JPS6235268A - 電流検出回路 - Google Patents
電流検出回路Info
- Publication number
- JPS6235268A JPS6235268A JP17449385A JP17449385A JPS6235268A JP S6235268 A JPS6235268 A JP S6235268A JP 17449385 A JP17449385 A JP 17449385A JP 17449385 A JP17449385 A JP 17449385A JP S6235268 A JPS6235268 A JP S6235268A
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- transistor
- circuit
- current
- load
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電源及び負荷により構成された回路の電流
検出に関し、特に温度変化に対して影響を受けない電流
検出回路に関するものである。
検出に関し、特に温度変化に対して影響を受けない電流
検出回路に関するものである。
第2図は、従来の電流検出回路を示す図である。
図において、1は電源、2は負荷、3は負荷2に対して
十分小さな値をもつ外付けの抵抗、4はNPNI−ラン
ジスタ、5は検出信号出力端子である。
十分小さな値をもつ外付けの抵抗、4はNPNI−ラン
ジスタ、5は検出信号出力端子である。
電源1の電圧値をVcc、抵抗3の抵抗値をR,X、負
荷2の抵抗値をRL、負荷2に流れる電流をIXとした
とき、トランジスタ4のベース電位はRX−IXとなる
。ここでトランジスタ4のベース・エミッタ間電圧をV
BE(常温で約0.7vである)とすると、 トランジスタ4がオンする条件は、 VBE<RX・IX ・・・(1)
である。従ってこの回路で例えば10(mA)の電流が
負荷2に流れたことを検出しようとする場合、式(1)
から、外付は抵抗3の抵抗値RXはRX=70(Ω)と
定まる。つまりこの回路に10(mA)以下の電流が流
れても、0.7>70・IXでトランジスタ4はオンせ
ず端子5はハイのままであるが、10(mA)以上の電
流が流れると、0.7<70・IXでトランジスタ4が
オンとなり、端子5はロウとなる。このようにして、こ
の回路に設定値以上の電流が流れていることが検出でき
るわけである0以上は負荷2が抵抗3に比べ十分大きく
、負荷の両端に電源電圧VCCにほぼ等しい電圧が現わ
れるとした場合である。
荷2の抵抗値をRL、負荷2に流れる電流をIXとした
とき、トランジスタ4のベース電位はRX−IXとなる
。ここでトランジスタ4のベース・エミッタ間電圧をV
BE(常温で約0.7vである)とすると、 トランジスタ4がオンする条件は、 VBE<RX・IX ・・・(1)
である。従ってこの回路で例えば10(mA)の電流が
負荷2に流れたことを検出しようとする場合、式(1)
から、外付は抵抗3の抵抗値RXはRX=70(Ω)と
定まる。つまりこの回路に10(mA)以下の電流が流
れても、0.7>70・IXでトランジスタ4はオンせ
ず端子5はハイのままであるが、10(mA)以上の電
流が流れると、0.7<70・IXでトランジスタ4が
オンとなり、端子5はロウとなる。このようにして、こ
の回路に設定値以上の電流が流れていることが検出でき
るわけである0以上は負荷2が抵抗3に比べ十分大きく
、負荷の両端に電源電圧VCCにほぼ等しい電圧が現わ
れるとした場合である。
次に抵抗3の値が負荷2に対し無視できないくらい大き
いとき、つまり負荷の両端電圧が電源電圧とは異なって
しまう場合を考える。これは検出しようとする電流値I
Xが小さい場合に考えられることである。
いとき、つまり負荷の両端電圧が電源電圧とは異なって
しまう場合を考える。これは検出しようとする電流値I
Xが小さい場合に考えられることである。
第3図は上述のような電流値IXの値が小さい場合の電
流検出に用いられる他の従来回路を示し、これは第2図
の抵抗3の代わりに、抵抗値R1の外付は抵抗6と、抵
抗値R2の抵抗7とをそれぞれ図のように接続し、電流
源8をトランジスタ4のベースに接続するようにしたも
のである。
流検出に用いられる他の従来回路を示し、これは第2図
の抵抗3の代わりに、抵抗値R1の外付は抵抗6と、抵
抗値R2の抵抗7とをそれぞれ図のように接続し、電流
源8をトランジスタ4のベースに接続するようにしたも
のである。
この回路においてトランジスタ4がオンする条件は、負
荷2を流れる電流をrx、電流源8の供給する電流をI
Oとすると、 VBE<R1(IX+IO)+R2−l0つまり VBE<R1・ IX+IO・ (R1+R2)・・・
(II) であり、式(II)で抵抗6の抵抗値R1を負荷2の抵
抗値RLに比べ十分小さくとったとしても、抵抗7の抵
抗値R2を大きくしておくことによって検出できる電流
IX値は小さな値をとることができる。ここで式(n)
の右辺第2項のVO=10・ (R1+R2)の値は、
温度に依存せず一定の値となるように、電流源8が構成
されているものとする。
荷2を流れる電流をrx、電流源8の供給する電流をI
Oとすると、 VBE<R1(IX+IO)+R2−l0つまり VBE<R1・ IX+IO・ (R1+R2)・・・
(II) であり、式(II)で抵抗6の抵抗値R1を負荷2の抵
抗値RLに比べ十分小さくとったとしても、抵抗7の抵
抗値R2を大きくしておくことによって検出できる電流
IX値は小さな値をとることができる。ここで式(n)
の右辺第2項のVO=10・ (R1+R2)の値は、
温度に依存せず一定の値となるように、電流源8が構成
されているものとする。
ここまでは常温(25℃)での話であるが、今度は、温
度が変化した場合について考える。まず第2図の場合で
考える。トランジスタのベース・エミッタ間電圧vBE
は、−2mV/’Cの温度依存性をもっている。従って
例えば、温度が一50℃変化したとき、VBE−0,7
+ (−2mV/’CX−50℃)−0,8(V)とな
り、式(I)から0.8〈IX−RXとなる。ここでR
Xは外付は抵抗なので温度に対して影響を受けないから
、IX=11.4(mA)となり、このことからも分力
ζるように温度が変化すると、検出される電流値がこれ
に伴って変化することとなる。
度が変化した場合について考える。まず第2図の場合で
考える。トランジスタのベース・エミッタ間電圧vBE
は、−2mV/’Cの温度依存性をもっている。従って
例えば、温度が一50℃変化したとき、VBE−0,7
+ (−2mV/’CX−50℃)−0,8(V)とな
り、式(I)から0.8〈IX−RXとなる。ここでR
Xは外付は抵抗なので温度に対して影響を受けないから
、IX=11.4(mA)となり、このことからも分力
ζるように温度が変化すると、検出される電流値がこれ
に伴って変化することとなる。
また第3図の場合も、式(n)から
VBB−VO<!X−RX
となり、vOの項は温度に依存しないが、VBEが変化
するのでやはりrxは温度依存性を持つ。このように、
第2図、第3図で示した電流検出回路では、温度が変化
すると検出される電流値が変化してしまうという欠点が
あった。
するのでやはりrxは温度依存性を持つ。このように、
第2図、第3図で示した電流検出回路では、温度が変化
すると検出される電流値が変化してしまうという欠点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、負荷に流れる電流を温度に依らず一定値で検
出することができる電流検出回路を得ることを目的とす
る。
たもので、負荷に流れる電流を温度に依らず一定値で検
出することができる電流検出回路を得ることを目的とす
る。
この発明に係る電流検出回路は、電流源からの電流が流
れる抵抗と、該電流源及び負荷からの電流が流れる外付
は抵抗とを第2トランジスタのベース・エミッタ間に直
列接続し、この第2トランジスタとともに差動回路を構
成する第1のトランジスタを設け、そのベースに温度に
依存しないバイアス回路から電圧を印加するようにした
ものである。
れる抵抗と、該電流源及び負荷からの電流が流れる外付
は抵抗とを第2トランジスタのベース・エミッタ間に直
列接続し、この第2トランジスタとともに差動回路を構
成する第1のトランジスタを設け、そのベースに温度に
依存しないバイアス回路から電圧を印加するようにした
ものである。
この発明においては、上記外付は抵抗及び抵抗により決
まる第2トランジスタのベース電位と温度に依存しない
バイアス回路からの電圧との大小により第2トランジス
タがオンあるいはオフするから、検出信号が温度に依存
しない。
まる第2トランジスタのベース電位と温度に依存しない
バイアス回路からの電圧との大小により第2トランジス
タがオンあるいはオフするから、検出信号が温度に依存
しない。
第1図はこの発明の一実施例による電流検出回路の回路
図であり、図において、1〜8は上記従来装置と全く同
一のものである。9は第2トランジスタ4とともに差動
回路30を構成する第1トランジスタであり、該トラン
ジスタ9のベース12には温度依存性のないバイアス回
路により電圧V REFが供給される。また10.11
はトランジスタ4,9のコレクタと電源1のプラス側と
の間に接続された抵抗である。
図であり、図において、1〜8は上記従来装置と全く同
一のものである。9は第2トランジスタ4とともに差動
回路30を構成する第1トランジスタであり、該トラン
ジスタ9のベース12には温度依存性のないバイアス回
路により電圧V REFが供給される。また10.11
はトランジスタ4,9のコレクタと電源1のプラス側と
の間に接続された抵抗である。
次の動作について説明する。この回路で抵抗10及び1
1の値を等しくしておけば、トランジスタ9のベース電
位V l?EFと電位点13の電位TX・R1+IO・
(R1+R2)との大小によってトランジスタ9とト
ランジスタ4のオン・オフが決まる。つまり、 VREF > I X −R1+ I O・ (R1+
R2)ではトランジスタ4がオフ、トランジスタ9がオ
ン VREF < I X −R1+ I O・ (R1+
R2)ではトランジスタ4がオン、トランジスタ9がオ
フ となる。従ってトランジスタ4がオンする条件は下の式
から VREF−VO<IX−R1 (V O−0・ (R1+R2)) となる、ここで上の式の左辺はどちらも温度に対して一
定であり、検出される電流値Ixも温度依存性を示さな
い。
1の値を等しくしておけば、トランジスタ9のベース電
位V l?EFと電位点13の電位TX・R1+IO・
(R1+R2)との大小によってトランジスタ9とト
ランジスタ4のオン・オフが決まる。つまり、 VREF > I X −R1+ I O・ (R1+
R2)ではトランジスタ4がオフ、トランジスタ9がオ
ン VREF < I X −R1+ I O・ (R1+
R2)ではトランジスタ4がオン、トランジスタ9がオ
フ となる。従ってトランジスタ4がオンする条件は下の式
から VREF−VO<IX−R1 (V O−0・ (R1+R2)) となる、ここで上の式の左辺はどちらも温度に対して一
定であり、検出される電流値Ixも温度依存性を示さな
い。
このようにして、温度が変化した場合でも一定の電流値
rxが検出できる。
rxが検出できる。
なお、上記実施例ではトランジスタ4及びトランジスタ
9にNPN型を用い、抵抗6を電源のマイナス側に接続
して流れる電流を検出するようにしたが、トランジスタ
4及びトランジスタ9をPNP型として、抵抗6を電源
1のプラス側に接続するようにしてもよく上記実施例と
同様の効果を奏するものである。
9にNPN型を用い、抵抗6を電源のマイナス側に接続
して流れる電流を検出するようにしたが、トランジスタ
4及びトランジスタ9をPNP型として、抵抗6を電源
1のプラス側に接続するようにしてもよく上記実施例と
同様の効果を奏するものである。
以上のように、本発明に係る電流検出回路によれば、温
度に依存しない第1トランジスタのベース電圧と温度依
存性のないバイアス回路の電圧とを差動回路で比較し、
これにより検出信号を得るようにしたので、回路に流れ
る電流を温度に依らず一定値で検出できる効果がある。
度に依存しない第1トランジスタのベース電圧と温度依
存性のないバイアス回路の電圧とを差動回路で比較し、
これにより検出信号を得るようにしたので、回路に流れ
る電流を温度に依らず一定値で検出できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による電流検出回路を示す
回路図、第2図は従来の電流検出回路を示す回路図、第
3図は他の従来例の場合の回路図である。 図において、1は電源、2は負荷、3,6は外付けの抵
抗、4.9はNPN )ランジスタ(第2゜第1トラン
ジスタ)、30は差動回路、5は検出信号出力端子、7
,10.11は抵抗、8は電流源、12.13はそれぞ
れトランジスタ9.4のベースである。
回路図、第2図は従来の電流検出回路を示す回路図、第
3図は他の従来例の場合の回路図である。 図において、1は電源、2は負荷、3,6は外付けの抵
抗、4.9はNPN )ランジスタ(第2゜第1トラン
ジスタ)、30は差動回路、5は検出信号出力端子、7
,10.11は抵抗、8は電流源、12.13はそれぞ
れトランジスタ9.4のベースである。
Claims (3)
- (1)半導体集積回路に内蔵され該集積回路内部の負荷
に所定値以上の電流が流れたことを検出する電流検出回
路において、 電源のマイナス側と上記負荷の一端との間に接続され上
記負荷に対して十分小さな抵抗値を有する外付け抵抗と
、 温度依存性のない電圧発生回路からベース電圧が供給さ
れる第1トランジスタと、 該第1トランジスタとともに差動回路を構成する該トラ
ンジスタと同一導電型の第2トランジスタと、 上記電源のプラス側と上記第2トランジスタのベース間
に接続された電流源と、 上記負荷と外付け抵抗との接続点と上記第2トランジス
タのベース間に接続された抵抗と、上記第2トランジス
タのコレクタより取出された検出信号出力端子とを備え
たことを特徴とする電流検出回路。 - (2)上記第1トランジスタと上記第2トランジスタの
コレクタは、それぞれ互いに同一の抵抗値を持つ抵抗を
介して上記電源のプラス側に接続され、上記第1トラン
ジスタと上記第2トランジスタの共通エミッタは抵抗を
介して上記電源のマイナス側に接続されていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の電流検出回路。 - (3)上記電流源は上記第2トランジスタのベース電位
が温度に対して一定となるような回路で構成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
載の電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17449385A JPS6235268A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17449385A JPS6235268A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 電流検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235268A true JPS6235268A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15979451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17449385A Pending JPS6235268A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235268A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112313489A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-02-02 | 株式会社自动网络技术研究所 | 车载用的温度检测电路 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17449385A patent/JPS6235268A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112313489A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-02-02 | 株式会社自动网络技术研究所 | 车载用的温度检测电路 |
| CN112313489B (zh) * | 2018-06-26 | 2023-07-25 | 株式会社自动网络技术研究所 | 车载用的温度检测电路 |
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