JPH04202093A - 酸化物超伝導体単結晶の製造方法およびその超伝導転移温度の制御方法 - Google Patents
酸化物超伝導体単結晶の製造方法およびその超伝導転移温度の制御方法Info
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- JPH04202093A JPH04202093A JP2329677A JP32967790A JPH04202093A JP H04202093 A JPH04202093 A JP H04202093A JP 2329677 A JP2329677 A JP 2329677A JP 32967790 A JP32967790 A JP 32967790A JP H04202093 A JPH04202093 A JP H04202093A
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-
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、各種の超伝導応用装置や超伝導素子に使用さ
れる酸化物超伝導材料に関する。
れる酸化物超伝導材料に関する。
[従来の技術]
金属・合金系超伝導材料、化合物超伝導材料は、ジョセ
フソン素子や超伝導マグネットの線材として既に広く利
用されている。ジョセフソン接合は、その磁場に対する
高い感度のため5QUIDを初めとする精密計測に応用
されているほか、その高速性から電子計算機への応用が
期待されている。
フソン素子や超伝導マグネットの線材として既に広く利
用されている。ジョセフソン接合は、その磁場に対する
高い感度のため5QUIDを初めとする精密計測に応用
されているほか、その高速性から電子計算機への応用が
期待されている。
また、通常導体では得られないような高磁場を発生でき
る超伝導マグネットは、NMR−CTなどの医療機器や
浮上型リニアモーターカー等にも応用されている。
る超伝導マグネットは、NMR−CTなどの医療機器や
浮上型リニアモーターカー等にも応用されている。
超伝導体の応用を考えた場合、超伝導転移温度(TC)
はできる限り高いことが望まれる。金属・合金系超伝導
体や化合物系超伝導体は、冷媒として高価で希少な液体
ヘリウムを用いな(プればならず、このことがこれらの
超伝導体の広い分野への応用を妨げる一因となっている
。
はできる限り高いことが望まれる。金属・合金系超伝導
体や化合物系超伝導体は、冷媒として高価で希少な液体
ヘリウムを用いな(プればならず、このことがこれらの
超伝導体の広い分野への応用を妨げる一因となっている
。
この点では銅酸化物系超伝導体は、従来の超伝導体より
もはるかに優れており、1987年に3a−y−cu−
o系超伝導体が発見されて以来、[3i−sr−ca−
cu−o系、Tf−1ea−Ca −CU−O系などの
液体窒素温度を超えるTcをもつ超伝導体が相次いで発
見されている。これらの酸化物超伝導体が実用化されれ
ば、今まで考えられなかったような分野にまでその応用
の可能性が広がるとして、現在も研究開発か蔀んに行わ
れている。
もはるかに優れており、1987年に3a−y−cu−
o系超伝導体が発見されて以来、[3i−sr−ca−
cu−o系、Tf−1ea−Ca −CU−O系などの
液体窒素温度を超えるTcをもつ超伝導体が相次いで発
見されている。これらの酸化物超伝導体が実用化されれ
ば、今まで考えられなかったような分野にまでその応用
の可能性が広がるとして、現在も研究開発か蔀んに行わ
れている。
[発明が解決しようとする課題]
現在研究されている酸化物超伝導体試料のほとんどは多
結晶体である。超伝導体の多結晶試料では、その結晶粒
界に無数の超伝導の弱結合が存在するため、望む特性を
持つジョセフソン接合を制御性良く作ることか困難であ
る。また、多結晶体が含んでいる各種の欠陥や不均質性
が超伝導特性の安定性に悪い影響を与えることも考えら
れるため、デバイスなどへの応用には単結晶体を用いる
ことが望ましい。
結晶体である。超伝導体の多結晶試料では、その結晶粒
界に無数の超伝導の弱結合が存在するため、望む特性を
持つジョセフソン接合を制御性良く作ることか困難であ
る。また、多結晶体が含んでいる各種の欠陥や不均質性
が超伝導特性の安定性に悪い影響を与えることも考えら
れるため、デバイスなどへの応用には単結晶体を用いる
ことが望ましい。
さらに、焼結体における研究から、T1系超伝導体のT
Cは酸素量により大きく変化することが知られている。
Cは酸素量により大きく変化することが知られている。
この性質は温度センサ等への応用に有用であるが、単結
晶体では焼結体より酸素が出入りしにくいため、焼結体
の時のように広い範囲で丁Cを変えることが難しい。
晶体では焼結体より酸素が出入りしにくいため、焼結体
の時のように広い範囲で丁Cを変えることが難しい。
本発明はこのような従来の事情に鑑みてなされたもので
、良質で充分な大きさを持つT12sa ca
cu、 04+2n単結晶の製造方法お2 n−
1 よびそのTcの制御方法を提供することを目的とする。
、良質で充分な大きさを持つT12sa ca
cu、 04+2n単結晶の製造方法お2 n−
1 よびそのTcの制御方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、T12Ba2Can−1Cu、04+2゜(
n−2または3)と表される酸化物超伝導体単結晶の製
造方法において、KClおよび/またはNaClをフラ
ックスとして用い、 CT 1203 +2BaO+(n−1)CaO十nc
uo+x ((1−y)KCl +yl’Jac l
)(n−2または3.3≦x≦500 、 O≦y≦1
)なる組成範囲の混合粉末、もしくは、 CT l 2 Ba2 Can−I CunO4+2n
+x ((1−y) KCl +yNaCl )(n=
2または3.3≦x≦500 、 O≦y≦1)なる組
成範囲の混合粉末を700〜950’Cの温度範囲で融
解し、20 ’C/hourCTの速度で徐冷すること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法、および
T I 2 B a2 Can−I CLJ n 04
+2n(n−2または3)と表される酸化物超伝導体単
結晶の製造方法において、PbCl2をフラックスとし
て用い、 CT I2 o3+2BaO+(n−1)CaO十nC
uO+xPbCl 2 (n−2または3.3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末、もしくは、 CT ’ 2 B 87 Can−I CU n O4
+2n十xPbC12 (n−2または3.3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末を600〜900℃の温度節囲
で融解し、20℃/hour以下の速度で徐冷すること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法である。
n−2または3)と表される酸化物超伝導体単結晶の製
造方法において、KClおよび/またはNaClをフラ
ックスとして用い、 CT 1203 +2BaO+(n−1)CaO十nc
uo+x ((1−y)KCl +yl’Jac l
)(n−2または3.3≦x≦500 、 O≦y≦1
)なる組成範囲の混合粉末、もしくは、 CT l 2 Ba2 Can−I CunO4+2n
+x ((1−y) KCl +yNaCl )(n=
2または3.3≦x≦500 、 O≦y≦1)なる組
成範囲の混合粉末を700〜950’Cの温度範囲で融
解し、20 ’C/hourCTの速度で徐冷すること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法、および
T I 2 B a2 Can−I CLJ n 04
+2n(n−2または3)と表される酸化物超伝導体単
結晶の製造方法において、PbCl2をフラックスとし
て用い、 CT I2 o3+2BaO+(n−1)CaO十nC
uO+xPbCl 2 (n−2または3.3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末、もしくは、 CT ’ 2 B 87 Can−I CU n O4
+2n十xPbC12 (n−2または3.3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末を600〜900℃の温度節囲
で融解し、20℃/hour以下の速度で徐冷すること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法である。
この酸化物超伝導体単結晶は、400気圧までの加圧酸
素下で、300〜600℃の温度範囲で熱処理すること
により、超伝導転移温度をO〜85 Kの範囲で任意に
コントロールできる。
素下で、300〜600℃の温度範囲で熱処理すること
により、超伝導転移温度をO〜85 Kの範囲で任意に
コントロールできる。
[作用]
T l 13a CaCu、o8+り0KClなる
組2 ? 成の混合粉から、最高温度900 ’C1徐冷速度5℃
/hourで作製した単結晶は、数mm角で厚み050
2mm程度の大きざで、110にで超伝導に転移した。
組2 ? 成の混合粉から、最高温度900 ’C1徐冷速度5℃
/hourで作製した単結晶は、数mm角で厚み050
2mm程度の大きざで、110にで超伝導に転移した。
この単結晶を、15気圧の酸素中で400℃、10時間
熱処理することにより、転移の鋭さを失わずにTcを9
5 Kに変えることができた。
熱処理することにより、転移の鋭さを失わずにTcを9
5 Kに変えることができた。
また、T I2 Ba2 CaCu2 o8+30P
bC12なる組成の混合粉から、最高温度850 ℃1
徐冷速度10’C/ hou rで作製した単結晶は、
数mm角で厚み0.1mm程度の大きさで、110にで
超伝導に転移した。この単結晶を、10気圧の酸素中で
500℃,10時間熱処理することにより、転移の鋭さ
を失わずにTCを95 Kに変えることができた。
bC12なる組成の混合粉から、最高温度850 ℃1
徐冷速度10’C/ hou rで作製した単結晶は、
数mm角で厚み0.1mm程度の大きさで、110にで
超伝導に転移した。この単結晶を、10気圧の酸素中で
500℃,10時間熱処理することにより、転移の鋭さ
を失わずにTCを95 Kに変えることができた。
[実施例]
以下実施例により、本発明を具体的に説明する。
実施例1
■出発原料として純度99.9%以上の酸化タリウム(
丁1203)、酸化バリウム(Bad>。
丁1203)、酸化バリウム(Bad>。
酸化カルシウム(Cab)、1!2化第二銅(CuO)
、塩化カリウム(KCl > 、塩化ナトリウム(Na
Cl)を使用し、 T I203+2BaO+(n−1)CaO+ncuo
+x ((1−V)KCl +yNacl )なる一般
式で、n、x、yについては、第1表′に示す配合比に
なるように秤量、混合し、直径20 mm、深さ25m
mの全坩堝に封入し、700〜950℃で1〜10時間
融解させたのち、1時間に20℃以下の速度で600
’Cまで徐冷した。
、塩化カリウム(KCl > 、塩化ナトリウム(Na
Cl)を使用し、 T I203+2BaO+(n−1)CaO+ncuo
+x ((1−V)KCl +yNacl )なる一般
式で、n、x、yについては、第1表′に示す配合比に
なるように秤量、混合し、直径20 mm、深さ25m
mの全坩堝に封入し、700〜950℃で1〜10時間
融解させたのち、1時間に20℃以下の速度で600
’Cまで徐冷した。
600 ’Cから温湿までは1時間100’Cの割合で
冷却した。単結晶試料は、KClおよびNaClを水で
洗い流すことによって取り出した。
冷却した。単結晶試料は、KClおよびNaClを水で
洗い流すことによって取り出した。
■試薬は■と同様のものを出発原料とした。初めにTl
2O3,Bad、Cab、CuOをT I 2 B a
2 c a n−1c u n O4+2 n <
n−2。
2O3,Bad、Cab、CuOをT I 2 B a
2 c a n−1c u n O4+2 n <
n−2。
3)の比になるように混合し、プレスした後、金箔で包
んで860〜900 ’Cで3〜5時間焼結した。得ら
れた焼結体を粉砕し、KCl、NaClと、 Tl2Ba2Can−1CunO4+20+x ((1
−y) KCl、+yNac l )なる一般式で、n
、x、yについては第2表に示す配合比になるように混
合した。融解、固化、単結晶の取り出しは上記の■と同
様の条件で行った。
んで860〜900 ’Cで3〜5時間焼結した。得ら
れた焼結体を粉砕し、KCl、NaClと、 Tl2Ba2Can−1CunO4+20+x ((1
−y) KCl、+yNac l )なる一般式で、n
、x、yについては第2表に示す配合比になるように混
合した。融解、固化、単結晶の取り出しは上記の■と同
様の条件で行った。
いずれの場合も、得られた単結晶の抵抗率、反磁性磁化
率の測定、および組成分析を行った。抵抗率は金線をリ
ードとする4端子法で、反磁性磁化率は5QUIDマグ
ネツトメーターでそれぞれ測定した。組成分析はEPM
Aを用いて打つlこ 。
率の測定、および組成分析を行った。抵抗率は金線をリ
ードとする4端子法で、反磁性磁化率は5QUIDマグ
ネツトメーターでそれぞれ測定した。組成分析はEPM
Aを用いて打つlこ 。
第1表および第2表に得られた単結晶の県架的な大きさ
とTCを示す。950℃を超える温度では、T L N
aC+およびKClの蒸発が激しくなりすぎるため、単
結晶育成に不向きである。yが0.5に近いほどフラッ
クスの融点が下がるため、育成温度を下げることかでき
る。フラックス量に比べて原料が多すぎると、同時に多
くの場所で核生成が起きるため大きな単結晶が得られず
、原料が少なすぎても単結晶の成長が充分性われないた
め、得られる単結晶は小さくなる。
とTCを示す。950℃を超える温度では、T L N
aC+およびKClの蒸発が激しくなりすぎるため、単
結晶育成に不向きである。yが0.5に近いほどフラッ
クスの融点が下がるため、育成温度を下げることかでき
る。フラックス量に比べて原料が多すぎると、同時に多
くの場所で核生成が起きるため大きな単結晶が得られず
、原料が少なすぎても単結晶の成長が充分性われないた
め、得られる単結晶は小さくなる。
(以下余白)
−′10−
第 1 表
第 2 表
−11一
実施例2
実施例1で得られた110におよび116にの丁Cを持
つ単結晶を第3表に示す条件で熱処理した。
つ単結晶を第3表に示す条件で熱処理した。
酸素圧、熱処理温度を上げるほどTcは低くなることが
確かめられた。この場合も転移の鋭さは変化せず、それ
ぞれの温度で全体積が超伝導に転移することがわかった
。酸素圧が1気圧のもとでは熱処理温度、時間を変えて
も、Tcは変化しなかつ 1こ 。
確かめられた。この場合も転移の鋭さは変化せず、それ
ぞれの温度で全体積が超伝導に転移することがわかった
。酸素圧が1気圧のもとでは熱処理温度、時間を変えて
も、Tcは変化しなかつ 1こ 。
第3表
= 13−
= 12 一
実施例3
■出発原料として純度99.9%以上の酸化タリウム(
丁1203)、酸化バリウム(Bad)、酸化カルシウ
ム(Cab)、1m化第二銅(Cub)。
丁1203)、酸化バリウム(Bad)、酸化カルシウ
ム(Cab)、1m化第二銅(Cub)。
塩化鉛(PbC12>を使用し、
T I203 +28aO+(n−1>6ao+ncu
o+xPbCl 2 なる−数式で、n、Xについては、第4表に示す配合比
になるように秤量、混合し、直径20 mm、深さ25
mmの金相場に封入し、600〜900 ’Cで1〜1
0時間融解させたのち、1時間に10℃以下の速度で5
00’Qまで徐冷した。500’Cから室温までは1時
間100’Cの割合で冷却した。単結晶試料は、PbC
l2を水で洗い流すことによって取り出した。
o+xPbCl 2 なる−数式で、n、Xについては、第4表に示す配合比
になるように秤量、混合し、直径20 mm、深さ25
mmの金相場に封入し、600〜900 ’Cで1〜1
0時間融解させたのち、1時間に10℃以下の速度で5
00’Qまで徐冷した。500’Cから室温までは1時
間100’Cの割合で冷却した。単結晶試料は、PbC
l2を水で洗い流すことによって取り出した。
■試薬は■と同様のものを出発原料とした。初めにTI
203 、B aQ、cao、CuOをT12 Ba2
Can−I Cu、04,2.(n=2.3>の比に
なるように混合し、プレスした後、金箔で包んで860
〜900℃で3〜5時間焼結した。得られた焼結体を粉
砕し、PbCl2と、 T I Ba Ca Cu、 04+2n
十2 2 n−1 x P b Cl 2 なる−数式で、n、xについては第5表に示ず配合比に
なるように混合した。融解、同化、単結晶の取り出しは
上記の■と同様の条件で行った。
203 、B aQ、cao、CuOをT12 Ba2
Can−I Cu、04,2.(n=2.3>の比に
なるように混合し、プレスした後、金箔で包んで860
〜900℃で3〜5時間焼結した。得られた焼結体を粉
砕し、PbCl2と、 T I Ba Ca Cu、 04+2n
十2 2 n−1 x P b Cl 2 なる−数式で、n、xについては第5表に示ず配合比に
なるように混合した。融解、同化、単結晶の取り出しは
上記の■と同様の条件で行った。
いずれの場合も、得られた単結晶の抵抗率、反磁性磁化
率の測定、および組成分析を行った。抵抗率は金線をリ
ードとする4端子法で、反磁性磁化率は5QUIDマグ
ネツ1〜メーターでそれぞれ測定した。組成分析はEP
MAを用いて行つ1こ。
率の測定、および組成分析を行った。抵抗率は金線をリ
ードとする4端子法で、反磁性磁化率は5QUIDマグ
ネツ1〜メーターでそれぞれ測定した。組成分析はEP
MAを用いて行つ1こ。
第4表および第5表に得られた単結晶の典型的な大きさ
とT cを示す。900℃を超える温度では、丁1およ
びPbCl2の蒸発が激しくなりすぎるため、単結晶育
成に不向きである。フラックス量に比べて原料が多すぎ
ると、同時に多くの場所で核生成が起きるため大きな単
結晶が得られず、原料が少なずぎでも単結晶の成長か充
分行われないため、得られる単結晶は小さくなる。
とT cを示す。900℃を超える温度では、丁1およ
びPbCl2の蒸発が激しくなりすぎるため、単結晶育
成に不向きである。フラックス量に比べて原料が多すぎ
ると、同時に多くの場所で核生成が起きるため大きな単
結晶が得られず、原料が少なずぎでも単結晶の成長か充
分行われないため、得られる単結晶は小さくなる。
第 4 表
第 5 表
実施例4
実施例3で得られた110におよび116にのTcを持
つ単結晶を第6表に示す条件で熱処理した。
つ単結晶を第6表に示す条件で熱処理した。
酸素圧、熱処理温度を上げるはどTcは低くなることが
確かめられた。この場合も転移の鋭さは変化せず、それ
ぞれの温度で全体積が超伝導に転移することがわかった
。酸素圧が1気圧のもとでは熱処理温度、時間を変えて
も、TCは変化しなかった。
確かめられた。この場合も転移の鋭さは変化せず、それ
ぞれの温度で全体積が超伝導に転移することがわかった
。酸素圧が1気圧のもとでは熱処理温度、時間を変えて
も、TCは変化しなかった。
第6表
[発明の効果]
本発明の製造方法によれば、Tl2Ba2Can−1C
unO4+2o(n−2または3)の良質な単結晶を得
ることかでき、また、本発明の超伝導転移湿度の制御方
法によると単結晶試料のTOを連続的に変えることがで
きるため、超伝導材料の工業利用にとって極めて有用な
ものである。
unO4+2o(n−2または3)の良質な単結晶を得
ることかでき、また、本発明の超伝導転移湿度の制御方
法によると単結晶試料のTOを連続的に変えることがで
きるため、超伝導材料の工業利用にとって極めて有用な
ものである。
Claims (3)
- (1)Tl_2Ba_2Ca_n_−_1Cu_nO_
4_+_2_n(n=2または3)と表される酸化物超
伝導体単結晶の製造方法において、KClおよび/また
はNaClをフラックスとして用い、 〔1〕Tl_2O_3+2BaO+(n−1)CaO+
nCuO+x{(1−y)KCl+yNaCl}(n=
2または3、3≦x≦500、0≦y≦1)なる組成範
囲の混合粉末、もしくは、 〔2〕Tl_2Ba_2Ca_n_−_1Cu_nO_
4_+_2_n+x{(1−y)KCl+yNaCl} (n=2または3、3≦x≦500、0≦y≦1)なる
組成範囲の混合粉末を700〜950℃の温度範囲で融
解し、20℃/hour以下の速度で徐冷することを特
徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法。 - (2)Tl_2Ba_2Ca_n_−_1Cu_nO_
4_+_2_n(n=2または3)と表される酸化物超
伝導体単結晶の製造方法において、PbCl_2をフラ
ックスとして用い、 〔1〕Tl_2O_3+2BaO+(n−1)CaO+
nCuO+xPbCl_2 (n=2または3、3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末、もしくは、 〔2〕Tl_2Ba_2Ca_n_−_1Cu_nO_
4_+_2_n+xPbCl_2 (n=2または3、3≦x≦300) なる組成範囲の混合粉末を600〜900℃の温度範囲
で融解し、20℃/hour以下の速度で徐冷すること
を特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法。 - (3)請求項1または2に記載の酸化物超伝導体単結晶
を400気圧までの加圧酸素下で、300〜600℃の
温度範囲で熱処理することを特徴とする酸化物超伝導体
単結晶の超伝導転移温度の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329677A JPH04202093A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体単結晶の製造方法およびその超伝導転移温度の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329677A JPH04202093A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体単結晶の製造方法およびその超伝導転移温度の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202093A true JPH04202093A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18224036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329677A Pending JPH04202093A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 酸化物超伝導体単結晶の製造方法およびその超伝導転移温度の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202093A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119579A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Kobe Steel Ltd | 複合酸化物系超電導セラミックスの熱処理方法 |
| JPH01275435A (ja) * | 1988-03-21 | 1989-11-06 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 超伝導体とその製造方法 |
| JPH0255298A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体単結晶の育成方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329677A patent/JPH04202093A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119579A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Kobe Steel Ltd | 複合酸化物系超電導セラミックスの熱処理方法 |
| JPH01275435A (ja) * | 1988-03-21 | 1989-11-06 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 超伝導体とその製造方法 |
| JPH0255298A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体単結晶の育成方法 |
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