JPH0418977A - 溶存気体除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明に、半導体製造プロセス中で用いられる水の溶
存気体の除去？行うことの出来る溶存気体除去装置に関
するものである。

〔従来の仮構〕

第８図に、半導体製造プロセスに用いられる純水を供給
する場合の従来の叫水供給システム？示すシステム図で
あり。：ｌｌＶ′ｉ未処理の工業用水、（７）は水中の
溶存酸素全除去する為の真空脱気装置１，５）は呼水便
用設備である。ｂ・、１８）は工業用水中の雌の不純物
を除去する前処理、後処理装置である。

このようＶＣ構成きれた純水供給システムにおいて工業
用水（１１が＠処理装置６）を経て真空脱気装置１７）
で真空脱気さｎ住処理装置（８］を経て、純水使用箇所
６１に供給される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の純水供給システムは以上のよう溶存酸素の除去を
真空脱気と−う方法で竹っていたため、真空脱気装置だ
けで多額のコストが〃・かりさらに装置を作動する九め
のポンプの消費電力が高く、又１時間にｌＯ〜１００ｔ
の純水を処理するだけの大きい装置である為にスペース
効率が悪いという問題点があった。

この発明に上記のような問題Ｑを解決するためになされ
たもので、安価にスペース効率よ〈溶存気体の除去を行
うことを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明ζ、容器の底部に半導体ウニ／・表面と反応不
活性な気体が導入されると共に容器底部から噴出される
気体Ｊ［吊手段と？設は之ものである。

〔作用〕

この発明ｌてよれｄ、！水中の溶存気体をウェハ表面と
反応不活性な気体により置換することが出来る。

〔実施−］〕

第１図は、この発明の一実施例のガスノくプリング装置
を含む純水供給システムを示すシステム区であり、１旧
６１は従来例にふ・ける７ステム構成と同等のものであ
る。図において＋２１４１は工業用水中の他の不純物を
除去する処理装置、＋３１　ｄガスバブリング装置であ
る。

第１！図に、前記ガスバブリング装置の祥細を示す評細
断面図でろり、（２ａ）ｉｑ水イ、（２ｂ〕はウェハ表
面と反応不活性な気体としτＡｒ　’ｃ便用し、そのガ
スボンベを示り、　（ｊＩＣ）ｉバブラー（２ｄ）に孜
相、（２ｅ）に気相を下している〇このようＶＣ構成さ
れたバブリング肢＠に２・いてＡｒ　ガスボンベ（２ｂ
）よりＡｒ　ガスをバブラー（ｇｃ）を用いてバグリン
グし、−ｆＬ　Ａｒ　ガスが液相（２ｄ）にとけこみ、
過−ＪのＡｒ　　ガスが液面上を覆う。

ヘンリーの法則によると一足温度で気体の浴解度はその
分圧に比例し、気相（２ｅ）に、Ａｒ雰囲気となってい
るので、液相（２ｄ）のＶ？素がＡｒと置換される。

第４図汀溶存酸素の一度と自然酸化膜のＦｉＡ係をグラ
フにしたものであるが、溶存酸Ｘ濃度が低濃度（ｏ、ｏ
＋ｐｐｍ）の時が最も自然酸化膜かうすいことを示して
いる。促って、Ａｒ　　置換で酸素が除去され０ことに
Ｌり自然酸化膜の発生を防ぐことが出来る。（第４図：
ウルトラテクノロジー１９８９．４月ｇ５日発行ｖｏｘ
　ｉより引用）なお％前記実ｙ５．例ではＡｒガスを使
用した例を示したが半導体ウェハ表面と反応不活性であ
る気体であればどの様な気体でも同様の効果を示し、父
、水中の府存酸素のみならず、池のどの様な気体も除去
することかカ米る。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、容器の底部に半導体ウ
ェハ表面と反応不活性な気体が導入されると共に容器底
部から噴出される気体噴出手段を設けたので、安価でス
ペース効率よく溶存気体の除去を行うことが出来るとい
う効果がある。

４、　図面の１１１１車な説明 第１図μこの発明の一実施Ｐｉ　ｋ示す純水供給システ
ム図、第３図はこの発明の一実施例の純水供給システム
中で用いたガスバブリング装置図、第３図は従来の純水
供給システム図、第４図は純水中の溶存＃素ａ度と自然
酸化膜厚との関係を示すグラフである〇 各図中、同一符号にｊ四−または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理すべき、水が収容される容器本体と、この容器本体
   に、前記水が注入される注入口と、前記容器の底部に半
   導体ウェハ表面と反応不活性な気体が導入されると共に
   、前記容器底部から噴出される気体噴出手段と、前記容
   器本体に設けられた水放出口とを備えた、溶存気体除去
   装置。