JPH0419912A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH0419912A JPH0419912A JP2121103A JP12110390A JPH0419912A JP H0419912 A JPH0419912 A JP H0419912A JP 2121103 A JP2121103 A JP 2121103A JP 12110390 A JP12110390 A JP 12110390A JP H0419912 A JPH0419912 A JP H0419912A
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- JP
- Japan
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- film
- periodic table
- transparent conductive
- substrate
- gas
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、特に太陽電池、液晶デイスプレーＥＬデイス
プレー用電極として最適な、耐蝕性に優れた透明導電膜
に関するものである。
プレー用電極として最適な、耐蝕性に優れた透明導電膜
に関するものである。
［従来の技術］
一般に可視光領域において透明で、かつ導電性を有する
透明導電膜は、アモルファスシリコン太陽電池や、液晶
デイスプレー ＥＬデイスプレーにおける透明電極とし
て、あるいは各用途の帯電防止膜として使用されている
。これらの透明導電膜の材料としては、Ａ ｕ ［Ｐｈ
１ｌｏｓ。
透明導電膜は、アモルファスシリコン太陽電池や、液晶
デイスプレー ＥＬデイスプレーにおける透明電極とし
て、あるいは各用途の帯電防止膜として使用されている
。これらの透明導電膜の材料としては、Ａ ｕ ［Ｐｈ
１ｌｏｓ。
Ｈａｇ、、 Ｓｅｒ、７．４６．３８１ （１９５５）
］ Ａｇ Ｎ、 ０ｐｔＳｏｃ、 ＡＬ＋ ４０．２
０３ （１９５０）］などの金属超薄膜、Ｉ ｎ ２０
ｘ ［Ｊｐｎ、 Ｊ、＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、、８．
６８１（１９６９）コ Ｓ ｎ Ｏ２［Ｖａ
ｃｕｕｍ、 ３． ３７５（１９５３）］Ｚ ｎ Ｏ
［Ｃａｎ、 Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、６０．１３８７ （１
９８２）コなどの酸化物半導体薄膜かあるが、現在１ｎ
２０ｚにＳｎを添加したＩＴＯと呼ばれる透明導電膜が
広く使用されている。
］ Ａｇ Ｎ、 ０ｐｔＳｏｃ、 ＡＬ＋ ４０．２
０３ （１９５０）］などの金属超薄膜、Ｉ ｎ ２０
ｘ ［Ｊｐｎ、 Ｊ、＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、、８．
６８１（１９６９）コ Ｓ ｎ Ｏ２［Ｖａ
ｃｕｕｍ、 ３． ３７５（１９５３）］Ｚ ｎ Ｏ
［Ｃａｎ、 Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、６０．１３８７ （１
９８２）コなどの酸化物半導体薄膜かあるが、現在１ｎ
２０ｚにＳｎを添加したＩＴＯと呼ばれる透明導電膜が
広く使用されている。
ＩＴＣＩは、４ｅＶ前後のバンドギャップをもつ可視域
で透明な導電膜で、抵抗率１０→Ω（１）程度のものが
得られているが、耐蝕性においては問題を残している。
で透明な導電膜で、抵抗率１０→Ω（１）程度のものが
得られているが、耐蝕性においては問題を残している。
このようにＩＴＯ膜は、透明性、導電性においては優れ
た特性をもっているが、酸化還元にきわめて弱く、又、
酸などで容易にエツチングされる。例えば、濃塩酸中に
、ガラス基板上に膜厚５００〜１０００人のＩＴＯ膜を
蒸着形成したものを浸すと、数秒で溶解してしまう。
た特性をもっているが、酸化還元にきわめて弱く、又、
酸などで容易にエツチングされる。例えば、濃塩酸中に
、ガラス基板上に膜厚５００〜１０００人のＩＴＯ膜を
蒸着形成したものを浸すと、数秒で溶解してしまう。
又、ＩＴＯ膜の主成分であるＩ ｎ２０３は、インジウ
ムと酸素との結合か弱いため、高温において水素を含む
雰囲気にさらすなどすると、酸素が遊離しインジウムが
析出して透明性を失ってしまう。このことは、アモルフ
ァスシリコン太陽電池用電極としてＩＴＯ膜を使用する
場合、アモルファスシリコン膜形成時に水素プラズマを
用いたプラズマＣＶＤ法を用いることが多いため、大き
な問題となる。
ムと酸素との結合か弱いため、高温において水素を含む
雰囲気にさらすなどすると、酸素が遊離しインジウムが
析出して透明性を失ってしまう。このことは、アモルフ
ァスシリコン太陽電池用電極としてＩＴＯ膜を使用する
場合、アモルファスシリコン膜形成時に水素プラズマを
用いたプラズマＣＶＤ法を用いることが多いため、大き
な問題となる。
［発明が解決しようとする課題］
上記問題の解決のため、本発明はＩＴＯ膜に代わる、耐
蝕性に優れた透明導電膜を提供しようとするものである
。
蝕性に優れた透明導電膜を提供しようとするものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
、その構成は周期表■族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素、及び周期表Ｖ族元素から選ばれた少なくとも
１種の元素からなる化合物半導体において、バンドギャ
ップ３ｅＶ以上を有する透明導電膜を提供するものであ
る。
、その構成は周期表■族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素、及び周期表Ｖ族元素から選ばれた少なくとも
１種の元素からなる化合物半導体において、バンドギャ
ップ３ｅＶ以上を有する透明導電膜を提供するものであ
る。
以下、本発明について更に詳細に説明する。
本発明における、周期表■族元素としては、ｓ ＳＡ
Ｉ 、Ｇ ａ ＳＩ ｎがあり、これらのうち少なくと
も１種の元素か含まれる。
Ｉ 、Ｇ ａ ＳＩ ｎがあり、これらのうち少なくと
も１種の元素か含まれる。
又、周期表■族元素としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓがあり、こ
れらのうち少なくとも１種の元素か含まれる。
れらのうち少なくとも１種の元素か含まれる。
これらからなる化合物半導体の例としてはＧａＮ等の化
合物半導体、ＧａＡ Ｉ Ｎ、 Ｇ ａ ＢＮ。
合物半導体、ＧａＡ Ｉ Ｎ、 Ｇ ａ ＢＮ。
Ｇａ ＩｎＮ、ＧａＡ １１ ｎＮ等の混晶系化合物半
導体があり、又これらに〜Ｉｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｓ ｉ％ ０％ Ｆなどをドープして、抵抗
率を制御したものかある。
導体があり、又これらに〜Ｉｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｓ ｉ％ ０％ Ｆなどをドープして、抵抗
率を制御したものかある。
これらを成膜する際用いる材料としては、例えば、金属
単体、もしくは、水素化物、もしくはハロゲン化物など
を使用することかできる。
単体、もしくは、水素化物、もしくはハロゲン化物など
を使用することかできる。
成膜法としては一般に用いられている方法を用いること
ができ、例えば、真空蒸着法、ＭＢＥ法、ＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法、反応性蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパ
ッタリング法かある。
ができ、例えば、真空蒸着法、ＭＢＥ法、ＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法、反応性蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパ
ッタリング法かある。
本発明の透明導電膜においては、３ｅＶ以上のバンドギ
ャップを有し、可視域（光の波長４００〜８００ｎｍ）
において７０％以上の透過率を有していることを特徴と
している。又、バンドギャップを大きくとることも可能
であり、紫外領域での透明性をもたせることが出来る。
ャップを有し、可視域（光の波長４００〜８００ｎｍ）
において７０％以上の透過率を有していることを特徴と
している。又、バンドギャップを大きくとることも可能
であり、紫外領域での透明性をもたせることが出来る。
又、導電性においては、抵抗率１０−２Ωｃｍ以下であ
ることが必要であるが、成膜条件、ドーピング量を操作
することにより、制御することか出来る。例えばＧａＮ
の場合、基板温度を上げ窒素欠陥を多くして、キャリア
密度を多くして、抵抗率を下げることが出来る。
ることが必要であるが、成膜条件、ドーピング量を操作
することにより、制御することか出来る。例えばＧａＮ
の場合、基板温度を上げ窒素欠陥を多くして、キャリア
密度を多くして、抵抗率を下げることが出来る。
これらの透明導電膜は、耐蝕性に優れており、特に窒化
物膜において顕著である。
物膜において顕著である。
又、かかる透明導電膜の膜厚は、必要とされる抵抗値、
光学的特性によって決めることか出来るものであるが、
通常５００人〜２μｍ程度である。
光学的特性によって決めることか出来るものであるが、
通常５００人〜２μｍ程度である。
薄膜を合成させる基板としては、サファイア、石英、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＯ１Ｓｉ、ＳｉＣ等かある。
ｎＳ、ＺｎＯ１Ｓｉ、ＳｉＣ等かある。
次に成膜方法の一例を説明するか、特にこれに限定され
るものではない。
るものではない。
装置には第１図に示すような真空容器１内に蒸発用坩堝
（クヌードセンセル）２、電子ビーム蒸着装置３、クラ
ンキングガスセル５、基板加熱ホルダー ６を備えた＞
ＩＢＥ装置を使用する。
（クヌードセンセル）２、電子ビーム蒸着装置３、クラ
ンキングガスセル５、基板加熱ホルダー ６を備えた＞
ＩＢＥ装置を使用する。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９００〜１０００℃
に加熱する。
に加熱する。
クラッキングガスセル４は、ガス比口を基板７に吹き付
けるように設置する。導入ガスにはＮＨ３やＮ２ Ｈ４
を使用し導入ｍは ｌ−５０ｃｃ／ｒＩｉｎとする。真
空容器内の真空度は、成膜時で１〜５ ｘ １０’ Ｔ
ｏｒｒ程度となる。
けるように設置する。導入ガスにはＮＨ３やＮ２ Ｈ４
を使用し導入ｍは ｌ−５０ｃｃ／ｒＩｉｎとする。真
空容器内の真空度は、成膜時で１〜５ ｘ １０’ Ｔ
ｏｒｒ程度となる。
基板にサファイア単結晶基板などを使用し、６００〜１
０００℃に加熱しなからＧａＮを成膜する。
０００℃に加熱しなからＧａＮを成膜する。
成膜後、ＮＨ３を導入しながら基板温度を下げる。以上
のようにして、透明なＧａＮ膜か得られる。
のようにして、透明なＧａＮ膜か得られる。
［実施例コ
以下実施例により更に詳細に説明する。
実施例１
装置には第１図に示すようなＭＢＥ装置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。クラッキングガスセル４は、ガス出口を基板７に吹き
付けるように設置した。導入ガスにはＮＨ３を使用し、
導入量は３ｅｃ／１Ｔｌｉｎとした。又、このガスセル
は触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、ア
ルミナに触れさせながら約３００℃に加熱した。基板に
はサファイア単結晶基板（１１０２）面を使用し ６５
０℃に加熱した。
。クラッキングガスセル４は、ガス出口を基板７に吹き
付けるように設置した。導入ガスにはＮＨ３を使用し、
導入量は３ｅｃ／１Ｔｌｉｎとした。又、このガスセル
は触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、ア
ルミナに触れさせながら約３００℃に加熱した。基板に
はサファイア単結晶基板（１１０２）面を使用し ６５
０℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で１〜５×１０’ Ｔｏ
ｒｒ程度であった。
ｒｒ程度であった。
このような実験条件において１時開成膜を行ない、膜厚
的１５０ＯＡのＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において８０％以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ωσであった。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したか全く侵食
されなかった。更に、この膜上にプラズマＣＶＤ法によ
りアモルファスＳｉ膜を成膜したが、ＧａＮ膜の劣化は
認められなかった。
的１５０ＯＡのＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において８０％以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ωσであった。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したか全く侵食
されなかった。更に、この膜上にプラズマＣＶＤ法によ
りアモルファスＳｉ膜を成膜したが、ＧａＮ膜の劣化は
認められなかった。
実施例２
装置には実施例１と同様の第１図に示すようなＭＢＥ装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０’Ｃに加熱し
た。電子ビーム蒸着装置３の坩堝にはＡ１金属をいれ、
薄膜中でのＡ１金属の原子数比がＧａ金属の１０分の一
程度になるように電子ビームの出力を調整し、加熱蒸発
した。
た。電子ビーム蒸着装置３の坩堝にはＡ１金属をいれ、
薄膜中でのＡ１金属の原子数比がＧａ金属の１０分の一
程度になるように電子ビームの出力を調整し、加熱蒸発
した。
以下、基板の加熱温度を１０００℃にした以外は実施例
１と同じ条件て成膜を行ない 膜厚的１５００ＸのＧａ
ＡＩＮ膜を得た。原子吸光法による組成分析によれば、
Ａ１の原子数比はＧａの約１０％であった。この膜は可
視域（光の波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において、８０
％以上の透過率をもち、抵抗率は１０−２Ω釦であった
。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは３．６
ｅＶてあった。又この膜を王水中に１時間放置したが、
全く侵食されなかった。
１と同じ条件て成膜を行ない 膜厚的１５００ＸのＧａ
ＡＩＮ膜を得た。原子吸光法による組成分析によれば、
Ａ１の原子数比はＧａの約１０％であった。この膜は可
視域（光の波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において、８０
％以上の透過率をもち、抵抗率は１０−２Ω釦であった
。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは３．６
ｅＶてあった。又この膜を王水中に１時間放置したが、
全く侵食されなかった。
実施例３
装置には実施例１と同様の第１図に示すようなＭＢＥ装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。蒸発用坩堝２のもう一方にはＭ ｇ金属をいれ、３０
０°Ｃに加熱した。
。蒸発用坩堝２のもう一方にはＭ ｇ金属をいれ、３０
０°Ｃに加熱した。
以下実施例１と同じ条件で同じ時開成膜を行ない、膜厚
約１５００人のＭｇをドーピングしたＧａＮ膜を得た。
約１５００人のＭｇをドーピングしたＧａＮ膜を得た。
この膜は可視域（光の波長４００〜８００ｎｍ）におい
て、８０％以上の透過率をもち、抵抗率は１０°１Ω印
であった。これにより、電導度を制御できたことを確認
した。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは、
約３．２ｅＶてあった。又、この膜を王水中に１時間放
置したか全く侵食されなかった。
て、８０％以上の透過率をもち、抵抗率は１０°１Ω印
であった。これにより、電導度を制御できたことを確認
した。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは、
約３．２ｅＶてあった。又、この膜を王水中に１時間放
置したか全く侵食されなかった。
実施例４
装置には実施例１と同様の第１図に示すようなＭＢＥ装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。蒸発用坩堝２のもう一方にはＩｎ金属をいれ、６５０
℃に加熱した。
。蒸発用坩堝２のもう一方にはＩｎ金属をいれ、６５０
℃に加熱した。
以下、基板の加熱温度を７００℃にした以外は実施例１
と同じ条件で同じ時開成膜を行ない、膜厚的１５０ＯＡ
のＧａ１ｎＮ膜を得た。原子吸光法による組成分析によ
れば、Ｉｎの原子数比はＧａの約５％であった。この膜
は可視域（光の波長４００〜ｇ（ｌｏｎｍ）において、
７０９６以上の通過率をもち、抵抗率は１０４Ω口であ
った。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは、
約３．Ｏｅ■であった。又、この膜を王水中に１時間放
置したが全（侵食されなかった。
と同じ条件で同じ時開成膜を行ない、膜厚的１５０ＯＡ
のＧａ１ｎＮ膜を得た。原子吸光法による組成分析によ
れば、Ｉｎの原子数比はＧａの約５％であった。この膜
は可視域（光の波長４００〜ｇ（ｌｏｎｍ）において、
７０９６以上の通過率をもち、抵抗率は１０４Ω口であ
った。分光の結果から得たバンドギャップの大きさは、
約３．Ｏｅ■であった。又、この膜を王水中に１時間放
置したが全（侵食されなかった。
実施例５
装置には実施例１と同様の第１図に示すようなＭＢＥ装
置を使用した。
置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。クラッキングガスセル４は、ガス出口を基板７に吹き
付けるように設置した。導入ガスにはＮ２ Ｈ４を使用
し導入量は３ｃｃ／１１ｉｎとした。又、このガスセル
は触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、ア
ルミナに触れさせながら約３００℃に加熱した。ガスセ
ル５は、ガス出口を基板７に吹き付けるようにした。導
入ガスにはＰＣｌ３を使用し、導入量はｉｃｅ／ｌ１ｉ
ｎとした。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）
面を使用し、６５０℃に加熱した。
。クラッキングガスセル４は、ガス出口を基板７に吹き
付けるように設置した。導入ガスにはＮ２ Ｈ４を使用
し導入量は３ｃｃ／１１ｉｎとした。又、このガスセル
は触媒存在下でガスを加熱できるようになっており、ア
ルミナに触れさせながら約３００℃に加熱した。ガスセ
ル５は、ガス出口を基板７に吹き付けるようにした。導
入ガスにはＰＣｌ３を使用し、導入量はｉｃｅ／ｌ１ｉ
ｎとした。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）
面を使用し、６５０℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時で１〜５×１０’Ｔｏｒ
ｒ程度であった。
ｒ程度であった。
このような実験条件において１時開成膜を行ない、膜厚
的１５００ＡのＧａＰＮ膜を得た。この膜は可視域（光
の波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において、８０％以上の
透過率をもち、抵抗率は１０−３Ω叩であった。分光の
結果から得たバンドギャップの大きさは、約３ 、 Ｏ
ｅＶであった。又、この膜を王水中に１時間放置したが
全（侵食されなかった。
的１５００ＡのＧａＰＮ膜を得た。この膜は可視域（光
の波長４００〜８００ｒ＋ｍ）において、８０％以上の
透過率をもち、抵抗率は１０−３Ω叩であった。分光の
結果から得たバンドギャップの大きさは、約３ 、 Ｏ
ｅＶであった。又、この膜を王水中に１時間放置したが
全（侵食されなかった。
実施例６
装置には第２図に示すような、石英管８内にＧａ金属を
入れたボート ９、基本ホルダー１０、及びガス導入ノ
ズル１１．１２を備えたＣＶＤ装置を使用した。
入れたボート ９、基本ホルダー１０、及びガス導入ノ
ズル１１．１２を備えたＣＶＤ装置を使用した。
石英管８は、管状炉によって加熱しボート ９は９００
℃、基本ホルダー１０は１０ＤＯ’Ｃになるように調整
した。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）面を
使用した。
℃、基本ホルダー１０は１０ＤＯ’Ｃになるように調整
した。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）面を
使用した。
ガス導入ノズル１１にはＨＣＩガスを５ｃｃ／ｍｉｎ流
し、ガリウム金属にガスがよく触れるようにした。ガス
導入ノズル１２にはＮＨ３ガスを２００ｃｃ／ｍｉｎ流
し、基板７上方でＧａＣｌガスと混合するようにした。
し、ガリウム金属にガスがよく触れるようにした。ガス
導入ノズル１２にはＮＨ３ガスを２００ｃｃ／ｍｉｎ流
し、基板７上方でＧａＣｌガスと混合するようにした。
石英管８には、この他にキャリアガスとしてＮ２ガスを
１０００ｃｃ／ｍｉｎ流した。
１０００ｃｃ／ｍｉｎ流した。
このような実験条件において１時開成膜を行ない、膜厚
約２０μ荘のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の波
長４００〜８００ｎｍ）において、７０％以上の透過率
をもち、抵抗率は１ｏ−３Ω釦の値を得た。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶてあ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したか全く侵食
されなかった。
約２０μ荘のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の波
長４００〜８００ｎｍ）において、７０％以上の透過率
をもち、抵抗率は１ｏ−３Ω釦の値を得た。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶてあ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したか全く侵食
されなかった。
実施例７
装置には第３図に示すような、真空容器 １内に蒸発用
坩堝２、プラズマ源１３、基板加熱ボルダ−Ｂを備えた
真空蒸着装置を使用した。
坩堝２、プラズマ源１３、基板加熱ボルダ−Ｂを備えた
真空蒸着装置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。
。
プラズマ源１３は、プラズマガス出口を基板７に吹き付
けるように設置した。導入ガスにはＮ２を使用し、導入
量は５ｃｃ／ｍｉｎとした。又、このプラズマ源は高周
波によりガスをプラズマ加熱できるようになっている。
けるように設置した。導入ガスにはＮ２を使用し、導入
量は５ｃｃ／ｍｉｎとした。又、このプラズマ源は高周
波によりガスをプラズマ加熱できるようになっている。
基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）面を使用し
、６５０℃に加熱した。
、６５０℃に加熱した。
真空容器内の真空度は、成膜時て １〜５×１０’Ｔｏ
ｒｒ程度であった。
ｒｒ程度であった。
このような実験条件において１時開成膜を行ない、膜厚
約１５００人のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｎｍ）において８０９６以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ω印であった。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したが全く侵食
されなかった。
約１５００人のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｎｍ）において８０９６以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ω印であった。分光の結果
から得たバンドギャップの大きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したが全く侵食
されなかった。
実施例８
装置には第４図に示すような、真空容器ｌ内に蒸発用坩
堝２、イオンビームガンＪ４、基板加熱ホルダー６を備
えたイオンビーム蒸着装置を使用した。
堝２、イオンビームガンＪ４、基板加熱ホルダー６を備
えたイオンビーム蒸着装置を使用した。
蒸発用坩堝２にはＧａ金属をいれ、９４０℃に加熱した
。イオンビームガン１４は、ビーム出口を基板７の方向
を向くようにした。イオンビームとしてはＮイオンを使
用し、ビーム電流、加速電圧はそれぞれ約１＋ｎＡ 、
５０［ＩＶとした。又、このイオンビームガンは直
流アーク放電プラズマによりＮイオンを得るようになっ
ている。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）面
を使用し、６００℃に加熱した＠ 真空容器内の真空度は、成膜時て １〜５×１０’ Ｔ
ｏｒｒ程度であった。
。イオンビームガン１４は、ビーム出口を基板７の方向
を向くようにした。イオンビームとしてはＮイオンを使
用し、ビーム電流、加速電圧はそれぞれ約１＋ｎＡ 、
５０［ＩＶとした。又、このイオンビームガンは直
流アーク放電プラズマによりＮイオンを得るようになっ
ている。基板にはサファイア単結晶基板（１１０２）面
を使用し、６００℃に加熱した＠ 真空容器内の真空度は、成膜時て １〜５×１０’ Ｔ
ｏｒｒ程度であった。
このような実験条件において１時開成膜を行ない、膜厚
的１５００２のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｎｍ）において８０９６以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ω印であった。分光の結果
から得たバンドギャップの太きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したが全く侵食
されなかった。
的１５００２のＧａＮ膜を得た。この膜は可視域（光の
波長４００〜８００ｎｍ）において８０９６以上の透過
率をもち、抵抗率は１０−３Ω印であった。分光の結果
から得たバンドギャップの太きさは、約３．２ｅＶであ
った。又、この膜を王水中に１時間放置したが全く侵食
されなかった。
［発明の効果］
以上のように、本発明の透明導電膜は耐蝕性に優れ、工
業上極めて有用なものである。
業上極めて有用なものである。
第１図は実施例１〜５で用いたＭＢＥ装置の説明図、第
２図〜第４図はそれぞれ実施例６〜８で用いた装置の説
明図である。 １・・・真空容器、２・・・蒸発用坩堝、３・・・電子
ビーム蒸着装置、 ４・・・クラッキングガスセル、５・・・ガスセル、６
・・・基板加熱ホルダー ７・・・基板、訃・・石英管
、９・・・ボート、１０・・・基板ホルダー１１．１２
・・・ガス導入ノズル、１３・・・プラズマ源、１４・
・・イオンビームガン。 第 図 ＼ 第 図
２図〜第４図はそれぞれ実施例６〜８で用いた装置の説
明図である。 １・・・真空容器、２・・・蒸発用坩堝、３・・・電子
ビーム蒸着装置、 ４・・・クラッキングガスセル、５・・・ガスセル、６
・・・基板加熱ホルダー ７・・・基板、訃・・石英管
、９・・・ボート、１０・・・基板ホルダー１１．１２
・・・ガス導入ノズル、１３・・・プラズマ源、１４・
・・イオンビームガン。 第 図 ＼ 第 図
Claims (1)
- 周期表III族元素から選ばれた少なくとも１種の元素
、及び周期表Ｖ族元素から選ばれた少なくとも１種の元
素からなる化合物半導体において、バンドギャップ３ｅ
Ｖ以上を有する透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121103A JPH0419912A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121103A JPH0419912A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419912A true JPH0419912A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14802957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121103A Pending JPH0419912A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419912A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804839A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | III-V nitride compound semiconductor device and method for fabricating the same |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2121103A patent/JPH0419912A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804839A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | III-V nitride compound semiconductor device and method for fabricating the same |
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