JPH04192249A - 二次イオン質量分析方法 - Google Patents
二次イオン質量分析方法Info
- Publication number
- JPH04192249A JPH04192249A JP2323534A JP32353490A JPH04192249A JP H04192249 A JPH04192249 A JP H04192249A JP 2323534 A JP2323534 A JP 2323534A JP 32353490 A JP32353490 A JP 32353490A JP H04192249 A JPH04192249 A JP H04192249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- voltage
- mass spectrometry
- secondary ions
- secondary ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、深さ方向の分解能を向上させた二次イオン質
量分析方法に関する。
量分析方法に関する。
［従来の技術］
試料の元素分析等を行う装置に二次イオン質量分析装置
がある。この様な装置では、イオン源からのイオンビー
ムを集束レンズで集束し、偏向器により該イオンビーム
を試料上の所定の箇所に照射する。該照射により該試料
から発生した二次イオンを引出し電極により引出し、質
量分析ユニットに入れる。そして、該ユニットによりエ
ネルギー分離及び質量分離されたイオンビームを二次イ
オン検出器で検出し、信号処理手段により各種処理して
表示手段に送る。その結果、該表示手段に試料特有のマ
ススペクトルを表示する。
がある。この様な装置では、イオン源からのイオンビー
ムを集束レンズで集束し、偏向器により該イオンビーム
を試料上の所定の箇所に照射する。該照射により該試料
から発生した二次イオンを引出し電極により引出し、質
量分析ユニットに入れる。そして、該ユニットによりエ
ネルギー分離及び質量分離されたイオンビームを二次イ
オン検出器で検出し、信号処理手段により各種処理して
表示手段に送る。その結果、該表示手段に試料特有のマ
ススペクトルを表示する。
［発明が解決しようとする課題］
さて、この様な二次イオン質量分析装置において、深さ
方向の分解能を向上させる為に、例えば、試料を傾斜さ
せて、−次イオンビームの試料への照射角を小さくして
いるか、これだけでは十分とは言えない。
方向の分解能を向上させる為に、例えば、試料を傾斜さ
せて、−次イオンビームの試料への照射角を小さくして
いるか、これだけでは十分とは言えない。
本発明はこの様な点に鑑みて成されたもので、深さ方向
の分解能を更に向上させる新規な二次イオン質量分析方
法に関する。
の分解能を更に向上させる新規な二次イオン質量分析方
法に関する。
［課題を解決するための手段〕
本発明は、試料に一次イオンビームを照射し、該試料か
ら放出される二次イオンを測定する二次イオン質量分析
方法において、試料に印加する電圧と、試料からの二次
イオンを引き出す為の引き出しレンズに印加する電圧を
可変と成し、該試料からの二次イオンビーム強度か最大
となる様にした。
ら放出される二次イオンを測定する二次イオン質量分析
方法において、試料に印加する電圧と、試料からの二次
イオンを引き出す為の引き出しレンズに印加する電圧を
可変と成し、該試料からの二次イオンビーム強度か最大
となる様にした。
［作用コ
図に示す様に、試料１に一次イオンビームＩを照射する
事により、該試料から二次イオンビームが発生する。該
試料と質量分析ユニット７の間には、転送レンズ５とメ
インスリット６か配置されており、該転送レンズは前記
二次イオンビームの仮想的光源を前記メインスリット６
上に結像しており、該メインスリット６は該仮想光源像
の径を決定している。この時、質量分析ユニット７の二
次イオン取り込み角αは分解能が最も良くなる様に決め
られている。従って、二次イオンの転送レンズ５への入
射角度α。を該質量分析ユニットの二次イオン取り込み
角αに一致させることで、最大の検出効率が得られる。
事により、該試料から二次イオンビームが発生する。該
試料と質量分析ユニット７の間には、転送レンズ５とメ
インスリット６か配置されており、該転送レンズは前記
二次イオンビームの仮想的光源を前記メインスリット６
上に結像しており、該メインスリット６は該仮想光源像
の径を決定している。この時、質量分析ユニット７の二
次イオン取り込み角αは分解能が最も良くなる様に決め
られている。従って、二次イオンの転送レンズ５への入
射角度α。を該質量分析ユニットの二次イオン取り込み
角αに一致させることで、最大の検出効率が得られる。
該試料表面からの二次イオンの放出角度α。は、試料１
に印加する電圧Ｖ＋（試料印加電圧源２の電圧）、試料
１からの二次イオンを引出す為の引出し電圧ｖ２ （引
出電圧源４の電圧）、試料１からの二次イオンの放出エ
ネルギーφ及び二次イオンの放出角度α１の関数で変化
する。そこで、前記試料印加電圧Ｖ、と引出し電圧■２
をコントロールする事により、試料１から放出される二
次イオンを出来るだけ多く転送レンズ５への入射角度α
。内に取り込める様にすれば、質量分析７系への検出効
率か最も良くなり、結果的に、深さ方向の分解能かより
向上する。
に印加する電圧Ｖ＋（試料印加電圧源２の電圧）、試料
１からの二次イオンを引出す為の引出し電圧ｖ２ （引
出電圧源４の電圧）、試料１からの二次イオンの放出エ
ネルギーφ及び二次イオンの放出角度α１の関数で変化
する。そこで、前記試料印加電圧Ｖ、と引出し電圧■２
をコントロールする事により、試料１から放出される二
次イオンを出来るだけ多く転送レンズ５への入射角度α
。内に取り込める様にすれば、質量分析７系への検出効
率か最も良くなり、結果的に、深さ方向の分解能かより
向上する。
［実施例〕
図は本発明の一実施例として示した二次イオン質量分析
装置の概略図である。
装置の概略図である。
図中１は試料、２は試料印加電圧源、３は引出し電極、
４は引出し電圧源、５は転送レンズ、６はメインスリッ
ト、７は質量分析ユニット、８はスリット、９は二次イ
オン検出器、１０は信号処理手段、１１は表示手段であ
る。前記試料印加電圧源２及び引出し電圧源４は共に可
変電圧源である。
４は引出し電圧源、５は転送レンズ、６はメインスリッ
ト、７は質量分析ユニット、８はスリット、９は二次イ
オン検出器、１０は信号処理手段、１１は表示手段であ
る。前記試料印加電圧源２及び引出し電圧源４は共に可
変電圧源である。
この様な装置において、−次イオンビーム照射系（図示
せず）からの−次イオンビーム１を試料上に照射する。
せず）からの−次イオンビーム１を試料上に照射する。
今、例えば、該試料から＋イオンを引き出す場合、試料
印加電圧源２から適宜な大きさの十電圧を印加する。そ
して、引出し電圧源４から引出し電極３に適宜な大きさ
の一電圧を印加する。すると、前記試料の一次イオンビ
ーム照射箇所から二次イオンが引出される。転送レンズ
５は、前記試料からの二次イオンの仮想光源をメインス
リット６上に結像する為のもので、前記試料から引き出
された二次イオンは該転送レンズによりメインスリット
６上に集束される。該スリットの孔を通過した二次イオ
ンは、エネルギー分離用の電場発生手段と質量分離用の
磁場発生手段から成る質量分析ユニット７において、エ
ネルギー分離及び質量分離された二次イオンビームはス
リット８を介して二次イオン検８器９に検ａされる。
印加電圧源２から適宜な大きさの十電圧を印加する。そ
して、引出し電圧源４から引出し電極３に適宜な大きさ
の一電圧を印加する。すると、前記試料の一次イオンビ
ーム照射箇所から二次イオンが引出される。転送レンズ
５は、前記試料からの二次イオンの仮想光源をメインス
リット６上に結像する為のもので、前記試料から引き出
された二次イオンは該転送レンズによりメインスリット
６上に集束される。該スリットの孔を通過した二次イオ
ンは、エネルギー分離用の電場発生手段と質量分離用の
磁場発生手段から成る質量分析ユニット７において、エ
ネルギー分離及び質量分離された二次イオンビームはス
リット８を介して二次イオン検８器９に検ａされる。
該検出された二次イオンビームは信号処理手段１０で各
種処理され表示手段１１に送られる。その結果、該表示
手段に試料特有のマススペクトルが表示される。さて、
オペレータは、該表示手段に表示されたマススペクトル
を観察しながら、該スペクトルの強度、即ち、試料から
引出され、前記質量分析ユニットに入射した二次イオン
に基づくスペクトルの強度が最大になる様に、前記試料
印加電圧源２の出力電圧の大きさ、即ち、試料１に印加
される電圧の大きさを調整する。該調整後、同様に前記
マススペクトルの強度か最大になる様に、前記引出し電
圧源４の出力電圧の大きさ、即ち、引出し電極３に印加
される電圧の大きさを調整する。この試料印加電圧の大
きさ調整と引出し電圧の大きさ調整を何回か繰り返し、
前記マススペクトルが最大になる様にする。この様な調
整により、試料から放出される二次イオンを最大限、転
送レンズへの入射角度α。内に取り込め、質量分析系へ
の検出効率が最も良くなり、結果的に、深さ方向の分解
能がより向上する。
種処理され表示手段１１に送られる。その結果、該表示
手段に試料特有のマススペクトルが表示される。さて、
オペレータは、該表示手段に表示されたマススペクトル
を観察しながら、該スペクトルの強度、即ち、試料から
引出され、前記質量分析ユニットに入射した二次イオン
に基づくスペクトルの強度が最大になる様に、前記試料
印加電圧源２の出力電圧の大きさ、即ち、試料１に印加
される電圧の大きさを調整する。該調整後、同様に前記
マススペクトルの強度か最大になる様に、前記引出し電
圧源４の出力電圧の大きさ、即ち、引出し電極３に印加
される電圧の大きさを調整する。この試料印加電圧の大
きさ調整と引出し電圧の大きさ調整を何回か繰り返し、
前記マススペクトルが最大になる様にする。この様な調
整により、試料から放出される二次イオンを最大限、転
送レンズへの入射角度α。内に取り込め、質量分析系へ
の検出効率が最も良くなり、結果的に、深さ方向の分解
能がより向上する。
［効果コ
本発明によれば、試料に印加する電圧と、試料からの二
次イオンを引き出す為の引き出しレンズに印加される電
圧を可変と成し、該試料からの二次イオンビーム強度が
最大となる様にしているので、試料から放出される二次
イオンを最大限、転送レンズへの入射角度α。内に取り
込め、質量分析系への検出効率か最も良くなり、結果的
に、深さ方向の分解能がより向上する。
次イオンを引き出す為の引き出しレンズに印加される電
圧を可変と成し、該試料からの二次イオンビーム強度が
最大となる様にしているので、試料から放出される二次
イオンを最大限、転送レンズへの入射角度α。内に取り
込め、質量分析系への検出効率か最も良くなり、結果的
に、深さ方向の分解能がより向上する。
添付図は本発明の一実施例として示した二次イオン質量
分析装置の概略図である。 １：試料 ２：試料印加電圧源 ３：引出し電極
４：引出し電圧源 ５：転送レンズ ６：メイン
スリット ７：質量分析ユニット ８ニスリツト
９ニニ次イオン検出器１０：信号処理手段 １１：
表示手段特許出願人 日本電子株式会社
分析装置の概略図である。 １：試料 ２：試料印加電圧源 ３：引出し電極
４：引出し電圧源 ５：転送レンズ ６：メイン
スリット ７：質量分析ユニット ８ニスリツト
９ニニ次イオン検出器１０：信号処理手段 １１：
表示手段特許出願人 日本電子株式会社
Claims (1)
- 試料に一次イオンビームを照射し、該試料から放出され
る二次イオンを測定する二次イオン質量分析方法におい
て、試料に印加する電圧と、試料からの二次イオンを引
き出す為の引き出しレンズに印加する電圧を可変と成し
、該試料からの二次イオンビーム強度が最大となる様に
該二つの電圧を調整する様にした二次イオン質量分析方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323534A JPH04192249A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323534A JPH04192249A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192249A true JPH04192249A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18155777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2323534A Pending JPH04192249A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008232838A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 深さ方向の元素濃度分析方法 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2323534A patent/JPH04192249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008232838A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 深さ方向の元素濃度分析方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1325551A (en) | Ion beam microprobes | |
| RU2151409C1 (ru) | Способ обнаружения наличия алмаза в веществе | |
| JPH04192249A (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
| US5034605A (en) | Secondary ion mass spectrometer with independently variable extraction field | |
| JPS61195554A (ja) | 飛行時間型質量分析計 | |
| JPH11354072A (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置および分析方法 | |
| JPH076609Y2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH0319166Y2 (ja) | ||
| JPS595551A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPS6212464B2 (ja) | ||
| JPS60121664A (ja) | 質量分析装置 | |
| JP2000187011A (ja) | 表面元素分析装置および分析方法 | |
| JPH0765783A (ja) | 二次イオン質量分析装置 | |
| JP3055160B2 (ja) | 中性粒子質量分析装置 | |
| JPS6419664A (en) | Ion beam device | |
| JPS61220263A (ja) | イオンマイクロビ−ム装置 | |
| JP3055159B2 (ja) | 中性粒子質量分析装置 | |
| JPH0668832A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH03176957A (ja) | 二次イオン分析装置 | |
| JPS62223959A (ja) | イオン線利用分析装置 | |
| JPS59157943A (ja) | 分子二次イオン質量分析計 | |
| JPH06103951A (ja) | 二次電子検出器 | |
| JPH06310092A (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置 | |
| JPH057823B2 (ja) | ||
| JPS6243047A (ja) | イオンビ−ム分析装置 |