩＴＶ７１．８１の信号Ｓ１を
画像処理系２０．８，２０９にて画像処理して開けた孔
の位置を算出し、算出した値をケーブルＳ２およびイン
ターフェース２０７を介して制御系２００へ転送する。 ここで、画像処理系２０８，２０９の孔位置測定につい
て、第２１図に示すフローチャートに沿って説明する。 なお、画像処理系２０８．２０９は、同時に同一の方法
で、それぞれ第２番目の孔Ｈｚ、第６３番目の孔）（ｍ
ｓの孔位置を測定するため、一方の画像処理系２０８に
ついてのみ説明する。 まず、測定光学系７０のＩＴＶ７１に映された第２番目
の孔Ｈｚの像の画像信号を取込む（Ｓ５１０）、第２２
図に、ＩＴＶ７１に映された孔Ｈ２の像を示す、このＩ
ＴＶ７１の全画素の明るさを、前述の溝位置の測定の場
合と同様に８ビツトのバイナリコード（Ｏ〜２５５）で
表わし、明るさの頻度、すなわち、同じ明るさの画素の
個数を全ての画素の範囲で調べる（Ｓ５１１）。この明
るさの頻度を第２３図に示す。 第２３図においては、孔Ｈ３の暗い部分とそれ以外の明
るい部分とを示す２つのピーク値が現れ、小さい値（Ｖ
−＋。）の部分が孔Ｈ２の暗い部分を示しており、この
グラフからピーク値が存在する明るさの最大値ｖ、１．
と最小値Ｖ　ｍ　Ｉ　ｎを求める（Ｓ５１２）、求めｉ
：　Ｖ　Ｍ　ａ　＊とＶ　ｍ　ｌ　ｎとから、画像信号
を２値化（暗部と明部とに区別）するためのスライスレ
ベルを下記の式によって求める（Ｓ５１３）。 スライスレベル＝ Ｖｓｌ＋ｓ　＋　　（Ｖｍａ＊　　−Ｖｍｌｒ＋　）　
　ＸＧ（Ｇ：０．５） 求めたスライスレベルと各画素の明るさとを比較して大
小関係を調べて画像信号を２値化する（Ｓ５１４）、こ
れによって、孔Ｈ２の部分とそれ以外の部分とが区別さ
れ、第２４図に示すような、画像信号の２値化による孔
Ｈ２の像が形成される。 この２値化像において、Ｘ重芯と７重芯とを下記の式に
よって求める（Ｓ５１５）。 そして、求めたＸ重芯、Ｙ１芯な、それぞれ、孔Ｈａ（
７）孔位置Ｘ、孔位置Ｙとす６（Ｓ５１７）。 この位置についても、前記溝孔の場合と同様に、２つの
孔Ｈｚ、Ｈｓｓが同時に求められ、求めた孔位置におい
て、孔位置Ｘは孔の並び方向に対応し、孔位置Ｙは、レ
ーザ光軸と孔の並び方向とに垂直な方向に対応する。 このようにしで求めた孔Ｈｚ　、Ｈａｓの位置データは
制御系２００へ転送される。 制御系２００では、この孔の位置を示す値を基準の位置
として、以前にＲＡＭ２０２上に記憶している、孔の並
び方向と（Ｘ方向）、レーザ光軸と孔の並び方向に垂直
な方向（２方向）との２つの値を書き換え、前述したワ
ークＷの３軸についての位置決めの際、この２つの値を
基準値（ｘ。 Ｚ）として、画像処理の溝位置の値（Ｘ、Ｚ）との差な
移動量として移動させる。 孔の面積は印字性能（特に濃度）に大きく影響し、この
大きさのバラツキと大きさの平均値を一定にすることは
性能上重要である。 ワークＷに開けられた孔は、−第２５図に示すように、
レーザ光の入射側の径（入射径１６２）が大きく出射側
の径（出射径１６１）が小さいテーパが形成され、レー
ザ光のパワーを上げると、このテーパは小さくなり、入
射径１６２は一定で出射径１６１が大きくなって、第２
６図の特性図に示すように、孔面積が大きくなる。また
、レーザ光による、孔開は部分への照射パルス数を変化
させても同様である。 この様に孔の径とレーザパワー密度、照射パルス数と大
きな関係があるが、ここでレーザ光源として使用してい
るエキシマレーザは、パルス放電によるもので、１回毎
の光量にバラツキがありまたレーザ内のガス濃度、不純
物濃度、印加電圧や、光学系の寿命、汚れ等にも大きく
影響をうけるため、パワーが安定しない、そこで、第２
７図（ａ）、（ｂ）に示すように、レーザ光Ｐの出口に
一定の面積のマスク穴１１３を有するアルミマスク１１
２を持つパワーメータ１１１で構成するパワーセンサｌ
゛１０を配置し、前記アルミマスク１１２にレーザ光が
当たるように、途中に数％の反射率を持つビームスプリ
ッタ１１４をおく。 レーザ照射時、ビームスプリッタ１１４による反射光を
アルミマスク１１２のマスク穴１１３を介してパワーメ
ータ１１１で受け、該パワーメータ１１１からの、レー
ザ光のパワー密度を示す出力信号Ｓ５が一定値となるよ
うに、制御系２００によってインターフェース２０３お
よびケーブルＳ３を介してレーザ光源１０への印加電圧
を変化させる。パワーメータ１１１からの出力信号Ｓ５
は、Ａ／Ｄ変換器１１５を通して制御系２００へ送られ
る。第２７図（ｃ）に、レーザ光源１０への印加電圧と
レーザーパワーとの関係の一例を示す、これにより、孔
開けの際のレーザ発光中にレーザパワーを測定すれば、
レーザ光Ｐのパワー密度を一定に保つことができ、孔の
大きさのバラツキを一定値内に抑えることが可能になる
。前述のパワーメータ１１１としては光量測定方式のも
のと熱測定方式のものがある。・ さらに、孔の面積については、開けた孔の面積を測定し
この面積によりレーザ光源１０への印加電圧をコントロ
ールして一定の孔面積にすること′も考えられる。これ
は、前記測定光学系７０゜８０とその測定光学系７０．
８０に取り付けられた反射光学系７４．８４及び２つの
測定光学系７０．８０（７）ＩＴＶ７１．８１からの信
号を画像処理する画像処理系２０８，２０９および制御
系２００を用いる。孔開は加工後、反射光学系７４．８
４の出射光を遮断しているシャッター７５．８５を開け
ることにより対物レンズ７２゜８２側からワークＷに照
射する。 そして、ワークＷから反射する、開けた孔の形状を示す
光像が前記２つの測定光学系７０．８０に取り付けられ
たＩＴＶ７１．８１に結像し、該ＩＴＶ７１．８１から
の信号Ｓｌをそれぞれ、画像処理系２０８，２０９にて
画像処理し、これにより開けた孔面積の算出をおこない
、この値をケーブルＳ２およびインターフェース２０７
を介して制御系２ｏＯに転送する。 ここで、画像処理系２０８，２０９の孔面積測定につい
て、第２８図に示すフローチャートに沿って説明する。 なお、この場合も、画像処理系２０８．２０９は、同時
に、同一の方法で、それぞれ、孔Ｈ２，Ｈ８３の孔面積
を測定するため、−方の画像処理系２０８についてのみ
説明する。 まず、前述のよ−うにして求めた孔位置Ｘ、Ｙから、面
積測定の開始点を設定するため、所定の値ｅｉ　ｌ　ｅ
ｘ　　（本実・施例では、共に１００画素分）を減算す
る（Ｓ５２０，５５２１，５５２２）。 そして、測定範囲を設定するため、Ｘ開始点とＹ開始点
に、それぞれ、所定の値ｆ（本実施例では２００画素分
）を加算し、その範囲内で、前記孔位置測定の際の２値
化像についての暗部を示す画素数をカウントする（Ｓ５
２３）、これによって、孔部分の画素数が求められたこ
とになり、その画素数に１画素の面積を示す値ｈ（本実
施例では０．３３μｍｘ　０．３３μｍ）を乗すること
で、孔面積とする（Ｓ５２４）。 このようにして求めた２つの孔Ｈｚ　、　Ｈａｓの孔面
積のデータは制御系２００へ転送される。 制御系２，００では、転送された孔面積データにより一
定計算式に基き、レーザ光源１０への印加電圧を決めケ
ーブルＳ３およびインターフェース２０３を介してレー
ザ光源ｌＯへ転送する。これにより、次のワークＷを加
工する際のレーザ光源１０への印加電圧が決定する。こ
の方法でも、孔面積を一定にすることが可能である。 また、孔の面積については、孔開は加工の際のマスク３
０の照明光の分布は重要で、その分布にバラツキがある
と孔径がバラツキ、印字にムラを生じる。そこで、第２
９図に示すように、フィールドレンズ２７とマスク３０
の間゛にビームスプリッタ１９１をおき、光軸に対し垂
直に、光量の１０％を反射させる。そして、この反射光
の光軸上で、マスク３０の位置と等価の位置に、ライン
センサ１９２の受光面をおき、さらに、該ラインセンサ
１９２とビームスプリッタ１９１との間の前記反射光の
光軸上に減光及び可視光をカットするフィルタ１９３を
入れたパワー測定器１９０を配置する。このパワー測定
器１９０から、マスク３０に当っている照明光量を示す
前記ラインセンサ１９２の出力を、増幅器１９４および
Ａ／Ｄ変換器１９５を介して制御系２００に伝え、マス
ク３０の第１番目の穴から第６４番目の穴にあたってい
る光の分布を測定し、第３０図に示すようなＭＡＸ値と
ＭＩＮ値の差が一定値に入っていることを確認する。も
し一定値に入っていないときは制御系２００が異常の発
生を表示器２０１に表示して、孔開は加工機を停止させ
る。 次に、本実施例のレーザ孔開は加工機による一連の孔開
は動作について、第３１図に示すフローチャートに沿っ
て説明する。 まず、位置決め治具４０上に孔開は加工済のワークＷが
あればオートハンド１００によって排出しく５５３０）
、新たに未加工の第１．第２の２つのワークＷをオート
ハンド１００によって前記位置決め治具４０上に供給す
る（Ｓ５３１）、第１、第２のワークＷが位置決め治具
４０上に装着されると、バキューム穴４０１によって、
それぞれバキューム吸引した後、突き当て機構４ｏ８゜
４０９．４１０によって固定する（Ｓ５３２）。 ここで、上述のステップ５５３０−３５３２におけるワ
ークＷの排出、供給と該ワークＷの位置決め治具４０上
での突き当て固定までの操作を、第３２図に示すフロー
チャートに沿って説明する。 オートハンド１００は、前述したように、供給側と排出
側の２つのフィンガーを備えているため、加工済の２つ
のワークＷの排出と未加工の２つのワークＷの供給を同
時に行なう。 まず、以前に、位置決め治具４０上に供給した２つの未
加工ワークＷについての孔開けが行なわれている間、前
記オートハンド１００は、次に孔開けを行なおうとする
未加工の第１．第２の２つのワークＷを供給側フィンガ
ーでバキューム吸着により保持して、前記位置決め治具
４０の上方で待機している。 そして、位置決め治具４０上の２つのワークＷに対する
孔開けが終了して、ＡＨコントローラ１０３を介して終
了信号が入力されると（８５８０）　、前記オートハン
ド１００は位置決め治具４０のワークＷの位置まで下降
する（３５８１）。 このとき、位置決め治具４０においては、突き当て機構
４０５，４０６，４０７による加工済ワークＷの突き当
て固定を解除するとともに（３５８２）、バキューム穴
４０１を介したバキューム吸引を解除する（Ｓ５８４）
、その後、オートハンド１００の排出側フィンガーのバ
キューム吸引によって２つの加工済ワークＷをバキュー
ム吸着する（Ｓ５８４）、つづいて、オートハンド１０
０の供給側フィンガーを位置決め治具４０のワーク供給
位置へ移動させて該オートハンド１＜）Ｏを下降させる
（３５８５．５５８６）。 そして、オートハンド１００による未加工の第１、第２
のワークＷのバキューム吸引を解除して（Ｓ５８７）、
該第１．第２のワークＷを位置決め治具４０へ渡す０位
置決め治具４０では、バキューム穴４０１を介して第一
１．第２のワークＷをそれぞれバキューム吸着しくＳ５
’８８）、さらに、突き当て機構４０７を駆動してレー
ザ光軸方向からの第１．第２の２つのワークＷの突き当
てを行ない（Ｓ５８９）、その後、第１．第２のワーク
Ｗそれぞれに対応する突き当て機構４０５゜４０６を駆
動して孔の並び方向からの突き当てを行なって（Ｓ５９
０）、位置決め治具４０上に供給された第１．第２のワ
ークＷを固定する。 上述のようにして固定された第１．第２の２つのワーク
Ｗに対し、まず、第１のワークＷについて、前述の第１
４図に示した方法で画像処理系２０８．２０９による溝
孔Ｇ＊、Ｇｓ＋ｓの溝位置の測定を行なう（３５３３）
、各溝孔Ｇ＊　、　Ｇａｓの測定が終了すると、制御系
２００によって、測定した２つの溝位置とそれらに対応
する孔位置１示す基準値との比較が行なわれて、溝位置
のずれ量が所定の規格内か否か判断する（Ｓ　５３４゜
５５３５）、規格内に入っていなければ、前記ずれ量に
基づいて移動系コントローラ２０６を介して移動ステー
ジ１２０を駆動して溝位置が前記基準値の規格内に入る
ように移動させる（３５３６）、前記ステップ５５３４
，５５３５での判断において、溝位置が規格から外れて
いた場合、その回数をカウントしておき、その回数が所
定の回数（本実施例では１０回とする）に達するまでは
、ステップ５５３３以降の操作を繰返す（Ｓ５３７）、
所定回数（１０回）を越えた場合は、表示器２０１にて
異常の発生を表示して（Ｓ５５Ｂ）レーザ孔開は加工機
を停止させ、リスタートの指示を待つ（Ｓ５５９）、前
記ステップ５５３５の判断にて溝位置が規格内であると
判定された場合、透過照明系６０のシャッター６５を駆
動して透過照明光Ｑ、を遮断するとともに、エアシリン
ダ６３を駆動して４５″ミラー６２をレーザ光軸上から
退避させ（Ｓ５３８゜５５３９）　、さらに、反射光学
系７４．８４のシャッター７５．８５を、駆動して該反
射光学系７４．８４の出射光路上から除去する（Ｓ５４
０）、その後、レーザ光源１０を発光させ（Ｓ５４１）
、２秒後、発光を停止させる（Ｓ５４２．５５４３）、
このとき、第１のワークＷについての孔開けが終了した
ことになる。 そして、第１のワークＷに開けた孔の中心位置および面
積を測定するため、移動ステージ１２０をレーザ光軸方
向（Ｙ方向）へ板状部材Ｗ、の厚さ分レーザ光源側へ移
動させる（Ｓ５４４）、この移動は、孔位置および孔面
積は、前述したように、反レーザ光源側の反射光学系７
４．８４からの照明光によって第１のワークＷを照明し
て測定するため、前記孔の像の、ＩＴＶ７１．８１に対
する焦点が、前記溝孔位置の測定の際の、透過照明系６
０からの透過照明光Ｑ１によって第１のワークＷが照明
されることで生じる溝孔の像の、　　　　　−ＩＴＶ７
１．８１に対する焦点と、板状部材Ｗ＠の厚さ分ずれる
からである。 この移動ステージ１２０によるレーザ光源側への移動が
完了した後、前述の第２１図および第２８図に示した方
法によって加工孔の中心位置および面積を測定する（Ｓ
５４５）、この両者の測定が終了すると、ＲＡＭ２０２
に格納されている孔位置の基準値を、今回測定した加工
孔の中心位置を示す値に書換えるとともに、測定した加
工孔面積の大小に応じて、レーザ光源１０の駆動用の印
加電圧を設定する（Ｓ５４６，５５４７）。 この時点で第１のワークＷについての操作は終゛了した
ことになる。 つづいて、第２のワークＷについて孔を開けるため、移
動ステージ１２０を孔の並び方向（Ｘ方向）に移動させ
て前記第２のワークＷをレーザ光軸上に配置させる（Ｓ
５４８）、その後、第２のワークＷの溝孔位置を測定す
るため、透過照明系６０のシャッター６５を、駆動して
透過照明光路上から除去するとともに、エアシリンダ６
３を駆動して透過照明系６０の４５１ミラー６２をレー
ザ光軸上に移動させ（Ｓ５４９．５５５０）、さら、に
、前記反射光学系７４のシャッター７５を駆動して該反
射光学系７４の出射光を遮断させる（Ｓ５５１）、そし
て、移動ステージ１２０を、レーザ光軸方向（Ｙ方向）
に板状部材ｗ３の厚さ９反レーザ光源側へ移動させた後
（Ｓ５５２）、同様ｉこして溝孔Ｇｚ、Ｇｓ３の位置を
測定する（Ｓ５５３）。 測定した溝位置については一前記第１のワークＷの場合
と同様にＲＡＭ２０２に格納されている基準値と比較し
てそれらのずれ量が所定の規格内に入っているか否か判
断する（Ｓ５５４゜５５５５）、測定した溝位置が規格
に入っていなければ、同様に該溝位置が基準値の示す孔
の中心位置に一致するように移動ステージ１２０を移動
させる（Ｓ５５６）、この操作（Ｓ　５５３〜５５５６
）は、測定した溝位置が前記規格内に入らなければ所定
回数（１０回）まで繰返されるが（Ｓ５５７）、その回
数（１０回）を越えると、表示器２０１に異常の発生を
表示しく５５５Ｂ）、レーザ孔開は加工機を停止してリ
スタートの指示を待つ（Ｓ５５９）。 測定した溝位置が基準値の規格内であれば、前記第１の
ワークＷの場合の操作（３５３８〜Ｓ　５４　’７　）
と同一の操作（Ｓ５６０〜５６９）を行なって、第２の
ワークＷへ孔を開け、その孔の位置および面積を測定し
て、孔位置を示す、ＲＡＭ２０２内の基準値を書換える
とともに、レーザ光源１０に対する印加電圧を前記孔の
面積に応じて設定する。 この時点で、第２のワークＷに対する操作は終了したこ
とになる。 その後、移動ステージ１２０を孔の並び方向（Ｘ方向）
へ移動させて第１のワークＷを最初の゛位置へ戻す（Ｓ
５７０）、そして、透過照明系６０のシャッター６５を
透過照明光路上から除去するとともに、エアシリンダ６
３を駆動して４５°ミラー６２をレーザ光軸上に移動さ
せ（Ｓ５７１，５５７２）　、さらに、反射光学系７４
．８４のシャッター７５．８５を駆動して該反射光学系
７４．８４の出射光を遮断させる（、５５７３）、つづ
いて、移動ステージ１２０をレーザ光軸方向（Ｙ方向）
に板状部材Ｗ、の厚さ９反レーザ光源側へ移動させた後
（Ｓ５７４）、未加工のワークＷがあれば、前述したス
テップ５５３０以降の操作を繰返して孔開は加工を行な
う。 上述の孔開は動作中に、前記パワー測定器１９０（第２
９図参照）を用いて、マスク３０のマスク穴３１に対し
て照射されているレーザ光の分布を測定してもよい。 また、孔位置を示す基準値については、ワークＷと同一
形状のダミ一部材に、予め孔を開け、その孔の中心位置
を測定してその測定値を前記基準値としてＲＡＭ２０２
内に予め格納してもよい。 次に、マスク３０が交換されたときの制御系２００によ
る位置決め手順について、第３３図のフローチャートを
参照して説明する。 制御系２００はマスク３０の交換が行なわれると、レー
ザ光源１０にレーザ光Ｐを出射させ（Ｓ６０１）、ワー
クＷに孔を開ける。このとき、ワークＷに形成される孔
は、交換前のマスク位置と交換後のマスク位置との差に
応じてずれて形成されるため、第１２図に示したワーク
Ｗの左右に形成された孔Ｈｚ　、　Ｈａ３の各位置を第
２１図のフローチャートにして示した手順により確認す
る（Ｓ６０２）、ここで、測定光学系８ｏにおける水平
方向のずれ量を△ｘ１、垂直方向のずれ量をΔＺｒ、Ｚ
ｒ光学系７０における水平方向のずれ量をΔｘｆ２、垂
直方向のずれ量をΔＺβとし、また、ワークＷ上の孔間
隔と、マスク３０上の孔間隔の比をｎ、マスク３０上の
右室と左室の間隔なＬとすると、マスク３０の位置ずれ
量は、水平方向に対し、ｘ＝−ｎ・（ΔＸｒ＋ΔＸρ）
／２、垂直方向に対しｚ＝−ｎ・（Δ２．＋△Ｚ℃）／
２、回転方向に対しθ＝　−ｔａｎ−’　（ｎ　・（Δ
ｚｒ−ΔＺで）／Ｌ）となる（負の記号がつくのは、第
１図に示す投影光学系５０により像が反転するためであ
る）、ここで、第７図に示したゴニオステージ３２１の
回転中心とマスク３０に形成された穴列の中心とを近似
的に一致させておくことにより、ｘステージ３２２、Ｙ
ステージ３２４、ゴニオステージ３２１を移動させるこ
とにより、上記ずれを補正することができる。すなわち
、Ｘ軸をｎ−（ΔＸ、＋ΔｘＩ２）／２移動させ（Ｓ６
０３）、Ｚ軸をｎ・（Δ−２．＋ΔｚＪ）／２移動させ
（Ｓ６０４）、θ軸をｔａｎ−’　（ｎ　・（Δ２゜−
ΔＺβ）／Ｌ）移動させる（Ｓ６０５）ことにより、は
ぼ交換前の位置に補正することができる。また、各ステ
ージの精度、マスクホルダ３３の位置決め精度等により
、−度の補正では規格内に収まらないことがあるため、
各ステージを移動させた後に番孔の位置を再度確認しく
Ｓ　６０６）、規格内に入るまで上記の確認動作を繰り
返し行う。 次に、レーザ光源ｌＯや各投影光学系のメンテナンス時
等にレーザ光Ｐの軸がずれてしまった場合の制御系２０
０によるマスク３０の位置調整手順について、第３４図
のフローチャー訃を参照して説明する。 レーザ光源１０にレーザ光Ｐを出射させてワークＷに孔
を開ける（Ｓ６０７）、次に、測定光学系７０．８０に
より、ワークＷの左右に形成された番孔Ｈｚ　、Ｈａｓ
の面積を第２８図に示したフローチャートの手順に沿っ
て測定する（８６０８）、レーザ光の強度とワークＷに
形成される孔の面積との関係は第２６図に示したもので
あり、加工時のマスク３０上のレーザ光Ｐのエネルギー
強度分布は第３５図に示すものである。これらのことか
ら、ワークＷの左右に形成された番孔Ｈ２，Ｈａｓのう
ち、孔面積の大きな方に、レーザ光Ｐの軸が偏っている
と推定できる。そこで、番孔Ｈｚ、Ｈｓｓの孔面積を比
較して、この結果が所定の範囲内のものであるかを確認
しく５６０９）　、所定範囲内のものであれば、現在ワ
ークＷに形成される番孔Ｈ２，Ｈ−ｓの位置を記憶して
（Ｓ６１０）終了とする。比較結果が所定範囲内のもの
でない場合には、一定量ずつマスク３０を移動させ（Ｓ
６１１）、比較結果が所定範囲内となるまで上記の動作
を繰り返し行なう。 ゛上記のようなマスク３０の位置調整を行なうことによ
り、マスク３０の位置をレーザ光Ｐの光束内にバランス
良く位置決めすることができる。このとき、当然ながら
マスク３０は調整前とは異なる位置となり、ワークＷに
形成される孔位置もずれることになる。このため、マス
ク３ｏの位置調整後に、第３４図のフローチャートのス
テップ５６１０で記憶した現在の番孔Ｈ＊、Ｈａｓの位
置に応じてワークＷを移動させることにより、レーザ光
Ｐの軸がずれる前と同様の加工をワークＷに対して行な
うことが可能となる。 なお、以上述べたマスク３０の位置調整は、マスク交換
時や、レーザ光軸にずれが生じた場合に行なうものとし
て説明したが、このほかにも、温度変動や振動等の位置
ずれが生じる可能性のある雰囲気の変動を検出し、該変
動量が予め定められた所定量を超えたときに自動的に行
なうものとしてもよく、また、一定時間毎に行なうもの
としても当然よい。 前述した照明光学系２０のレンズ群２１χ２５はフライ
アイレンズ２６にレーザ光束をあわせるための光学系で
あるが、これを第３６図の様に構成してもかまわない。 これは、レーザ光源ｌＯから出射するレーザ光Ｐを、そ
のレーザ光軸と孔の並び方向とでつくる平面に対し垂直
な方向に３つに分けるプリズム３１１．３１２を配置し
たもので、３つのビームはフライアイレンズ２６の光軸
にあるように前記平面に対して垂直な方向に所定の間隔
で分けなければならない、フライアイレンズ２６は、前
述のように６φのレンズを組合せているので、その先軸
の間隔は前記平面に対して垂直な方向に５．２ｍｍ離れ
ている。光束の巾はその方向に６ｍｍなので、２關ずつ
３本に分ける。もともとビーム間は２ｍｍ離れているの
で、プリズム３１１，３１２により３、２ｍｍビームを
離さなければならない。 プリズム３１１．３１２はレーザ光の入射面と出射面が
平行なものであり、マスク穴３１の並び方向に回転軸を
もつ回転方向に回転させてビーム間隔が５．２ｍｍとな
るように前記レーザ光を３本のビームに分割する。第３
７図は上述のプリズム３１１．３１２を設けた場合にフ
ライアイレンズ４６に入射するビームを示している。 また、前記プリズム３１１，３１２とレーザ光源１０と
の間の光軸上に、第３８図に示すように、凸レンズ３３
１および凹−レンズ３３２からなる、ビーム形状を圧縮
する圧縮光学系３３０を配置してもかまわない。 本実施例でレーザ光源ｌＯとして用いたエキシマレーザ
は、紫外光を発振できるレーザであり、高強度のエネル
ギーを出力でき、単色性に優れ、指向性がよく、短パル
ス発振ができるだけでなく、レンズで集光することによ
りエネルギー密度を大きくできる利点がある。すなわち
、エキシマレーザ発振器は希ガスとハロゲンの混合気体
を放電励起することで、短パルス（１５〜３５ｎｓ）の
紫外光を発振でき、Ｋｒ−Ｆ、　Ｘｅ−Ｃｌ、　Ａｒ−
Ｆレーザなどがよく用いられる。これらの発振エネルギ
ーは数１００ｍｊ／パルス、パルスの繰返し周波数３０
〜１０００Ｈｚである。このように、高輝度の短パルス
紫外光をポリマー樹脂の表面に照射すると、照射部分が
瞬間的にプラズマ発光と衝撃音を伴ッテ分解、飛散する
。所謂″ＡＢＬＡＴＩＶＥ　ＰＨ０ＴＯＤＥｃｏｕｐｏ
ｓｒｒｒｏ＊　（ＡＰＤ）　）”過程を生じ、これによ
ってポリマー樹脂の孔開は加工ができるのである。これ
は、他のレーザ、例えば赤外線であるｃｏ、レーザによ
る孔開けの場合と、明らかな差を生じる。 例えば、ポリイミド（ｐｒ）フィルムにエキシマレーザ
（にｒＦレーザ）を用いてレーザ光を照射するとＰＩフ
ィルムの光吸収波長がυ■領領域あるため、きれいな孔
を開けることができるが、ｔ＋Ｖ領域にない従来のＹＡ
Ｇレーザでは孔のエツジが荒れ、Ｃ（ｈレーザでは孔の
周囲にクレータができるのである。 なお、ＳｕＳなどの金属、不透明なセラミックス、Ｓｉ
などは大気の雰囲気において、エキシマレーザのレーザ
光を照射されても影響をうけないことから、上述のマス
ク３０の材料として適用できる。 次に実際に、このようなエキシマレーザを用いたレーザ
孔開は加工機における実績を例示する。 （実施例１） ここで使用されたワークＷは天部材Ｗ、にピッチ７０．
５μｍ、溝孔Ｇの幅４．３６ｍ、溝孔Ｇの高さ４５μｍ
であると共に、板状部材Ｗ３の吐出口径３１μｍφを形
成するに当り、エキシマレーザにＩＮ’ＤＥＸ２００Ｋ
　（ルモニクス社製）を用いて、レーザ出力２５０ｍｊ
／パルス、繰返し周波数２００Ｈｚ、発振時間２秒で加
工した時、下記の表１のような成績を得ている。なお、
この時の板状部材Ｗ、の厚さは４０〜４５μｍ１材質は
ポリサルフォンである。また、比較のため、従来例との
加工精度の差を明らかにしたＣ表１参照）。 表１ 表１から明らかなように、本例のレーザ孔開は加工機を
用いて孔開けを実施した場合、オリフィスの面積のバラ
付き、形状の形態は、従来に比べて相当向上している。 これは当然、本例のレーザ孔開は加工機によって作られ
たインクジェットヘッドの性能をも向上させることにな
る。すなわち、液滴の吐出量および吐出方向が均一とな
り、文字、図形などが鮮明で、形崩れしないのである。 ［発明の効果］ 本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。 請求項１および請求項２のいずれに記載のものにおいて
も、マスクの位置調整を人手を介することなく行なうこ
とができるため、マスクの交換時やマスク位置の再調整
を要する場合等の調整時間を大幅に削減することができ
、生産性の高いものとすることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明のレーザ孔
開は加工機の一実施例を示す平面図および側面図、第２
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、孔開は加工後の
ワークＷの一例を示す斜視図、断面図および正面図、第
３図（ａ）は照明光学系の光路を示す図、第３図（ｂ）
は照明光学系の楕円マスクを示す正面図、第３図（Ｃ）
は照明光学系の凹および凸シリンドリカルレンズの位置
を示す図、第４図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、照明光
学系のフライアイレンズを示す正面図および側面図、第
５図は照明光学系の光路な示す図、第６図はマスクを示
す斜視図、第７図はマスク位置調整機構３２の構成を示
す図、第８図は移動ステージ１２０の構成を示す図、第
９図（ａ）は位置決め治具を示す側面図、第９図（ｂ）
は、位置決め治具のバキューム穴を示す平面図、第９図
（Ｃ）は、位置決め治具のワーク吸着機構を示すブロッ
ク図、第１０図は位置決め治具の突き当て機構を示す平
面図、第１１図は透過照明系の構成を示す図、第１２図
はワークの一例を示す斜視図、第１３図（ａ）は測定光
学系を示す平面図、第１３図（ｂ）は、調整手段を示す
側面図、第１３図（Ｃ）は、測定光学系のＡＦ回路を示
す図、第１４図は画像処理系の溝位置測定の動作を示す
フローチャート、第１５図（ａ）、（ｂ）。 （ｃ）は、インダストリアルテレビに映した溝孔の像を
示す正面図、第１５図（ｄ）、（ｅ）。 （ｆ）、（ｇ）は、それぞれ、溝孔の像を映した際のイ
ンダストリアルテレビの画素の明るさの分布を示す特性
図、第１６図（ａ）、（ｂ）。 （ｃ）、（ｄ）は、画像処理系のフィルタリング処理を
示す図、第１７図は、オートハンドを示す断面図、第１
８図は、インクジェットヘッドからインクを吐出して形
成した印字ドツトを示す図、第１９図（ａ）、（ｂ）は
インクジェットヘッドを示す斜視図および断面図、第２
０図（ａ）は、インクジェットヘッドの吐出口を示す正
面図、第２０図（ｂ）はインクジェットヘッドの吐出口
に通ずる溝孔を示す断面図、第２１図は画像処理系の孔
位置測定の動作を示すフローチャート、第２２図はイン
ダストリアルテレビに映した孔の像を示す図、第２３図
は孔の像を映した際のインダストリアルテレビの画素の
明るさの頻度を示す特性図、第２４図は画像信号の２値
化によって形成した、孔の２値化像を示す図、第２５図
はレーザ光によって開けた孔の一例を示す断面図、第２
６図はレーザパワーと孔面積との関係を示す特性図、第
２７図（ａ）はパワーセンサを示すブロック図、第２７
図（ｂ）はパワーセンサを示す正面図、第２７図（Ｃ）
はレーザ光源への印加電圧とレーザパワーとの関係を示
す特性図、第２８図は画像処理系の孔面積測定の動作を
示すフローチャート、第２９図はパワー測定器を示すブ
ロック図、第３０図はマスクに対するレーザ光の照明分
布を示す特性図、第３１図は本発明のレーザ孔開は加工
機の動作の一例を示すフローチャート、第３２図はオー
トハンドによるワークの供給、排出および位置決め治具
による突き当て動作を示すフローチャート、第３３図は
マスク交換がなされたときのマスク位置調整手順を示す
フローチャート、第３４図はレーザ光軸がずれたときの
マスク位置調整手順を示すフローチャート、第３５図は
レーザ光の強度分布を示す図、第３６図は照明光学系の
第２実施例を示す図−第３７図は照明光学系のフライア
イレンズに入射するレーザ光の−例を示す図、第３８図
は照明光学系の第３実施例を示す図である。 １０・・・レーザ光源、 ２０・・・照明光学系、 ２１・・・楕円マスク、 ２２・・・凹シリンドリカルレンズ、 ２３・・・凸シリンドリカルレンズ、 ２４．２６１・・・凸レンズ、 ２５・・・凹レンズ、 ２６・・・フライアイレンズ、 ２７・・・フィールドレンズ、 ３０・・・マスク、 ３１．１１３，２１１・・・マスク穴、３２・・・マス
ク位置調整機構、 ４０・・・位置決め治具、 ５０・・・投影光学系、 ５１・・・縮小投影レンズ、 ６０・・・透過照明系、 ６１・・・光ファイバ、 ６２・・・４５°ミラー、 ６３．６４，４０８，４０９，４１０・・・エアーシリ
ンダ、 ６５．７５．８５・・・シャッター、 ６６・・・ミラー、 ７０．８０−・・・測定光学系、 ７１．８１・・・インダストリアルテレビ、７２．８２
・・・対物レンズ、 ７３．８３，１９３・・・ハーフミラ−１７４，８４・
・・反射光学系、 ７６．８６・・・調整手段、 ７７．８７・・・オートフォーカスユニット、９０・・
・装置フレーム、 １００・・・オートハンド、 １０１．１０２・・・吸引口、 １０３・・・ＡＨコントローラ、 １１０・・・パワーセンサ、 １１１・・・パワーメータ、 １１２・・・アルミマスク、 １１４．１９１・・・ビームスプリッタ、１１５．１９
５・・・Ａ／Ｄ変換器、 １２０．７６１，７６２，７６３，８６１゜８６２．８
６３・・・移動ステージ、 １４１・・・吐出口、 １４２・・・オリフィスプレート、 １４３・・・ヒータボード、 １４４・・・配線材、 １６１・・・出射径、 １６２・・・入射径、 １９０・・・パワー測定器、 １９２・・・ラインセンサ、 １９３・・・フィルタ、 １９４・・・増幅器、 ２０〇二・・制御系、 ２０１・・・表示器、 ２０２・・・ＲＡＭ。 ２０３．２０４，２０５，２０７・・・インターフェー
ス、 ２０６・・・移動系コントローラ、 ２０８．２０９・・・画像処理系、 ３１１．３１２・・・プリズム、 ３２１．９０３・・・ゴニオステージ、３２２．９０７
・・・Ｘステージ、 ３２３．９０５・・・Ｚステージ、 ３２４．９０６・・・Ｙステージ、 ３２５・・・マスクホルダ位置決め治具、４０１・・・
バキューム穴、 ４０２・・・バキュームソレノイド、 ４０３・・・バキュームセンサ、 ４０４・・・位置決め基準、 ４０５．４０６，４０７・・・突き当て機構、４１１．
４１２，４１３・・・ソレノイドバルブ、９０４・・・
θステージ、 特許出願人　　キャノン株式会社 代　理　人　　弁理士　若株　忠

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザ光を所定形状の開口が複数設けられたマスク
   を介してワークに照射することにより、該ワークに複数
   の孔を形成するレーザ加工装置において、 前記マスクを任意の位置に移動させるためのマスク位置
   調整機構と、 前記ワークに形成された複数の孔の位置を計測するため
   の測定光学系と、 前記測定光学系により計測された複数の孔の位置から前
   記レーザ光に対するマスクのずれ量を算出し、前記マス
   ク位置調整機構を介して前記マスクを移動させて前記ず
   れ量を補正する制御系とを有することを特徴とするレー
   ザ加工装置。 ２、レーザ光を所定形状の開口が複数設けられたマスク
   を介してワークに照射することにより、該ワークに複数
   の孔を形成するレーザ加工装置において、 前記マスクを任意の位置に移動させるためのマスク位置
   調整機構と、 前記ワークに形成された複数の孔の面積を計測するため
   の測定光学系と、 前記測定光学系により計測された複数の孔の面積から前
   記レーザ光に対するマスクのずれ量を算出し、前記マス
   ク位置調整機構を介して前記マスクを移動させて前記ず
   れ量を補正する制御系とを有することを特徴とするレー
   ザ加工装置。 ３、マスクに複数設けられた所定形状の開口がインクジ
   ェットヘッドのオリフィスプレートに形成されるインク
   吐出口に対応したものであり、ワークがインク流路とな
   る複数の溝が並設されたインクジェットヘッドである請
   求項１または２記載のレーザ加工装置。