JPH04199547A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04199547A
JPH04199547A JP2335407A JP33540790A JPH04199547A JP H04199547 A JPH04199547 A JP H04199547A JP 2335407 A JP2335407 A JP 2335407A JP 33540790 A JP33540790 A JP 33540790A JP H04199547 A JPH04199547 A JP H04199547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
heat radiator
thermal expansion
columnar part
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2335407A
Other languages
English (en)
Inventor
Taisuke Matsugi
眞継 泰典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2335407A priority Critical patent/JPH04199547A/ja
Publication of JPH04199547A publication Critical patent/JPH04199547A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07351Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • H10W72/381Auxiliary members

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は放熱器をそなえた半導体装置に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第2図は従来の半導体装置の一例を示す断面図であり、
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(3)は緩衝板、(4)は基板、(6)は放熱器である
次に動作について説明する。基板(4)は熱伝導係数か
大きく熱膨張係数が放熱器(6)に近い材料で構成され
ているが、熱膨張係数か半導体チップ(1)より大きい
ため、この基板(4)上に直接、半導体チップ(1)を
ろう付けすると、ろう付けの冷却工程で、半導体チップ
(1)に大きな熱応力か発生し、半導体チップ(1)か
損傷を受ける等の問題が発生する。このような問題をさ
けるため、熱膨張係数が基板(4)と半導体チップ(1
)の中間の値をもつ緩衝板(3)を基板(4)上にろう
付けし、この緩衝板(3)上に半導体チップ(1)かろ
う付けされる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
ろう付は部が二カ所必要で、組立て工程が複雑になる他
、半導体チップから放熱器までの熱伝導が悪くなるなと
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱器に直接半導体チップをろう付けし1組
立工程を簡略にするとともに、放熱効果の大きい半導体
装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、放熱器に円柱部を設け、
この円柱部に熱膨張係数か放熱器より小さいリングを嵌
合し、この円柱部の端面に半導体チップをろう付けした
ものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置は、リングか放熱器を構成
する材料よりも熱膨張係数か小さいので、半導体チップ
を放熱器にろう付けする時の温度上昇時、放熱器の円柱
部の熱膨張を拘束する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は円柱部を有する放熱器、(7)は放熱器(6)
に設けられた円柱部、(8)は放熱器(6)の円柱部に
嵌合したリングである。
次に動作について説明する。放熱器(6)は、熱伝導率
の高い材料、例えば銅で作られており、熱膨張係数は半
導体チップ(11の数倍にも達する。このため、リング
(8)の無い状態で、半導体チップ(1)をろう付けす
る場合、ろう材(2)の凝固後の冷却過程て、放熱器(
6)の収縮量か大きいため、半導体チ。
ブ(1)との間に大きな熱応力か発生し、半導体チ。
ブ(1)か割れる等の不具合か生ずる。一方、リング(
8)の有る場合には、このリング(8)は熱膨張係数か
放熱器(6)の熱膨張係数より小さい材料で構成されて
いるため、ろう付けの昇温時に、放熱器(6)の円柱部
(7)の熱膨張を拘束する。このため、放熱器(6)は
見かけ上、熱膨張係数か小さくなったように挙動し、ろ
う材(2)凝固後の冷却過程において半導体チップ(1
)との収縮量の差か小さくなり、半導体チップ(1ンに
損傷か発生するのを防止できる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれは半導体チップを熱伝導率
の高い材料で構成された放熱器に直接、ろう付けできる
ようにしたので、半導体チップの発熱を効果的に冷却で
きるとともに、半導体装置を安価に製造できる効果かあ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第2図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、(1)は半導体チップ、(2)はろう材、
(6)は放熱器、(7)は放熱器(6)に設けた円柱部
、(8)はリングである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップより熱膨張係数が大きい放熱器に円柱部を
    構成し、この円柱部に上記放熱器の熱膨張係数より熱膨
    張係数が小さいリングを嵌合し、上記円柱部の端面に半
    導体チップを取り付けたことを特徴とする半導体装置。
JP2335407A 1990-11-28 1990-11-28 半導体装置 Pending JPH04199547A (ja)

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JP2335407A JPH04199547A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 半導体装置

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JPH04199547A true JPH04199547A (ja) 1992-07-20

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