JPH04199547A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04199547A JPH04199547A JP2335407A JP33540790A JPH04199547A JP H04199547 A JPH04199547 A JP H04199547A JP 2335407 A JP2335407 A JP 2335407A JP 33540790 A JP33540790 A JP 33540790A JP H04199547 A JPH04199547 A JP H04199547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- heat radiator
- thermal expansion
- columnar part
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は放熱器をそなえた半導体装置に関するもので
ある。
ある。
第2図は従来の半導体装置の一例を示す断面図であり、
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(3)は緩衝板、(4)は基板、(6)は放熱器である
。
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(3)は緩衝板、(4)は基板、(6)は放熱器である
。
次に動作について説明する。基板(4)は熱伝導係数か
大きく熱膨張係数が放熱器(6)に近い材料で構成され
ているが、熱膨張係数か半導体チップ(1)より大きい
ため、この基板(4)上に直接、半導体チップ(1)を
ろう付けすると、ろう付けの冷却工程で、半導体チップ
(1)に大きな熱応力か発生し、半導体チップ(1)か
損傷を受ける等の問題が発生する。このような問題をさ
けるため、熱膨張係数が基板(4)と半導体チップ(1
)の中間の値をもつ緩衝板(3)を基板(4)上にろう
付けし、この緩衝板(3)上に半導体チップ(1)かろ
う付けされる。
大きく熱膨張係数が放熱器(6)に近い材料で構成され
ているが、熱膨張係数か半導体チップ(1)より大きい
ため、この基板(4)上に直接、半導体チップ(1)を
ろう付けすると、ろう付けの冷却工程で、半導体チップ
(1)に大きな熱応力か発生し、半導体チップ(1)か
損傷を受ける等の問題が発生する。このような問題をさ
けるため、熱膨張係数が基板(4)と半導体チップ(1
)の中間の値をもつ緩衝板(3)を基板(4)上にろう
付けし、この緩衝板(3)上に半導体チップ(1)かろ
う付けされる。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
ろう付は部が二カ所必要で、組立て工程が複雑になる他
、半導体チップから放熱器までの熱伝導が悪くなるなと
の問題点があった。
ろう付は部が二カ所必要で、組立て工程が複雑になる他
、半導体チップから放熱器までの熱伝導が悪くなるなと
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱器に直接半導体チップをろう付けし1組
立工程を簡略にするとともに、放熱効果の大きい半導体
装置を得ることを目的とする。
たもので、放熱器に直接半導体チップをろう付けし1組
立工程を簡略にするとともに、放熱効果の大きい半導体
装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱器に円柱部を設け、
この円柱部に熱膨張係数か放熱器より小さいリングを嵌
合し、この円柱部の端面に半導体チップをろう付けした
ものである。
この円柱部に熱膨張係数か放熱器より小さいリングを嵌
合し、この円柱部の端面に半導体チップをろう付けした
ものである。
この発明における半導体装置は、リングか放熱器を構成
する材料よりも熱膨張係数か小さいので、半導体チップ
を放熱器にろう付けする時の温度上昇時、放熱器の円柱
部の熱膨張を拘束する。
する材料よりも熱膨張係数か小さいので、半導体チップ
を放熱器にろう付けする時の温度上昇時、放熱器の円柱
部の熱膨張を拘束する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は円柱部を有する放熱器、(7)は放熱器(6)
に設けられた円柱部、(8)は放熱器(6)の円柱部に
嵌合したリングである。
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は円柱部を有する放熱器、(7)は放熱器(6)
に設けられた円柱部、(8)は放熱器(6)の円柱部に
嵌合したリングである。
次に動作について説明する。放熱器(6)は、熱伝導率
の高い材料、例えば銅で作られており、熱膨張係数は半
導体チップ(11の数倍にも達する。このため、リング
(8)の無い状態で、半導体チップ(1)をろう付けす
る場合、ろう材(2)の凝固後の冷却過程て、放熱器(
6)の収縮量か大きいため、半導体チ。
の高い材料、例えば銅で作られており、熱膨張係数は半
導体チップ(11の数倍にも達する。このため、リング
(8)の無い状態で、半導体チップ(1)をろう付けす
る場合、ろう材(2)の凝固後の冷却過程て、放熱器(
6)の収縮量か大きいため、半導体チ。
ブ(1)との間に大きな熱応力か発生し、半導体チ。
ブ(1)か割れる等の不具合か生ずる。一方、リング(
8)の有る場合には、このリング(8)は熱膨張係数か
放熱器(6)の熱膨張係数より小さい材料で構成されて
いるため、ろう付けの昇温時に、放熱器(6)の円柱部
(7)の熱膨張を拘束する。このため、放熱器(6)は
見かけ上、熱膨張係数か小さくなったように挙動し、ろ
う材(2)凝固後の冷却過程において半導体チップ(1
)との収縮量の差か小さくなり、半導体チップ(1ンに
損傷か発生するのを防止できる。
8)の有る場合には、このリング(8)は熱膨張係数か
放熱器(6)の熱膨張係数より小さい材料で構成されて
いるため、ろう付けの昇温時に、放熱器(6)の円柱部
(7)の熱膨張を拘束する。このため、放熱器(6)は
見かけ上、熱膨張係数か小さくなったように挙動し、ろ
う材(2)凝固後の冷却過程において半導体チップ(1
)との収縮量の差か小さくなり、半導体チップ(1ンに
損傷か発生するのを防止できる。
以上のようにこの発明によれは半導体チップを熱伝導率
の高い材料で構成された放熱器に直接、ろう付けできる
ようにしたので、半導体チップの発熱を効果的に冷却で
きるとともに、半導体装置を安価に製造できる効果かあ
る。
の高い材料で構成された放熱器に直接、ろう付けできる
ようにしたので、半導体チップの発熱を効果的に冷却で
きるとともに、半導体装置を安価に製造できる効果かあ
る。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第2図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は放熱器、(7)は放熱器(6)に設けた円柱部
、(8)はリングである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
面図、第2図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は放熱器、(7)は放熱器(6)に設けた円柱部
、(8)はリングである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップより熱膨張係数が大きい放熱器に円柱部を
構成し、この円柱部に上記放熱器の熱膨張係数より熱膨
張係数が小さいリングを嵌合し、上記円柱部の端面に半
導体チップを取り付けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335407A JPH04199547A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335407A JPH04199547A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199547A true JPH04199547A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18288202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335407A Pending JPH04199547A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199547A (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2335407A patent/JPH04199547A/ja active Pending
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