JPH0419697B2 - - Google Patents
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- JPH0419697B2 JPH0419697B2 JP57054285A JP5428582A JPH0419697B2 JP H0419697 B2 JPH0419697 B2 JP H0419697B2 JP 57054285 A JP57054285 A JP 57054285A JP 5428582 A JP5428582 A JP 5428582A JP H0419697 B2 JPH0419697 B2 JP H0419697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive resin
- resin film
- film
- substrate
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光性樹脂（レジスト）膜を用いたパ
ターン形成工程を有する半導体装置の製造方法に
関する。
ターン形成工程を有する半導体装置の製造方法に
関する。
半導体基板上に感光性樹脂膜パターンを形成す
る工程において、パターン巾が２〜3μｍ以下の
微細加工では通常ポジ型感光性樹脂膜が用いられ
ている。このポジ型感光性樹脂の露光方法とし
て、歩留まり向上および半導体基板の反りの補正
が可能であるという理由により、ステツプアンド
リピート方式の投影露光方法が用いられる。
る工程において、パターン巾が２〜3μｍ以下の
微細加工では通常ポジ型感光性樹脂膜が用いられ
ている。このポジ型感光性樹脂の露光方法とし
て、歩留まり向上および半導体基板の反りの補正
が可能であるという理由により、ステツプアンド
リピート方式の投影露光方法が用いられる。
この投影露光方法は第１図に示すように、マス
ク１を通過した光線Ｘをレンズ２を介して半導体
基板３上のレジスト（感光性樹脂）４上に結像す
るようにしたものである。ただし、この方法はレ
ンズ２を使用するため、通常の光線を使用したの
では色収差を生じパターンの微細化に支障をきた
すので、その光線Ｘとしては単色光を用いなけれ
ばならない。しかしながら、単色光を用いたため
に、入射光Ｘとその基板３からの反射光により定
在波が発生する。
ク１を通過した光線Ｘをレンズ２を介して半導体
基板３上のレジスト（感光性樹脂）４上に結像す
るようにしたものである。ただし、この方法はレ
ンズ２を使用するため、通常の光線を使用したの
では色収差を生じパターンの微細化に支障をきた
すので、その光線Ｘとしては単色光を用いなけれ
ばならない。しかしながら、単色光を用いたため
に、入射光Ｘとその基板３からの反射光により定
在波が発生する。
このことを第２図を用いて説明する。同図に示
すように、半導体基板５上に異なる膜厚を有する
二酸化硅素膜６，７を形成した後、この二酸化硅
素膜６，７上に感光性樹脂膜８を塗布する。この
とき、二酸化硅素膜６，７と感光性樹脂膜８の屈
折率がほぼ等しいため、感光性樹脂膜８上から光
照射しても二酸化硅素膜６，７と感光性樹脂膜８
との界面での反射はおこらない。その代り入射光
は半導体基板５で反射した光と干渉し、二酸化硅
素膜６，７およびレジスト膜８内に定在波９がで
きる。定在波の腹と節は入射光の波長が4358Åと
すると、743Åの周期でできる。従つて、二酸化
硅素膜６，７の膜厚d1およびd2の差（d1−d2）が
743Åのとき感光性樹脂膜８との界面での光強度
差が大きくなる。
すように、半導体基板５上に異なる膜厚を有する
二酸化硅素膜６，７を形成した後、この二酸化硅
素膜６，７上に感光性樹脂膜８を塗布する。この
とき、二酸化硅素膜６，７と感光性樹脂膜８の屈
折率がほぼ等しいため、感光性樹脂膜８上から光
照射しても二酸化硅素膜６，７と感光性樹脂膜８
との界面での反射はおこらない。その代り入射光
は半導体基板５で反射した光と干渉し、二酸化硅
素膜６，７およびレジスト膜８内に定在波９がで
きる。定在波の腹と節は入射光の波長が4358Åと
すると、743Åの周期でできる。従つて、二酸化
硅素膜６，７の膜厚d1およびd2の差（d1−d2）が
743Åのとき感光性樹脂膜８との界面での光強度
差が大きくなる。
この為、例えば二酸化硅素膜６の表面では定在
波９の節ができ、一方、二酸化硅素膜７の表面で
は定在波９の腹ができる。この様な場合、二酸化
硅素膜６表面では入射光の照射強度が弱くなり、
現像、リンス後に感光性樹脂膜８が充分除去でき
ないということが発生する。また、現像して樹脂
膜８のパターンを形成すると二酸化硅素膜６，７
上での感光性樹脂膜８のパターン巾が異なるとい
つた問題も発生する。
波９の節ができ、一方、二酸化硅素膜７の表面で
は定在波９の腹ができる。この様な場合、二酸化
硅素膜６表面では入射光の照射強度が弱くなり、
現像、リンス後に感光性樹脂膜８が充分除去でき
ないということが発生する。また、現像して樹脂
膜８のパターンを形成すると二酸化硅素膜６，７
上での感光性樹脂膜８のパターン巾が異なるとい
つた問題も発生する。
また、アルミニウムなどのように反射率の大き
い金属膜上に感光性樹脂膜を形成した場合、金属
膜と感光性樹脂膜界面付近に定在波の節ができる
ので薄い膜が残りやすく、寸法精度の良い樹脂膜
パターン形成が困難であつた。
い金属膜上に感光性樹脂膜を形成した場合、金属
膜と感光性樹脂膜界面付近に定在波の節ができる
ので薄い膜が残りやすく、寸法精度の良い樹脂膜
パターン形成が困難であつた。
以上の様なことは、特に段差を有する基板上に
おいては段差部で感光性樹脂膜厚の変化が大きく
微細パターンが精度よく形成できないという欠点
があつた。
おいては段差部で感光性樹脂膜厚の変化が大きく
微細パターンが精度よく形成できないという欠点
があつた。
本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、
微細パターンの必要な半導体装置、特に投影露光
方法を用いてパターン形成を行なう半導体装置の
製造において、微細パターンを基板の種類および
段差に関係なく精度良く形成出来る方法を提供す
るものである。
微細パターンの必要な半導体装置、特に投影露光
方法を用いてパターン形成を行なう半導体装置の
製造において、微細パターンを基板の種類および
段差に関係なく精度良く形成出来る方法を提供す
るものである。
すなわち、本発明の方法は、段差を有する半導
体基板上に、ほぼ感光済の感光性樹脂膜よりなる
第１層を前記基板の段差より厚く形成する工程
と、前記第１層上に未感光の感光性樹脂膜を塗布
して第２層を形成するとともに、前記第１層と第
２層間に両者の混合層を形成し、同一現像液に対
して現像速度が前記第１層、中間層、第２層の順
に遅くなる３層膜を形成する工程と、前記３層膜
を選択的に露光した後前記現像液で処理し、前記
３層膜に同一のパターンを形成する工程とを備え
たものである。
体基板上に、ほぼ感光済の感光性樹脂膜よりなる
第１層を前記基板の段差より厚く形成する工程
と、前記第１層上に未感光の感光性樹脂膜を塗布
して第２層を形成するとともに、前記第１層と第
２層間に両者の混合層を形成し、同一現像液に対
して現像速度が前記第１層、中間層、第２層の順
に遅くなる３層膜を形成する工程と、前記３層膜
を選択的に露光した後前記現像液で処理し、前記
３層膜に同一のパターンを形成する工程とを備え
たものである。
以下本発明の図面を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例を示すパターン形成
工程断面図である。まず第３図Ａのごとく、半導
体又は半導体上に絶縁膜、導電膜が形成された半
導体基板１１上に、感光基が少なくとも一部、望
ましくはほとんど反応した即ち感光済の第１のポ
ジ型感光性樹脂膜よりなる第１層１２を少なくと
も0.1μｍ、望ましくは0.3μｍ以上の厚さに形成す
る。次に感光基が未反応即ち未感光の第２のポジ
型感光性樹脂膜を重ねて塗布形成する。このと
き、第１と第２の感光性樹脂膜として同一種類の
ものを用いれば、中間に第１と第２の樹脂膜の混
合層（第２層１３）と、第２の感光性樹脂膜の層
（第３層１４）が形成される。たとえば第１層１
２として感光済のポジ型感光性樹脂膜を1.8μｍ形
成し、その上に重ねて第２の感光性樹脂膜として
同一種類のポジ型感光性樹脂膜を回転塗布する。
工程断面図である。まず第３図Ａのごとく、半導
体又は半導体上に絶縁膜、導電膜が形成された半
導体基板１１上に、感光基が少なくとも一部、望
ましくはほとんど反応した即ち感光済の第１のポ
ジ型感光性樹脂膜よりなる第１層１２を少なくと
も0.1μｍ、望ましくは0.3μｍ以上の厚さに形成す
る。次に感光基が未反応即ち未感光の第２のポジ
型感光性樹脂膜を重ねて塗布形成する。このと
き、第１と第２の感光性樹脂膜として同一種類の
ものを用いれば、中間に第１と第２の樹脂膜の混
合層（第２層１３）と、第２の感光性樹脂膜の層
（第３層１４）が形成される。たとえば第１層１
２として感光済のポジ型感光性樹脂膜を1.8μｍ形
成し、その上に重ねて第２の感光性樹脂膜として
同一種類のポジ型感光性樹脂膜を回転塗布する。
次に投影露光方法により、選択的に光照射を行
ない第２層１３および第３層１４に感光領域１５
を形成する。このときの照射量は第１層１２はす
でに感光しており、第２層１３および第３層１４
を反応させる照射量でよい。（第３図Ｂ） 次に通常の現像・リンス処理により感光領域１
５およびその下部の第１層１２を除去し、開孔部
１６を形成する（第３図Ｃ）。次にこの第１層１
２、第２層１３および第３層１４の感光性樹脂膜
のパターンをマスクとして半導体装置の製造工程
の一部である基板１１のエツチング処理等を行な
う。
ない第２層１３および第３層１４に感光領域１５
を形成する。このときの照射量は第１層１２はす
でに感光しており、第２層１３および第３層１４
を反応させる照射量でよい。（第３図Ｂ） 次に通常の現像・リンス処理により感光領域１
５およびその下部の第１層１２を除去し、開孔部
１６を形成する（第３図Ｃ）。次にこの第１層１
２、第２層１３および第３層１４の感光性樹脂膜
のパターンをマスクとして半導体装置の製造工程
の一部である基板１１のエツチング処理等を行な
う。
以上の第３図の方法によれば、現像速度の速い
感光済の感光性樹脂膜よりなる第１層１２を所定
の厚さに基板１１上に形成してあるため、選択的
光照射時間を短かくすることができる。また段差
を有する基板１１上での樹脂膜厚の差に関係なく
照射量が一定でよい。かつ、たとえば基板１１の
凹部１１ａの感光性樹脂膜を完全に現像除去する
ために現像時間を長くしても、第３図Ｃのごとく
凹部１１ａは現像速度の速い第１層１２で埋め込
まれ凹部１１ａ上も凹部１１ａ以外の平坦な基板
１１上と同じ状態で現像速度の遅い第２、第３層
が存在しており、未照射領域（第３図Ｃのロ）の
部分の膜厚減少量が少なく、精度良くパターン形
成を行なうことができる。
感光済の感光性樹脂膜よりなる第１層１２を所定
の厚さに基板１１上に形成してあるため、選択的
光照射時間を短かくすることができる。また段差
を有する基板１１上での樹脂膜厚の差に関係なく
照射量が一定でよい。かつ、たとえば基板１１の
凹部１１ａの感光性樹脂膜を完全に現像除去する
ために現像時間を長くしても、第３図Ｃのごとく
凹部１１ａは現像速度の速い第１層１２で埋め込
まれ凹部１１ａ上も凹部１１ａ以外の平坦な基板
１１上と同じ状態で現像速度の遅い第２、第３層
が存在しており、未照射領域（第３図Ｃのロ）の
部分の膜厚減少量が少なく、精度良くパターン形
成を行なうことができる。
感光ずみの第１の感光性樹脂膜が0.3μｍ以下で
は、第２の感光性樹脂膜塗布後にすべて第２の感
光性樹脂と混合されて第１層１２が残らず、全て
混合層１３となる。すなわち、0.3μｍ以下ではい
わゆる第２層１３と第３層１４のみになり本発明
の効果が発揮されない。
は、第２の感光性樹脂膜塗布後にすべて第２の感
光性樹脂と混合されて第１層１２が残らず、全て
混合層１３となる。すなわち、0.3μｍ以下ではい
わゆる第２層１３と第３層１４のみになり本発明
の効果が発揮されない。
なお第１層１２となる第１の感光性樹脂は基板
１１上に塗布後感光させてもよいし、あらかじめ
感光済のポジ型感光性樹脂膜を塗布してもよい。
第１層１２の膜厚は基板１１の段差より厚く、か
つ基板１１の表面より望ましくは0.3μｍ以上の厚
さに形成するのが望ましい。また、第１、第２、
第３層１２，１３，１４の総膜厚が1μｍ以内の
ときは第１層１２はその半分以上とするのが望ま
しい。第１と第２の感光性樹脂膜は同一種類のも
のでも、異なる種類のものでも同一現像液ではパ
ターン形成できるものならばよい。また、膜形成
は、上記方法に限定するものではない。
１１上に塗布後感光させてもよいし、あらかじめ
感光済のポジ型感光性樹脂膜を塗布してもよい。
第１層１２の膜厚は基板１１の段差より厚く、か
つ基板１１の表面より望ましくは0.3μｍ以上の厚
さに形成するのが望ましい。また、第１、第２、
第３層１２，１３，１４の総膜厚が1μｍ以内の
ときは第１層１２はその半分以上とするのが望ま
しい。第１と第２の感光性樹脂膜は同一種類のも
のでも、異なる種類のものでも同一現像液ではパ
ターン形成できるものならばよい。また、膜形成
は、上記方法に限定するものではない。
次に、第３図における現像をさらに第４図を用
いて説明する。さて、第１の感光性樹脂膜（第４
図の膜厚ｔ）を回転塗布した場合の、膜厚方向の
現像特性すなわち第３図イの部分の現像特性は第
４図イに示すようになる。第２の感光性樹脂膜形
成後の現像速度すなわち第３図Ｃのロの部分の現
像特性は第４図ロとなる。又、露光後この３層膜
の現像特性は第４図ハとなる。第４図に示すごと
く第１、第２、第３層１２，１３，１４全体の膜
厚約2μｍの樹脂膜のうち1.2〜1.6μｍの間に位置
するいわゆる中間混合層である第２層１３は現像
速度が遅い部分となる。このことは、膜厚ｔを有
する感光済の現像速度の速い第１のポジ型感光性
樹脂が第２の未感光のポジ型感光性樹脂の塗布に
よる混合にてｔよりも薄い膜厚の第１層１２とな
つたことになる。すなわち、ｔ（＝1.8μｍ）のも
のが混合層の形成により0.6μｍ以上薄くなり1.2μ
ｍ以下の膜厚となつたことになる。第１層１２
は、感光性樹脂膜と基板との粘性を考慮すれば
0.1μｍ、望ましくは前述したごとく0.3μｍ以上形
成するように第１、第２の感光性樹脂膜の塗布制
御が望ましい。
いて説明する。さて、第１の感光性樹脂膜（第４
図の膜厚ｔ）を回転塗布した場合の、膜厚方向の
現像特性すなわち第３図イの部分の現像特性は第
４図イに示すようになる。第２の感光性樹脂膜形
成後の現像速度すなわち第３図Ｃのロの部分の現
像特性は第４図ロとなる。又、露光後この３層膜
の現像特性は第４図ハとなる。第４図に示すごと
く第１、第２、第３層１２，１３，１４全体の膜
厚約2μｍの樹脂膜のうち1.2〜1.6μｍの間に位置
するいわゆる中間混合層である第２層１３は現像
速度が遅い部分となる。このことは、膜厚ｔを有
する感光済の現像速度の速い第１のポジ型感光性
樹脂が第２の未感光のポジ型感光性樹脂の塗布に
よる混合にてｔよりも薄い膜厚の第１層１２とな
つたことになる。すなわち、ｔ（＝1.8μｍ）のも
のが混合層の形成により0.6μｍ以上薄くなり1.2μ
ｍ以下の膜厚となつたことになる。第１層１２
は、感光性樹脂膜と基板との粘性を考慮すれば
0.1μｍ、望ましくは前述したごとく0.3μｍ以上形
成するように第１、第２の感光性樹脂膜の塗布制
御が望ましい。
本発明は第４図ロの曲線に示すごとき現像特性
を実現する構造を得ることにより、正確なパター
ンを精度良く形成するものである。
を実現する構造を得ることにより、正確なパター
ンを精度良く形成するものである。
なお、本発明においては、第１、第２、第３層
１２，１３，１４の膜厚制御が重要となるが、感
光ずみの第１の感光性樹脂形成後、現像速度を遅
くしないためには、ベーキング温度を室温から
90゜程度までの低い温度にするのが望ましい。
１２，１３，１４の膜厚制御が重要となるが、感
光ずみの第１の感光性樹脂形成後、現像速度を遅
くしないためには、ベーキング温度を室温から
90゜程度までの低い温度にするのが望ましい。
なお第２層１３および第３層１４の膜厚は第２
の感光性樹脂膜の塗布方法たとえば感光性樹脂液
滴下方法、時間および回転数により制御すること
ができる。第２の感光性樹脂膜と第１の感光性樹
脂膜の接触時間が長い程第２層１３いわゆる混合
層の膜厚が厚くなる。したがつて第２層１３およ
び第３層１４膜を均一に形成するためには、第１
の感光性樹脂膜上に均一に第２の感光性樹脂膜を
滴下し、かつ、滴下から高速回転までの接触時間
を等しくする必要がある。
の感光性樹脂膜の塗布方法たとえば感光性樹脂液
滴下方法、時間および回転数により制御すること
ができる。第２の感光性樹脂膜と第１の感光性樹
脂膜の接触時間が長い程第２層１３いわゆる混合
層の膜厚が厚くなる。したがつて第２層１３およ
び第３層１４膜を均一に形成するためには、第１
の感光性樹脂膜上に均一に第２の感光性樹脂膜を
滴下し、かつ、滴下から高速回転までの接触時間
を等しくする必要がある。
したがつて本発明における感光性樹脂膜の塗布
には第５図に示す装置を用るのが望ましい。すな
わち、複数個のノズル２２および光照射源２３と
第１の感光性樹脂膜塗布された半導体基板１１の
回転可能な支持体２１を有し、複数個のノズルか
ら同時に第２の感光性樹脂膜を塗布する（第５図
Ａ）。また未感光の樹脂膜を塗布した後、全面に
光照射する場合は、塗布用のノズル２２と光照射
源２３を一体に有する装置を用い第５図Ｂのごと
くノズル２２、光源２３を移動して行うようにす
るのが望ましい。
には第５図に示す装置を用るのが望ましい。すな
わち、複数個のノズル２２および光照射源２３と
第１の感光性樹脂膜塗布された半導体基板１１の
回転可能な支持体２１を有し、複数個のノズルか
ら同時に第２の感光性樹脂膜を塗布する（第５図
Ａ）。また未感光の樹脂膜を塗布した後、全面に
光照射する場合は、塗布用のノズル２２と光照射
源２３を一体に有する装置を用い第５図Ｂのごと
くノズル２２、光源２３を移動して行うようにす
るのが望ましい。
以上のように、本発明は現像速度の速い感光性
樹脂膜を残存させてパターン形成を行うもので、
高精度な微小パターンの形成に大きく寄与するも
のである。
樹脂膜を残存させてパターン形成を行うもので、
高精度な微小パターンの形成に大きく寄与するも
のである。
第１図は露光工程の概念図、第２図は従来の基
板への露光状態の断面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明の一実施例にかかるパターン形成工程図、第
４図はレジスト膜の現像速度特性図、第５図Ａ，
Ｂは本発明に用いる製造装置の概略図である。 １１……半導体基板、１２，１３，１４……第
１、第２、第３層、１５……感光領域、１６……
開孔部、２２……ノズル、２３……光照射源。
板への露光状態の断面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明の一実施例にかかるパターン形成工程図、第
４図はレジスト膜の現像速度特性図、第５図Ａ，
Ｂは本発明に用いる製造装置の概略図である。 １１……半導体基板、１２，１３，１４……第
１、第２、第３層、１５……感光領域、１６……
開孔部、２２……ノズル、２３……光照射源。
Claims (1)
- １ 段差を有する半導体基板上に、ほぼ感光済の
感光性樹脂膜よりなる第１層を前記基板の段差よ
り厚く形成する工程と、前記第１層上に未感光の
感光性樹脂膜を塗布して第２層を形成するととも
に、前記第１層と第２層間に両者の混合層を形成
し、同一現像液に対して現像速度が前記第１層、
中間層、第２層の順に遅くなる３層膜を形成する
工程と、前記３層膜を選択的に露光した後前記現
像液で処理し、前記３層膜に同一のパターンを形
成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054285A JPS58171818A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054285A JPS58171818A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171818A JPS58171818A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0419697B2 true JPH0419697B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=12966286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054285A Granted JPS58171818A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171818A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236823A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH0263056A (ja) * | 1988-04-05 | 1990-03-02 | Mitsubishi Kasei Corp | レジストパターン形成方法 |
| US4904564A (en) * | 1988-06-16 | 1990-02-27 | International Business Machines Corporation | Process for imaging multi-layer resist structure |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51129190A (en) * | 1975-05-02 | 1976-11-10 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor |
| JPS5411701U (ja) * | 1977-06-23 | 1979-01-25 | ||
| JPS5580323A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-17 | Nec Corp | Pattern forming method for photoresist-film |
| JPS57100428A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Matsushita Electronics Corp | Method for photomechanical process |
| JPS58132926A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57054285A patent/JPS58171818A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58171818A (ja) | 1983-10-08 |
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