JPH04188002A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH04188002A JPH04188002A JP31965690A JP31965690A JPH04188002A JP H04188002 A JPH04188002 A JP H04188002A JP 31965690 A JP31965690 A JP 31965690A JP 31965690 A JP31965690 A JP 31965690A JP H04188002 A JPH04188002 A JP H04188002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- differential
- amplification circuit
- region
- stage
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- Granted
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は半導体圧力センサに係わり、特に半導体チ・
ノブ上への差動増幅回路の配置構造に関するものである
。
ノブ上への差動増幅回路の配置構造に関するものである
。
［従来の技術］
第２図は、従来の半導体圧力センサの構成を示すセンサ
チップのパターン形成領域の平面図である。同図におい
て、１は半導体チップ、２は半導体チップ１の背面側が
エツチングなどにより他の部分より極めて薄い領域に加
工されたダイヤフラム領域、３□３□３３３４はダイヤ
フラム領域２の四辺側にそれぞれ形成された歪ケージ抵
抗であり、これらの歪ゲージ抵抗３、〜３４は図示しな
い配線によりブリッジ回路に結線されてセンサ素子が形
成される。４は前記センサ素子の出力を増幅する増幅回
路が形成される増幅回路形成領域である。
チップのパターン形成領域の平面図である。同図におい
て、１は半導体チップ、２は半導体チップ１の背面側が
エツチングなどにより他の部分より極めて薄い領域に加
工されたダイヤフラム領域、３□３□３３３４はダイヤ
フラム領域２の四辺側にそれぞれ形成された歪ケージ抵
抗であり、これらの歪ゲージ抵抗３、〜３４は図示しな
い配線によりブリッジ回路に結線されてセンサ素子が形
成される。４は前記センサ素子の出力を増幅する増幅回
路が形成される増幅回路形成領域である。
第３図は半導体圧力センサの等価回路を示す図である。
同図において、前述した歪ゲージ抵抗３１３□３３３４
はブリッジ回路接続されてセンサ素子３を構成している
。５はセンサ素子３の出力を差動増幅する差動増幅回路
である。
はブリッジ回路接続されてセンサ素子３を構成している
。５はセンサ素子３の出力を差動増幅する差動増幅回路
である。
第４図は第３図における差動増幅回路５の構成を示すブ
ロック図である。同図において、５１は入力信号を入力
する差動段、５゜は差動信号を増幅する電流増幅段、５
．は電流増幅段４□で増幅された信号を出力する出力段
である。
ロック図である。同図において、５１は入力信号を入力
する差動段、５゜は差動信号を増幅する電流増幅段、５
．は電流増幅段４□で増幅された信号を出力する出力段
である。
次に動作について説明する。
半導体チップ１のダイヤフラム領域２上には歪ゲージ抵
抗３１．３２．３３．３４がブリッジ接続されてセンサ
素子３が形成され、このセンサ素子３が形成されたダイ
ヤフラム領域２のチップ背面側はエツチングにより他の
部分より極めて薄い領域に加工され、圧力変化による応
力を受は易い構成となっているので、圧力−電気変換が
行われる。電気に変換された信号は、増幅回路形成領域
４上に形成された差動増幅回路５により増幅され、圧力
センサとして機能する。なお、差動増幅回路５における
差動段５、と電流増幅段５□と出力段５３とは増幅回路
形成領域４内に渾然と形成されている。
抗３１．３２．３３．３４がブリッジ接続されてセンサ
素子３が形成され、このセンサ素子３が形成されたダイ
ヤフラム領域２のチップ背面側はエツチングにより他の
部分より極めて薄い領域に加工され、圧力変化による応
力を受は易い構成となっているので、圧力−電気変換が
行われる。電気に変換された信号は、増幅回路形成領域
４上に形成された差動増幅回路５により増幅され、圧力
センサとして機能する。なお、差動増幅回路５における
差動段５、と電流増幅段５□と出力段５３とは増幅回路
形成領域４内に渾然と形成されている。
［発明が解決しよとする課題］
従来の半導体圧力センサは、以上のように構成されてい
るので、差動段５１が応力を受は易いダイヤフラム領域
２の近傍に形成されることがある０本来、差動段５□は
微小な電流が流れているので、応力によって影響を大き
く受けて電流量が変化してしまい、正しく増幅機能しな
くなって増幅特性が悪くなるなどの問題があった。
るので、差動段５１が応力を受は易いダイヤフラム領域
２の近傍に形成されることがある０本来、差動段５□は
微小な電流が流れているので、応力によって影響を大き
く受けて電流量が変化してしまい、正しく増幅機能しな
くなって増幅特性が悪くなるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
ものであり、差動段に流れる電流が応力によって変化し
ないようにし、良好な増幅特性が得られる半導体圧力セ
ンサを提供することを目的としている。
ものであり、差動段に流れる電流が応力によって変化し
ないようにし、良好な増幅特性が得られる半導体圧力セ
ンサを提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
このような課題を解決するために本発明による半導体圧
力センサは、応力に影響を受は易い差動段を半導体チッ
プ内のダイヤフラム領域近傍より極力遠ざけて配置する
ものである。
力センサは、応力に影響を受は易い差動段を半導体チッ
プ内のダイヤフラム領域近傍より極力遠ざけて配置する
ものである。
［作用］
この発明においては、差動段に流れる微小電流量が応力
により変化することがなくなり、良好な増幅特性を得る
ことができる。
により変化することがなくなり、良好な増幅特性を得る
ことができる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はこの発明による半導体圧力センサの一実施例に
よる構成を示す平面図であり前述に区と同一部分には同
一符号を付しである。同図において、半導体チップ１上
のダイヤフラム領域２の外周部分に形成された増幅回路
形成領域４は、ダイヤフラム領域１３の外側に形成され
た内側増幅回路形成領域４１と、この内側増幅回路形成
領域４１の外側に形成された外側増幅回路形成領域４□
とから構成されており、この内側増幅回路形成領域４１
にはセンサ素子３の出力を増幅する差動増幅回路５の差
動段５１を除く電流増幅段５□および出力段５．が主に
形成され、外側増幅回路形成領域４□には差動増幅回路
５の差動段５、が主に形成されている。
よる構成を示す平面図であり前述に区と同一部分には同
一符号を付しである。同図において、半導体チップ１上
のダイヤフラム領域２の外周部分に形成された増幅回路
形成領域４は、ダイヤフラム領域１３の外側に形成され
た内側増幅回路形成領域４１と、この内側増幅回路形成
領域４１の外側に形成された外側増幅回路形成領域４□
とから構成されており、この内側増幅回路形成領域４１
にはセンサ素子３の出力を増幅する差動増幅回路５の差
動段５１を除く電流増幅段５□および出力段５．が主に
形成され、外側増幅回路形成領域４□には差動増幅回路
５の差動段５、が主に形成されている。
このような構成によると、差動増幅回路５の差動段５、
はダイヤフラム領域２から離間した領域である最外周側
の外側増幅回路形成領域４２に形成されるので、応力に
よって差動段５．に流れる微小電流の電流量が変化する
ことがなくなる。
はダイヤフラム領域２から離間した領域である最外周側
の外側増幅回路形成領域４２に形成されるので、応力に
よって差動段５．に流れる微小電流の電流量が変化する
ことがなくなる。
［発明の効果］
以上、説明したようにこの発明によれば、差動増幅回路
の差動段をダイヤフラム領域から離間させて配置したの
で、差動段に流れる微小電流の電流量が応力によって変
化することがなくなり、精度の高い増幅特性が得られる
という極めて優れた効果が得られる。
の差動段をダイヤフラム領域から離間させて配置したの
で、差動段に流れる微小電流の電流量が応力によって変
化することがなくなり、精度の高い増幅特性が得られる
という極めて優れた効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
構成を示す圧力センサチップの平面図、第２図は従来の
圧力センサチップの平面図、第３図は等価回路を示す図
、第４図は差動増幅回路のブロック図である。 １・・・ 半導体チップ、２ダイヤフラム領域、３・・
・・センサ素子、３ ｒ、 ３２．３３．３４・・・
歪ゲージ抵抗、４・・ ・増幅回路形成領域、４□ ・
・・・内側増幅回路形成領域、４２・・・・外側増幅回
路形成領域、５・ ・・差動増幅回路、５１ ・・・・
差動段、５２ ・・・電流増幅段、５．・・・・出力
段。 代 理 人 大岩増雄 Ｎ ＼デ テー
構成を示す圧力センサチップの平面図、第２図は従来の
圧力センサチップの平面図、第３図は等価回路を示す図
、第４図は差動増幅回路のブロック図である。 １・・・ 半導体チップ、２ダイヤフラム領域、３・・
・・センサ素子、３ ｒ、 ３２．３３．３４・・・
歪ゲージ抵抗、４・・ ・増幅回路形成領域、４□ ・
・・・内側増幅回路形成領域、４２・・・・外側増幅回
路形成領域、５・ ・・差動増幅回路、５１ ・・・・
差動段、５２ ・・・電流増幅段、５．・・・・出力
段。 代 理 人 大岩増雄 Ｎ ＼デ テー
Claims (1)
- 半導体チップに少なくともダイヤフラム領域および差動
増幅回路を設けた半導体圧力センサにおいて、前記差動
増幅回路の差動段をダイヤフラム領域より離間した位置
に配置したことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319656A JP2508406B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319656A JP2508406B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188002A true JPH04188002A (ja) | 1992-07-06 |
| JP2508406B2 JP2508406B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=18112736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2319656A Expired - Lifetime JP2508406B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508406B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59220975A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Hitachi Ltd | 集積化圧力センサ |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2319656A patent/JP2508406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59220975A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Hitachi Ltd | 集積化圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508406B2 (ja) | 1996-06-19 |
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Legal Events
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 12 |
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