JPH04188672A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04188672A JPH04188672A JP2313726A JP31372690A JPH04188672A JP H04188672 A JPH04188672 A JP H04188672A JP 2313726 A JP2313726 A JP 2313726A JP 31372690 A JP31372690 A JP 31372690A JP H04188672 A JPH04188672 A JP H04188672A
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- JP
- Japan
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- trench
- collector electrode
- electrode lead
- epitaxial layer
- type
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラ集積回路のコレクタ電極取り出し部
の構造に関する。
の構造に関する。
最も一般的なバイポーラ集積回路のコレクタ電極取り出
し部の形成方法について、第３図を参照して説明する。
し部の形成方法について、第３図を参照して説明する。
Ｐ型シリコン基板１の上にＮ型埋込層２を挟んでＮ型エ
ピタキシャル層３が形成されている。
ピタキシャル層３が形成されている。
選択酸化（ＬＯＧＯ３）法により素子分離用のフィール
ド酸化膜４が形成され、薄い酸化膜９が形成されている
。
ド酸化膜４が形成され、薄い酸化膜９が形成されている
。
さらに拡散によりコレクタ電極取り出し部５、ベース６
、グラフトベース７、エミッタ８が形成され、薄い酸化
膜９に開口が設けられ、金属配線１０が形成されている
。
、グラフトベース７、エミッタ８が形成され、薄い酸化
膜９に開口が設けられ、金属配線１０が形成されている
。
コレクタ電極取り出し部は高温の熱拡散による不純物拡
散層で形成されているため、横方内拡がりが大きく寸法
を小さくすることができなかった。
散層で形成されているため、横方内拡がりが大きく寸法
を小さくすることができなかった。
Ｎ型エピタキシャル層の表面からＮ型埋込層に達する不
純物拡散により、深さ（エピタキシャル層厚さ）方向の
７０〜８０％もの横方内拡がりが生じている。
純物拡散により、深さ（エピタキシャル層厚さ）方向の
７０〜８０％もの横方内拡がりが生じている。
したがってコレクタ電極取り出し部がベースと接触しな
いように離す必要があり、横方向の寸法を小さくするこ
とができなかった。
いように離す必要があり、横方向の寸法を小さくするこ
とができなかった。
この拡散層の抵抗値はあまり小さくすることができない
ので、コレクタ寄生抵抗となって、特に高周波特性を劣
化させていた。
ので、コレクタ寄生抵抗となって、特に高周波特性を劣
化させていた。
本発明の半導体装置において、エピタキシャル層のトレ
ンチエツチングと、高融点金属の選択成長によるトレン
チ埋め込みにより、コレクタ電極取り出し部を形成して
いる。
ンチエツチングと、高融点金属の選択成長によるトレン
チ埋め込みにより、コレクタ電極取り出し部を形成して
いる。
つぎに本発明の第１の実施例について、第１図を参照し
て説明する。
て説明する。
Ｐ型シリコン基板１の上に砒素のイオン注入または熱拡
散によりＮ型埋込層２が形成され、その上に厚さ１μｍ
のＮ型エピタキシャル層３が形成されている。
散によりＮ型埋込層２が形成され、その上に厚さ１μｍ
のＮ型エピタキシャル層３が形成されている。
素子分離のためＬＯＧＯ３！！択酸化法により厚さ８０
００人のフィールド酸化膜４が形成され、さらに薄い酸
化膜９が形成されている。
００人のフィールド酸化膜４が形成され、さらに薄い酸
化膜９が形成されている。
コレクタ電極取り出し部予定領域にＲＩＥ法によりエツ
チングしてトレンチく溝）を形成してから、タングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属を選択
成長させてトレンチを埋め込み、コレクタ電極取り出し
部５を形成する。
チングしてトレンチく溝）を形成してから、タングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属を選択
成長させてトレンチを埋め込み、コレクタ電極取り出し
部５を形成する。
例えばＷＦ６ガスをＳｉＨ４で還元するとＷが分解し、
シリコン基板上のみに選択成長させることができる。成
長させない部分は酸化シリコン膜で覆われるのが普通で
ある。
シリコン基板上のみに選択成長させることができる。成
長させない部分は酸化シリコン膜で覆われるのが普通で
ある。
硼素を加速エネルギー３０ｋｅＶ、注入量（ドース）３
Ｘ １０”ｃｍ−２イオン注入してベース６が形成され
、硼素を加速エネルギー４．０ ｋ ｅ Ｖ、注入量（
ドース）５Ｘ ］、Ｏ”ｃｍ−２イオン注入してグラフ
トベース７が形成され、砒素を加速エネルギー７０ｋｅ
Ｖ、注入量（ドース）５Ｘ１０１５ｃｍ”′２イオン注
入してエミッタ８が形成される。
Ｘ １０”ｃｍ−２イオン注入してベース６が形成され
、硼素を加速エネルギー４．０ ｋ ｅ Ｖ、注入量（
ドース）５Ｘ ］、Ｏ”ｃｍ−２イオン注入してグラフ
トベース７が形成され、砒素を加速エネルギー７０ｋｅ
Ｖ、注入量（ドース）５Ｘ１０１５ｃｍ”′２イオン注
入してエミッタ８が形成される。
さらに薄い酸化膜９にコンタクトホールが開口され、金
属配線１０が形成されて素子部が完成される。
属配線１０が形成されて素子部が完成される。
つぎに本発明の第２の実施例について、第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
コレクタ取り出し部形成予定領域となるトレンチの形成
を、ヒドラジンなどの異方性ウェットエツチング液によ
り形成する。
を、ヒドラジンなどの異方性ウェットエツチング液によ
り形成する。
エツチングによるトレンチの断面形状は、シリコン基板
の結晶方位によって決まる。
の結晶方位によって決まる。
例えば（１００）面を用いた場合、エツチングが（１１
１）面で止って模型の側面となる。
１）面で止って模型の側面となる。
さらにＷを選択成長させてトレンチを埋め込みコレクタ
電極取り出し部５を形成する。
電極取り出し部５を形成する。
そのほかは第１の実施例と同様である。
本実施例ではトレンチのエツチングが自動的に停止する
ので、エツチングの深さをマスク材の開口幅により容易
に制御することができる。
ので、エツチングの深さをマスク材の開口幅により容易
に制御することができる。
コレクタ電極取り出し部を従来の拡散層から、本発明の
高融点金属に変更することにより、寄生抵抗が小さくな
り、高周波特性が改善された。
高融点金属に変更することにより、寄生抵抗が小さくな
り、高周波特性が改善された。
また拡散と違って横方向への拡がりが小さいので、寸法
を小さくすることができる。
を小さくすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
によるバイポーラ集積回路の断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ型埋込層、３・
・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・フィールド酸化膜
、５・・・コレクタ電極取り出し部、６・・・ベース、
７・・・グラフトベース、８・・・エミッタ、９・・・
薄い酸化膜、１０・・・金属配線。
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
によるバイポーラ集積回路の断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ型埋込層、３・
・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・フィールド酸化膜
、５・・・コレクタ電極取り出し部、６・・・ベース、
７・・・グラフトベース、８・・・エミッタ、９・・・
薄い酸化膜、１０・・・金属配線。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に形成されたエピタキシャル層にバ
イポーラトランジスタのコレクタ埋込層まで達するトレ
ンチが形成され、高融点金属の選択成長によって前記ト
レンチが埋め込まれていることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313726A JPH04188672A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313726A JPH04188672A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188672A true JPH04188672A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18044781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313726A Pending JPH04188672A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188672A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134969A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH01296667A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Hitachi Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02278736A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313726A patent/JPH04188672A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134969A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH01296667A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Hitachi Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02278736A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
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