JPH04199811A - 半導体ウエハ用周辺露光装置 - Google Patents
半導体ウエハ用周辺露光装置Info
- Publication number
- JPH04199811A JPH04199811A JP2336132A JP33613290A JPH04199811A JP H04199811 A JPH04199811 A JP H04199811A JP 2336132 A JP2336132 A JP 2336132A JP 33613290 A JP33613290 A JP 33613290A JP H04199811 A JPH04199811 A JP H04199811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- outer peripheral
- resist
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハ上の感光性レジストのうち半導体
ウェハ外周部の感光性レジストを除去する際に使用する
半導体ウェハ用周辺露光装置に関するものである。
ウェハ外周部の感光性レジストを除去する際に使用する
半導体ウェハ用周辺露光装置に関するものである。
従来、半導体ウェハに感光性レジストを用いてパターン
を形成する際には、パターン形成前に半導体ウェハ外周
部の感光性レジストを周辺露光装置によって露光、現像
させて除去していた。従来のこの種の半導体ウェハ用周
辺露光装置を第３図。
を形成する際には、パターン形成前に半導体ウェハ外周
部の感光性レジストを周辺露光装置によって露光、現像
させて除去していた。従来のこの種の半導体ウェハ用周
辺露光装置を第３図。
によって説明する。
第３図は従来の半導体ウェハ用周辺露光装置の概略構成
を示す斜視図である。同図において、■は半導体ウェハ
、２はこの半導体ウェハ１を支持するホットチャックで
、半導体ウェハ１はホットチャック２上に載置固定され
ている。ホットチャック２は、半導体ウェハ１の裏面に
対接する平坦面が形成された円板状のウェハ支持部２ａ
を有し、周辺露光装置本体（図示せず）に装着されてい
る。
を示す斜視図である。同図において、■は半導体ウェハ
、２はこの半導体ウェハ１を支持するホットチャックで
、半導体ウェハ１はホットチャック２上に載置固定され
ている。ホットチャック２は、半導体ウェハ１の裏面に
対接する平坦面が形成された円板状のウェハ支持部２ａ
を有し、周辺露光装置本体（図示せず）に装着されてい
る。
また、このホットチャック２はウェハ支持部２ａ内にヒ
ータ（図示せず）が内蔵されており、その上に載置され
た半導体ウェハ１を加熱することができるように構成さ
れている。
ータ（図示せず）が内蔵されており、その上に載置され
た半導体ウェハ１を加熱することができるように構成さ
れている。
３は感光性レジスト（以下、単にレジストという）で、
このレジスト３は半導体ウエノ′Ｘｌの上面に設けられ
ている。
このレジスト３は半導体ウエノ′Ｘｌの上面に設けられ
ている。
従来の周辺露光装置では、上面（パターン形成面）全面
にレジスト３が予め設けられた半導体ウェハ１がホット
チャック２上に載置固定される。
にレジスト３が予め設けられた半導体ウェハ１がホット
チャック２上に載置固定される。
そして、その状態でこの半導体ウェハ１の外周部のレジ
スト３を露光させ、その後、露光部を現像してその部分
のレジスト３を除去していた。このレジスト除去部を第
３図中符号４で示す。
スト３を露光させ、その後、露光部を現像してその部分
のレジスト３を除去していた。このレジスト除去部を第
３図中符号４で示す。
感光性レジスト３は露光によりＮ２を発生し、発泡を生
じさせることがある。そして、発泡が生じると、レジス
ト３が発泡によって押し上げられて半導体ウェハ１から
剥がれることがあった。第４図にその様子を示す。
じさせることがある。そして、発泡が生じると、レジス
ト３が発泡によって押し上げられて半導体ウェハ１から
剥がれることがあった。第４図にその様子を示す。
第４図は従来の周辺露光装置で半導体ウエノ１を露光し
た際にレジスト中の発泡によってレジストが剥離した状
態を示す拡大断面図である。第４図において前記第３図
で説明したものと同一もしくは同等部材については、同
一符号を付し詳細な説明は省略する。第４図において、
５はレジスト３中の発泡によって半導体ウエノ１１から
剥離したレジスト飛沫である。このレジスト飛沫５が発
塵の原因となるため、従来ではホットチャック２のヒー
タによって露光時に半導体ウェハ１を加熱していた。な
お、レジスト３を加熱することによって、レジスト３中
に生じるＮ２の拡散速度が速くなり、Ｎ２が一箇所に溜
まり難くなってレジスト飛沫５が生じ難（なる。
た際にレジスト中の発泡によってレジストが剥離した状
態を示す拡大断面図である。第４図において前記第３図
で説明したものと同一もしくは同等部材については、同
一符号を付し詳細な説明は省略する。第４図において、
５はレジスト３中の発泡によって半導体ウエノ１１から
剥離したレジスト飛沫である。このレジスト飛沫５が発
塵の原因となるため、従来ではホットチャック２のヒー
タによって露光時に半導体ウェハ１を加熱していた。な
お、レジスト３を加熱することによって、レジスト３中
に生じるＮ２の拡散速度が速くなり、Ｎ２が一箇所に溜
まり難くなってレジスト飛沫５が生じ難（なる。
しかるに、従来の半導体ウエノ１用周辺露光装置では、
レジスト３を加熱するためのホットチャック２が半導体
ウェハ１より小径に形成され、しかも半導体ウェハ１の
裏面の略中央部分に位置しているため、露光する部分（
半導体ウェハ１の外周部）の温度制御が困難で、その部
分の温度が不安定になるという問題があった。このよう
な不具合を解消するためにはホットチャック２を半導体
ウェハ１と略同径に形成して半導体ウエノ１１の裏面全
面にわたって加熱するようにすればよい。ところが、そ
のようにしてホットチャック２で加熱を行うと、周辺露
光時に加熱する必要のない部分（半導体ウェハ１の中央
部）までもが同時に加熱されてしまい、半導体ウェハ中
央部の回路パターン部分でのレジスト寸法が変動してし
まう。
レジスト３を加熱するためのホットチャック２が半導体
ウェハ１より小径に形成され、しかも半導体ウェハ１の
裏面の略中央部分に位置しているため、露光する部分（
半導体ウェハ１の外周部）の温度制御が困難で、その部
分の温度が不安定になるという問題があった。このよう
な不具合を解消するためにはホットチャック２を半導体
ウェハ１と略同径に形成して半導体ウエノ１１の裏面全
面にわたって加熱するようにすればよい。ところが、そ
のようにしてホットチャック２で加熱を行うと、周辺露
光時に加熱する必要のない部分（半導体ウェハ１の中央
部）までもが同時に加熱されてしまい、半導体ウェハ中
央部の回路パターン部分でのレジスト寸法が変動してし
まう。
本発明に係る半導体ウェハ用周辺露光装置は、半導体ウ
ェハの外周部裏面に対接する加熱面を有し、この加熱面
で半導体ウェハを支承するリング状のヒータと、このヒ
ータの内周側に配置されかつ半導体ウェハの裏面に対接
する冷却面が設けられた放熱用リングとを備えたもので
ある。
ェハの外周部裏面に対接する加熱面を有し、この加熱面
で半導体ウェハを支承するリング状のヒータと、このヒ
ータの内周側に配置されかつ半導体ウェハの裏面に対接
する冷却面が設けられた放熱用リングとを備えたもので
ある。
半導体ウェハはリング状のヒータによって外周部のみが
加熱され、半導体ウェハ外周部に加えられた熱は放熱用
リングに奪われて半導体ウェハの中央部へは伝わり難く
なる。
加熱され、半導体ウェハ外周部に加えられた熱は放熱用
リングに奪われて半導体ウェハの中央部へは伝わり難く
なる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係る半導体ウェハ用周辺露光装置の概
略構成を示す斜視図、第２図は同じく平面図である。こ
れらの図において前記第３図およびぎ第４図で説明した
ものと同一もしくは同等部材については、同一符号を付
し詳細な説明は省略する。これらの図において、ｌｌは
半導体ウェハ１をその上面で支承して支持するチャック
で、このチャック１１は半導体ウェハ１が載置される円
板部１１ａを有し、周辺露光装置本体（図示せず）に取
付けられている。
略構成を示す斜視図、第２図は同じく平面図である。こ
れらの図において前記第３図およびぎ第４図で説明した
ものと同一もしくは同等部材については、同一符号を付
し詳細な説明は省略する。これらの図において、ｌｌは
半導体ウェハ１をその上面で支承して支持するチャック
で、このチャック１１は半導体ウェハ１が載置される円
板部１１ａを有し、周辺露光装置本体（図示せず）に取
付けられている。
１２は半導体ウェハ１の外周部を加熱するためのホット
プレートで、このホットプレート１２は半導体ウェハ１
と略同径な円環状に形成されており、内周側に前記チャ
ック１１を臨ませて周辺露光装置本体に支持されている
。１２ａはこのホットプレート１２を周辺露光装置に連
結するための３本の支持棒である。また、このホットプ
レート１２は、ヒータ（図示せず）が内蔵されると共に
、半導体ウェハ１の外周部裏面に対接する平坦な伝熱面
１２ｂが上部に設けられている。なお、この伝熱面１２
ｂは前記チャック１１における円板部１１ａの上面と同
一平面上に位置づけられている。
プレートで、このホットプレート１２は半導体ウェハ１
と略同径な円環状に形成されており、内周側に前記チャ
ック１１を臨ませて周辺露光装置本体に支持されている
。１２ａはこのホットプレート１２を周辺露光装置に連
結するための３本の支持棒である。また、このホットプ
レート１２は、ヒータ（図示せず）が内蔵されると共に
、半導体ウェハ１の外周部裏面に対接する平坦な伝熱面
１２ｂが上部に設けられている。なお、この伝熱面１２
ｂは前記チャック１１における円板部１１ａの上面と同
一平面上に位置づけられている。
１３はクーリングプレートで、このクーリングプレート
１３は熱伝導率の高い材料によって円環状に形成されて
おり、前記ホットプレート１２の内周部に固定されてい
る。また、このクーリングプレート１３の上部には、前
記チャック１１．ホットプレート１２の上面に対して同
一平面上に位置づけられる平坦な冷却面１３ａが設けら
れている。
１３は熱伝導率の高い材料によって円環状に形成されて
おり、前記ホットプレート１２の内周部に固定されてい
る。また、このクーリングプレート１３の上部には、前
記チャック１１．ホットプレート１２の上面に対して同
一平面上に位置づけられる平坦な冷却面１３ａが設けら
れている。
このように構成された周辺露光装置では、チャック１１
．ホットプレート１２およびクーリングプレート１３上
に半導体ウェハ１を載置させて周辺露光が行われる。こ
れらの部材に半導体ウェハ１を載置させると、半導体ウ
ェハ１の外周部裏面はホットプレート１２の伝熱面１２
ｂおよびクーリングプレート１３の冷却面１３ａに対接
する。
．ホットプレート１２およびクーリングプレート１３上
に半導体ウェハ１を載置させて周辺露光が行われる。こ
れらの部材に半導体ウェハ１を載置させると、半導体ウ
ェハ１の外周部裏面はホットプレート１２の伝熱面１２
ｂおよびクーリングプレート１３の冷却面１３ａに対接
する。
そして、半導体ウェハ外周部のレジストを除去するため
にその部分を露光する際には、露光によって生じるＮ２
をレジスト中で拡散させるためにホットプレート１２の
ヒータに通電して半導体ウェハ１の外周部を加熱する。
にその部分を露光する際には、露光によって生じるＮ２
をレジスト中で拡散させるためにホットプレート１２の
ヒータに通電して半導体ウェハ１の外周部を加熱する。
このようにして半導体ウェハ１の周辺露光が行われる。
なお、ホットプレート１２から半導体ウェハ１に伝わっ
た熱の一部は、ホットプレート１２の内周側に位置する
クーリングプレート１３に伝わってここから放熱される
。
た熱の一部は、ホットプレート１２の内周側に位置する
クーリングプレート１３に伝わってここから放熱される
。
すなわち、半導体ウェハ１はホットプレート１２によっ
て外周部のみが加熱され、半導体ウェハ外周部に加えら
れた熱はクーリングプレート１３に奪われて半導体ウェ
ハ１の中央部へは伝わり難くなる。したがって、本発明
に係る周辺露光装置によれば、半導体ウェハ１の外周部
分を重点的に加熱することができる。
て外周部のみが加熱され、半導体ウェハ外周部に加えら
れた熱はクーリングプレート１３に奪われて半導体ウェ
ハ１の中央部へは伝わり難くなる。したがって、本発明
に係る周辺露光装置によれば、半導体ウェハ１の外周部
分を重点的に加熱することができる。
なお、本実施例ではクーリングプレート１３をホットプ
レート１２の内周部に取付けた例を示したが、クーリン
グプレート１３はホットプレート１２から離間させて設
けたり、あるいはホットプレート１２に一体に設けたり
することができる。
レート１２の内周部に取付けた例を示したが、クーリン
グプレート１３はホットプレート１２から離間させて設
けたり、あるいはホットプレート１２に一体に設けたり
することができる。
以上説明したように本発明に係る半導体ウェハ用周辺露
光装置は、半導体ウェハの外周部裏面に対接する加熱面
を有し、この加熱面で半導体ウェハを支承するリング状
のヒータと、このヒータの内周側に配置されかつ半導体
ウェハの裏面に対接する冷却面が設けられた放熱用リン
グとを備えたため、半導体ウェハはリング状のヒータに
よって外周部のみが加熱され、半導体ウェハ外周部に加
えられた熱は放熱用リングに奪われて半導体ウェハの中
央部へは伝わり難（なる。したがって、半導体ウェハの
外周部を重点的に加熱することができるから、半導体ウ
ェハ中央部における感光性レジストの回路パターンが寸
法変化を起こすのを抑えつつ半導体ウェハ外周部を一定
温度をもって加熱することができる。
光装置は、半導体ウェハの外周部裏面に対接する加熱面
を有し、この加熱面で半導体ウェハを支承するリング状
のヒータと、このヒータの内周側に配置されかつ半導体
ウェハの裏面に対接する冷却面が設けられた放熱用リン
グとを備えたため、半導体ウェハはリング状のヒータに
よって外周部のみが加熱され、半導体ウェハ外周部に加
えられた熱は放熱用リングに奪われて半導体ウェハの中
央部へは伝わり難（なる。したがって、半導体ウェハの
外周部を重点的に加熱することができるから、半導体ウ
ェハ中央部における感光性レジストの回路パターンが寸
法変化を起こすのを抑えつつ半導体ウェハ外周部を一定
温度をもって加熱することができる。
第１図は本発明に係る半導体ウェハ用周辺露光装置の概
略構成を示す斜視図、第２図は同じく平面図である。第
３図は従来の半導体ウェハ用周辺露光装置の概略構成を
示す斜視図、第４図は従来の周辺露光装置で半導体ウェ
ハを露光した際にレジスト中の発泡によってレジストが
剥離した状態を示す拡大断面図である。 ■・・・半導体ウェハ、１２・・・ホットプレート、１
２ｂ・・・伝熱面、１３・・・クーリングプレート、１
３ａ・・・冷却面。
略構成を示す斜視図、第２図は同じく平面図である。第
３図は従来の半導体ウェハ用周辺露光装置の概略構成を
示す斜視図、第４図は従来の周辺露光装置で半導体ウェ
ハを露光した際にレジスト中の発泡によってレジストが
剥離した状態を示す拡大断面図である。 ■・・・半導体ウェハ、１２・・・ホットプレート、１
２ｂ・・・伝熱面、１３・・・クーリングプレート、１
３ａ・・・冷却面。
Claims (1)
- 半導体ウェハ上の感光性レジストのうち半導体ウェハ外
周部の不要な感光性レジストを、その部分を露光、現像
することによって除去する半導体ウェハ用周辺露光装置
において、前記半導体ウェハの外周部裏面に対接する加
熱面を有し、この加熱面で半導体ウェハを支承するリン
グ状のヒータと、このヒータの内周側に配置されかつ半
導体ウェハの裏面に対接する冷却面が設けられた放熱用
リングとを備えたことを特徴とする半導体ウェハ用周辺
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336132A JPH04199811A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体ウエハ用周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336132A JPH04199811A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体ウエハ用周辺露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199811A true JPH04199811A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18296030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336132A Pending JPH04199811A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体ウエハ用周辺露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199811A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859408A (en) * | 1994-06-28 | 1999-01-12 | Btg International Limited | Apparatus for uniformly heating a substrate |
| KR100249182B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체제조장치및이를이용한반도체소자제조방법 |
| KR100250636B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체 장치 제조용 가열챔버의 원형 가열판 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2336132A patent/JPH04199811A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859408A (en) * | 1994-06-28 | 1999-01-12 | Btg International Limited | Apparatus for uniformly heating a substrate |
| KR100249182B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체제조장치및이를이용한반도체소자제조방법 |
| KR100250636B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체 장치 제조용 가열챔버의 원형 가열판 |
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