JPH041906A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH041906A JPH041906A JP10029390A JP10029390A JPH041906A JP H041906 A JPH041906 A JP H041906A JP 10029390 A JP10029390 A JP 10029390A JP 10029390 A JP10029390 A JP 10029390A JP H041906 A JPH041906 A JP H041906A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetic head
- gap depth
- film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダ(V’l’R)などに
用いられる薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ヘッドチップ
をヘッドベースなどに高精度に取付けるのに好適な薄膜
磁気ヘッドに関する。
用いられる薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ヘッドチップ
をヘッドベースなどに高精度に取付けるのに好適な薄膜
磁気ヘッドに関する。
V’I’R用磁気ヘッドは、従来のバルク型磁気コアを
用いて、これを突合せて作動ギャップを形成する1式が
用いられてきた。しかし、近年、v!Hの記録/再生特
性の高性能化等の要求により、バルクタイプ磁気ヘッド
に代って、基板上にフォトリソ技術を用−て磁気コア、
薄膜コイル等を形成した薄膜磁気ヘッドが用いられつつ
ある。従来よシ薄膜磁気ヘッドは、第4図に示すように
、基板1の上に下部磁性層3、ギャップ用非磁性膜5、
コイル絶縁材6、コイル9、上部磁性層7、保諌膜8、
が積層された構造となっている。一般に、薄膜磁気ヘッ
ドはヘッド素子を基板上に多数個形成し、そのヘッド素
子を所定の形状に機械加工で切断、切削等を行い個々の
ヘッドチップとして用いている。第5図は特開昭63−
4719号公報に記載されている薄膜磁気ヘッドを示し
たものでテープ摺動面は安定な当接を得るためチップ厚
tよりも薄くなるよう幅Wに切削加工されている。
用いて、これを突合せて作動ギャップを形成する1式が
用いられてきた。しかし、近年、v!Hの記録/再生特
性の高性能化等の要求により、バルクタイプ磁気ヘッド
に代って、基板上にフォトリソ技術を用−て磁気コア、
薄膜コイル等を形成した薄膜磁気ヘッドが用いられつつ
ある。従来よシ薄膜磁気ヘッドは、第4図に示すように
、基板1の上に下部磁性層3、ギャップ用非磁性膜5、
コイル絶縁材6、コイル9、上部磁性層7、保諌膜8、
が積層された構造となっている。一般に、薄膜磁気ヘッ
ドはヘッド素子を基板上に多数個形成し、そのヘッド素
子を所定の形状に機械加工で切断、切削等を行い個々の
ヘッドチップとして用いている。第5図は特開昭63−
4719号公報に記載されている薄膜磁気ヘッドを示し
たものでテープ摺動面は安定な当接を得るためチップ厚
tよりも薄くなるよう幅Wに切削加工されている。
この種薄膜磁気ヘッドはフォトリソ技術により磁気コア
の極小化ならび薄膜コイルの巻回半径が小さくできるた
め外部信号妨害を受けにくいという優れた利点をもって
いる。
の極小化ならび薄膜コイルの巻回半径が小さくできるた
め外部信号妨害を受けにくいという優れた利点をもって
いる。
ま几、磁気ヘッドのギャップ深さ(第4図のGdで示す
)も特開昭62−219215号公報に記載されている
研摩量検出パターンを容易に精度よく設けることができ
る九めに研摩加工でギャップ深さ(Gd)を精度良く制
御することができ特性ばらつきの少い磁気ヘッドが得ら
れる。この種の研摩装置の例として特開昭65−140
410号公報が挙げられる。
)も特開昭62−219215号公報に記載されている
研摩量検出パターンを容易に精度よく設けることができ
る九めに研摩加工でギャップ深さ(Gd)を精度良く制
御することができ特性ばらつきの少い磁気ヘッドが得ら
れる。この種の研摩装置の例として特開昭65−140
410号公報が挙げられる。
ところで、従来技術の研摩量検出パターンは、ギャップ
深さ(Gd)に対応してそのパターン幅が変化する形状
に研摩面であるテープ摺動面の磁気ギャップ近傍に形成
されている。ギャップ深さの制御は、たとえば、特開昭
65−140410号公報に記載されているような研摩
装置を用いて、テープ摺動面を研摩しながらパターン幅
を測定することによ)行なわれる。しかし、従来の技術
は第5図に示したテープ摺動面の幅Wについては何等考
慮がなされていなかった。すなわち、幅Wが狭くなると
テープ摺動面に露出している検出パターンも切削加工さ
れるため、ギャップ深さの測定ができなくなる。これを
防ぐためには検出パターンを磁気ギャップにほぼ隣接す
る位置まで配置すればよいが、この場合も、テープ摺動
面の幅Wは少くとも検出パターンの幅が測定できる幅ま
でしか狭くできないという問題があった。
深さ(Gd)に対応してそのパターン幅が変化する形状
に研摩面であるテープ摺動面の磁気ギャップ近傍に形成
されている。ギャップ深さの制御は、たとえば、特開昭
65−140410号公報に記載されているような研摩
装置を用いて、テープ摺動面を研摩しながらパターン幅
を測定することによ)行なわれる。しかし、従来の技術
は第5図に示したテープ摺動面の幅Wについては何等考
慮がなされていなかった。すなわち、幅Wが狭くなると
テープ摺動面に露出している検出パターンも切削加工さ
れるため、ギャップ深さの測定ができなくなる。これを
防ぐためには検出パターンを磁気ギャップにほぼ隣接す
る位置まで配置すればよいが、この場合も、テープ摺動
面の幅Wは少くとも検出パターンの幅が測定できる幅ま
でしか狭くできないという問題があった。
暢Wは磁気ヘッドを用いるシステムによって良好なテー
プの当接が得られるように数十#m〜約500Jmの範
囲で規制されるが、特に、100μm以下のテープ摺動
面幅の場合に、従来技術のパターンではギャップデプス
の測定かできなくなるという問題があった。
プの当接が得られるように数十#m〜約500Jmの範
囲で規制されるが、特に、100μm以下のテープ摺動
面幅の場合に、従来技術のパターンではギャップデプス
の測定かできなくなるという問題があった。
本発明の目的は、テープ摺動面幅を狭くしてもギャップ
深さ検出パターンにより高精度にギャップ深さが測定で
きる薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
深さ検出パターンにより高精度にギャップ深さが測定で
きる薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は基板上に磁気コア
、絶縁層、薄膜コイル、保護膜などを所定の形状に積層
形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、テープ摺動面の上部
磁気コア上の保護膜部位に、ギャップデプス検出パター
ンを7オトリソ技術で設ける。
、絶縁層、薄膜コイル、保護膜などを所定の形状に積層
形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、テープ摺動面の上部
磁気コア上の保護膜部位に、ギャップデプス検出パター
ンを7オトリソ技術で設ける。
上記した検出パターンは、薄膜磁気ヘッドの製造工程時
に7オトリソ技術によって形成され、その形状、位置精
度は良好なものとなっている。そして、テープ摺動幅加
工を行っても検出パターンを切断することのないテープ
摺動面の保ia膜部位に位置しているため、摺動幅の狭
いヘッドでも高精度のギャップデプスを得ることができ
る。よって、性能ばらつきの少い薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
に7オトリソ技術によって形成され、その形状、位置精
度は良好なものとなっている。そして、テープ摺動幅加
工を行っても検出パターンを切断することのないテープ
摺動面の保ia膜部位に位置しているため、摺動幅の狭
いヘッドでも高精度のギャップデプスを得ることができ
る。よって、性能ばらつきの少い薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
以下、本発明を第1図と第2図に示した実施例によって
説明する。第1図は本発明の磁気ヘッドのテープ摺動面
から見た平面図である。
説明する。第1図は本発明の磁気ヘッドのテープ摺動面
から見た平面図である。
第1図において1は基板、5は下部コア、5は磁気ギャ
ップ、6は絶縁層、7は上部コア、8A。
ップ、6は絶縁層、7は上部コア、8A。
8Bは保護膜であり、ギャップ深さ検出マーカ9は磁気
ヘッドのギャップ深さとそのパターン幅tが対応する形
状にパターニングし、さらに、上部コア7上゛の保護膜
8A 、8B内のテープ摺動面にその断面が露呈してお
シ、テープ摺動面側からそのパターン幅tが測定できる
ようになっている。
ヘッドのギャップ深さとそのパターン幅tが対応する形
状にパターニングし、さらに、上部コア7上゛の保護膜
8A 、8B内のテープ摺動面にその断面が露呈してお
シ、テープ摺動面側からそのパターン幅tが測定できる
ようになっている。
また、その位置はテープ摺動面の幅方向のほぼ中心に位
置している。
置している。
このような位置にギャップ深さ検出パターン9を配置す
ることにより、テープ摺動幅Wを小さくしてもギャップ
深さを測定することができる。また、検出パターンはフ
ォトリソ技術で形成するために1μm以内のパターン形
状精度が容易に得られるため高精度にギャップ深さを測
定することができる。
ることにより、テープ摺動幅Wを小さくしてもギャップ
深さを測定することができる。また、検出パターンはフ
ォトリソ技術で形成するために1μm以内のパターン形
状精度が容易に得られるため高精度にギャップ深さを測
定することができる。
次に、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。
まず、基板1の母材となる基板母材12(第2図)上に
、イオンミリングによって、下部磁気コア3を埋込むた
めの溝2を所定部位に多数個形成し、その後、ダイサ加
工によって構2に所定幅のコアフロント部形成予定部位
等を切削加工する。次にC,−N、 −Z、系の非晶質
合金膜を溝2が埋まるまでスパッタリング等の手法で全
面に成膜形成しく例えば、膜厚20〜60srs程度)
、機械研摩による平坦化処理を施こした後、イオンミリ
ングにより所定の形状に整形して下部磁気コア3を形成
する。次に絶縁層(下部磁気コア埋込み絶縁層)4が5
i02 lAt20B lMgO−8iOz等の絶縁材
料をスパッタリング等で成膜することによって形成され
、これを機械研摩によって平坦化処理し、下部磁気コア
6の表面を露呈・平坦化する。
、イオンミリングによって、下部磁気コア3を埋込むた
めの溝2を所定部位に多数個形成し、その後、ダイサ加
工によって構2に所定幅のコアフロント部形成予定部位
等を切削加工する。次にC,−N、 −Z、系の非晶質
合金膜を溝2が埋まるまでスパッタリング等の手法で全
面に成膜形成しく例えば、膜厚20〜60srs程度)
、機械研摩による平坦化処理を施こした後、イオンミリ
ングにより所定の形状に整形して下部磁気コア3を形成
する。次に絶縁層(下部磁気コア埋込み絶縁層)4が5
i02 lAt20B lMgO−8iOz等の絶縁材
料をスパッタリング等で成膜することによって形成され
、これを機械研摩によって平坦化処理し、下部磁気コア
6の表面を露呈・平坦化する。
この後、第1のギアツブ深さ検出パターン14をスパッ
タリング等の薄膜形成技術と7オトリソ技術によってた
とえばCr等の非磁性材で形成する。
タリング等の薄膜形成技術と7オトリソ技術によってた
とえばCr等の非磁性材で形成する。
この後、所定のギャップ長を確保するため、 5io2
+A420s、或いは、Cr等の非磁性材によって、ギ
ャップ規制膜5を所定部分(下部磁気コア5のフロント
部分)に、例えば、膜厚I15xm程度に形成する。次
に、薄膜コイル10を、例えば、Cu膜等でバターニン
グすると共に、絶縁層6を形成して薄膜コイル10と磁
気コアとの電気的絶縁を確保する。
+A420s、或いは、Cr等の非磁性材によって、ギ
ャップ規制膜5を所定部分(下部磁気コア5のフロント
部分)に、例えば、膜厚I15xm程度に形成する。次
に、薄膜コイル10を、例えば、Cu膜等でバターニン
グすると共に、絶縁層6を形成して薄膜コイル10と磁
気コアとの電気的絶縁を確保する。
次に、絶縁層6の所定部位をエツチングによりて除去し
た後、下部磁気コア3と同一磁性材料をスパッタリング
等で成膜した後、イオンミリングによって所定形状に成
形して上部磁気コア7t−作成する。その後、磁気テー
プと摺接性が良効な、例えば、MgO−8i02系セラ
ミツクよシなる第一の保護膜8人を形成しく例えば、膜
厚1o〜6゜’mL これを機械研摩によって平坦化し
た後、はぼフロントギャップ部の上部担当部分に第二の
ギャップ深さ検出パターン9を第一のギャップ深さ検出
パターンと同様にしてスパッタリング等の薄膜形成技術
と7オ) IJソ技術によって、例えば、Cr膜等で形
成する。ここで第二のギャップ深さ検出パターンは第一
のパターン程ギャップデプス=0の位置に精度良く位置
を合せる必要はなく、少くとも、ギャップデプス−〇の
場合でも、そのパターン幅が測定できる位置にあればよ
く、この場合、後述する摺動幅加工前I/c第−、第二
のパターン幅の差を測定しておけばよい、さらに、パタ
ーン形状も第一のギャップ深さ検出パターンと同じ形状
が望ましいが、パターン形状を変えても本特許は有効で
あシ、要はギャップデプスの変化に対応してパターン幅
が変化する形状であればよい。
た後、下部磁気コア3と同一磁性材料をスパッタリング
等で成膜した後、イオンミリングによって所定形状に成
形して上部磁気コア7t−作成する。その後、磁気テー
プと摺接性が良効な、例えば、MgO−8i02系セラ
ミツクよシなる第一の保護膜8人を形成しく例えば、膜
厚1o〜6゜’mL これを機械研摩によって平坦化し
た後、はぼフロントギャップ部の上部担当部分に第二の
ギャップ深さ検出パターン9を第一のギャップ深さ検出
パターンと同様にしてスパッタリング等の薄膜形成技術
と7オ) IJソ技術によって、例えば、Cr膜等で形
成する。ここで第二のギャップ深さ検出パターンは第一
のパターン程ギャップデプス=0の位置に精度良く位置
を合せる必要はなく、少くとも、ギャップデプス−〇の
場合でも、そのパターン幅が測定できる位置にあればよ
く、この場合、後述する摺動幅加工前I/c第−、第二
のパターン幅の差を測定しておけばよい、さらに、パタ
ーン形状も第一のギャップ深さ検出パターンと同じ形状
が望ましいが、パターン形状を変えても本特許は有効で
あシ、要はギャップデプスの変化に対応してパターン幅
が変化する形状であればよい。
次に、第一の保護膜と同一の材料で第二の保護膜8Bを
形成し、第二のギャップ深さ検出パターンを間にはさん
だ構造とする。その後、保#に膜8A。
形成し、第二のギャップ深さ検出パターンを間にはさん
だ構造とする。その後、保#に膜8A。
8B、絶縁層6′t−選択的にエツチングして、薄膜コ
イルと同時に形成されたポンディングパッド111−i
呈させ、第2図に示したように一つの基板母材12上に
多数の薄膜ヘッド素子を形成したウェハが得られること
になる。次に、ヘッド素子をウェハから機械加工で切断
、切削し個々の磁気ヘッドとする。この時の摺動幅加工
で、第一のギャップ深さ検出パターンが加工されても第
二のパターンで高精度にギャップ深さを測定できる。
イルと同時に形成されたポンディングパッド111−i
呈させ、第2図に示したように一つの基板母材12上に
多数の薄膜ヘッド素子を形成したウェハが得られること
になる。次に、ヘッド素子をウェハから機械加工で切断
、切削し個々の磁気ヘッドとする。この時の摺動幅加工
で、第一のギャップ深さ検出パターンが加工されても第
二のパターンで高精度にギャップ深さを測定できる。
本実施例では第一の保護膜と第二の保護膜を同一の材料
としたが異る材料で構成した場合も本発明は有効である
。第3図は本発明の第二の実施例に係る磁気ヘッドのテ
ープ摺動面から見た平面図であ夛、テープ摺動面に切シ
欠き溝13を設け、ヘッドトラック@T、を規制してい
る。この場合も第一の実施例に示したように、上部磁気
コア7上の保護膜部8Aにギヤツブ検出i−力9を設け
た構造となっておシ、これにょル高精度のギャップ深さ
を測定することができる。なお、切り欠き溝13#C,
たとえば、保護膜8A 、8Bと同一の材料、もしくは
、ガラス等の非磁性材を充填しても何らさしつかえない
。
としたが異る材料で構成した場合も本発明は有効である
。第3図は本発明の第二の実施例に係る磁気ヘッドのテ
ープ摺動面から見た平面図であ夛、テープ摺動面に切シ
欠き溝13を設け、ヘッドトラック@T、を規制してい
る。この場合も第一の実施例に示したように、上部磁気
コア7上の保護膜部8Aにギヤツブ検出i−力9を設け
た構造となっておシ、これにょル高精度のギャップ深さ
を測定することができる。なお、切り欠き溝13#C,
たとえば、保護膜8A 、8Bと同一の材料、もしくは
、ガラス等の非磁性材を充填しても何らさしつかえない
。
不発8AKよれば、薄膜磁気ヘッドのテープ摺動幅を小
さくしてもギャップ深さの測定が可能であシ、また、ギ
ャップ深さ検出1−力はフォトリソ技術で極めて精度よ
く形成できこれにより高精度のギャップ深さをもつ薄膜
磁気ヘッドを提供することができる。
さくしてもギャップ深さの測定が可能であシ、また、ギ
ャップ深さ検出1−力はフォトリソ技術で極めて精度よ
く形成できこれにより高精度のギャップ深さをもつ薄膜
磁気ヘッドを提供することができる。
第1図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドのテープ摺
動面から見た平面図、第2図はヘッドチツブの製造工程
の説明図、第3図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッ
ドのテープ摺動面の平面図、第4図は第5図のA−A線
に沿う要部断面図、第5図はヘッドチップのヘッド素子
形成面の平面図である。 符号の説明 1・・・・・・基板、 5.7・・・・・・磁気コア
、 5・・・・・・磁気ギャップ、 4.6・・・
・・・絶縁層、 8A、8B・・・・・・保護膜、
9・・・・・・ギャップ深さ検出マーカ、10・・・
・・・薄膜コイル。 オ失邸マーカ 2図 41¥1 η1
動面から見た平面図、第2図はヘッドチツブの製造工程
の説明図、第3図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッ
ドのテープ摺動面の平面図、第4図は第5図のA−A線
に沿う要部断面図、第5図はヘッドチップのヘッド素子
形成面の平面図である。 符号の説明 1・・・・・・基板、 5.7・・・・・・磁気コア
、 5・・・・・・磁気ギャップ、 4.6・・・
・・・絶縁層、 8A、8B・・・・・・保護膜、
9・・・・・・ギャップ深さ検出マーカ、10・・・
・・・薄膜コイル。 オ失邸マーカ 2図 41¥1 η1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に磁気コア、絶縁層、薄膜コイル、保護膜を
所定の形状に積層形成し、テープが摺動するヘッド摺動
面を所定幅に機械加工した薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記ヘッド摺動面の前記保護膜内に平面で見てその断面
が磁気ギャップとほぼ平行する位置に露呈するギャップ
深さ検出マーカを設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029390A JPH041906A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029390A JPH041906A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041906A true JPH041906A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14270131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10029390A Pending JPH041906A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041906A (ja) |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10029390A patent/JPH041906A/ja active Pending
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