JPH0420121A - Bi―CMOS回路 - Google Patents
Bi―CMOS回路Info
- Publication number
- JPH0420121A JPH0420121A JP2124354A JP12435490A JPH0420121A JP H0420121 A JPH0420121 A JP H0420121A JP 2124354 A JP2124354 A JP 2124354A JP 12435490 A JP12435490 A JP 12435490A JP H0420121 A JPH0420121 A JP H0420121A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- channel mos
- output
- pull
- cmos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/09448—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET in combination with bipolar transistors [BIMOS]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
Bi−0M03回路特にCMOS−T T L高速変換
比カバソファに関し、 立上りも立下りも同じ遅れとして出力波形にデユーティ
比変化がないようにすることを目的とし、出力端のプル
アップ用トランジスタと、プルダウン用のトランジスタ
を備えるバイポーラ出力段と、入力信号を受けて該出力
段を駆動する信号を生成するCMOS回路部を有するB
i−CMOS回路において、該CMOS回路部を、入力
信号を受けるCMOSインバータと、入力信号を受けて
バイポーラ出力段のプルアップ用トランジスタを駆動す
るnチャネルMOSトランジスタおよびプルダウン用ト
ランジスタを駆動するnチャネルMOSトランジスタ、
i CMOSインバータの出力を受けてブルア・ノブ用
トランジスタのベース電荷を引抜くnチャネルMOSト
ランジスタおよびプルダウン用トランジスタのベース電
荷を引抜くnチャネルMOSトランジスタを備えるCM
OS回路とで構成する。
比カバソファに関し、 立上りも立下りも同じ遅れとして出力波形にデユーティ
比変化がないようにすることを目的とし、出力端のプル
アップ用トランジスタと、プルダウン用のトランジスタ
を備えるバイポーラ出力段と、入力信号を受けて該出力
段を駆動する信号を生成するCMOS回路部を有するB
i−CMOS回路において、該CMOS回路部を、入力
信号を受けるCMOSインバータと、入力信号を受けて
バイポーラ出力段のプルアップ用トランジスタを駆動す
るnチャネルMOSトランジスタおよびプルダウン用ト
ランジスタを駆動するnチャネルMOSトランジスタ、
i CMOSインバータの出力を受けてブルア・ノブ用
トランジスタのベース電荷を引抜くnチャネルMOSト
ランジスタおよびプルダウン用トランジスタのベース電
荷を引抜くnチャネルMOSトランジスタを備えるCM
OS回路とで構成する。
本発明は、Bi−0M03回路特にCMOS−T T
L高速変換比カバソファに関する。
L高速変換比カバソファに関する。
近年、コンピュータシステムの高速化、低消費電力化の
要求に伴ない、LSIも高集積化、高速化、かつ低消費
電力化が要求されている。この要求を満たすために、B
i −CMOS LSIが注目されている。
要求に伴ない、LSIも高集積化、高速化、かつ低消費
電力化が要求されている。この要求を満たすために、B
i −CMOS LSIが注目されている。
出力がTTLレベルであるBi −CMOS LSIの
出カバソファは、第3図に示す如き構成になる。この図
で10.20は第1.第2のCMOSインバータ、30
はトーテムポール型のバイポーラ出力段である。MPは
pチャネルMO5I−ランジスタ、MNはnチャネルM
oSトランジスタ、Qはバイポーラトランジスタ、SD
はショットキバリアダイオード(SBD) 、Rは抵抗
で、添字1,2.・・・・・・は相互の区別用である。
出カバソファは、第3図に示す如き構成になる。この図
で10.20は第1.第2のCMOSインバータ、30
はトーテムポール型のバイポーラ出力段である。MPは
pチャネルMO5I−ランジスタ、MNはnチャネルM
oSトランジスタ、Qはバイポーラトランジスタ、SD
はショットキバリアダイオード(SBD) 、Rは抵抗
で、添字1,2.・・・・・・は相互の区別用である。
この回路では入力INがH(ハイ)のとき、MN、オン
、MP、オフで出力ノードaはL(ロー)従ってMP2
オン、MN2はオフ、出力ノードbはBi従ってQ3オ
ン、Ql r Q2はオフ、MP3オンで、出力OUT
はしてある。入力IN’l<LのときはMP、オン、M
N、はオフ、ノードaはB2従ってMP2オン、MN2
オン、ノードbはし、従ってQ3オフ、Q1、Q2オン
、MP3オンで、出力OUTはHである。トランジスタ
MP3は、オフ時のトランジスタQ2のベース電荷引抜
き用である。
、MP、オフで出力ノードaはL(ロー)従ってMP2
オン、MN2はオフ、出力ノードbはBi従ってQ3オ
ン、Ql r Q2はオフ、MP3オンで、出力OUT
はしてある。入力IN’l<LのときはMP、オン、M
N、はオフ、ノードaはB2従ってMP2オン、MN2
オン、ノードbはし、従ってQ3オフ、Q1、Q2オン
、MP3オンで、出力OUTはHである。トランジスタ
MP3は、オフ時のトランジスタQ2のベース電荷引抜
き用である。
従来のBi −CMOS、 T T L型の出カバソフ
ァは図示のようにCMOSインバータ2段とバイポーラ
出力段で構成され、CMOSインバータを2段直列に設
けてバイポーラ出力段のトランジスタを駆動する信号を
作っている。詳しくは、この出力段30は、ダーリント
ン接続のnpnトランジスタQ1. Q2で出力do
tJTのプルアップを行ない、npn )ランジスタQ
3で出力端OUTのプルダウンを行なう構成になってお
り、プルア・ノブ側Q1 はノードaつまりCMOSイ
ンバータ1段の出力で駆動し、プルダウン側Q3はノー
ドb従ってCMOSインバータ2段の出力で駆動する。
ァは図示のようにCMOSインバータ2段とバイポーラ
出力段で構成され、CMOSインバータを2段直列に設
けてバイポーラ出力段のトランジスタを駆動する信号を
作っている。詳しくは、この出力段30は、ダーリント
ン接続のnpnトランジスタQ1. Q2で出力do
tJTのプルアップを行ない、npn )ランジスタQ
3で出力端OUTのプルダウンを行なう構成になってお
り、プルア・ノブ側Q1 はノードaつまりCMOSイ
ンバータ1段の出力で駆動し、プルダウン側Q3はノー
ドb従ってCMOSインバータ2段の出力で駆動する。
従って、出力OUTのL→H変化(プルアップ)は入力
INに対する遅れが少なく、しかし出力OUTのH−L
変化(プルダウン)の入力INに対する遅れは大きい。
INに対する遅れが少なく、しかし出力OUTのH−L
変化(プルダウン)の入力INに対する遅れは大きい。
また、立上りが速く、立下りが遅いというアンバランス
な状態では、出力波形のデユーティ比が変ってしまい、
回路設計時にこれを考慮した設計をする必要がある、デ
ユーティ比を合わせるために余計なゲートを付加する必
要が生じる、等の問題がある。
な状態では、出力波形のデユーティ比が変ってしまい、
回路設計時にこれを考慮した設計をする必要がある、デ
ユーティ比を合わせるために余計なゲートを付加する必
要が生じる、等の問題がある。
本発明はか\る点を改善し、立上りも立下りも同じ遅れ
として出力波形にデユーティ比変化がないようにするこ
とを目的とするものである。
として出力波形にデユーティ比変化がないようにするこ
とを目的とするものである。
第1図に示すように本発明では、第3図で示した第2
CMOSインバータ20を、pチャネルMOSトランジ
スタMP5.MP2とnチャネルMOSトランジスタM
N3.MN2を備えるCMOS回路40にする。
CMOSインバータ20を、pチャネルMOSトランジ
スタMP5.MP2とnチャネルMOSトランジスタM
N3.MN2を備えるCMOS回路40にする。
pチャネルMOSトランジスタMP5はゲートに入力信
号INを受け、出力端すで出力段のプルアップトランジ
スタQ1、Q2を駆動する。またnチャネルMOS)ラ
ンジスタMN3もゲートに入力信号TNを受け、出力端
すで出力段のプルダウントランジスタQ3を駆動する。
号INを受け、出力端すで出力段のプルアップトランジ
スタQ1、Q2を駆動する。またnチャネルMOS)ラ
ンジスタMN3もゲートに入力信号TNを受け、出力端
すで出力段のプルダウントランジスタQ3を駆動する。
nチャ711MOSトランジスタMN2とpチャネルM
OSトランジスタMP2は共にゲートにCMOSインバ
ータ10の出力を受け、前者はプルダウントランジスタ
Q3の、後者はプルアップトランジスタQ、のベース電
荷を引抜く制御を行なう。
OSトランジスタMP2は共にゲートにCMOSインバ
ータ10の出力を受け、前者はプルダウントランジスタ
Q3の、後者はプルアップトランジスタQ、のベース電
荷を引抜く制御を行なう。
この回路では、バイポーラ出力段のブルア、ブ用トラン
ジスタQ1、Q2を駆動する(オンにする)のはpチャ
ネルMOSl−ランジスタMP5であり、プルダウン用
トランジスタQ3を駆動するのはnチャネルMoSトラ
ンジスタMN3であり、共に入力信号INにより駆動さ
れる。即ち入力信号とプルアップ側トランジスタ、入力
信号とプルダウン側トランジスタの各間に入るのは共に
MOSトランジスタ11固であり、プルアップ側もプル
ダウン のように出力信号のデユーティ比の変化が生じることは
ない。またMOS)ランジメタ1個の遅れが入るだけで
あるから、遅延時間も短縮される。
ジスタQ1、Q2を駆動する(オンにする)のはpチャ
ネルMOSl−ランジスタMP5であり、プルダウン用
トランジスタQ3を駆動するのはnチャネルMoSトラ
ンジスタMN3であり、共に入力信号INにより駆動さ
れる。即ち入力信号とプルアップ側トランジスタ、入力
信号とプルダウン側トランジスタの各間に入るのは共に
MOSトランジスタ11固であり、プルアップ側もプル
ダウン のように出力信号のデユーティ比の変化が生じることは
ない。またMOS)ランジメタ1個の遅れが入るだけで
あるから、遅延時間も短縮される。
CMOSインバータ10の出力はpチャネルMOSトラ
ンジスタMP2とnチャネルMOS)ランジスタMN2
をオン/オフする。トランジスタMP2はトランジスタ
Qlがオフするときのそのベース電荷引抜き用、トラン
ジスタMN2はトランジスタQ3がオフするときのその
ベース電荷引抜き用である。
ンジスタMP2とnチャネルMOS)ランジスタMN2
をオン/オフする。トランジスタMP2はトランジスタ
Qlがオフするときのそのベース電荷引抜き用、トラン
ジスタMN2はトランジスタQ3がオフするときのその
ベース電荷引抜き用である。
第1図と第3図を比べれば明らかなように、第1のCM
OSインバータ10とバイポーラ出力段30の構成は両
者同じであり、異なるのは第3図の第2インバータ20
と第1図のCMOS段40である。
OSインバータ10とバイポーラ出力段30の構成は両
者同じであり、異なるのは第3図の第2インバータ20
と第1図のCMOS段40である。
第1図のCMOS段40は、電源Vccとノー15間に
直列に接続されたpチャネルMOS)ランジスタMP4
、MPs 、MP2と、ノードCとグランドGND間
に直列に接続されたnチャネルMOSトランジスタMN
3とMN2で構成される。pチャネルMOS)ランジス
タMP4のゲートはGNDへ接続され、従って常時オン
で、抵抗と同じである。これはノードCの電位を電源V
ccより若干下げる(出力レベルを下げてスリーステー
トを実現する)機能を持つ。トランジスタMN3とMP
5の各ゲートはMP,のゲートと共に入力信号INを受
け、トランジスタMP2 、MN2の各ゲートはMP3
のゲートと共にCMOSインバータ10の出力ノードa
に接続される。トランジスタMN3とMN2との接続点
b1およびトランジスタMP5とMP2との接続点dが
、CMOS回路40の出力ノードになる。
直列に接続されたpチャネルMOS)ランジスタMP4
、MPs 、MP2と、ノードCとグランドGND間
に直列に接続されたnチャネルMOSトランジスタMN
3とMN2で構成される。pチャネルMOS)ランジス
タMP4のゲートはGNDへ接続され、従って常時オン
で、抵抗と同じである。これはノードCの電位を電源V
ccより若干下げる(出力レベルを下げてスリーステー
トを実現する)機能を持つ。トランジスタMN3とMP
5の各ゲートはMP,のゲートと共に入力信号INを受
け、トランジスタMP2 、MN2の各ゲートはMP3
のゲートと共にCMOSインバータ10の出力ノードa
に接続される。トランジスタMN3とMN2との接続点
b1およびトランジスタMP5とMP2との接続点dが
、CMOS回路40の出力ノードになる。
この回路では入力INがHならMP,、MP5はオフ、
MNl,MN3はオンで、ノードaはし、従ってMN2
はオフ、MP2 、MP3はオン、ノードbはH %
Q 3はオン、ノードdはり, Q, 。
MNl,MN3はオンで、ノードaはし、従ってMN2
はオフ、MP2 、MP3はオン、ノードbはH %
Q 3はオン、ノードdはり, Q, 。
Q2はオフ、従って出力OUTはしてある。逆に、入力
INF!l<LならMP,オン、MN3オフ、MP5オ
ン、MN,オフ、従ってノードaはHで、MN2はオン
、MP2,MP3はオフ、ノードbはり。
INF!l<LならMP,オン、MN3オフ、MP5オ
ン、MN,オフ、従ってノードaはHで、MN2はオン
、MP2,MP3はオフ、ノードbはり。
Q3オフ、ノードdはH,Q,、q2はオン、従って出
力OUTはHである。
力OUTはHである。
この入力INがLで出力OUTがHのとき、プルアップ
トランジスタQ,,Q2を駆動するのは入力信号INを
受けるトランジスタMP5であり、また入力INがHで
出力OUTがLのとき、プルダウントランジスタQ3を
駆動するのは入力信号INを受けるトランジスタMN3
であり、出力段トランジスタの駆動に介在するのは共に
トランジスタ1段である。従って立上りと立下りの遅れ
を等しくすることができる。
トランジスタQ,,Q2を駆動するのは入力信号INを
受けるトランジスタMP5であり、また入力INがHで
出力OUTがLのとき、プルダウントランジスタQ3を
駆動するのは入力信号INを受けるトランジスタMN3
であり、出力段トランジスタの駆動に介在するのは共に
トランジスタ1段である。従って立上りと立下りの遅れ
を等しくすることができる。
この第1図の回路では、入力信号INを受けて出力OU
Tの立上げをトランジスタMP5が行ない、同立下げを
トランジスタMN3が行ない、CM−OSインバータ1
0は、出力立上げ時のプルダウン素子Q3のベース電荷
引き抜き(MN2をオンにして)および出力立下げ時の
プルアップ素子QIQ2のベース電荷引抜き(MP2
、MP3をオンにして)を行なう。つまりCMOSイン
バータ10には補足的な役割を持たせ、プルアップ/プ
ルダウン動作は各1個のトランジスタMP5 、MN3
を介して入力信号INで行なう。この回路では入力信号
INは4個のトランジスタMP1.MN1゜MN3 、
MP5を駆動することになり、負荷(ゲート容量)が重
くなるから、入力信号INの出力回路は負荷駆動能力を
大にしておくとよい。
Tの立上げをトランジスタMP5が行ない、同立下げを
トランジスタMN3が行ない、CM−OSインバータ1
0は、出力立上げ時のプルダウン素子Q3のベース電荷
引き抜き(MN2をオンにして)および出力立下げ時の
プルアップ素子QIQ2のベース電荷引抜き(MP2
、MP3をオンにして)を行なう。つまりCMOSイン
バータ10には補足的な役割を持たせ、プルアップ/プ
ルダウン動作は各1個のトランジスタMP5 、MN3
を介して入力信号INで行なう。この回路では入力信号
INは4個のトランジスタMP1.MN1゜MN3 、
MP5を駆動することになり、負荷(ゲート容量)が重
くなるから、入力信号INの出力回路は負荷駆動能力を
大にしておくとよい。
第2図は入力信号INで駆動するトランジスタを1個減
少して3個にしたものである。即ち入力信号で駆動され
るnチャネルMOSトランジスタM N 3を、CMO
Sインバータ10の出力で駆動されるpチャネルMOS
トランジスタMP6にしたものである。
少して3個にしたものである。即ち入力信号で駆動され
るnチャネルMOSトランジスタM N 3を、CMO
Sインバータ10の出力で駆動されるpチャネルMOS
トランジスタMP6にしたものである。
動作は、入力信号INがHならMP1、 Mp5はオフ
、MN、はオン、ノードaはL1従ってMP、5 、M
P2 、MP3はオン、MN2はオフ、ノードbはH,
Q3はオン、Q1、Q2はオフ、従って出力OUTはし
てあり、人力信号INがLならMP1、MP5はオン、
MN、はオフ、従ってノードaはH,MP6 、MP2
、MP3オフ、MN2オン、Q3オフ、Q1、Q2オ
ン、従って出力OUTはHである。この回路は、入力信
号INにはMOSトランジスタが3個つくだけであるが
、出力OUTの立上りはトランジスタMP5が1つ入る
だけであるのに対し、立下りはCMOSインバータ10
とトランジスタMP6が入り、この点での遅延時間の差
はある。
、MN、はオン、ノードaはL1従ってMP、5 、M
P2 、MP3はオン、MN2はオフ、ノードbはH,
Q3はオン、Q1、Q2はオフ、従って出力OUTはし
てあり、人力信号INがLならMP1、MP5はオン、
MN、はオフ、従ってノードaはH,MP6 、MP2
、MP3オフ、MN2オン、Q3オフ、Q1、Q2オ
ン、従って出力OUTはHである。この回路は、入力信
号INにはMOSトランジスタが3個つくだけであるが
、出力OUTの立上りはトランジスタMP5が1つ入る
だけであるのに対し、立下りはCMOSインバータ10
とトランジスタMP6が入り、この点での遅延時間の差
はある。
バイポーラ出力段のプルアップ側トランジスタは、ダー
リントン接続のトランジスタQ、 、 Q2の2個で
なく、1個のバイポーラトランジスタでもよい。この場
合トランジスタMP3は不要である。
リントン接続のトランジスタQ、 、 Q2の2個で
なく、1個のバイポーラトランジスタでもよい。この場
合トランジスタMP3は不要である。
以上説明したように本発明では、入力信号INで出力O
UTをH/L変化させるのにMOS)ランジスタを1段
しか介在させないので、出力バンファの動作のスピード
アンプが図れる。シミュレーションの結果によれば、従
来回路の4〜5nSに較べて1nS程速くなる。また、
出力の立上り時で、介在するMOSトランジスタは共に
1段で、同じ段数であるから、遅れは同じであり、出カ
バソファでのデユーティ比の変化が少なくて済む。
UTをH/L変化させるのにMOS)ランジスタを1段
しか介在させないので、出力バンファの動作のスピード
アンプが図れる。シミュレーションの結果によれば、従
来回路の4〜5nSに較べて1nS程速くなる。また、
出力の立上り時で、介在するMOSトランジスタは共に
1段で、同じ段数であるから、遅れは同じであり、出カ
バソファでのデユーティ比の変化が少なくて済む。
第1図は本発明のBi−CMO5回路を示す回路図、第
2図は第1図の一部を変形した回路図、第3図は従来例
を示す回路図である。 第1図で10はCMOSインバータ、40はCMO3回
路、 0はバイポーラ出力段、 INは入力、 U Tは出力である。 出 願 人 士 通 株 式 %式%
2図は第1図の一部を変形した回路図、第3図は従来例
を示す回路図である。 第1図で10はCMOSインバータ、40はCMO3回
路、 0はバイポーラ出力段、 INは入力、 U Tは出力である。 出 願 人 士 通 株 式 %式%
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、出力端(OUT)のプルアップ用トランジスタ(Q
_1、Q_2)と、プルダウン用のトランジスタ(Q_
3)を備えるバイポーラ出力段と、入力信号(IN)を
受けて該出力段を駆動する信号を生成するCMOS回路
部を有するBi−CMOS回路において、 該CMOS回路部を、 入力信号(IN)を受けるCMOSインバータ(10)
と、 入力信号(IN)を受けてバイポーラ出力段のプルアッ
プ用トランジスタを駆動するpチャネルMOSトランジ
スタ(MP_5)およびプルダウン用トランジスタを駆
動するnチャネルMOSトランジスタ(MN_3)、該
CMOSインバータの出力を受けてプルアップ用トラン
ジスタのベース電荷を引抜くpチャネルMOSトランジ
スタ(MP_2)およびプルダウン用トランジスタのベ
ース電荷を引抜くnチャネルMOSトランジスタ(MN
_2)とを備えるCMOS回路(40)で構成したこと
を特徴とするBi−CMOS回路。 2、プルアップ用トランジスタ(Q_1、Q_2)は、
第1のバイポーラトランジスタ(Q_1)と第2のバイ
ポーラトランジスタ(Q_2)をダーリントン接続して
なり、 第2のトランジスタ(Q_2)には、CMOSインバー
タ(10)の出力を受け、該トランジスタ(Q_2)の
ベース電荷を引抜くpチャネルMOSトランジスタ(M
P_3)が設けられたことを特徴とする請求項1記載の
Bi−CMOS回路。 3、バイポーラ出力段は第1の電源(Vcc)と第2の
電源(GND)との間に接続され、 入力信号を受けて該バイポーラ出力段のプルアップ用ト
ランジスタを駆動するpチャネルMOSトランジスタ(
MP_5)およびプルダウン用トランジスタを駆動する
nチャネルMOSトランジスタ(MN_3)は、インピ
ーダンス手段を介して前記第1の電源へ接続されること
を特徴とする請求項1または2に記載のBi−CMOS
回路。 4、インピーダンス手段は、pチャネルMOSトランジ
スタ(MP_4)により構成されることを特徴とする、
請求項3に記載のBi−CMOS回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124354A JPH0420121A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Bi―CMOS回路 |
| US07/700,426 US5177377A (en) | 1990-05-15 | 1991-05-15 | Bi-CMOS circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124354A JPH0420121A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Bi―CMOS回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420121A true JPH0420121A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14883315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2124354A Pending JPH0420121A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Bi―CMOS回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5177377A (ja) |
| JP (1) | JPH0420121A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444400A (en) * | 1993-11-02 | 1995-08-22 | Hewlett-Packard Company | Logic output circuit with high transient pull-up current |
| US5917341A (en) * | 1996-01-17 | 1999-06-29 | Texas Instruments Incorporated | Low-side physical interface driver circuit for microcomputer date transmission applications |
| SE517684C2 (sv) * | 1996-06-14 | 2002-07-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande och anordning för att bearbeta samplade analoga signaler i en digital BiCMOS-process |
| JP4996057B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2012-08-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体回路 |
| CN102545880B (zh) * | 2011-12-22 | 2014-07-02 | 苏州云芯微电子科技有限公司 | 一种占空比和交点位置可调的时钟信号反相器 |
| US9018984B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driver for high speed electrical-optical modulator interface |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4301383A (en) * | 1979-10-05 | 1981-11-17 | Harris Corporation | Complementary IGFET buffer with improved bipolar output |
| JPS63202126A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Toshiba Corp | 論理回路 |
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| JP2696991B2 (ja) * | 1988-09-26 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | BiCMOS論理回路 |
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