JPH04192916A - 出力回路の保護回路 - Google Patents

出力回路の保護回路

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JPH04192916A
JPH04192916A JP32694990A JP32694990A JPH04192916A JP H04192916 A JPH04192916 A JP H04192916A JP 32694990 A JP32694990 A JP 32694990A JP 32694990 A JP32694990 A JP 32694990A JP H04192916 A JPH04192916 A JP H04192916A
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JP
Japan
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output
circuit
turned
transistor
diode
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Application number
JP32694990A
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English (en)
Inventor
Yutaka Ikeda
豊 池田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路によって形成される出力回路
の保護回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の出力回路の回路図で、図において、(1
) (2)はNANDゲート、(3) (4)はインバ
ータ、(5) f6+はN!JOS )ランジスタ、(
23)は抵抗である。次に動作について説明する。
出力回路がショートしてトランジスタ(1)あるいは(
2)に過大な電流か流れても、それに対する保護は直列
に入れられた抵抗(23)により行っていた。
しかし、この抵抗(23)は過大電流をカットするのて
はなく、電流を制限するたけなので、半導体チップの発
熱は続く。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の出力回路の保護は以上のように構成されていたの
で、出力回路かショートしたときの半導体チップの発熱
は阻止することがてきないという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、出力回路かショートしたときの半導体チップ
の発熱を抑えることのできる出力回路の保護回路を得る
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る出力回路の保護回路は、出力回路かショ
ートしたときの出力トランジスタの発熱を熱的結合を持
ったダイオードを設けて検知し、出力トランジスタをO
FFさせるようにしたものである。
〔作用〕
二の発明における熱的結合ダイオードは、出力回路かシ
ョートしても出力トランジスタかOFFするため、出力
トランジスタの発熱は起こらない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例である出力回路の保護回路の回
路図である。
図において、(]) (2) Gシロ9)はNANDゲ
ート、(3) (4)(5)はインバータ、(5) (
6) (22)はNMO3+−ランンスタ、(71(8
)0υハダイオート、+91 GO) (12ハ抵抗、
(13O4) ハ誤差増幅器、O5OB ハ波形整形回
路、(171ハNORゲート、(21)はクロソフトイ
ンバータである。
次に動作について説明する。
保護回路の出力中か“H”となると、出力トランジスタ
(5)あるいは(6)のどちらかかONする。しかし、
出力トランジスタかONシていて、DoutかGNDと
ショートしt:場合か、出力トランジスタ(6)かON
していて、DoutかV((ショートした場合は、出力
トランジスタ(5)あるいは(6)に過大な電流か流れ
、トランジスタ(5)または(6)か発熱する。
以降トランジスタ(5)がONしていて、DoutかG
NDにショートした場合について説明するか、もう1つ
の場合についても同一の考えか適用できる。トランジス
タ(5)の発熱によりダイオード(7)の逆リーク電流
は増加し、A点の電位は高くなる。このときダイオード
(7)は、出力トランジスタ(5)と熱的結合が必要で
ある。ダイオードCIl+は、出力トランジスタ(5)
、(6)による発熱の影響を受けないとこに置く必要か
あり、半導体チップの平均的温度を検出する役目を持つ
AとCの電位差を誤差増幅器03で、検出し、波形整形
回路09て波形整形を行う。NORゲートα力の出力は
A<CてかつB<Cのときのみ“H”となる。従って、
NANDゲートa秒と09)で形成されたR−Sクリッ
プクロップに入力され、NANDゲートag)の出力は
、■か“L”になるまで“H“を保つ。ここて丁は電源
投入時に“L”となり、その後は“H”を保つ信号であ
る。NANDゲート09)の出力か“H”となると出力
中は“L”となり、出力トランジスタ(5)はOFFと
する。この後、ショートの原因を除き、電源を再投入す
れば正常動作を行う二とかてきる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、出力回路かショートし
た場合の半導体チップの発熱を阻止できるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すである出力回路の保
護回路の回路図、第2図は従来の出力回路の回路図であ
る。 図において、(1) (2) (111009)はNA
NDゲート、+3) (4) 20はインバータ、+5
) (6) (22)はNMO3トランジスタ、(7)
 (8)aυはダイオード、+9) 00) (IZは
抵抗、03 C14)は誤差増幅器、aりGGは波形整
形回路、(JTI l:i NDRゲート、(2])は
クロソフトインバータを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  外部回路に信号を出力するトランジスタに熱的結合を
    持ったダイオードと、このダイオードを用い、前記トラ
    ンジスタの発熱量を検知し、前記トランジスタをOFF
    させることを特徴とする出力回路の保護回路。
JP32694990A 1990-11-27 1990-11-27 出力回路の保護回路 Pending JPH04192916A (ja)

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JPH04192916A true JPH04192916A (ja) 1992-07-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980042392A (ko) * 1996-11-14 1998-08-17 가나이쯔도무 제어 신호의 입력을 차단하는 보호 기능을 갖는 스위치 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980042392A (ko) * 1996-11-14 1998-08-17 가나이쯔도무 제어 신호의 입력을 차단하는 보호 기능을 갖는 스위치 회로

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