JPS60104939A - サンドブラスト用マスク転写材 - Google Patents
サンドブラスト用マスク転写材Info
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- JPS60104939A JPS60104939A JP21347383A JP21347383A JPS60104939A JP S60104939 A JPS60104939 A JP S60104939A JP 21347383 A JP21347383 A JP 21347383A JP 21347383 A JP21347383 A JP 21347383A JP S60104939 A JPS60104939 A JP S60104939A
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- Japan
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
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- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明、はサンドブラスト用マスク転写材、サラに詳し
くいえば、被加工基材への転写が可能であって、十分な
サンドブラスト耐性を有し、かつその表面が粘着性を有
しているために、接着剤を用いることなく被加工基材へ
貼着することが可能な、繊細な図柄をもつサンドブラス
ト用マスクパターン層を有したサンドブラスト用マスク
転写材に関するものである。
くいえば、被加工基材への転写が可能であって、十分な
サンドブラスト耐性を有し、かつその表面が粘着性を有
しているために、接着剤を用いることなく被加工基材へ
貼着することが可能な、繊細な図柄をもつサンドブラス
ト用マスクパターン層を有したサンドブラスト用マスク
転写材に関するものである。
ガラス、右利、陶磁器、木材、合成樹脂、金属、皮革な
どの表面にサンドブラストによシ彫刻などを施す際に、
通常非彫刻面を保護するためのマスクが用いられる。
どの表面にサンドブラストによシ彫刻などを施す際に、
通常非彫刻面を保護するためのマスクが用いられる。
従来、このサンドブラスト用マスクを用いる場合、手加
工によりゴムや紙などからパターンを有するマスクを作
り、これを被加工基材に接着剤を用いて貼着していたが
、この方法では手間がかかる上に繊細な図柄を有するマ
スクを得ることができなかった。
工によりゴムや紙などからパターンを有するマスクを作
り、これを被加工基材に接着剤を用いて貼着していたが
、この方法では手間がかかる上に繊細な図柄を有するマ
スクを得ることができなかった。
したがって、このような欠点を改善するために、最近感
光性樹脂を用いたサンドブラスト用マスクを使用する方
法が各種提案されている。例えば被加工基材上に直接感
光性樹脂層を設け、画１象露光、現像を行ってパターン
を有するマスクを作成する方法（特公昭４６−３５６８
１号公報）が提案されている。しかしながら、この方法
においては、曲面加工が困難である上に、被加工基材が
大きい場合には、多大の労力を必要とするなどの欠点が
ある。
光性樹脂を用いたサンドブラスト用マスクを使用する方
法が各種提案されている。例えば被加工基材上に直接感
光性樹脂層を設け、画１象露光、現像を行ってパターン
を有するマスクを作成する方法（特公昭４６−３５６８
１号公報）が提案されている。しかしながら、この方法
においては、曲面加工が困難である上に、被加工基材が
大きい場合には、多大の労力を必要とするなどの欠点が
ある。
また、支持体フィルム上に感光性樹脂によるマスクパタ
ーン層を形成させて成るマスク転写材を被加工基材に貼
着して転写する方法（特開昭５３−９９２５８号公報）
が提案されている。しかしながら、この方法においては
、前記の方法における欠点がある程度改善されるものの
、該支持体フィルム上に接着剤層が設けられていないた
めに、マスクツくターン層作成における現像工程などで
点や線などの細かい硬化した樹脂層が該支持体フィルム
から脱落してしまうという問題があり、その上被加工基
材に該転写材を貼着したのち、その支持体フィルムを剥
離する際に、該支持体フィルムと硬化物との粘着力のた
めに、細かい図柄のマスクパターン層が被加工基材から
脱離し、繊細な図柄の加工には使用することができない
という問題がある。
ーン層を形成させて成るマスク転写材を被加工基材に貼
着して転写する方法（特開昭５３−９９２５８号公報）
が提案されている。しかしながら、この方法においては
、前記の方法における欠点がある程度改善されるものの
、該支持体フィルム上に接着剤層が設けられていないた
めに、マスクツくターン層作成における現像工程などで
点や線などの細かい硬化した樹脂層が該支持体フィルム
から脱落してしまうという問題があり、その上被加工基
材に該転写材を貼着したのち、その支持体フィルムを剥
離する際に、該支持体フィルムと硬化物との粘着力のた
めに、細かい図柄のマスクパターン層が被加工基材から
脱離し、繊細な図柄の加工には使用することができない
という問題がある。
また、この提案においては、使用しうる感光性樹脂組成
物として、不飽和ポリエステルをポリマー成分として含
むものが例示され、このものは光硬化量の調節によシ硬
化状態で表面に粘着性をもたせうるので、接着剤なしで
被加工暴利に貼着することができると説明されている。
物として、不飽和ポリエステルをポリマー成分として含
むものが例示され、このものは光硬化量の調節によシ硬
化状態で表面に粘着性をもたせうるので、接着剤なしで
被加工暴利に貼着することができると説明されている。
しかしながら、前記したように、この粘着性のために、
支持体フィルムを剥離する際に、繊細な図柄のマスクパ
ターン層の脱離が生じ、また、この粘着性のレベルでは
、被加工基材に対して十分な接着効果を得ることができ
ないために、サンドブラスト中にマスクの剥離が起り、
実際的には接着剤を用いて被加工基材に貼着しなければ
ならないという問題がある。
支持体フィルムを剥離する際に、繊細な図柄のマスクパ
ターン層の脱離が生じ、また、この粘着性のレベルでは
、被加工基材に対して十分な接着効果を得ることができ
ないために、サンドブラスト中にマスクの剥離が起り、
実際的には接着剤を用いて被加工基材に貼着しなければ
ならないという問題がある。
また、接着剤層を有する支持体上に感光性樹脂によるマ
スクパターン層を形成したのち、該支持体（ＲＯｋ接着
剤を用いて被加工晶相に貼着する方法（特開昭５５−９
６２７０号公報）が提案されている。
スクパターン層を形成したのち、該支持体（ＲＯｋ接着
剤を用いて被加工晶相に貼着する方法（特開昭５５−９
６２７０号公報）が提案されている。
しかしながら、この方法においては、該支持体をサンド
ブラストで破壊除去するのに長時間を要する上に、接着
剤を用いて被加工暴利へ貼着するために手間がかかると
いう欠点がある。
ブラストで破壊除去するのに長時間を要する上に、接着
剤を用いて被加工暴利へ貼着するために手間がかかると
いう欠点がある。
さらに、支持体フィルム上に感光性樹脂で形成されたマ
スクパターン層を有するマスク転写材において、該支持
体フィルムとマスクパターン層との間に、該フィルムと
は剥離可能で、押圧によシ被加工基材と密着し、かつサ
ンドブラストにより破壊される性質を有する中間被膜を
設ける方法（実開昭５５ ８９５５５号公報）が提案さ
れている。
スクパターン層を有するマスク転写材において、該支持
体フィルムとマスクパターン層との間に、該フィルムと
は剥離可能で、押圧によシ被加工基材と密着し、かつサ
ンドブラストにより破壊される性質を有する中間被膜を
設ける方法（実開昭５５ ８９５５５号公報）が提案さ
れている。
しかしながら、この方法においては、該中間被膜の粘着
性が強いと、支持体フィルムとの剥離抵抗が大きくなっ
て、該転写材を被加工基材に貼着したのち、該支持体フ
ィルムを剥離する際に、マスクパターン層の一部が剥落
するという問題が生じ、また、該中間被膜を押圧によっ
て被加工基材に密着させて転写材を貼着するので、図柄
によってマスフパターン層中の透孔部分が狭く、このよ
うな貼ｐ付けは困難であるし、その上サンドブラストに
より、最初に該中間被膜が破壊されて貼着の効果がなく
なり、次いでマスクが剥離するという問題がある。
性が強いと、支持体フィルムとの剥離抵抗が大きくなっ
て、該転写材を被加工基材に貼着したのち、該支持体フ
ィルムを剥離する際に、マスクパターン層の一部が剥落
するという問題が生じ、また、該中間被膜を押圧によっ
て被加工基材に密着させて転写材を貼着するので、図柄
によってマスフパターン層中の透孔部分が狭く、このよ
うな貼ｐ付けは困難であるし、その上サンドブラストに
より、最初に該中間被膜が破壊されて貼着の効果がなく
なり、次いでマスクが剥離するという問題がある。
本発明者らは、このような問題を解決し、接着剤を用い
ずに被加工基材へ貼着することができ、その上繊細な図
柄でも該被加工基材に極めて正確に加工しうるサンドブ
ラスト用マスク転写材を提供すべく鋭意研究を重ねた結
果、支持体の上に特定の性質を有する保持層を設け、該
保持層の上に、特定の組成を有する感光性樹脂組成物か
ら得られ、かつ所定のサンドブラスト耐性及び被加工暴
利との接着性ヲ有する硬化物から成るサンドブラスト用
マスクパターン層を設けたものによシその目的を達成し
うろことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
ずに被加工基材へ貼着することができ、その上繊細な図
柄でも該被加工基材に極めて正確に加工しうるサンドブ
ラスト用マスク転写材を提供すべく鋭意研究を重ねた結
果、支持体の上に特定の性質を有する保持層を設け、該
保持層の上に、特定の組成を有する感光性樹脂組成物か
ら得られ、かつ所定のサンドブラスト耐性及び被加工暴
利との接着性ヲ有する硬化物から成るサンドブラスト用
マスクパターン層を設けたものによシその目的を達成し
うろことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
すなわち、本発明は、 （Ａ） ｆイ）一般式％式％（
１） 〔式中の又はウレタン残基、Ａはポリエーテル、ポリエ
ステル、ポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
、ポリジエン、ボリエ／又はこれらの混合物、Ｂは一般
式０Ｈ２＝Ｏ（ｚ）ｃｏｙ （ただし、２は水素原子又
はメチル基、Ｙは＋ＣＨ２＋ｍ０−１ｍ２及びｍａはそ
れぞれ１〜１５である）で示される化合物、Ｂ′は一般
式０Ｈ２＝Ｏ（Ｚ）ＣＯＹ （ただし、れ Ｚ、Ｙは前記と同じ意味をもつ）、ＲＯ又はＲＯＹ（た
だしＲは炭素数１〜８のアルキル基、Ｙは前記と同じ意
味をもつ）で示される化合物、ｎは１〜ｌＯである〕 で表わされる不飽和ポリウレタン５０〜９８重量部、（
ロ）エチレン性不飽和化合物２〜５０重量部、及び（ハ
）０）成分と←）成分との和に対して０．０５〜１０５
〜１０重量部開始剤を主成分として含有して成る感光性
樹脂組成物から得られ、かつ２０℃における被加工基材
に対する剥離抵抗値二Ｉ００ ｆ ／ ｔｒｉ以上、破
断伸度１００％以上、１００％モジュラス５００Ｋｇ
／ ｃｒＡ以下を有する硬化物から成るサンドブラスト
用マスクパターン層、（Ｂ）該マスクパターン層を保持
する支持体、及び（Ｃ）前記のマスクパターン層と支持
体との間に位置し、該マスク・くターン層とはよく接着
するが、該支持体とは剥離可能であり、かつサンドブラ
ストによシ破壊される性質を有する保持層から成るサン
ドブラスト用マスク転写利を提供するものである。
１） 〔式中の又はウレタン残基、Ａはポリエーテル、ポリエ
ステル、ポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
、ポリジエン、ボリエ／又はこれらの混合物、Ｂは一般
式０Ｈ２＝Ｏ（ｚ）ｃｏｙ （ただし、２は水素原子又
はメチル基、Ｙは＋ＣＨ２＋ｍ０−１ｍ２及びｍａはそ
れぞれ１〜１５である）で示される化合物、Ｂ′は一般
式０Ｈ２＝Ｏ（Ｚ）ＣＯＹ （ただし、れ Ｚ、Ｙは前記と同じ意味をもつ）、ＲＯ又はＲＯＹ（た
だしＲは炭素数１〜８のアルキル基、Ｙは前記と同じ意
味をもつ）で示される化合物、ｎは１〜ｌＯである〕 で表わされる不飽和ポリウレタン５０〜９８重量部、（
ロ）エチレン性不飽和化合物２〜５０重量部、及び（ハ
）０）成分と←）成分との和に対して０．０５〜１０５
〜１０重量部開始剤を主成分として含有して成る感光性
樹脂組成物から得られ、かつ２０℃における被加工基材
に対する剥離抵抗値二Ｉ００ ｆ ／ ｔｒｉ以上、破
断伸度１００％以上、１００％モジュラス５００Ｋｇ
／ ｃｒＡ以下を有する硬化物から成るサンドブラスト
用マスクパターン層、（Ｂ）該マスクパターン層を保持
する支持体、及び（Ｃ）前記のマスクパターン層と支持
体との間に位置し、該マスク・くターン層とはよく接着
するが、該支持体とは剥離可能であり、かつサンドブラ
ストによシ破壊される性質を有する保持層から成るサン
ドブラスト用マスク転写利を提供するものである。
本発明Ｌ：’−） 転写材におけるサンドゲラスト用マ
スクパターン層を形成するために用いる感光性樹脂組成
物において、 Ｈ）成分として用いる不飽和ポリウレタ
ンは、次の一般式（［Ｉ Ｂ（ＸＡ）ｎＸＢ’ −−−（１） （式中のＸ、 Ａ、Ｂ、 Ｂ’及びｎは前記と同じ意味
をもつ） で表わされる化合物であって、式中のＸとしては、ｆｉ
ｌ、ｔばトルイレンジイソシアネート残基、ヘキサメチ
レンジイレンアネート残基などが挙げられ、Ａとしては
、例えばポリエチレングリコール残基、ポリプロピレン
グリコール残基、ポリテトラメチレングリコール残基、
ポリエチレングリコールポリプロピレングリコール残基
、ポリプロピレンゲｌＪ＝＋−ル７ジペート残基、ポリ
ブタジェン、水添化ポリブタジェンなどが挙げられる。
スクパターン層を形成するために用いる感光性樹脂組成
物において、 Ｈ）成分として用いる不飽和ポリウレタ
ンは、次の一般式（［Ｉ Ｂ（ＸＡ）ｎＸＢ’ −−−（１） （式中のＸ、 Ａ、Ｂ、 Ｂ’及びｎは前記と同じ意味
をもつ） で表わされる化合物であって、式中のＸとしては、ｆｉ
ｌ、ｔばトルイレンジイソシアネート残基、ヘキサメチ
レンジイレンアネート残基などが挙げられ、Ａとしては
、例えばポリエチレングリコール残基、ポリプロピレン
グリコール残基、ポリテトラメチレングリコール残基、
ポリエチレングリコールポリプロピレングリコール残基
、ポリプロピレンゲｌＪ＝＋−ル７ジペート残基、ポリ
ブタジェン、水添化ポリブタジェンなどが挙げられる。
またＢとしては、例えば２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリ
プロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレング
リコールメタクリレート又はこれらのアクリレート類な
どが、Ｂ′としては、例えばエタノール残基、グロパノ
ール残基、ヘキサノール残基、オクタツール残基、ポリ
エチレングリコールモノエチルエーテル残基、ボ’、１
プロピレンクリコール組成物の硬化物が十分な表面粘着
性を有し、かつ十分なサンドブラスト耐性を有するため
には、１分子中に二重結合が平均して１．５〜１．９個
あるものが好ましく、またその数平均分子量が５０００
〜５ｏｏｏｏ、％に１００００〜３００００の範囲内に
あるものが、表面粘着性、耐ブラスト性及び未硬化状態
の取り扱い性などの点で好適である。
レート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリ
プロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレング
リコールメタクリレート又はこれらのアクリレート類な
どが、Ｂ′としては、例えばエタノール残基、グロパノ
ール残基、ヘキサノール残基、オクタツール残基、ポリ
エチレングリコールモノエチルエーテル残基、ボ’、１
プロピレンクリコール組成物の硬化物が十分な表面粘着
性を有し、かつ十分なサンドブラスト耐性を有するため
には、１分子中に二重結合が平均して１．５〜１．９個
あるものが好ましく、またその数平均分子量が５０００
〜５ｏｏｏｏ、％に１００００〜３００００の範囲内に
あるものが、表面粘着性、耐ブラスト性及び未硬化状態
の取り扱い性などの点で好適である。
本発明に係る感光性樹脂組成物に（０）成分として用い
るエチレン性不飽和化合物としては、例えばアクリル酸
、メタクリル酸又はこれらのエステル類、例えばアルキ
ル、ンクロアルキル、テトラヒドロフルフリル、アリル
、グリシジル、ヒドロキシアルキルアクリレートやそれ
らのメタクリレート、アルキレングリコール、ポリアル
キレングリコールのモノ、シアクリＬ／−）やそれらの
メタクリレート、ヘンタエリス１月・−ルテ＋−シアク
リレートやそのメタクリレートなど；アクリルアミドメ
タクリルアミド又はこれらの誘導体、例えばＮ−メチロ
ールアクリルアミドやそのメタン１ノルアミド、 Ｎ，
Ｎ’−アルキレンビスアクリルアミドやそのメタクリル
アミド、ジアセトンアクリルアミドやそのメタクリルア
ミドなど；付加重合可能な不飽和単ｉ体、例えはスチレ
ン、ビニルトルエンジビニルベンゼン、ジアリルフタレ
ート、トリアリルシアヌレート、ビニルアセテート、ア
クリロニトリルなど；不飽和ポリエステル；アルキッド
樹脂；ヒドロキシアルキルアクリレートやそのメタクリ
レートなどの活性水素を有する付加重合可能な単量体で
改質されたポリウレタンのような不飽和ポリウレタンな
どが挙げられる。
るエチレン性不飽和化合物としては、例えばアクリル酸
、メタクリル酸又はこれらのエステル類、例えばアルキ
ル、ンクロアルキル、テトラヒドロフルフリル、アリル
、グリシジル、ヒドロキシアルキルアクリレートやそれ
らのメタクリレート、アルキレングリコール、ポリアル
キレングリコールのモノ、シアクリＬ／−）やそれらの
メタクリレート、ヘンタエリス１月・−ルテ＋−シアク
リレートやそのメタクリレートなど；アクリルアミドメ
タクリルアミド又はこれらの誘導体、例えばＮ−メチロ
ールアクリルアミドやそのメタン１ノルアミド、 Ｎ，
Ｎ’−アルキレンビスアクリルアミドやそのメタクリル
アミド、ジアセトンアクリルアミドやそのメタクリルア
ミドなど；付加重合可能な不飽和単ｉ体、例えはスチレ
ン、ビニルトルエンジビニルベンゼン、ジアリルフタレ
ート、トリアリルシアヌレート、ビニルアセテート、ア
クリロニトリルなど；不飽和ポリエステル；アルキッド
樹脂；ヒドロキシアルキルアクリレートやそのメタクリ
レートなどの活性水素を有する付加重合可能な単量体で
改質されたポリウレタンのような不飽和ポリウレタンな
どが挙げられる。
本発明においては、前記（１）成分の不飽和ポリウレタ
ンと（口）成分のエチレン性不飽和化合物の配合割合は
、前者が５０〜９８重量部、後者が２〜５０重量部の範
囲にあることが必要である。この範囲づ辷′ｌ′Ｖれる
と、得られた硬化物は所望の表面粘着性やサンドブラス
ト耐性が得られ々い。また、該不飽和ポリウレタンに対
する該エチレン性不飽和化合物の比率が高くなると、硬
１ヒ物の表面粘着性が小さくなる傾向を示すので、この
比率が高いときは、エチレン性不飽和化合物として単官
能の化合物を多く用いることが好ましい。
ンと（口）成分のエチレン性不飽和化合物の配合割合は
、前者が５０〜９８重量部、後者が２〜５０重量部の範
囲にあることが必要である。この範囲づ辷′ｌ′Ｖれる
と、得られた硬化物は所望の表面粘着性やサンドブラス
ト耐性が得られ々い。また、該不飽和ポリウレタンに対
する該エチレン性不飽和化合物の比率が高くなると、硬
１ヒ物の表面粘着性が小さくなる傾向を示すので、この
比率が高いときは、エチレン性不飽和化合物として単官
能の化合物を多く用いることが好ましい。
また、感光性樹脂組成物に（ハ）成分として用いる光重
合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインアル
キルエステル、αーメチルベンソインヤーｔ−（７）フ
ルキルエーテル、α−フェニルベンゾイン、α−アリル
ベンゾイン、アンスラキノン、クロロアンスラキノン、
メチルアンスラキノン、エチルアンスラキノン、ベンジ
ル、ジアセチル、アセトフェノン、ω−ブロモアセトフ
ェノン、２，２−ジメトキシフェニルアセトフェノン、
α−ナフタレンスルホニルクロリド、シフエ、ニルジス
ルフィド、エオシンやチオニンのような染料などが挙げ
られる。
合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインアル
キルエステル、αーメチルベンソインヤーｔ−（７）フ
ルキルエーテル、α−フェニルベンゾイン、α−アリル
ベンゾイン、アンスラキノン、クロロアンスラキノン、
メチルアンスラキノン、エチルアンスラキノン、ベンジ
ル、ジアセチル、アセトフェノン、ω−ブロモアセトフ
ェノン、２，２−ジメトキシフェニルアセトフェノン、
α−ナフタレンスルホニルクロリド、シフエ、ニルジス
ルフィド、エオシンやチオニンのような染料などが挙げ
られる。
これらの光重合開始剤は、＠）成分の不飽和ポリウレタ
ンと←）成分のエチレン性不飽和化合物との和に対して
０．０５〜ｉｏ重量係の範囲で用いられる０ 本発明においては．前記の不飽和ポリウレタ／、エチレ
ン性不飽和化合物及び光重合開始剤を主成分とする感光
性樹脂組成物から得られる硬化物は、十分なサンドブラ
スト耐性及び表面粘着性金有するためには、２０℃にお
いて被加工基、１（°に対し３００ ｆ ／ ｃ＋＋１
以上の剥離抵抗値を有し、また破断伸度１００％以上、
１００％モジュラ２５００に９／ｃ！以下を有すること
が必要である。この剥離抵抗１直力；３００ ９ ／ｃ
ｎｉよジも低いとサンドブラストの際に剥離を生じ、ま
た破断伸度が１００％未満、１００％モジュラスが５０
０に９／ｃｒ１未満では）々ターンＪ會が破壊され、十
分なマスキングがなされない。
ンと←）成分のエチレン性不飽和化合物との和に対して
０．０５〜ｉｏ重量係の範囲で用いられる０ 本発明においては．前記の不飽和ポリウレタ／、エチレ
ン性不飽和化合物及び光重合開始剤を主成分とする感光
性樹脂組成物から得られる硬化物は、十分なサンドブラ
スト耐性及び表面粘着性金有するためには、２０℃にお
いて被加工基、１（°に対し３００ ｆ ／ ｃ＋＋１
以上の剥離抵抗値を有し、また破断伸度１００％以上、
１００％モジュラ２５００に９／ｃ！以下を有すること
が必要である。この剥離抵抗１直力；３００ ９ ／ｃ
ｎｉよジも低いとサンドブラストの際に剥離を生じ、ま
た破断伸度が１００％未満、１００％モジュラスが５０
０に９／ｃｒ１未満では）々ターンＪ會が破壊され、十
分なマスキングがなされない。
本発明の転写材において用（＾る支持体としては、例え
はポリプロピレン、ボリエ，ステル、ポリ塩化ビニル、
ポリカーボネート 、ｌ？ ＩＪスチレン、ポリ丁チレ
ノなどの合成樹脂フィルム、スチールやアルミニウムの
ような金属ソートなどが挙げられる。これらの支持体の
厚みは５０μ〜１闘の範囲が好適である。この厚み力；
５０μより薄いと支持体に、いわゆるコシがなくなって
支持体としての働きができにくくなり、また１ｍｍＪニ
ジ厚くなると取り扱い作業性が悪くなって好ましくない
。
はポリプロピレン、ボリエ，ステル、ポリ塩化ビニル、
ポリカーボネート 、ｌ？ ＩＪスチレン、ポリ丁チレ
ノなどの合成樹脂フィルム、スチールやアルミニウムの
ような金属ソートなどが挙げられる。これらの支持体の
厚みは５０μ〜１闘の範囲が好適である。この厚み力；
５０μより薄いと支持体に、いわゆるコシがなくなって
支持体としての働きができにくくなり、また１ｍｍＪニ
ジ厚くなると取り扱い作業性が悪くなって好ましくない
。
また、本発明の転写拐において、支持体とＡｉｌ記の感
光性樹脂組成物の硬化物から成るサンドブラスト用マス
クツくターン層との間に介在させる保持層は、該−マス
クノくターン層とはよく接着するが、該支持体とは剥離
可能であシ、かつサンドブラストにより破壊される性質
を有することが必要である。
光性樹脂組成物の硬化物から成るサンドブラスト用マス
クツくターン層との間に介在させる保持層は、該−マス
クノくターン層とはよく接着するが、該支持体とは剥離
可能であシ、かつサンドブラストにより破壊される性質
を有することが必要である。
工程において、細かい点や線の樹脂硬化物が該支持体か
ら脱離するのを防ぐためと、転写劇ヲ被加工基材に貼シ
付けたのら、支持体を剥離する際に、マスクパターン層
が波加工基材から脱離しないようにする目的で設けられ
る。この保持層と支持体との剥離抵抗値は、該支持体を
剥離する際の作業性の点から１ Ｏｆｌ ／ ｃｔｎ以
下であることが望ましい。
ら脱離するのを防ぐためと、転写劇ヲ被加工基材に貼シ
付けたのら、支持体を剥離する際に、マスクパターン層
が波加工基材から脱離しないようにする目的で設けられ
る。この保持層と支持体との剥離抵抗値は、該支持体を
剥離する際の作業性の点から１ Ｏｆｌ ／ ｃｔｎ以
下であることが望ましい。
この保持層には、例えばセルロースエーテルやセルロー
スエステルなどのセルロース誘導体、ポリメタクリル酸
メチルなどのアクリル樹脂、ポリスチレン、石油樹脂な
どが用いられるが、マスクパターン層との接着性の点で
セルロース誘導体が特に優れている。また未硬化樹脂組
成物の洗い出し工程において、樹脂硬化物が脱離しない
ために、洗い出し液である水、アルカリ液、界面活ｉ生
剤水溶液などに不溶性であることが重要であり、この観
点からセルロース誘導体の中でも、特にエチルセルロー
ス、メチルセルロースナトのアルキルセルロース アセテートブチレートなどのセルロースモノカルボン 好ましくは０．５〜２０μの厚さで用いられる。この厚
さが０．５μ未満では保持層としての機能が劣り、１だ
２０μを超えると、このような保持層を設けた支持体の
製造が困難となって経済的でない。
スエステルなどのセルロース誘導体、ポリメタクリル酸
メチルなどのアクリル樹脂、ポリスチレン、石油樹脂な
どが用いられるが、マスクパターン層との接着性の点で
セルロース誘導体が特に優れている。また未硬化樹脂組
成物の洗い出し工程において、樹脂硬化物が脱離しない
ために、洗い出し液である水、アルカリ液、界面活ｉ生
剤水溶液などに不溶性であることが重要であり、この観
点からセルロース誘導体の中でも、特にエチルセルロー
ス、メチルセルロースナトのアルキルセルロース アセテートブチレートなどのセルロースモノカルボン 好ましくは０．５〜２０μの厚さで用いられる。この厚
さが０．５μ未満では保持層としての機能が劣り、１だ
２０μを超えると、このような保持層を設けた支持体の
製造が困難となって経済的でない。
次に、本発明の転写材を製造する方法についてその１例
を示すと、１ず保護フィルムの表面に該フィルムと剥離
しやすく、かつ未露光感光性樹脂組成物の洗い出し液に
可溶な被膜金形成し、この保護フィルムを該被膜が露出
する状態で透明１面像用体上に設ける。該保護フィルム
としては、例えばポリプロピレン、ポリエステル、ポリ
エチレン、ボｌＪスーｆーレン、ポリ塩化ビニル、 ホ
’Ｊ ７ ミド”、 ｎ￥酸セルロース、ポリカーボネ
ートなどの透明な合成樹脂フィルムが挙げられ，その厚
みは通常５〜５０μのものが用いられる。これよシ厚い
と、該フィルム内での光の散乱によシ画像の再現性が低
下しこれよシ薄いと取シ扱い性が悪くなる。好捷しくは
９〜２５μの厚さである。また、該フィルムの酸素透過
性が小さいと、形成されるサンドブラスト用マスクパタ
ーン層の表面粘着性を減少させる傾向を示すので、酸素
透過量が３０Ｘ１０’Ｊ’／ ２ ４ ｈ ｒ ／ ｎ
？／ｙｎｍ厚／ ｃｍ Ｈｇ（ ２ １℃）以上である
ものが好°ましい。この点からポリプロピレンフィルム
、セルロースエステル系フィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフイルム
などが適している。さらに取扱い性を考慮するとポリプ
ロピレンフィルムが最も適している。
を示すと、１ず保護フィルムの表面に該フィルムと剥離
しやすく、かつ未露光感光性樹脂組成物の洗い出し液に
可溶な被膜金形成し、この保護フィルムを該被膜が露出
する状態で透明１面像用体上に設ける。該保護フィルム
としては、例えばポリプロピレン、ポリエステル、ポリ
エチレン、ボｌＪスーｆーレン、ポリ塩化ビニル、 ホ
’Ｊ ７ ミド”、 ｎ￥酸セルロース、ポリカーボネ
ートなどの透明な合成樹脂フィルムが挙げられ，その厚
みは通常５〜５０μのものが用いられる。これよシ厚い
と、該フィルム内での光の散乱によシ画像の再現性が低
下しこれよシ薄いと取シ扱い性が悪くなる。好捷しくは
９〜２５μの厚さである。また、該フィルムの酸素透過
性が小さいと、形成されるサンドブラスト用マスクパタ
ーン層の表面粘着性を減少させる傾向を示すので、酸素
透過量が３０Ｘ１０’Ｊ’／ ２ ４ ｈ ｒ ／ ｎ
？／ｙｎｍ厚／ ｃｍ Ｈｇ（ ２ １℃）以上である
ものが好°ましい。この点からポリプロピレンフィルム
、セルロースエステル系フィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフイルム
などが適している。さらに取扱い性を考慮するとポリプ
ロピレンフィルムが最も適している。
この保護フィルムの表面に設ける被膜は、該フィルムと
剥離が容易であって、未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶であることが必要であり、また、該フィルム
との剥離抵抗値は１０２／ｃｍ以下であることが好まし
い。したがって、この被膜には、例えばヒドロキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステル、カルボキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステルナトのセルロース
誘導体、部分ケン化ポリ酢酸ビニルなどが使用可能であ
る。ヒドロキシル基ａ有セルロース誘導体としてＵ、例
えばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピル
セルロース、セルロースヒドロキン酢酸エステルなどが
、カルボキシル基含有セルロースエステルとしては、例
えばカルボキンメチルセルロース、カルボキシエチルセ
ルロースなどが挙げられる。また、カルボキシル基含有
セルロースエステルとしては、セルロースト、ジ又はト
リカルボン酸などのポリカルボン酸、例えばコハク酸、
アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、トリメリット酸などとの、あるいはこれら
の一部を酢酸、プロピオン酸、醋酸、安息香酸などのモ
ノカルボン酸で置き換えたものとのエステル化反応物が
挙げられる。
剥離が容易であって、未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶であることが必要であり、また、該フィルム
との剥離抵抗値は１０２／ｃｍ以下であることが好まし
い。したがって、この被膜には、例えばヒドロキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステル、カルボキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステルナトのセルロース
誘導体、部分ケン化ポリ酢酸ビニルなどが使用可能であ
る。ヒドロキシル基ａ有セルロース誘導体としてＵ、例
えばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピル
セルロース、セルロースヒドロキン酢酸エステルなどが
、カルボキシル基含有セルロースエステルとしては、例
えばカルボキンメチルセルロース、カルボキシエチルセ
ルロースなどが挙げられる。また、カルボキシル基含有
セルロースエステルとしては、セルロースト、ジ又はト
リカルボン酸などのポリカルボン酸、例えばコハク酸、
アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、トリメリット酸などとの、あるいはこれら
の一部を酢酸、プロピオン酸、醋酸、安息香酸などのモ
ノカルボン酸で置き換えたものとのエステル化反応物が
挙げられる。
まン′こ、これらのカルボン酸は塩の状態になっていて
もよい。
もよい。
前記以外のものでも洗い出し液に可溶で被膜性を有する
ものであれば使用可能である。
ものであれば使用可能である。
寸だ、これらの被膜材の酸素透過性が小さいと露光過程
で表面の硬化がよく進み、形成されるサンドブラスト用
マスクパターン層の粘着性が低下するので好１しくなく
、この点から酸素透過性の高イセルロース誘導体が００
しい。このセルロース誘導体の中でも、吸湿性が小さく
、弱アルカリ水溶液や界面活性剤水溶液に可溶なカルボ
キシル基含有セルロース誘導体が好ましく、さらに好ま
しくはセルロースとポリカルボン酸及びモノカルボン酸
とのエステルであシ、特に入手の容易さからセルロース
アセテートフタレートが最適である。
で表面の硬化がよく進み、形成されるサンドブラスト用
マスクパターン層の粘着性が低下するので好１しくなく
、この点から酸素透過性の高イセルロース誘導体が００
しい。このセルロース誘導体の中でも、吸湿性が小さく
、弱アルカリ水溶液や界面活性剤水溶液に可溶なカルボ
キシル基含有セルロース誘導体が好ましく、さらに好ま
しくはセルロースとポリカルボン酸及びモノカルボン酸
とのエステルであシ、特に入手の容易さからセルロース
アセテートフタレートが最適である。
この被膜の厚さは、通常０．１〜１０μの範囲である。
これより厚いと画像の再現性が低下し、これより薄いと
製造上厚みコントロールが難しく、またピンホールなど
が発生しやすくなる。好ましい被膜の厚さは０．２〜５
μの範囲である。
製造上厚みコントロールが難しく、またピンホールなど
が発生しやすくなる。好ましい被膜の厚さは０．２〜５
μの範囲である。
次に、前記の保護フィルムの被膜の上に感光性樹脂組成
物層を設け、さらにその上に、保持層を設けた支持体を
、該保持層が感光性樹脂組成物層に接するようにラミネ
ートする。次いで透明画像担体全通して活性光線で画像
露光を行ったのち、透明画像担体を外し、さらに保護フ
ィルムを剥離して、未露光部を洗い出し、乾燥すること
によυ、本発明の転写材が得られる。
物層を設け、さらにその上に、保持層を設けた支持体を
、該保持層が感光性樹脂組成物層に接するようにラミネ
ートする。次いで透明画像担体全通して活性光線で画像
露光を行ったのち、透明画像担体を外し、さらに保護フ
ィルムを剥離して、未露光部を洗い出し、乾燥すること
によυ、本発明の転写材が得られる。
この際、保護フィルムの被膜上に設ける感光性樹脂組成
物層の厚さは、通常０．０５〜３醋の範囲である。これ
より薄バと十分なサンドプラス耐性が得られず、またこ
れより厚いと解像力が悪くなって好ましくない。
物層の厚さは、通常０．０５〜３醋の範囲である。これ
より薄バと十分なサンドプラス耐性が得られず、またこ
れより厚いと解像力が悪くなって好ましくない。
また、画像露光に用いる活性光線の光源としては、例え
ばアーク灯、水銀灯、キセノン灯、けい光灯、紫外線発
主装置、太陽光などが挙げられる。
ばアーク灯、水銀灯、キセノン灯、けい光灯、紫外線発
主装置、太陽光などが挙げられる。
活性光線の波長としては２００〜８００ｍμ、好ましく
は３００〜５００ｍμの範囲である□さらに、未露光部
の洗い出し液として位、例えば水、又は水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、酸性炭酸ナト−リウム、ホウ酸ナ
トリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、トリ
エタノールアミンなどのアルカリ水溶液、あるいはセラ
クン、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルスルホ
ネート、アルキルアミンクロリド、ポリオキンアルキレ
ングリコール、ポリオキシアルキレ／グリコールアルキ
ルエーテル、ポリオキシアルキレノグリコールアルキル
エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアル
キレングリコールンルビタン脂肪酸エステルなどの界面
活性剤水溶液が挙げられる。また、乾燥は温風又は熱風
の吹きつけや、室温での放置などによって行われる。
は３００〜５００ｍμの範囲である□さらに、未露光部
の洗い出し液として位、例えば水、又は水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、酸性炭酸ナト−リウム、ホウ酸ナ
トリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、トリ
エタノールアミンなどのアルカリ水溶液、あるいはセラ
クン、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルスルホ
ネート、アルキルアミンクロリド、ポリオキンアルキレ
ングリコール、ポリオキシアルキレ／グリコールアルキ
ルエーテル、ポリオキシアルキレノグリコールアルキル
エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアル
キレングリコールンルビタン脂肪酸エステルなどの界面
活性剤水溶液が挙げられる。また、乾燥は温風又は熱風
の吹きつけや、室温での放置などによって行われる。
本発明のサンドブラスト用マスク転写拐は、接着剤を用
いずに被加工基材に貼シ付けることができ、その上サン
ドブラスト用マスクパターン層の脱離を起さずに支持体
を剥離することができ、繊細な図柄でも極めて正確に被
加工暴利にザ／ドプラスト加工ができる。
いずに被加工基材に貼シ付けることができ、その上サン
ドブラスト用マスクパターン層の脱離を起さずに支持体
を剥離することができ、繊細な図柄でも極めて正確に被
加工暴利にザ／ドプラスト加工ができる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが１
本発明はこれらの例によって何ら限定さノするものでは
ない。
本発明はこれらの例によって何ら限定さノするものでは
ない。
実施例１
セルロースアセテートフタレートラメチルエチルケトン
／酢酸セロソルブ混合溶媒（重量化層）に溶解させ、こ
れを厚さ２２μのポリプロピレンフィルム上にバーコー
ターを用いてコーティングスルことにより、２μ厚さの
セルロースアセテートフタレート膜を有するポリプロピ
レンフィルムを得た。これをフィルムＡとする。
／酢酸セロソルブ混合溶媒（重量化層）に溶解させ、こ
れを厚さ２２μのポリプロピレンフィルム上にバーコー
ターを用いてコーティングスルことにより、２μ厚さの
セルロースアセテートフタレート膜を有するポリプロピ
レンフィルムを得た。これをフィルムＡとする。
また、エチルセルロースをメチルエチルケトンに溶解さ
せ、これを厚さ７５μのポリエステル−フィルム上ニバ
ーコーターを用いてコーティングし、８μ厚のエチルセ
ルロース層を有するポリエステルフィルムを得た。これ
をフィルムＢとする。
せ、これを厚さ７５μのポリエステル−フィルム上ニバ
ーコーターを用いてコーティングし、８μ厚のエチルセ
ルロース層を有するポリエステルフィルムを得た。これ
をフィルムＢとする。
さらに、ポリプロピレングリコールアジベートジオール
（数平均分子量２５００）３９重量部、ポリプロピレン
グリコール（両末端にエチレンオキシド合計１０重量係
付加させたもので、数平均分子量２５００）３９重量部
及びトルイレンジインシアネート６重量部を反応させて
、両末端にインシアネート基を有するポリウレタンを得
た。これに、１５重量部の２−ヒドロキシプロピルメタ
クリレートを反応させて、両末端にメタクリレート基金
有する不飽和ポリウレタンを得た。この不飽和ポリウレ
タンに、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート
（数平均分子量５５０ ） ２０重量部、ジエチレング
リコールジメタクリレ−一ト３重量部、２．２−ジメト
キシフェニルアセトフェノン１．５重量部、２．６−ジ
ーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．１重量部を添加混合
して液状感光性樹脂組成物を得た。
（数平均分子量２５００）３９重量部、ポリプロピレン
グリコール（両末端にエチレンオキシド合計１０重量係
付加させたもので、数平均分子量２５００）３９重量部
及びトルイレンジインシアネート６重量部を反応させて
、両末端にインシアネート基を有するポリウレタンを得
た。これに、１５重量部の２−ヒドロキシプロピルメタ
クリレートを反応させて、両末端にメタクリレート基金
有する不飽和ポリウレタンを得た。この不飽和ポリウレ
タンに、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート
（数平均分子量５５０ ） ２０重量部、ジエチレング
リコールジメタクリレ−一ト３重量部、２．２−ジメト
キシフェニルアセトフェノン１．５重量部、２．６−ジ
ーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．１重量部を添加混合
して液状感光性樹脂組成物を得た。
次に、厚さｌＱｍｍのガラス板上にボンフィルムを置キ
、その上を前記フィルムＡでセルロースアセテートフタ
レート膜がむき出しになるようにして覆った。さらに厚
さ０．３罷のテフロン製スペーサーを置き、前記のよう
にして調製した液状感光性１財脂組成物を注いだ。次い
で前記フィルムＢｆ：エチルセルロース膜が感光性樹脂
組成物層と接するようにしてラミネートし、その上にｌ
Ｑｍｍ厚のガラス板を置いて西端をクリップで固定する
ことによシ厚みを制御した。
、その上を前記フィルムＡでセルロースアセテートフタ
レート膜がむき出しになるようにして覆った。さらに厚
さ０．３罷のテフロン製スペーサーを置き、前記のよう
にして調製した液状感光性１財脂組成物を注いだ。次い
で前記フィルムＢｆ：エチルセルロース膜が感光性樹脂
組成物層と接するようにしてラミネートし、その上にｌ
Ｑｍｍ厚のガラス板を置いて西端をクリップで固定する
ことによシ厚みを制御した。
このようにして得た構成体’５２ＫＷの高圧水銀灯から
５ＯＬ：ｒｎの位置に置き、ポジフィルムを通して８０
秒間露光した。次いでカラス板を外し、ポジフィルムに
接していたフィルムＡを剥離した。この際の剥離抵抗は
ほとんどなく、小さな硬化樹脂部分も脱離することはな
かった。次に２重量％の界面活性剤（ライオン■製、ラ
イボンＦ）水溶液ｔ−０，８Ｋ９／ ｃｒ／ｉの圧力で
１５０秒間吹きつけることによシ、未露光感光性樹脂組
成物を洗い出した。このときも硬化樹脂が脱離すること
はなかった。次いで６０℃で１０分間乾燥することによ
り、サンドブラスト用マスク転写材を得た。このものを
２０℃に冷却後、幅１３ｍｍ、直径３ Ｑ ＩｒＫのア
ルミニウム円柱の曲面に両面接着テープで貼着し、ガラ
ス板表面に５００ ’？ ／ ｃｎ！の力で４秒間押し
つけたのち、３０ｍｍ／ｍｉｎのスピードで引き剥がし
剥離抵抗値全測定したところ、６００１Ｆ／ｃ１ｎであ
った。
５ＯＬ：ｒｎの位置に置き、ポジフィルムを通して８０
秒間露光した。次いでカラス板を外し、ポジフィルムに
接していたフィルムＡを剥離した。この際の剥離抵抗は
ほとんどなく、小さな硬化樹脂部分も脱離することはな
かった。次に２重量％の界面活性剤（ライオン■製、ラ
イボンＦ）水溶液ｔ−０，８Ｋ９／ ｃｒ／ｉの圧力で
１５０秒間吹きつけることによシ、未露光感光性樹脂組
成物を洗い出した。このときも硬化樹脂が脱離すること
はなかった。次いで６０℃で１０分間乾燥することによ
り、サンドブラスト用マスク転写材を得た。このものを
２０℃に冷却後、幅１３ｍｍ、直径３ Ｑ ＩｒＫのア
ルミニウム円柱の曲面に両面接着テープで貼着し、ガラ
ス板表面に５００ ’？ ／ ｃｎ！の力で４秒間押し
つけたのち、３０ｍｍ／ｍｉｎのスピードで引き剥がし
剥離抵抗値全測定したところ、６００１Ｆ／ｃ１ｎであ
った。
次に、この転写材を厚さ７朋のガラス板に貼着し、フィ
ルムＢを剥ぎ取った。このとき剥離抵抗はほとんどなか
った。次いでサイホン式サンドプラスターを用い、研磨
材としてアランダム＃１８０ｆ ３ 、５ Ｋ９７ ｃ
ａｌの空気圧で全面に３０′ｆ／Ｊ）間吹きつけて彫刻
を行ったところ、マスクがガラスよシ剥離することがな
く、目的とするパターンを彫刻することができた。
ルムＢを剥ぎ取った。このとき剥離抵抗はほとんどなか
った。次いでサイホン式サンドプラスターを用い、研磨
材としてアランダム＃１８０ｆ ３ 、５ Ｋ９７ ｃ
ａｌの空気圧で全面に３０′ｆ／Ｊ）間吹きつけて彫刻
を行ったところ、マスクがガラスよシ剥離することがな
く、目的とするパターンを彫刻することができた。
実施例２
末端水酸基型水添化１，２−ポリブタジェン（数平均分
子量３０００ ） ８６重量部、トルイレンジイソシア
ネート６重量部とを反応させて、末端にイノンアネート
基を有するポリウレタンを得た。これに１５重量部の２
−ヒドロキシプロピルメタクリレートを反応させて、末
端にメタクリレート基を有する不飽和ポリウレタンを得
た。
子量３０００ ） ８６重量部、トルイレンジイソシア
ネート６重量部とを反応させて、末端にイノンアネート
基を有するポリウレタンを得た。これに１５重量部の２
−ヒドロキシプロピルメタクリレートを反応させて、末
端にメタクリレート基を有する不飽和ポリウレタンを得
た。
この不飽和ポリウレタンにラウリルメタクリレート２０
重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレート２
重量部、ジエチレングリコールジメタクリレート３重量
部、２，２−ジメトキシフェニルアセトフェノン１−５
ｉ量部、２．６−シー ｔ −ブチル−ｐ−クレゾール
０．１重量部を添加混合し、液状感光性樹脂組成物を得
た。
重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレート２
重量部、ジエチレングリコールジメタクリレート３重量
部、２，２−ジメトキシフェニルアセトフェノン１−５
ｉ量部、２．６−シー ｔ −ブチル−ｐ−クレゾール
０．１重量部を添加混合し、液状感光性樹脂組成物を得
た。
この感光性樹脂組成物を用い、実施例１と同様にしてサ
ンドブラスト用マスク転写材を得た。このもののガラス
板表面からの剥離抵抗値を実施例１と同様にして測定し
たところ、６５０９／ａｒｒであった。
ンドブラスト用マスク転写材を得た。このもののガラス
板表面からの剥離抵抗値を実施例１と同様にして測定し
たところ、６５０９／ａｒｒであった。
この転写材をかこう岩表面に貼着したのち、フ・ｒルム
Ｂを剥ぎ取シ、次いで直圧式ザンドブラスターを用い、
研磨材としてカーボランダム＃２００ｆ ４ Ｋｙ ／
ｃｒ／１の空気圧で全面に５０秒間吹きつけを行った
ところ、マスクが５拐よシ剥離することなく、目的のパ
ターンを彫刻することができた。
Ｂを剥ぎ取シ、次いで直圧式ザンドブラスターを用い、
研磨材としてカーボランダム＃２００ｆ ４ Ｋｙ ／
ｃｒ／１の空気圧で全面に５０秒間吹きつけを行った
ところ、マスクが５拐よシ剥離することなく、目的のパ
ターンを彫刻することができた。
比較例
無水マレイン酸２モル、イソフタル酸１モル、トリエチ
レングリコール３モルを脱水縮合反応させて、酸価２３
の不飽和ポリエステルを得た。この不飽和ポリエステル
７０重量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート３０
重量部、ベンゾインイソブチルエーテル１重量部、２，
６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．１重量部を混
合溶解して液状感光性樹脂組成物を得た。
レングリコール３モルを脱水縮合反応させて、酸価２３
の不飽和ポリエステルを得た。この不飽和ポリエステル
７０重量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート３０
重量部、ベンゾインイソブチルエーテル１重量部、２，
６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．１重量部を混
合溶解して液状感光性樹脂組成物を得た。
この感光性樹脂組成物を用いて、現像液を１重量係ホウ
酸ナトリウム水溶液とする以外は、実施例１と同様にし
てサンドブラスト用マスク転写材を作成した。これにつ
いて実施例１と同様にしてガラス板からの剥離強度を測
定したところ、１００？ ／ ｃｍと小さい値であった
。
酸ナトリウム水溶液とする以外は、実施例１と同様にし
てサンドブラスト用マスク転写材を作成した。これにつ
いて実施例１と同様にしてガラス板からの剥離強度を測
定したところ、１００？ ／ ｃｍと小さい値であった
。
これを用いて実施例１と同様にしてガラス板のサンドブ
ラスト加工を試みたが、途中でマスクがガラス板から剥
離し、彫刻することはできなかったＯ 参考例 実施例１及び２、比較例の感光性樹脂組成物を、厚さ２
朋のスペーサーを用いて片側を９μのポリエステルフィ
ルムで覆った２枚のガラス板の間に樹脂とポリエステル
フィルムが接するようにして成形し、２０Ｗの紫外線け
い光灯１０本を並べた光源の下方１０＞の位置におき、
片側から１０分間露光し、次いで成型体を反転させて最
初とは反対の側から１０分間露光することにより、感光
性樹脂硬化シートを得た。このシートｆ：Ｊ工Ｓ１号の
ダンベルで打ち抜き、５００ ｍｍ／ ｍｉｎのスピー
ドで引張を行い１００％沖張時のモジュラスと破断伸度
を測定した。
ラスト加工を試みたが、途中でマスクがガラス板から剥
離し、彫刻することはできなかったＯ 参考例 実施例１及び２、比較例の感光性樹脂組成物を、厚さ２
朋のスペーサーを用いて片側を９μのポリエステルフィ
ルムで覆った２枚のガラス板の間に樹脂とポリエステル
フィルムが接するようにして成形し、２０Ｗの紫外線け
い光灯１０本を並べた光源の下方１０＞の位置におき、
片側から１０分間露光し、次いで成型体を反転させて最
初とは反対の側から１０分間露光することにより、感光
性樹脂硬化シートを得た。このシートｆ：Ｊ工Ｓ１号の
ダンベルで打ち抜き、５００ ｍｍ／ ｍｉｎのスピー
ドで引張を行い１００％沖張時のモジュラスと破断伸度
を測定した。
次に実施例１及び２、比較例で作成した各サンドブラス
ト用マスクの一点（アランダム＃１８０を５に９／ｃａ
の空気圧で吹きつけて破壊されるまでの時間を測定した
。
ト用マスクの一点（アランダム＃１８０を５に９／ｃａ
の空気圧で吹きつけて破壊されるまでの時間を測定した
。
以上の結果を次表に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■（Ａ）（イ）一般式 ％式％） 〔式中のＸはウレタン残基、Ａはボリエーテ乞ポリエス
テル、ポリエーテルポ１凡Ｌステルブロックコポリマー
、ポリジエン、ポリエン又はこれらの混合物、Ｂは一般
式ＣＨ２＝Ｃ（Ｚ）ｌｉ！ＯＹ（ただし、Ｚは水素原子
又はメチル基、Ｙはｍｌは１〜６、ｍ２及びｍ３はそれ
ぞれ１〜１５である）で示される化合物、Ｂ′は一般式
ＣＨ２＝Ｃ（Ｚ） ＣＯＹ （ただし、Ｚ、Ｙは前記と
同μ じ意味をもつ）、ＲＯ又はＲＯＭ （ただしＲは炭素数
１〜８のアルキル基、Ｙは前記と同じ意味をもつ）で示
される化合物、ｎは１〜１０である〕 で表わされる不飽和ポリウレタン５０〜９８重量部、（
ロ）エチレン性不飽和化合物２〜５０］ｉ量部、及び（
ハ）０）成分と（０）成分との和に対して帆０５〜１０
重量係の光重合開始剤を主成分として含有して成る感光
性樹脂組成物から得られ、かつ２０℃における波加工基
材に対する剥離抵抗値３００ ｆｌ ／ ａ１以上、破
断伸度１００係以上、１００乃モジユラス５００ Ｋｇ
／ ｃｎｉ以下を有する硬化物から成るサンドブラス
ト用マスクパターン層、（Ｂ）該マスクパターン層を保
持するための支持体、及び（Ｃ）前記のマスクパターン
層と支持体との間に位置し、該マスクパターン層とはよ
く接着するが、該支持体とは剥離可能であり、かつサン
ドブラストにより破壊される性質を有する保持層から成
るサンドブラスト用マスク転写材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21347383A JPS60104939A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | サンドブラスト用マスク転写材 |
| US06/601,825 US4587186A (en) | 1982-05-13 | 1984-04-19 | Mask element for selective sandblasting and a method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21347383A JPS60104939A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | サンドブラスト用マスク転写材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60104939A true JPS60104939A (ja) | 1985-06-10 |
| JPH0420179B2 JPH0420179B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16639779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21347383A Granted JPS60104939A (ja) | 1982-05-13 | 1983-11-14 | サンドブラスト用マスク転写材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60104939A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214498U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-28 | ||
| JPH01209811A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Toshiba Corp | 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
| WO1992007303A1 (fr) * | 1990-10-22 | 1992-04-30 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Procede de gravure avec masque a image, et film stratifie photosensible pour ledit masque |
| US5518857A (en) * | 1991-03-28 | 1996-05-21 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Image-carrying mask photo-sensitive laminate film for use in making an image carry mask |
| US5629132A (en) * | 1991-03-28 | 1997-05-13 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method for engraving and/or etching with image-carrying mask and photo-sensitive laminate film for use in making the mask |
| JP2005037830A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | サンドブラスト用感光性樹脂積層体 |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21347383A patent/JPS60104939A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214498U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-28 | ||
| JPH01209811A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Toshiba Corp | 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
| WO1992007303A1 (fr) * | 1990-10-22 | 1992-04-30 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Procede de gravure avec masque a image, et film stratifie photosensible pour ledit masque |
| US5427890A (en) * | 1990-10-22 | 1995-06-27 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Photo-sensitive laminate film for use in making the mask comprising a supporting sheet, an image mask protection layer which is water insoluble and a water soluble image mask forming composition |
| US5518857A (en) * | 1991-03-28 | 1996-05-21 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Image-carrying mask photo-sensitive laminate film for use in making an image carry mask |
| US5629132A (en) * | 1991-03-28 | 1997-05-13 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method for engraving and/or etching with image-carrying mask and photo-sensitive laminate film for use in making the mask |
| JP2005037830A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | サンドブラスト用感光性樹脂積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0420179B2 (ja) | 1992-03-31 |
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