JPH041923B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気テープ記録装置に関するものであ
る。

（従来の技術） 磁気テープに記録ヘツドにより磁気記録する場
合に、歪やダイナミツクレンジを改良するため、
一定の大きさの交流バイアス電流を信号電流に重
畳させている。

この交流バイアスの効果を第２〜４図に示す。
第２図は低域信号に対する交流バイアス量と磁気
テープに記録できる最大信号レベルの関係を示し
ている。第３図は高域信号に対する交流バイアス
量と磁気テープに記録できる最大信号レベルの関
係を示している。また、第４図は低域信号に対す
る交流バイアス量と３次高調波歪率特性を示して
いる。

これら第２〜４図に示されるように低域信号と
高域信号では最適なバイアス量が異なるため、従
来はこれら両者に対するそれぞれの最適点の中間
にバイアス量は設定されていた。又このバイアス
量の最適点は使用する磁気テープの種類によつて
異なるため、磁気テープの種類に応じてバイアス
量は切り替えられていた。

ところが記録する信号自身にもバイアス効果が
あるため、実際の磁気記録時の実質的なバイアス
量すなわち実効バイアス量が信号によつて深くな
つてしまうことが知られている。

すなわち記録する信号に低域信号と共に高域信
号が含まれていると、低域信号に対し高域信号が
バイアス効果を果すため、実効バイアス量が深く
なつてしまう。このため、設定したバイアスの動
作点が最適値より深くなつてしまう欠点があつ
た。この現象は相互バイアス効果として知られて
いる。

又、高域信号は信号自身でバイアス効果を果た
すため、同様に設定した動作点が最適値より深く
なつてしまう欠点があつた。この現象は自己バイ
アス効果として知られている。

このように、信号に重畳して加える交流バイア
スを一定の大きさにしておくと、実効バイアス量
が信号によつて深くなる場合があり、このため、
特に高域の信号に対する磁気記録特性が悪化する
欠点があつた。

このような欠点を除くためのバイアス制御装置
の従来例を第５図に示す。記録ヘツド１の端子電
圧は抵抗２とコンデンサ３によつて構成される１
次のローパスフイルター４を介してピーク検波器
５の入力へ印加されている。ピーク検波器５の出
力は差動増幅器６の反転入力７へ印加され、差動
増幅器６の非反転入力８には基準電圧源９による
電圧が印加されている。差動増幅器６の出力は利
得制御信号Ｃとして電圧制御増幅器１０の利得制
御入力１１に印加されており、電圧制御増幅器１
０の入力へは消去発振器１２の発振出力Ｂの一部
が印加されており電圧制御増幅器１０の出力は信
号入力端子１３より加えられた信号電流Ａと加算
器１４にて重畳されて記録ヘツド１に印加されて
いる。また消去発振器１２の出力は消去ヘツド１
５に印加されている。又、磁気テープ１６は消去
ヘツド１５と磁気ヘツド１に沿つて走行してい
る。

第５図に示した従来例の動作は以下のとおりで
ある。すなわち、磁気記録時は通常磁気テープ１
６を消去ヘツド１５に消去発振器１２より与えら
れる消去電流を流して消磁してから磁気記録して
いる。このとき消去発振器１２の出力Ｂの一部は
電圧制御増幅器１０で増幅されて交流バイアスと
して信号電流Ａと重畳されて記録ヘツド１へ印加
されている。

又、記録ヘツド１の端子特性は誘導性を示すの
で、記録ヘツド１のインピーダンスは周波数に比
例している。よつて記録ヘツド１の端子電圧をロ
ーパスフイルター４を通すことにより周波数に反
比例して電圧にしてから検出することで、記録ヘ
ツド１に流れる電流が検出されている。ここで、
ローパスフイルター４の遮断周波数は記録する信
号帯域のほぼ中央の周波数に設定されている。こ
れは信号自身が持つバイアス効果すなわち相互バ
イアス効果や自己バイアス効果は信号帯域の高域
側で顕著となるためである。

このように記録ヘツド１に流れる電流をローパ
スフイルター４にて検出し、さらにピーク検波器
５によつて実効バイアス量を検出している。ピー
ク検波器５によつて検出された実効バイアス量は
差動増幅器６で基準電圧源９の電圧と比較されて
いる。ここで基準電圧源９の電圧は使用する磁気
テープの種類に応じた最適のバイアス量に対応し
た電圧に設定されている。

差動増幅器６の出力は制御信号Ｃとして電圧制
御増幅器１０の利得を制御して実効バイアス量を
一定に保つ動作をしている。すなわち実効バイア
ス量が不足している場合は実効バイアス量を検出
したピーク検波器５の出力電圧が基準電圧源９の
電圧より低くなるので差動増幅器６の出力電圧は
高くなる。その結果、電圧制御増幅器１０の利得
は大きくなり、実効バイアス量は増加するよう動
作している。

又、逆に実効バイアス量が多すぎる場合は実効
バイアス量を検出したピーク検波器５の出力電圧
が基準電圧源９の電圧より高くなるので、差動増
幅器６の出力電圧は低くなる。その結果、電圧制
御増幅器１０の利得は小さくなり実効バイアス量
は減少するよう動作している。

以上説明したように第５図に示した従来例では
記録ヘツド１の実効バイアス量が記録する信号自
身のもつバイアス効果によつて深くなつてしまう
欠点が除かれていた。このため特に高域信号に対
する特性が改善されていた。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、このような構成によれば、過大な高
域信号成分が記録する信号に含まれたとき従来の
一定の交流バイアスを重畳する方式よりも歪の大
きくなる欠点があつた。

すなわち、記録すべき信号Ａとして過大な高域
成分の信号が印加されると、信号自身がもつ自己
バイアス効果により記録ヘツド１には充分なバイ
アス量が得られることになる。この状態は、前述
したように、ローパスフイルタ４、ピーク検波器
５で検出され、差動増幅器６への非反転入力端子
７への電圧レベルを上昇される。その結果、差動
増幅器６の出力は小さくなり、電圧制御増幅器１
０の利得を小さくして加算器４で加算される交流
バイアス信号レベルを小さくする。過大な高域成
分信号が連続的に印加されると、端子７の電圧は
基準電圧９よりも充分に高くなり、差動増幅器６
はその出力を電圧制御増幅器１０が交流バイアス
信号を出力しなくなるレベルまで小さくする。こ
の状態で記録すべき過大入力の高域成分が急にな
くなると、ローパスフイルタ４およびピーク検波
器５が要求する応答時間後、差動増幅器６は電圧
制御増幅器１０に交流バイアス信号を出力させる
べくその出力を変化させるわけであるが、その応
答時間の間記録ヘツド１は無バイアス状態とな
る。これは大きな歪をもつて信号が記録されたこ
とを意味する。しかも、無バイアスの時間は、上
記応答時間だけでなく、差動増幅器６の出力が飽
和するまで小さくなつていたときは、その飽和状
態から回復して正常動作するまでの時間ひき延ば
されることになる。

したがつて、本発明の目的は、過大な高域信号
が入力され同信号が急になくなつても記録ヘツド
へのバイアスを確保することができるバイアス制
御回路を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明によるバイアス制御回路は、最低限のバ
イアス量を確保するための交流バイアス信号を電
圧制御増幅器が出力するに必要な信号を生成する
バイアス補償回路を設け、このバイアス補償回路
を出力と差動増幅器の出力の和を電圧制御増幅器
への制御信号として供給したことを特徴としてい
る。

（実施例） 次に、図面を参照して、本発明をより詳細に説
明する。

本発明の一実施例によるバイアス制御装置を第
１図に示す。構成上は第５図に示した従来例の構
成に加え、差動増幅器６の出力Ｄの低下を制限し
て交流バイアス信号が出力されることを補償する
バイアス補償回路１７が接続されている点で異な
つている。

かかる構成によれば、差動増幅器６の出力Ｄに
バイアス補償回路１７の出力Ｅが接続されこれを
制御信号C′としているので、差動増幅器６の出力
Ｄは補償回路１７で決まる所定の電圧よりも低く
なることはない。

すなわち記録する信号Ａに過大な高域信号成分
が含まれていて、信号自身のもつバイアス効果で
十分バイアスされるときはローパスフイルター４
を介してピーク検波器５で、バイアス量が大きい
ことを検出するため、結局差動増幅器６の反転入
力７の電圧が高くなる。このような場合でも差動
増幅器６の出力は所定の電圧より低くなることは
ない。したがつて電圧制御増幅器１０の出力から
は最少のバイアス量だけは常に確保されることに
なる。

したがつて第５図に示した従来例のように記録
する信号Ａに含まれていた高域信号が急になくな
つても無バイアス状態になることはない。又所定
のバイアス信号が電圧制御増幅器１０より取り出
されるようになる動作に要する応答時間も差動増
幅器６の出力がバイアス補償回路１７により飽和
していなかつたために早くできる利点がある。

なお、バイアス補償回路１７としては、上述の
説明から明らかなように差動増幅器６の出力が所
定の電圧よりも低下することを防止し、一方、同
電圧よりも高いときは差動増幅器６の出力に影響
を与えない動作を実行するから、当業者にとつて
はよく知られた電圧源とこれをアノード側とし差
動増幅器６の出力をカソード側とするダイオード
とで構成できる。

（発明の効果） 以上、説明したように、本発明によるバイアス
制御装置では記録する信号に大きな高域成分が含
まれていたのがなくなつたときに、無バイアス状
態となることがないため大きな歪を発生しなくな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるバイアス制御
回路の回路ブロツク図である。第２図は低減信号
に対する交流バイアス量と磁気テープに記録でき
る最大信号レベルの関係を示すグラフである。第
３図は高域信号に対する交流バイアス量と磁気テ
ープに記録できる最大信号レベルの関係を示すグ
ラフである。第４図は低域信号に対する交流バイ
アス量と３次高調波歪率特性を示すグラフであ
る。第５図は従来のバイアス制御装置を示す回路
ブロツク図である。 １……記録ヘツド、２……抵抗、３……コンデ
ンサ、４……ローパスフイルター、５……ピーク
検波器、６……差動増幅器、７……差動増幅器の
反転入力、８……差動増幅器の非反転入力、９…
…基準電圧源、１０……電圧制御増幅器、１１…
…電圧制御増幅器の利得制御入力、１２……消去
発振器、１３……信号入力端子、１４……加算
器、１５……消去ヘツド、１６……磁気テープ、
１７……バイアス補償回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 交流バイアス信号Ｂを発生する発振器１２
   と、 この発振器１２からの交流バイアス信号Ｂを制
   御信号C′に応じた利得で増幅して出力する電圧制
   御増幅器１０と、 この電圧制御増幅器１０の出力を記録すべき信
   号Ａと加算して磁気ヘツド１に供給する加算器１
   ４と、 この加算器１４の出力を受けるローパスフイル
   タ４と、 このローパスフイルタ４の出力を振幅検波する
   検波器５と、 所定の基準電圧を発生する基準電圧源９と、 前記検波器５の出力と前記基準電圧源９からの
   基準電圧との差にもとづく信号Ｄを生成する差動
   増幅器６と、 最低限のバイアス量を確保するための交流バイ
   アス信号を前記電圧制御増幅器１０が出力するに
   必要な信号Ｅを生成するバイアス補償回路１７
   と、 を備え、前記信号Ｄと前記信号Ｅとの和を前記制
   御信号C′として前記電圧制御増幅器１０に供給す
   ることを特徴とする磁気ヘツド用バイアス制御回
   路。