JPH0419661B2 - - Google Patents
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- JPH0419661B2 JPH0419661B2 JP11215583A JP11215583A JPH0419661B2 JP H0419661 B2 JPH0419661 B2 JP H0419661B2 JP 11215583 A JP11215583 A JP 11215583A JP 11215583 A JP11215583 A JP 11215583A JP H0419661 B2 JPH0419661 B2 JP H0419661B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- potential
- diameter
- lens
- distance
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高輝度時においても高い解像度が得
られるように構成した受像管装置に関する。
られるように構成した受像管装置に関する。
従来例の構成とその問題点
一般に、受像管の解像度は絵素となるビームス
ポツト（輝点）の大きさに依存し、ビームスポツ
ト径が小さいほど高い解像度が得られる。一方、
ビームスポツトはビーム電流の増大に伴つて径大
化するので、比較的大きいビーム電流が流れる高
輝度時にブルーミングを生じて解像度が低下す
る。
ポツト（輝点）の大きさに依存し、ビームスポツ
ト径が小さいほど高い解像度が得られる。一方、
ビームスポツトはビーム電流の増大に伴つて径大
化するので、比較的大きいビーム電流が流れる高
輝度時にブルーミングを生じて解像度が低下す
る。
これを図面により説明すると、第１図にはバイ
ポテンシヤル形電子銃の電極構成が示されてお
り、第２図には同電子銃の軸上電位分布が示され
ている。陰極１から放射された熱電子は、陰極
１、制御電極としてのG1電極２および加速電極
としてのG2電極３からなる三極部で生成される
いわゆるカソードレンズ４によりクロスオーバ５
をつくり、G2電極３と集束電極たるG3電極６と
の間に生成されるプリフオーカスレンズ７で予備
集束作用を受ける。そしてG3電極６と最終加速
電極たるG4電極８との間に生成されるメインレ
ンズ９で最終的な集束作用を受け、蛍光体スクリ
ーン面１０に射突してビームスポツト１１を生成
するのであり、ビームスポツト１１はクロクオー
バ５の投影像である。
ポテンシヤル形電子銃の電極構成が示されてお
り、第２図には同電子銃の軸上電位分布が示され
ている。陰極１から放射された熱電子は、陰極
１、制御電極としてのG1電極２および加速電極
としてのG2電極３からなる三極部で生成される
いわゆるカソードレンズ４によりクロスオーバ５
をつくり、G2電極３と集束電極たるG3電極６と
の間に生成されるプリフオーカスレンズ７で予備
集束作用を受ける。そしてG3電極６と最終加速
電極たるG4電極８との間に生成されるメインレ
ンズ９で最終的な集束作用を受け、蛍光体スクリ
ーン面１０に射突してビームスポツト１１を生成
するのであり、ビームスポツト１１はクロクオー
バ５の投影像である。
陰極１からG3電極６にいたる軸上電位分布は、
ゆるやかに上昇し、これによりカソードレンズ４
およびプリフオーカスレンズ７が生成されるが、
両レンズ４，７は明確に区別し難いので、以下の
説明ではこの両レンズ領域をビーム形成部と呼称
する。G3電極６内における軸上電位分布はVfoc
と略一定であるが、G3電極６とG4電極８との間
における軸上電位は高電位Vaへと急激に上昇し、
ここにメインレンズ９が生成される。
ゆるやかに上昇し、これによりカソードレンズ４
およびプリフオーカスレンズ７が生成されるが、
両レンズ４，７は明確に区別し難いので、以下の
説明ではこの両レンズ領域をビーム形成部と呼称
する。G3電極６内における軸上電位分布はVfoc
と略一定であるが、G3電極６とG4電極８との間
における軸上電位は高電位Vaへと急激に上昇し、
ここにメインレンズ９が生成される。
前記ビーム形成部での熱電子の挙動は非常に複
雑であるが、大ビーム電流時には第３図に数本の
線でもつて代表的に示す電子軌道１２〜１７を通
る。電子軌道１２〜１７がすべて一点で交差すれ
ば理想的な径小のクロスオーバおよびビームスポ
ツトが生成されるのであるが、実際には陰極１の
中央部から放射された熱電子の軌道１２，１３は
陰極１からもつとも遠い位置１８で交差し、陰極
１の周辺部から放射された熱電子の軌道１６，１
７は陰極１に近い位置１９で交差する。これは前
記ビーム形成部でのレンズに球面収差が伴つてい
るからで、実際上のクロスオーバの径は、理論的
限界値に比べて著しく大きい値となる。
雑であるが、大ビーム電流時には第３図に数本の
線でもつて代表的に示す電子軌道１２〜１７を通
る。電子軌道１２〜１７がすべて一点で交差すれ
ば理想的な径小のクロスオーバおよびビームスポ
ツトが生成されるのであるが、実際には陰極１の
中央部から放射された熱電子の軌道１２，１３は
陰極１からもつとも遠い位置１８で交差し、陰極
１の周辺部から放射された熱電子の軌道１６，１
７は陰極１に近い位置１９で交差する。これは前
記ビーム形成部でのレンズに球面収差が伴つてい
るからで、実際上のクロスオーバの径は、理論的
限界値に比べて著しく大きい値となる。
そして、このクロスオーバがメインレンズ９に
よつて蛍光体スクリーン面１０上に投影されるの
であるが、正確にはプリフオーカスレンズ７が存
在するために、第３図に示すように実際に投影さ
れるものはクロスオーバー（径ｄ）の虚像であ
り、この虚像クロスオーバは同図中に破線で示し
たように電子軌道１２〜１７を逆方向へ延長させ
たときの交点として求められる。
よつて蛍光体スクリーン面１０上に投影されるの
であるが、正確にはプリフオーカスレンズ７が存
在するために、第３図に示すように実際に投影さ
れるものはクロスオーバー（径ｄ）の虚像であ
り、この虚像クロスオーバは同図中に破線で示し
たように電子軌道１２〜１７を逆方向へ延長させ
たときの交点として求められる。
いま、虚像クロスオーバの直径をdoとすると、
蛍光体スクリーン面１０に生じるビームスポツト
１１の径dsは次の関係式で表わすことができる。
蛍光体スクリーン面１０に生じるビームスポツト
１１の径dsは次の関係式で表わすことができる。
ds＝do×Ｍ＋１／４CsD3 ……(1)
ここで、Ｍはメインレンズの倍率、Csはメイ
ンレンズの球面収差係数、Ｄはメインレンズでの
電子ビームの拡がり径を示し、Ｍは次式で表わさ
れる。
ンレンズの球面収差係数、Ｄはメインレンズでの
電子ビームの拡がり径を示し、Ｍは次式で表わさ
れる。
ただし、ａはビーム形成部から出る電子ビーム
の最大発散角、Ｌはメインレンズ９の中心と蛍光
体スクリーン面１０との間の距離、VfocはG3電
極電位、VaはG4電極電位を示す。
の最大発散角、Ｌはメインレンズ９の中心と蛍光
体スクリーン面１０との間の距離、VfocはG3電
極電位、VaはG4電極電位を示す。
(2)式を(1)式に代入すると
となる。
この式の（）内は受像管のサイズと動作条件と
によつて決まり、Csは使用するレンズの口径に
よつて決まる。
によつて決まり、Csは使用するレンズの口径に
よつて決まる。
電子ビームの拡がり径Ｄは、第１項ではD-1、
第２項ではD3のかたちで入つているから、dsが
最小となるようなＤの値が存在し、通常はその値
に選ばれる。そして、このような制約のもとでds
を小さくしようとすると、第１項のａ・doを小
さくしなければならないことになる。
第２項ではD3のかたちで入つているから、dsが
最小となるようなＤの値が存在し、通常はその値
に選ばれる。そして、このような制約のもとでds
を小さくしようとすると、第１項のａ・doを小
さくしなければならないことになる。
本発明者らの研究結果によると、G2電極とG3
電極との間の電位の上昇を急峻にするとａ・do
を小さくすることができる。第４図はG2電極と
G3電極との間隔を小さくしたときにａ・doが減
少する様子を示したもので、ａとdoとが単独で
どのように変化するかがわかる。G2電極とG3電
極との間隔を小さくするとdoは著しく減少し、
ａは逆に増大するが、doの減少度合がより著し
いので両者の積ａ・doは減少する。doがこのよ
うに減少するのは、電位の上昇が急峻になるとビ
ーム形成部におけるレンズの球面収差が減少する
ためである。
電極との間の電位の上昇を急峻にするとａ・do
を小さくすることができる。第４図はG2電極と
G3電極との間隔を小さくしたときにａ・doが減
少する様子を示したもので、ａとdoとが単独で
どのように変化するかがわかる。G2電極とG3電
極との間隔を小さくするとdoは著しく減少し、
ａは逆に増大するが、doの減少度合がより著し
いので両者の積ａ・doは減少する。doがこのよ
うに減少するのは、電位の上昇が急峻になるとビ
ーム形成部におけるレンズの球面収差が減少する
ためである。
このような効果がはつきりと現われるのは、電
位傾度で約105V／cmからであり、この値が大き
いほど大電流時ビームスポツトの径小化に有利で
ある。しかし小電流時ビームスポツト径は逆に大
きくなる。また、電位傾度が大きくなり過ぎる
と、G2電極の表面から電界放出による電子放射
が起り、これが蛍光体スクリーン面に射突して不
本意な発光を生じる。
位傾度で約105V／cmからであり、この値が大き
いほど大電流時ビームスポツトの径小化に有利で
ある。しかし小電流時ビームスポツト径は逆に大
きくなる。また、電位傾度が大きくなり過ぎる
と、G2電極の表面から電界放出による電子放射
が起り、これが蛍光体スクリーン面に射突して不
本意な発光を生じる。
このように実用可能な電位傾度には上限があ
り、その値は実験結果によると約５×105V／cm
である。G2電極とG3電極との電位差を8KVとす
ると、前記値の電位傾度を与えうるG2電極とG3
電極との間隔は0.8mmから0.2mmとなる。
り、その値は実験結果によると約５×105V／cm
である。G2電極とG3電極との電位差を8KVとす
ると、前記値の電位傾度を与えうるG2電極とG3
電極との間隔は0.8mmから0.2mmとなる。
しかし、このような電位傾度を従来の受像管電
子銃のビーム形成部にそのまま適用しても、蛍光
体スクリーン面上でのビームスポツト径をし縮小
させ得ない。それは、G2−G3間電位傾度を高め
るとビーム発散角ａが増大するためである。ビー
ム発散角ａが増大すると、メインレンズ９での電
子ビーム径Ｄが増大し、(3)式右辺第２項のメイン
レンズ収差による寄与分が増大する。そして同第
２項はＤの三乗に比例するので、電子ビーム径Ｄ
のわずかな増大でも影響が大きく、(3)式第１項の
ａ・doをせつかく減少させても、ビームスポツ
ト径dsはかえつて増大する結果となる。
子銃のビーム形成部にそのまま適用しても、蛍光
体スクリーン面上でのビームスポツト径をし縮小
させ得ない。それは、G2−G3間電位傾度を高め
るとビーム発散角ａが増大するためである。ビー
ム発散角ａが増大すると、メインレンズ９での電
子ビーム径Ｄが増大し、(3)式右辺第２項のメイン
レンズ収差による寄与分が増大する。そして同第
２項はＤの三乗に比例するので、電子ビーム径Ｄ
のわずかな増大でも影響が大きく、(3)式第１項の
ａ・doをせつかく減少させても、ビームスポツ
ト径dsはかえつて増大する結果となる。
電子ビーム径Ｄの増大は、G3電極の長さを小
さくすることによつて避けられるが、フオーカス
条件を満たすためにG3電極を短かくした分だけ
メインレンズ焦点距離を短かくすることが必要と
なり、そのためにはG3電極電位を下げなければ
ならない。そうすると、G2−G3間電位傾度が下
つてしまい、電極間隔をせつかく狭めたにもかか
わらずａ・do低減効果は失われてしまう。
さくすることによつて避けられるが、フオーカス
条件を満たすためにG3電極を短かくした分だけ
メインレンズ焦点距離を短かくすることが必要と
なり、そのためにはG3電極電位を下げなければ
ならない。そうすると、G2−G3間電位傾度が下
つてしまい、電極間隔をせつかく狭めたにもかか
わらずａ・do低減効果は失われてしまう。
発明の目的
本発明は、前述のような従来の不都合を除去す
るためになされたもので、低輝度域から高輝度域
まで略一定径のビームスポツトが得られる受像管
装置を提供するものである。
るためになされたもので、低輝度域から高輝度域
まで略一定径のビームスポツトが得られる受像管
装置を提供するものである。
発明の構成
本発明の受像管装置は、制御電極としてのG1
電極側から最終加速電極としてのG6電極側へと
順次に配設されたG2電極、G3電極、G4電極およ
びG5電極を備え、G3電極は平板状のもので、 G2電極のアパーチヤ径をD2 G3電極のアパーチヤ径をD3 G4電極のアパーチヤ径をD4 G2電極とG3電極との間隔をg23 G3電極とG4電極との間隔をg34 とするとき D2≦D3≦2D2，D3≦D4≦2D3 0.5D2≦g23≦1.5D2，0.2D3≦g34≦1.5D3 の関係式が成立し、G4電極にはG3電極およびG5
電極に対するフオーカス電位よりも低い電位が与
えられ、軸上電位分布はG3電極領域で極大値を
とつたあとG4電極領域にかけ漸減して極小値を
とり、G4電極からG6電極にいたる領域で連続的
に上昇し、G2電極とG3電極とで強い集束レンズ
を生成させ、G3電極とG4電極とで強い発散レン
ズを生成させる構成となすのであり、これを以下
図面に示した実施例とともに詳しく説明する。
電極側から最終加速電極としてのG6電極側へと
順次に配設されたG2電極、G3電極、G4電極およ
びG5電極を備え、G3電極は平板状のもので、 G2電極のアパーチヤ径をD2 G3電極のアパーチヤ径をD3 G4電極のアパーチヤ径をD4 G2電極とG3電極との間隔をg23 G3電極とG4電極との間隔をg34 とするとき D2≦D3≦2D2，D3≦D4≦2D3 0.5D2≦g23≦1.5D2，0.2D3≦g34≦1.5D3 の関係式が成立し、G4電極にはG3電極およびG5
電極に対するフオーカス電位よりも低い電位が与
えられ、軸上電位分布はG3電極領域で極大値を
とつたあとG4電極領域にかけ漸減して極小値を
とり、G4電極からG6電極にいたる領域で連続的
に上昇し、G2電極とG3電極とで強い集束レンズ
を生成させ、G3電極とG4電極とで強い発散レン
ズを生成させる構成となすのであり、これを以下
図面に示した実施例とともに詳しく説明する。
実施例の説明
第５図に示す電子銃は、制御電極としてのG1
電極２側から最終加速電極としてのG6電極２１
側へと順次に配設されたG2電極３、G3電極２２、
G4電極２３およびG5電極２４を備えている。G2
電極３は従来の電子銃における加速電極と同様の
構造を有しており、G2電極３に隣接する板状の
G3電極２２は、G2電極３に対し105V／cm〜５×
105V／cmの電位傾度となるように近接配置され
ている。
電極２側から最終加速電極としてのG6電極２１
側へと順次に配設されたG2電極３、G3電極２２、
G4電極２３およびG5電極２４を備えている。G2
電極３は従来の電子銃における加速電極と同様の
構造を有しており、G2電極３に隣接する板状の
G3電極２２は、G2電極３に対し105V／cm〜５×
105V／cmの電位傾度となるように近接配置され
ている。
G4電極２３はカツプ状に形成されているが、
G5電極２４およびG6電極２１は円筒状で、G3電
極２２とG5電極２４とは管内で相互に接続され
ていて6KV〜10KV程度のフオーカス電位Vfoc
が与えられる。また、G4電極２３にはフオーカ
ス電位Vfocよりも低い電位が与えられ、G6電極
２１には約30KVの高電位Vaが与えられるので、
軸上電位分布は第６図に示すようなものとなる。
G5電極２４およびG6電極２１は円筒状で、G3電
極２２とG5電極２４とは管内で相互に接続され
ていて6KV〜10KV程度のフオーカス電位Vfoc
が与えられる。また、G4電極２３にはフオーカ
ス電位Vfocよりも低い電位が与えられ、G6電極
２１には約30KVの高電位Vaが与えられるので、
軸上電位分布は第６図に示すようなものとなる。
すなわち、軸上電位分布はG3電極２２のアパ
ーチヤ２５内でフオーカス電位Vfocまで上昇し
たのち、G4電極２３にかけて漸減し、G4電極２
３、G5電極２４およびG6電極２１の３電極にま
たがる領域で連続的に上昇し、G6電極２１内で
高電位Vaに達する。
ーチヤ２５内でフオーカス電位Vfocまで上昇し
たのち、G4電極２３にかけて漸減し、G4電極２
３、G5電極２４およびG6電極２１の３電極にま
たがる領域で連続的に上昇し、G6電極２１内で
高電位Vaに達する。
一方、第７図に示すようにG2電極３のアパー
チヤ径をD2，G3電極２２のアパーチヤ径をD3，
G4電極２３のアパーチヤ径をD4，G2電極３とG3
電極２２との間隔をg23，G3電極２２とG4電極２
３との間隔をg34とするとき D2≦D3≦2D2，D3≦D4≦2D3 0.5D2≦g23≦1.5D2，0.2D3≦g34≦1.5D3 の関係式が成立するように寸度設定されている。
また、G3電極２２の板厚t3はt3≒D3と比較的大き
い。
チヤ径をD2，G3電極２２のアパーチヤ径をD3，
G4電極２３のアパーチヤ径をD4，G2電極３とG3
電極２２との間隔をg23，G3電極２２とG4電極２
３との間隔をg34とするとき D2≦D3≦2D2，D3≦D4≦2D3 0.5D2≦g23≦1.5D2，0.2D3≦g34≦1.5D3 の関係式が成立するように寸度設定されている。
また、G3電極２２の板厚t3はt3≒D3と比較的大き
い。
このような構成によると、G2電極３とG3電極
２２との間に強い集束レンズ２６が生成され、
G3電極２２とG4電極２３との間に強い発散レン
ズ２７が生成されるので、大ビーム電流時のａ・
doが減少し、ビーム発散角ａが増大する。
２２との間に強い集束レンズ２６が生成され、
G3電極２２とG4電極２３との間に強い発散レン
ズ２７が生成されるので、大ビーム電流時のａ・
doが減少し、ビーム発散角ａが増大する。
G4電極２３の電位はフオーカス電位Vfocより
も低いから、従来の電子銃構成に比して焦点距離
が短小となる。このことは、ビーム形成部におけ
る軸上電位分布を急峻に上昇させながら虚像クロ
スオーバとメインレンズとの相互間距離を短小化
できることを意味し、ビーム発散角ａが増大して
もメインレンズ２８でのビーム径Ｄを適正値に保
つことが可能となる。そしてこれを(3)式に照らし
てみると、ビーム径Ｄを増すことなくａ・doを
減少させ得るのであるから、ビームスポツト径ds
を縮小化しうることが判かる。
も低いから、従来の電子銃構成に比して焦点距離
が短小となる。このことは、ビーム形成部におけ
る軸上電位分布を急峻に上昇させながら虚像クロ
スオーバとメインレンズとの相互間距離を短小化
できることを意味し、ビーム発散角ａが増大して
もメインレンズ２８でのビーム径Ｄを適正値に保
つことが可能となる。そしてこれを(3)式に照らし
てみると、ビーム径Ｄを増すことなくａ・doを
減少させ得るのであるから、ビームスポツト径ds
を縮小化しうることが判かる。
また、メインレンズ２８のレンズ電界が広い範
囲にわたつてゆるやかに分布するため、メインレ
ンズの球面収差は少なく、これは(3)式の第２項の
収差係数Csが小さくなることを意味するから、
この効果によつてもビームスポツト径dsは小さく
なる。
囲にわたつてゆるやかに分布するため、メインレ
ンズの球面収差は少なく、これは(3)式の第２項の
収差係数Csが小さくなることを意味するから、
この効果によつてもビームスポツト径dsは小さく
なる。
発明の効果
以上のように本発明の受像管装置によると、ビ
ーム形成部におけるレンズ球面収差の減少、虚像
クロスオーバの径小化およびメインレンズ球面収
差の減少という効果があいまつて、大ビーム電流
時においても径小のビームスポツトが得られ、良
好な解像度特性を得ることができる。
ーム形成部におけるレンズ球面収差の減少、虚像
クロスオーバの径小化およびメインレンズ球面収
差の減少という効果があいまつて、大ビーム電流
時においても径小のビームスポツトが得られ、良
好な解像度特性を得ることができる。
第１図は従来の受像管装置の電子銃電極構成を
示す図、第２図は同電子銃の軸上電位分布図、第
３図は同電子銃のビーム形成部における動作態様
説明図、第４図はG2電極とG3電極との相互間距
離に対するビーム発散角および虚像クロンオーバ
径の関係を示す特性図、第５図は本発明を実施し
た受像管装置の電子銃の電極構成を示す図、第６
図は同電子銃の軸上電位分布図、第７図は同電子
銃の電極寸法を説明するための電極断面図であ
る。 ３……G2電極、２１……G6電極、２２……G3
電極、２３……G4電極、２４……G5電極。
示す図、第２図は同電子銃の軸上電位分布図、第
３図は同電子銃のビーム形成部における動作態様
説明図、第４図はG2電極とG3電極との相互間距
離に対するビーム発散角および虚像クロンオーバ
径の関係を示す特性図、第５図は本発明を実施し
た受像管装置の電子銃の電極構成を示す図、第６
図は同電子銃の軸上電位分布図、第７図は同電子
銃の電極寸法を説明するための電極断面図であ
る。 ３……G2電極、２１……G6電極、２２……G3
電極、２３……G4電極、２４……G5電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 制御電極としてのG1電極側から最終加速電
極としてのG6電極側へと順次に配設されたG2電
極、G3電極、G4電極およびG5電極を備え、G3電
極は平板状のもので、 G2電極のアパーチヤ径をD2 G3電極のアパーチヤ径をD3 G4電極のアパーチヤ径をD4 G2電極とG3電極との間隔をg23 G3電極とG4電極との間隔をg34 とするとき D2≦D3≦2D2，D3≦D4≦2D3 0.5D2≦g23≦1.5D2，0.2D3≦g34≦1.5D3 の関係式が成立し、G4電極にはG3電極およびG5
電極に対するフオーカス電位よりも低い電位が与
えられ、軸上電位分布はG3電極領域で極大値を
とつたあとG4電極領域にかけ漸減して極小値を
とり、G4電極からG6電極にいたる領域で連続的
に上昇し、G2電極とG3とで強い集束レンズを生
成させ、G3電極とG4電極とで強い発散レンズを
生成させることを特徴とする受像管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215583A JPS603840A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 受像管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215583A JPS603840A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 受像管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603840A JPS603840A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0419661B2 true JPH0419661B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=14579605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11215583A Granted JPS603840A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 受像管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603840A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030060616A (ko) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | 엘지.필립스디스플레이(주) | 칼라음극선관용 전자총 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11215583A patent/JPS603840A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS603840A (ja) | 1985-01-10 |
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