JPH0420246B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0420246B2 JPH0420246B2 JP59110589A JP11058984A JPH0420246B2 JP H0420246 B2 JPH0420246 B2 JP H0420246B2 JP 59110589 A JP59110589 A JP 59110589A JP 11058984 A JP11058984 A JP 11058984A JP H0420246 B2 JPH0420246 B2 JP H0420246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- samples
- dielectric
- capacitance
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は銀−パラジウム合金を内部電極とする
積層型磁器コンデンサに関するものである。 市販の積層型磁器コンデンサは薄層の磁器誘電
体の表面に内部電極を形成したものを複数枚積層
して一体焼成し、この側面に形成する外部接続用
電極に内部電極を交互に並列に接続するような構
造としている。 近時、この様な磁器コンデンサは内部電極とし
て一般に使われる貴金属であるパラジウム（pd）
単体のものに代り、銀−パラジウム合金（Ag−
pd）を使用するものがあり、内部電極材料コス
トの低減を図つている。 しかしながら、銀−パラジウム合金（Ag−pd）
は銀（Ag）の含有率が少ないと比抵抗値が高い
こと、また焼成中銀（Ag）が蒸発することによ
り電極を形成する金属の絶対量が低下して電極膜
が網目状となり面積抵抗が増大することによりコ
ンデンサ−の等価直列抵抗（ESR）が大きくな
るため、高周波回路では使用できない。 そこで、銀−パラジウム合金（Ag−pd）中の
銀（Ag）の含有量を多くして比抵抗値を低くす
ることが考えられるが、銀（Ag）の含有量を増
加させると金属の融点が低下して安定した積層型
磁器コンデンサが得られない。また電極間のマイ
グレーシヨン（電界による原子移動）による短絡
防止のため銀（Ag）の割合を増やすのには限界
がある。一方、焼成中の銀（Ag）の蒸発を見込
んで、予じめ誘電体グリーンシート上に付与する
銀（Ag）の量を増加させておくことは積層型磁
器コンデンサの構造的欠陥（クラツク又はデラミ
ネーシヨン）を招き実用に供さない。 本発明者等は上記の現状に鑑み鋭意研究の結果
積層型磁器コンデンサの誘電体中に銀（Ag）を
予じめ一定量含有させておくことによつて、又は
焼成中に銀が拡散により誘電体中へ浸入させる雰
囲気を強制的に利用した焼成方法（例えば埋め焼
き）によつて、電極及びコンデンサ全体の構造に
欠陥を生じることなく等価直列抵抗（ESR）を
低減させると共に静電容量が向上していることを
知見した。 したがつて、本発明においては銀−パラジウム
合金（Ag−Pd）を内部電極とする積層型磁器コ
ンデンサにおいて、その等価直列抵抗（ESR）
を低下させて、静電容量を向上させることにより
高周波回路においても使用できる安価な積層型磁
器コンデンサであり、温度補償用CG特性（JIS規
格において静電容量温度係数が±30ppm／℃の範
囲内であることが必要とされている）を有する積
層型磁器コンデンサを提供することを目的とす
る。 本発明によれば、銀−パラジウム合金（Ag−
Pd）を内部電極とする積層型磁器コンデンサに
おいて、この誘電体中に銀（Ag）が0.05〜0.70重
量％含有していることを特徴とする積層型磁器コ
ンデンサが提供される。 誘電体中に銀（Ag）を含有させると、内部電
極である銀−パラジウム合金（Ag−Pd）中の銀
（Ag）の蒸発作用を抑制することができる。誘電
体中の銀（Ag）の含有量が0.05重量％未満であ
ると銀（Ag）の蒸発を抑制する効果がないので
等価直列抵抗（ESR）を低減させることができ
ず、0.70重量％を超えると静電容量温度係数が−
30ppm／℃を大きく超えるため積層型磁器コンデ
ンサの一定の温度特性（CG特性と称し、VIS規
格において±30ppm／℃の範囲内であることが必
要とされている）に合致しない。 実施例 １ 予じめBaCO3とTiO2の等モルから固相合成法
に依つて1200℃で作成した純度98.5％以上の
BaTiO3と純度98％以上のNd2O3と純度97.5％以
上の二酸化チタン（アナターゼ）、純度95％以上
のBi2O3及び純度95％以上のPb3O4をそれぞれ重
量で22.6％，31.6％，35.5％，4.71％及び5.59％を
加えたものに対して、B2O3，SiO2及びZrOをそ
れぞれ重量で0.50％，2.50％及び2.50％添加した
ものを基本組成とした。この基本組成に対して第
１表の銀（Ag）添加量欄に記載した量になるよ
うに試薬Ag2O粉末を秤量し添加して内容積1.6l
の磁製ポツト中に、カサ容積0.8l（1.5Kg）のアル
ミナボール（17mmφ）とともに入れ、さらに分散
剤，消泡剤とともに有機バインダー、可塑剤並び
に分散媒トルエンを加えて回転数72rpmで24時間
回転した。得られた原料スリツプをドクターブレ
ード法に依つて肉厚25μmのグリーンシートを成
形した。グリーンシートを25枚重ねてホツトプレ
スし、グリーン成形板を作成し約10mm角、厚さ約
0.50mmのグリーン角板に切断した。グリーン角板
をAAl2O3の製連鉢の中に入れ1050℃にて２時間
焼成した。得られた約８mm角、厚さ約0.4mmの角
板の上下面全面に銀電極を焼付けて、先ず角板の
誘電体自体としての評価試料１−１〜１−６を作
成した。こうして得られた１〜６の試料を周波数
1MHz、入力レベル1Vrmsにて静電容量（PF）及
び品質係数（Ｑ）（JIS規格によりＱ値は1000以上
必要とされている）並びに−55℃〜＋125℃の温
度範囲に於ける静電容量温度係数を測定した。静
電容量の測定結果から誘電体磁器の比誘電率
（εr）を計算し、品質係数（Ｑ）及び静電容量温
度係数の測定結果とともに第１表に示した。第１
表に示す誘電体中の銀（Ag）の含有率は原子吸
光分析法による定量結果である。
積層型磁器コンデンサに関するものである。 市販の積層型磁器コンデンサは薄層の磁器誘電
体の表面に内部電極を形成したものを複数枚積層
して一体焼成し、この側面に形成する外部接続用
電極に内部電極を交互に並列に接続するような構
造としている。 近時、この様な磁器コンデンサは内部電極とし
て一般に使われる貴金属であるパラジウム（pd）
単体のものに代り、銀−パラジウム合金（Ag−
pd）を使用するものがあり、内部電極材料コス
トの低減を図つている。 しかしながら、銀−パラジウム合金（Ag−pd）
は銀（Ag）の含有率が少ないと比抵抗値が高い
こと、また焼成中銀（Ag）が蒸発することによ
り電極を形成する金属の絶対量が低下して電極膜
が網目状となり面積抵抗が増大することによりコ
ンデンサ−の等価直列抵抗（ESR）が大きくな
るため、高周波回路では使用できない。 そこで、銀−パラジウム合金（Ag−pd）中の
銀（Ag）の含有量を多くして比抵抗値を低くす
ることが考えられるが、銀（Ag）の含有量を増
加させると金属の融点が低下して安定した積層型
磁器コンデンサが得られない。また電極間のマイ
グレーシヨン（電界による原子移動）による短絡
防止のため銀（Ag）の割合を増やすのには限界
がある。一方、焼成中の銀（Ag）の蒸発を見込
んで、予じめ誘電体グリーンシート上に付与する
銀（Ag）の量を増加させておくことは積層型磁
器コンデンサの構造的欠陥（クラツク又はデラミ
ネーシヨン）を招き実用に供さない。 本発明者等は上記の現状に鑑み鋭意研究の結果
積層型磁器コンデンサの誘電体中に銀（Ag）を
予じめ一定量含有させておくことによつて、又は
焼成中に銀が拡散により誘電体中へ浸入させる雰
囲気を強制的に利用した焼成方法（例えば埋め焼
き）によつて、電極及びコンデンサ全体の構造に
欠陥を生じることなく等価直列抵抗（ESR）を
低減させると共に静電容量が向上していることを
知見した。 したがつて、本発明においては銀−パラジウム
合金（Ag−Pd）を内部電極とする積層型磁器コ
ンデンサにおいて、その等価直列抵抗（ESR）
を低下させて、静電容量を向上させることにより
高周波回路においても使用できる安価な積層型磁
器コンデンサであり、温度補償用CG特性（JIS規
格において静電容量温度係数が±30ppm／℃の範
囲内であることが必要とされている）を有する積
層型磁器コンデンサを提供することを目的とす
る。 本発明によれば、銀−パラジウム合金（Ag−
Pd）を内部電極とする積層型磁器コンデンサに
おいて、この誘電体中に銀（Ag）が0.05〜0.70重
量％含有していることを特徴とする積層型磁器コ
ンデンサが提供される。 誘電体中に銀（Ag）を含有させると、内部電
極である銀−パラジウム合金（Ag−Pd）中の銀
（Ag）の蒸発作用を抑制することができる。誘電
体中の銀（Ag）の含有量が0.05重量％未満であ
ると銀（Ag）の蒸発を抑制する効果がないので
等価直列抵抗（ESR）を低減させることができ
ず、0.70重量％を超えると静電容量温度係数が−
30ppm／℃を大きく超えるため積層型磁器コンデ
ンサの一定の温度特性（CG特性と称し、VIS規
格において±30ppm／℃の範囲内であることが必
要とされている）に合致しない。 実施例 １ 予じめBaCO3とTiO2の等モルから固相合成法
に依つて1200℃で作成した純度98.5％以上の
BaTiO3と純度98％以上のNd2O3と純度97.5％以
上の二酸化チタン（アナターゼ）、純度95％以上
のBi2O3及び純度95％以上のPb3O4をそれぞれ重
量で22.6％，31.6％，35.5％，4.71％及び5.59％を
加えたものに対して、B2O3，SiO2及びZrOをそ
れぞれ重量で0.50％，2.50％及び2.50％添加した
ものを基本組成とした。この基本組成に対して第
１表の銀（Ag）添加量欄に記載した量になるよ
うに試薬Ag2O粉末を秤量し添加して内容積1.6l
の磁製ポツト中に、カサ容積0.8l（1.5Kg）のアル
ミナボール（17mmφ）とともに入れ、さらに分散
剤，消泡剤とともに有機バインダー、可塑剤並び
に分散媒トルエンを加えて回転数72rpmで24時間
回転した。得られた原料スリツプをドクターブレ
ード法に依つて肉厚25μmのグリーンシートを成
形した。グリーンシートを25枚重ねてホツトプレ
スし、グリーン成形板を作成し約10mm角、厚さ約
0.50mmのグリーン角板に切断した。グリーン角板
をAAl2O3の製連鉢の中に入れ1050℃にて２時間
焼成した。得られた約８mm角、厚さ約0.4mmの角
板の上下面全面に銀電極を焼付けて、先ず角板の
誘電体自体としての評価試料１−１〜１−６を作
成した。こうして得られた１〜６の試料を周波数
1MHz、入力レベル1Vrmsにて静電容量（PF）及
び品質係数（Ｑ）（JIS規格によりＱ値は1000以上
必要とされている）並びに−55℃〜＋125℃の温
度範囲に於ける静電容量温度係数を測定した。静
電容量の測定結果から誘電体磁器の比誘電率
（εr）を計算し、品質係数（Ｑ）及び静電容量温
度係数の測定結果とともに第１表に示した。第１
表に示す誘電体中の銀（Ag）の含有率は原子吸
光分析法による定量結果である。
【表】
試料１〜６は銀（Ag）の誘電体への添加量が
０〜2.0重量％範囲で選択されたもので、誘電体
中の銀（Ag）の含有率は0.006〜0.596重量％であ
る。これらの各試料の比誘電率（εr）は67.9以
上、品質係数（Ｑ）も2500以上、容量温度係数
（ppm／℃）も±30ppm／℃以内と夫々積層型磁
器コンデンサの誘電体として充分な特性を備えて
いることが理解される。尚、銀（Ag）の含有率
が0.050重量％以上の試料４〜６は比誘電率（εr）
が72.6以上と比誘電率が68.0の試料３と比べその
比誘電率（εr）が顕著に向上していることが分つ
た。この理由については明確でないが、Agの存
在が、チタン酸ネオジミウム（Nd2O3・2TiO2）
の結晶成長を選択的に抑制する為であると考えら
れる。 実施例 ２ 次に実施例１で得た厚さ25μmのグリーンシー
ト材に有効面積約１mm2の角形パターンを用いて銀
（Ag）を70重量％、パラジウム（Pd）を30重量
％の合金に有機結合剤及びその溶剤を加えてなる
ペーストを印刷し、こうして得られた印刷膜を有
するグリーンシートを２枚重ね、さらに印刷膜を
有しないグリーンシートを上下に10枚ずつ重ね合
せて、ホツトプレスし、たて約2.5m／ｍよこ約
1.5m／ｍのグリーンチツプに切断する。こうし
て得られた一層の積層型磁器コンデンサを形成す
るグリーンチツプをアルミナ連鉢に入れて大気雰
囲気中で1050℃にて２時間焼成し、両端に銀−パ
ラジウム合金（Ag−Pd）による引き出し電極を
焼き付けて第２表の評価試料７〜12を得た。 静電容量及び静電容量温度係数は周波数1MHz
で、等価直列抵抗値は周波数900MHzで測定し、
測定器はLCRメータ及びインピーダンスアナラ
イザを用いた。誘電体中の銀（Ag）の含有率は
XMA法（Ｘ線マイクロアナライザ法）による定
量結果を示す。これらの特性を試料７〜12と共に
に第２表に示す。
０〜2.0重量％範囲で選択されたもので、誘電体
中の銀（Ag）の含有率は0.006〜0.596重量％であ
る。これらの各試料の比誘電率（εr）は67.9以
上、品質係数（Ｑ）も2500以上、容量温度係数
（ppm／℃）も±30ppm／℃以内と夫々積層型磁
器コンデンサの誘電体として充分な特性を備えて
いることが理解される。尚、銀（Ag）の含有率
が0.050重量％以上の試料４〜６は比誘電率（εr）
が72.6以上と比誘電率が68.0の試料３と比べその
比誘電率（εr）が顕著に向上していることが分つ
た。この理由については明確でないが、Agの存
在が、チタン酸ネオジミウム（Nd2O3・2TiO2）
の結晶成長を選択的に抑制する為であると考えら
れる。 実施例 ２ 次に実施例１で得た厚さ25μmのグリーンシー
ト材に有効面積約１mm2の角形パターンを用いて銀
（Ag）を70重量％、パラジウム（Pd）を30重量
％の合金に有機結合剤及びその溶剤を加えてなる
ペーストを印刷し、こうして得られた印刷膜を有
するグリーンシートを２枚重ね、さらに印刷膜を
有しないグリーンシートを上下に10枚ずつ重ね合
せて、ホツトプレスし、たて約2.5m／ｍよこ約
1.5m／ｍのグリーンチツプに切断する。こうし
て得られた一層の積層型磁器コンデンサを形成す
るグリーンチツプをアルミナ連鉢に入れて大気雰
囲気中で1050℃にて２時間焼成し、両端に銀−パ
ラジウム合金（Ag−Pd）による引き出し電極を
焼き付けて第２表の評価試料７〜12を得た。 静電容量及び静電容量温度係数は周波数1MHz
で、等価直列抵抗値は周波数900MHzで測定し、
測定器はLCRメータ及びインピーダンスアナラ
イザを用いた。誘電体中の銀（Ag）の含有率は
XMA法（Ｘ線マイクロアナライザ法）による定
量結果を示す。これらの特性を試料７〜12と共に
に第２表に示す。
【表】
＊印の試料は本発明の範囲外である。
試料７〜12は試料１〜６の誘電体を使用するも
ので、この誘電体を積層した結果、銀（Ag）の
含有率が0.01〜0.60重量％となる。これらの各試
料の容量温度係数は±30ppm／℃の範囲内である
が、銀（Ag）の含有量が0.05未満である試料７
〜９の等価直列抵抗値は1870±290mΩ以上であ
るのに対し、銀（Ag）の含有量が0.05以上であ
る試料10〜12の等価直列抵抗値は283±63mΩと
その特性が向上した。その結果静電容量も試料７
〜９が20.56PF以下であるのに対し、試料10〜12
は25.33以上と向上していることが理解される。
各試料７〜９と試料10〜12を切断して誘電体間の
内部電極を観察したところ、試料７〜９に比べ試
料10〜12の誘電体間の内部電極は厚みが充分確保
されており、焼成中に銀（Ag）の蒸発が抑制さ
れていることを確認した。 実施例 ３ 次に、前記実施例中の試料６及び12以上の銀
（Ag）を含有率を有する誘電体を作成するために
は、銀（Ag）の添加量が銀の含有率と比例して
増大せず飽和する傾向があるので、Al2O3100重
量部に対してAg2O5.0重量部（Ag4.65重量部）の
両者を混合して成る混合粉をAl2O3製容器に入
れ、この混合粉中に実施例１における試料１を埋
め込んで1050℃にて２時間焼成した。実施例１と
同様に焼成した角板に銀（Ag）電極を焼付けて
角板型コンデンサを作成し、評価試料13を得た。 こうして得られた試料13を実施例１と同様に評
価した結果を第３表に示す。尚、誘電体中の銀
（Ag）の含有率については原子吸光分析法によつ
た。
試料７〜12は試料１〜６の誘電体を使用するも
ので、この誘電体を積層した結果、銀（Ag）の
含有率が0.01〜0.60重量％となる。これらの各試
料の容量温度係数は±30ppm／℃の範囲内である
が、銀（Ag）の含有量が0.05未満である試料７
〜９の等価直列抵抗値は1870±290mΩ以上であ
るのに対し、銀（Ag）の含有量が0.05以上であ
る試料10〜12の等価直列抵抗値は283±63mΩと
その特性が向上した。その結果静電容量も試料７
〜９が20.56PF以下であるのに対し、試料10〜12
は25.33以上と向上していることが理解される。
各試料７〜９と試料10〜12を切断して誘電体間の
内部電極を観察したところ、試料７〜９に比べ試
料10〜12の誘電体間の内部電極は厚みが充分確保
されており、焼成中に銀（Ag）の蒸発が抑制さ
れていることを確認した。 実施例 ３ 次に、前記実施例中の試料６及び12以上の銀
（Ag）を含有率を有する誘電体を作成するために
は、銀（Ag）の添加量が銀の含有率と比例して
増大せず飽和する傾向があるので、Al2O3100重
量部に対してAg2O5.0重量部（Ag4.65重量部）の
両者を混合して成る混合粉をAl2O3製容器に入
れ、この混合粉中に実施例１における試料１を埋
め込んで1050℃にて２時間焼成した。実施例１と
同様に焼成した角板に銀（Ag）電極を焼付けて
角板型コンデンサを作成し、評価試料13を得た。 こうして得られた試料13を実施例１と同様に評
価した結果を第３表に示す。尚、誘電体中の銀
（Ag）の含有率については原子吸光分析法によつ
た。
【表】
銀（Ag）の含有率0.70重量％の誘電体は、比
誘電率（εr）80.8品質係数（Ｑ）が1000以上及び
容量温度係数（ppm／℃）は±30ppm／℃の範囲
内と充分である。 実施例 ４ 前記実施例３で記載したAl2O3とAg2Oの混合
粉中に実施例２の試料７及び12の積層型磁器コン
デンサグリーンチツプを埋め込んで1050℃で２時
間焼成したのち実施例２と同様に引き出し用電極
として銀−パラジウム合金（Ag−Pd）をチツプ
の両端に焼付けた評価用試料14及び15を得た。実
施例２と同様の方法に依つて評価した結果を第４
表に記載する。尚、実施例２と同様にXMA法に
よつて各試料の誘電体における銀（Ag）の定量
を行つた。
誘電率（εr）80.8品質係数（Ｑ）が1000以上及び
容量温度係数（ppm／℃）は±30ppm／℃の範囲
内と充分である。 実施例 ４ 前記実施例３で記載したAl2O3とAg2Oの混合
粉中に実施例２の試料７及び12の積層型磁器コン
デンサグリーンチツプを埋め込んで1050℃で２時
間焼成したのち実施例２と同様に引き出し用電極
として銀−パラジウム合金（Ag−Pd）をチツプ
の両端に焼付けた評価用試料14及び15を得た。実
施例２と同様の方法に依つて評価した結果を第４
表に記載する。尚、実施例２と同様にXMA法に
よつて各試料の誘電体における銀（Ag）の定量
を行つた。
【表】
＊印の試料番号は本発明の範囲外である。
試料番号14は銀（Ag）の含有率が0.69重量％
で本発明の範囲内であり等価直列抵抗値（mΩ）
は158±6mΩで前記実施例中本発明の範囲外の試
料７〜９と比較して著じるしく低く、また静電容
量（PF）も27.96PFと充分であり、また容量温度
係数も−23ppm／℃と所定の温度特性（±
30ppm／℃）範囲を満たしている。 これに対し試料15は銀（Ag）の含有率が0.74
重量％で本発明の上限である銀（Ag）の含有率
0.70を超えており、等価直列抵抗値（mΩ）及び
静電容量（PF）は充分であるが容量温度係数が
−47ppm／℃と所定の温度特性（±30ppm）の範
囲内を維持できない。 叙上の如く本発明は銀−パラジウム合金（Ag
−Pd）を内部電極とする積層型磁器コンデンサ
において、この磁器誘電体中に銀（Ag）が0.05
〜0.70重量％含有させたものであり、誘電体の等
価直列抵抗（ESR）を低下させて、静電容量を
向上させることにより高周波回路においても使用
できる安価な積層型磁器コンデンサを提供するこ
とができる。
試料番号14は銀（Ag）の含有率が0.69重量％
で本発明の範囲内であり等価直列抵抗値（mΩ）
は158±6mΩで前記実施例中本発明の範囲外の試
料７〜９と比較して著じるしく低く、また静電容
量（PF）も27.96PFと充分であり、また容量温度
係数も−23ppm／℃と所定の温度特性（±
30ppm／℃）範囲を満たしている。 これに対し試料15は銀（Ag）の含有率が0.74
重量％で本発明の上限である銀（Ag）の含有率
0.70を超えており、等価直列抵抗値（mΩ）及び
静電容量（PF）は充分であるが容量温度係数が
−47ppm／℃と所定の温度特性（±30ppm）の範
囲内を維持できない。 叙上の如く本発明は銀−パラジウム合金（Ag
−Pd）を内部電極とする積層型磁器コンデンサ
において、この磁器誘電体中に銀（Ag）が0.05
〜0.70重量％含有させたものであり、誘電体の等
価直列抵抗（ESR）を低下させて、静電容量を
向上させることにより高周波回路においても使用
できる安価な積層型磁器コンデンサを提供するこ
とができる。
Claims (1)
- １ 銀−パラジウム合金（Ag−pd）を内部電極
とする積層型磁器コンデンサにおいて、この磁器
誘電体中に銀（Ag）が0.05〜0.70重量％含有して
いることを特徴とする積層型磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058984A JPS60253208A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058984A JPS60253208A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253208A JPS60253208A (ja) | 1985-12-13 |
| JPH0420246B2 true JPH0420246B2 (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=14539684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058984A Granted JPS60253208A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 積層型磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253208A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5718167B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2015-05-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4219866A (en) * | 1979-01-12 | 1980-08-26 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3 |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP11058984A patent/JPS60253208A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60253208A (ja) | 1985-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100313234B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2001006966A (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| WO2012111592A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2010050263A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH0552604B2 (ja) | ||
| JPH0518201B2 (ja) | ||
| JP2691181B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0552602B2 (ja) | ||
| JPH0416884B2 (ja) | ||
| JP4400860B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0420246B2 (ja) | ||
| JP4325900B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0544764B2 (ja) | ||
| US4704657A (en) | Multilayer ceramic capacitor and process for preparation thereof | |
| JP3179830B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH10139538A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| TWI918986B (zh) | 陶瓷電子零件、介電體材料、及陶瓷電子零件之製造方法 | |
| JP2821768B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0552603B2 (ja) | ||
| JP5526617B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6234707B2 (ja) | ||
| JPH05120915A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2514359B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| US20040014588A1 (en) | Npo dielectric compositions | |
| JPS6156407A (ja) | 積層型磁器コンデンサ |