JPH0219970B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0219970B2 JPH0219970B2 JP57058837A JP5883782A JPH0219970B2 JP H0219970 B2 JPH0219970 B2 JP H0219970B2 JP 57058837 A JP57058837 A JP 57058837A JP 5883782 A JP5883782 A JP 5883782A JP H0219970 B2 JPH0219970 B2 JP H0219970B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photosensitive resin
- resin film
- etched
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細な矩形パターンを精度良く形成す
る方法に関するものである。
る方法に関するものである。
被食刻基板に矩形パターンを形成する方法にお
いて、パターン巾が２〜3μｍ以下の微細加工で
は通常ポジ型感光性樹脂膜が用いられている。こ
のポジ型感光性樹脂の露光方法として、高解像度
でかつ高歩留りが得られるステツプアンドリピー
ト方式等のレンズ用いる投影露光方法が用いられ
る。
いて、パターン巾が２〜3μｍ以下の微細加工で
は通常ポジ型感光性樹脂膜が用いられている。こ
のポジ型感光性樹脂の露光方法として、高解像度
でかつ高歩留りが得られるステツプアンドリピー
ト方式等のレンズ用いる投影露光方法が用いられ
る。
投影露光方法は第１図に示すようにマスク１を
通過した光線Ｘレンズ２を介して被食刻基板３上
の感光性樹脂膜４上に結像するようにしたもので
ある。ただし、この方法はレンズ２を使用するた
めマスクパターンエツヂで光の回折が生じパター
ン巾が微細化するにつれ、光照射部としやへい部
のコントラストが劣化する。すなわち照射部の光
量が減少し、マスクしやへい部にも光がまわり込
むという欠点があつた。特に矩形パターンでは前
記欠点が４辺から生じ、４辺からの影響により照
射量の劣化が大きい。したがつて、微細な矩形パ
ターン形成には照射量を増加する必要がある。し
かし照射量の増加とともにしやへい部へのまわり
込み量も多くなる。
通過した光線Ｘレンズ２を介して被食刻基板３上
の感光性樹脂膜４上に結像するようにしたもので
ある。ただし、この方法はレンズ２を使用するた
めマスクパターンエツヂで光の回折が生じパター
ン巾が微細化するにつれ、光照射部としやへい部
のコントラストが劣化する。すなわち照射部の光
量が減少し、マスクしやへい部にも光がまわり込
むという欠点があつた。特に矩形パターンでは前
記欠点が４辺から生じ、４辺からの影響により照
射量の劣化が大きい。したがつて、微細な矩形パ
ターン形成には照射量を増加する必要がある。し
かし照射量の増加とともにしやへい部へのまわり
込み量も多くなる。
こうした不都合を第２図にて説明する。前述の
ごとく照射量を大きくすると、微細パターン形成
領域５で第２図(A)に示すごとく感光性樹脂膜４ａ
の残膜量が少なくなる。こうした状態で被食刻基
板３をスパツタリング法等いわゆるドライエツチ
ング法により食刻した場合特に残存量が少さくパ
ターンサイズの小さい感光性樹脂４ａも食刻さ
れ、エツチング部８は所望の形状となつても４ａ
をマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチ
ング部８の形状も劣化する。（第２図Ｂ）。また、
第２図(C)から明らかなように本来矩形パターンと
なるべきエツチング部８のコーナーでの精度が悪
くない、コーナーが円形状になるという欠点もあ
つた。
ごとく照射量を大きくすると、微細パターン形成
領域５で第２図(A)に示すごとく感光性樹脂膜４ａ
の残膜量が少なくなる。こうした状態で被食刻基
板３をスパツタリング法等いわゆるドライエツチ
ング法により食刻した場合特に残存量が少さくパ
ターンサイズの小さい感光性樹脂４ａも食刻さ
れ、エツチング部８は所望の形状となつても４ａ
をマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチ
ング部８の形状も劣化する。（第２図Ｂ）。また、
第２図(C)から明らかなように本来矩形パターンと
なるべきエツチング部８のコーナーでの精度が悪
くない、コーナーが円形状になるという欠点もあ
つた。
本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、
微細な矩形パターンの形成方法等に投影露光方法
を用いて微細な矩形パターンを精度良く形成する
方法を提供するものである。
微細な矩形パターンの形成方法等に投影露光方法
を用いて微細な矩形パターンを精度良く形成する
方法を提供するものである。
すなわち、本発明は被食刻膜あるいは被食刻基
板上に第１のパターンを有する第１の層を形成し
た後、感光性樹脂膜を第１の層の膜厚より厚く形
成し、第１のパターンと少なくとも一部が重複す
る第２のパターンを有するマスクによる光照射を
行ない、第１のパターンと第２のパターンの重複
部の感光性樹脂膜および第１の層を除去した後、
被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴と
するものである。
板上に第１のパターンを有する第１の層を形成し
た後、感光性樹脂膜を第１の層の膜厚より厚く形
成し、第１のパターンと少なくとも一部が重複す
る第２のパターンを有するマスクによる光照射を
行ない、第１のパターンと第２のパターンの重複
部の感光性樹脂膜および第１の層を除去した後、
被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴と
するものである。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第３，４，５図は本発明の一実施例を示す工程
の平面および断面図である。なお、第３図の平面
に対応する所定の断面を第４図、第５図に示す。
の平面および断面図である。なお、第３図の平面
に対応する所定の断面を第４図、第５図に示す。
まず、半導体基板１０上にSiO2等の絶縁膜１
１が形成された被食刻基板上に第１の層たとえば
多結晶硅素膜あるいはアルミニウムなどの第１パ
ターン１２を形成する（第３，４，５図Ａ）。次
に全面にポジ型感光性樹脂量１３を前記第１の層
の膜厚より厚く形成する（第３，４，５図Ｂ）。
次に前記第１パターン１２と交差するしやへい部
１４、開孔部１５からなる第２のパターンを有す
る第６図に示すマスク１６を用い、感光性樹脂膜
１３に投影露光方法により光照射を行なう。光照
射は第１のパターン１２と交差部上の感光性樹脂
膜１３′が後の現像処理で除去されるに十分な量
とする。次に現像処理により、パターン１２の表
面より上に位置する樹脂膜１３と１３′を除去し
交差部の第１の層１２のみを露出し、被食刻基板
の絶縁膜１１上には、前記感光性樹脂膜１３を残
し、パターン１２上には樹脂膜１３の一部１３ａ
を残す（第３，４，５図Ｃ）。
１が形成された被食刻基板上に第１の層たとえば
多結晶硅素膜あるいはアルミニウムなどの第１パ
ターン１２を形成する（第３，４，５図Ａ）。次
に全面にポジ型感光性樹脂量１３を前記第１の層
の膜厚より厚く形成する（第３，４，５図Ｂ）。
次に前記第１パターン１２と交差するしやへい部
１４、開孔部１５からなる第２のパターンを有す
る第６図に示すマスク１６を用い、感光性樹脂膜
１３に投影露光方法により光照射を行なう。光照
射は第１のパターン１２と交差部上の感光性樹脂
膜１３′が後の現像処理で除去されるに十分な量
とする。次に現像処理により、パターン１２の表
面より上に位置する樹脂膜１３と１３′を除去し
交差部の第１の層１２のみを露出し、被食刻基板
の絶縁膜１１上には、前記感光性樹脂膜１３を残
し、パターン１２上には樹脂膜１３の一部１３ａ
を残す（第３，４，５図Ｃ）。
しかるのち、第１のパターン１２の露出部を食
刻し、開孔部１７を形成し絶縁膜１１の一部を露
出させる（第３，４，５図Ｄ）。次に残された第
１のパターン１２および感光性樹脂膜１３を食刻
マスクとして、被食刻基板の絶縁膜１１を食刻し
た後、前記第１のパターン１２および感光性樹脂
膜１３を除去し、所定の開孔矩形パターン１８を
形成する（第３，４，５図Ｅ）。
刻し、開孔部１７を形成し絶縁膜１１の一部を露
出させる（第３，４，５図Ｄ）。次に残された第
１のパターン１２および感光性樹脂膜１３を食刻
マスクとして、被食刻基板の絶縁膜１１を食刻し
た後、前記第１のパターン１２および感光性樹脂
膜１３を除去し、所定の開孔矩形パターン１８を
形成する（第３，４，５図Ｅ）。
以上の方法によれば、矩形パターン１９の形成
用のパターンの二辺は第一のパターン１２で、他
の二辺は感光性樹脂膜１３で構成するため、従来
の方法と異なり、樹脂膜の矩形パターンを形成す
る必要はなく、精度良く矩形パターンを形成でき
る。また、第１のパターン１２上の感光性樹脂膜
パターン１３ａはストライプパターンであり、こ
のパターン１３は絶縁膜１２エツチング用マスク
となる第１のパターン１２を選択的に食刻するマ
スクとなればよいため、膜厚が薄くまた断面形状
が少し変形しても矩形パターン１９の形状にはほ
とんど影響をおよぼさない。
用のパターンの二辺は第一のパターン１２で、他
の二辺は感光性樹脂膜１３で構成するため、従来
の方法と異なり、樹脂膜の矩形パターンを形成す
る必要はなく、精度良く矩形パターンを形成でき
る。また、第１のパターン１２上の感光性樹脂膜
パターン１３ａはストライプパターンであり、こ
のパターン１３は絶縁膜１２エツチング用マスク
となる第１のパターン１２を選択的に食刻するマ
スクとなればよいため、膜厚が薄くまた断面形状
が少し変形しても矩形パターン１９の形状にはほ
とんど影響をおよぼさない。
以上の様に本発明では第１の層で形成した凸部
の感光性樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、
かつ第１と第２のストライプパターンの交差部に
より矩形パターンを形成するため、高精度に矩形
パターンを形成することができる。
の感光性樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、
かつ第１と第２のストライプパターンの交差部に
より矩形パターンを形成するため、高精度に矩形
パターンを形成することができる。
なお第１の層は、反射率の高い金属性の物質を
用いた方が第２のパターン形成に必要な照射量が
少なく、第１のパターン１２以外の被食刻基板上
の感光性樹脂膜１３を厚く残留させることができ
る。また本発明は投影露光以外の露光方法にも適
用できることはいうまでもないとともに、第１と
第２のパターンは、直角で交差してもそれ以外の
角度で交差させてもよい。
用いた方が第２のパターン形成に必要な照射量が
少なく、第１のパターン１２以外の被食刻基板上
の感光性樹脂膜１３を厚く残留させることができ
る。また本発明は投影露光以外の露光方法にも適
用できることはいうまでもないとともに、第１と
第２のパターンは、直角で交差してもそれ以外の
角度で交差させてもよい。
第１図は一般的な投影露光方法の概念図、第２
図Ａ，Ｂ，Ｃは従来法によるパターン形成方法の
工程図、同図Ｂは同図Ｃの−線断面図、第３
図Ａ〜Ｅは本発明の一実施例によるパターン形成
方法の工程平面図、第４図Ａ〜Ｅ、第５図Ａ〜Ｅ
はそれぞれ第３図Ａ〜Ｅにおける−線、−
線に対応する工程断面図、第６図は本発明に用
いる感光性樹脂膜露光用のマスクパターンを示す
図である。 １１……絶縁膜、１２……第１のパターン、１
３，１３ａ……感光性樹脂膜、１６……第２のパ
ターンを有するマスク、１９……開孔パターン。
図Ａ，Ｂ，Ｃは従来法によるパターン形成方法の
工程図、同図Ｂは同図Ｃの−線断面図、第３
図Ａ〜Ｅは本発明の一実施例によるパターン形成
方法の工程平面図、第４図Ａ〜Ｅ、第５図Ａ〜Ｅ
はそれぞれ第３図Ａ〜Ｅにおける−線、−
線に対応する工程断面図、第６図は本発明に用
いる感光性樹脂膜露光用のマスクパターンを示す
図である。 １１……絶縁膜、１２……第１のパターン、１
３，１３ａ……感光性樹脂膜、１６……第２のパ
ターンを有するマスク、１９……開孔パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被食刻基板上に第１のパターンを有する第１
の層を形成する工程と、前記第１の層の膜厚より
厚く感光性樹脂膜を形成する工程と、前記第１の
パターンと少くとも一部が重複する第２のパター
ンを通して前記感光性樹脂膜に光照射を行ない現
像処理により前記第１のパターンと第２のパター
ンの光照射部が重複する領域の前記感光性樹脂膜
を除去して前記第１の層を露出するとともに前記
重複する領域以外の領域上に前記感光性樹脂膜を
残す工程と、前記露出した第１の層を食刻して前
記被食刻基板を露出させ、２辺を前記第１のパタ
ーン、他の２辺を前記第２のパターンで形成され
た開孔部を有するマスクを用いて前記被食刻基板
を食刻する工程とを備えたことを特徴とするパタ
ーン形成方法。 ２ 第１の層として反射率の高い金属層を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175830A JPS58175830A (ja) | 1983-10-15 |
| JPH0219970B2 true JPH0219970B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=13095762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058837A Granted JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175830A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144083A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の形成方法 |
| JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
| JPH0821571B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1996-03-04 | 日本電気株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| JPS61216431A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPH0658905B2 (ja) * | 1985-03-22 | 1994-08-03 | 日本電気株式会社 | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS61263179A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPS62183576A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン素子の製造方法 |
| JPS6394692A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPH01179418A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-17 | Sharp Corp | マスク |
| JPH0525601U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-02 | 株式会社オビツ製作所 | 花束用照明装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4151021A (en) * | 1977-01-26 | 1979-04-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM |
| JPS56137622A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Forming of cross pattern electrode |
| JPS56137623A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Forming of cross pattern electrode |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058837A patent/JPS58175830A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58175830A (ja) | 1983-10-15 |
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