JPH10139538A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH10139538A JPH10139538A JP8290395A JP29039596A JPH10139538A JP H10139538 A JPH10139538 A JP H10139538A JP 8290395 A JP8290395 A JP 8290395A JP 29039596 A JP29039596 A JP 29039596A JP H10139538 A JPH10139538 A JP H10139538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- less
- dielectric
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率が１００００以上、還元雰囲気中で１
２００℃未満の低温焼成が可能で、積層セラミックコン
デンサを製造した際、誘電体層の厚みを５μｍ以下とし
た場合でも高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を提供
する。 【解決手段】組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ3 と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ
≦０．１、０．１＜ｙ＜０．２６を満足する主成分と、
該主成分１００重量部に対して、Ｙ2 Ｏ3 を０．２〜
１．０重量部、ＭｎＯ2 を０．０６〜０．６重量部、Ａ
ｌ2 Ｏ3 を０．１〜１．０重量部、ＮｉＯを０．１〜
１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ
2 （０．３＜α＜０．７ モル比）を０．１〜１．０重
量部含有する。
２００℃未満の低温焼成が可能で、積層セラミックコン
デンサを製造した際、誘電体層の厚みを５μｍ以下とし
た場合でも高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を提供
する。 【解決手段】組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ3 と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ
≦０．１、０．１＜ｙ＜０．２６を満足する主成分と、
該主成分１００重量部に対して、Ｙ2 Ｏ3 を０．２〜
１．０重量部、ＭｎＯ2 を０．０６〜０．６重量部、Ａ
ｌ2 Ｏ3 を０．１〜１．０重量部、ＮｉＯを０．１〜
１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ
2 （０．３＜α＜０．７ モル比）を０．１〜１．０重
量部含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成が可能な
高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもので、特に静電
容量の温度特性に優れた高誘電率系セラミックコンデン
サや積層型セラミックコンデンサ、更にはアキシャルコ
ンデンサ、ディスクコンデンサ、厚膜コンデンサ等の誘
電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもので、特に静電
容量の温度特性に優れた高誘電率系セラミックコンデン
サや積層型セラミックコンデンサ、更にはアキシャルコ
ンデンサ、ディスクコンデンサ、厚膜コンデンサ等の誘
電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系セラミックコンデンサ
や積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料
としては、比誘電率が６０００〜１００００程度のチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物が
あり、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとし
て電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多
く適用されてきた。
や積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料
としては、比誘電率が６０００〜１００００程度のチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物が
あり、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとし
て電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多
く適用されてきた。
【０００３】積層型セラミックコンデンサは、一般に誘
電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を形成
し、該グリーンシートを所定の電気容量となるように複
数枚積層して前記電極を同時に焼成一体化し、複数の誘
電体層の間に内部電極を形成して構成されている。
電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を形成
し、該グリーンシートを所定の電気容量となるように複
数枚積層して前記電極を同時に焼成一体化し、複数の誘
電体層の間に内部電極を形成して構成されている。
【０００４】しかしながら、前記チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が１３
００〜１４００℃程度と高く、しかも積層型セラミック
コンデンサの誘電体材料として使用するためには、同時
焼成する内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金
属であるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等を使用し
なければならず、安価で小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサを製造することが困難であるという欠点が
あった。
ａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が１３
００〜１４００℃程度と高く、しかも積層型セラミック
コンデンサの誘電体材料として使用するためには、同時
焼成する内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金
属であるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等を使用し
なければならず、安価で小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサを製造することが困難であるという欠点が
あった。
【０００５】そこで、従来、上記欠点を解決した非還元
性誘電体磁器組成物として、本願出願人による特公平６
ー７８１８９号公報が知られている。
性誘電体磁器組成物として、本願出願人による特公平６
ー７８１８９号公報が知られている。
【０００６】この公報に開示される非還元性誘電体磁器
組成物は、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3
＋ｙ（Ｃａ1-a Ｓｒa ）ＺｒＯ3 からなる基本成分と、
Ｙ2Ｏ3 、ＭｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＮｉＯからなる添加成
分を含むもので、このような誘電体磁器組成物では、還
元雰囲気中で１３００℃〜１３４０℃で焼成され、比誘
電率が８０００以上と高く、絶縁抵抗も２．９×１０4
ＭΩ以上と高く、優れた誘電特性を有する。
組成物は、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3
＋ｙ（Ｃａ1-a Ｓｒa ）ＺｒＯ3 からなる基本成分と、
Ｙ2Ｏ3 、ＭｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＮｉＯからなる添加成
分を含むもので、このような誘電体磁器組成物では、還
元雰囲気中で１３００℃〜１３４０℃で焼成され、比誘
電率が８０００以上と高く、絶縁抵抗も２．９×１０4
ＭΩ以上と高く、優れた誘電特性を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダウンサイ
ジングの進む電子部品にあっては、より小型化、高容量
化を図るために誘電体磁器組成物から成る薄板状焼結体
（誘電体層）の薄板化が要求されるようになり、現在そ
の要求厚さは１０μｍ以下となってきている。
ジングの進む電子部品にあっては、より小型化、高容量
化を図るために誘電体磁器組成物から成る薄板状焼結体
（誘電体層）の薄板化が要求されるようになり、現在そ
の要求厚さは１０μｍ以下となってきている。
【０００８】しかしながら、上記特公平６ー７８１８９
号公報に開示される誘電体磁器組成物では、積層セラミ
ックコンデンサを製造する際、誘電体層を薄くすると一
対の内部電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があっ
た。
号公報に開示される誘電体磁器組成物では、積層セラミ
ックコンデンサを製造する際、誘電体層を薄くすると一
対の内部電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があっ
た。
【０００９】また、静電容量の増大を図るための別の方
法として、比誘電率が高い磁器を使用する方法がある
が、従来の誘電体磁器では比誘電率の向上に限界があ
り、高容量化に限界があった。
法として、比誘電率が高い磁器を使用する方法がある
が、従来の誘電体磁器では比誘電率の向上に限界があ
り、高容量化に限界があった。
【００１０】さらに、前記誘電体材料を用いて、厚さが
５μｍ以下の薄層から成る積層型コンデンサを作製した
場合、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直
流電圧を印加した高温負荷寿命が１０時間未満と短く、
また焼成温度が１３００℃以上と高いため、１００層を
越える積層体では、内部電極の縮みによる構造欠陥が発
生しやすかった。この為小型で大容量のコンデンサの製
造が困難であった。
５μｍ以下の薄層から成る積層型コンデンサを作製した
場合、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直
流電圧を印加した高温負荷寿命が１０時間未満と短く、
また焼成温度が１３００℃以上と高いため、１００層を
越える積層体では、内部電極の縮みによる構造欠陥が発
生しやすかった。この為小型で大容量のコンデンサの製
造が困難であった。
【００１１】本発明は前記課題に鑑みなされたもので、
その目的は、室温での比誘電率が１００００以上と高
く、１２００℃未満の低温焼成で厚さ５μｍ以下の表面
平滑な薄板状焼結体を得ることができ、厚さ５μｍ以下
の誘電体層を有する積層セラミックコンデンサを作製し
た場合でも高温負荷寿命が４０時間以上と長く、１００
層以上の積層体においても構造欠陥の発生しない小型・
大容量の積層型セラミックコンデンサをはじめ、各種コ
ンデンサに適用し得る誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
その目的は、室温での比誘電率が１００００以上と高
く、１２００℃未満の低温焼成で厚さ５μｍ以下の表面
平滑な薄板状焼結体を得ることができ、厚さ５μｍ以下
の誘電体層を有する積層セラミックコンデンサを作製し
た場合でも高温負荷寿命が４０時間以上と長く、１００
層以上の積層体においても構造欠陥の発生しない小型・
大容量の積層型セラミックコンデンサをはじめ、各種コ
ンデンサに適用し得る誘電体磁器組成物を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有し、これらの金属元素酸化物の組成式を
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 と表した
時、前記ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１、０．
１＜ｙ＜０．２６を満足する主成分と、該主成分１００
重量部に対して、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で
０．２〜１．０重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算
で０．０６〜０．６重量部、アルミナをＡｌ2 Ｏ3 換算
で０．１〜１．０重量部、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で
０．１〜１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳ
ｉＯ2 （０．３＜α＜０．７ モル比）を０．１〜１．
０重量部含有してなるものである。
物は、金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有し、これらの金属元素酸化物の組成式を
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 と表した
時、前記ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１、０．
１＜ｙ＜０．２６を満足する主成分と、該主成分１００
重量部に対して、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で
０．２〜１．０重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算
で０．０６〜０．６重量部、アルミナをＡｌ2 Ｏ3 換算
で０．１〜１．０重量部、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で
０．１〜１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳ
ｉＯ2 （０．３＜α＜０．７ モル比）を０．１〜１．
０重量部含有してなるものである。
【００１３】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物によれば、チタンジ
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とする誘電体磁器組成物に、Ｙ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｍｎ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 を含有させ、さらにＬｉ2 ＯとＳｉＯ
2 を含有させたことから、比誘電率を１００００以上に
維持し、かつ１２００℃未満での還元雰囲気中での低温
焼成を可能としながら、厚さ５μｍ以下の薄層から成る
積層型コンデンサであっても、Ｙ５Ｖ特性を満足するこ
とができるようになる。
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とする誘電体磁器組成物に、Ｙ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｍｎ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 を含有させ、さらにＬｉ2 ＯとＳｉＯ
2 を含有させたことから、比誘電率を１００００以上に
維持し、かつ１２００℃未満での還元雰囲気中での低温
焼成を可能としながら、厚さ５μｍ以下の薄層から成る
積層型コンデンサであっても、Ｙ５Ｖ特性を満足するこ
とができるようになる。
【００１４】また、１２００℃未満で焼成可能なため、
１００層以上積層したとしても、内部電極の異常粒成長
がなく、凝縮もなく、内部電極の収縮による構造欠陥が
発生しない。
１００層以上積層したとしても、内部電極の異常粒成長
がなく、凝縮もなく、内部電極の収縮による構造欠陥が
発生しない。
【００１５】さらに、誘電体磁器組成物として基本的な
特性である誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗
ＩＲが１．０×１０5 ＭΩ以上を満足し、８５℃で電界
強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高
温負荷試験で４０時間以上不良が発生せず、さらに焼成
温度が１２００℃未満と工業的にも製造し易くなり、各
種セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成物
が得られる。
特性である誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗
ＩＲが１．０×１０5 ＭΩ以上を満足し、８５℃で電界
強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高
温負荷試験で４０時間以上不良が発生せず、さらに焼成
温度が１２００℃未満と工業的にも製造し易くなり、各
種セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成物
が得られる。
【００１６】特に、本願発明では、（１- α）Ｌｉ2 Ｏ
−αＳｉＯ2 （０．３＜α＜０．７モル比）を０．１〜
１．０重量部含有することにより、８５℃で電界強度が
１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷
試験で４０時間以上不良が発生しにくくなる。
−αＳｉＯ2 （０．３＜α＜０．７モル比）を０．１〜
１．０重量部含有することにより、８５℃で電界強度が
１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷
試験で４０時間以上不良が発生しにくくなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、組
成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy）Ｏ3 と表
した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１、０．
１＜ｙ＜０．２６で示される主成分１００重量部に対し
て、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜１．０
重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．０６〜
０．６重量部、アルミナをＡｌ2 Ｏ3 換算で０．１〜
１．０重量部、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．１〜
１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で
表される混合物を０．１〜１．０重量部含有してなるも
のである。
成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy）Ｏ3 と表
した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１、０．
１＜ｙ＜０．２６で示される主成分１００重量部に対し
て、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜１．０
重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．０６〜
０．６重量部、アルミナをＡｌ2 Ｏ3 換算で０．１〜
１．０重量部、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．１〜
１．０重量部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で
表される混合物を０．１〜１．０重量部含有してなるも
のである。
【００１８】本発明において、チタンジルコン酸バリウ
ムカルシウムから成る複合酸化物を（Ｂａ1-x Ｃａx ）
（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 と表した時、ｘを０．０１〜
０．１としたのは、モル分率ｘが０．０１未満の場合に
は絶縁抵抗が１×１０5 ＭΩよりも小さくなり、モル分
率ｘが０．１を越える場合には、室温における比誘電率
εｒが１００００未満と小さくなるからである。また、
ｙを０．１＜ｙ＜０．２６としたのは、モル分率ｙが
０．１以下や０．２６以上の場合、室温における比誘電
率εｒが１００００未満と小さくなるからである。
ムカルシウムから成る複合酸化物を（Ｂａ1-x Ｃａx ）
（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 と表した時、ｘを０．０１〜
０．１としたのは、モル分率ｘが０．０１未満の場合に
は絶縁抵抗が１×１０5 ＭΩよりも小さくなり、モル分
率ｘが０．１を越える場合には、室温における比誘電率
εｒが１００００未満と小さくなるからである。また、
ｙを０．１＜ｙ＜０．２６としたのは、モル分率ｙが
０．１以下や０．２６以上の場合、室温における比誘電
率εｒが１００００未満と小さくなるからである。
【００１９】従って、Ｙ５Ｖ特性を満足し、１００００
以上の高い比誘電率を維持し、かつ小型・大容量の積層
コンデンサをはじめとする各種コンデンサを得るために
は、ｘの値は０．０１〜０．１以下、ｙの値は０．１を
越え０．２６未満に特定され、とりわけｘの値は０．０
３〜０．０８、ｙの値は０．１８〜０．２０の範囲が望
ましいものである。
以上の高い比誘電率を維持し、かつ小型・大容量の積層
コンデンサをはじめとする各種コンデンサを得るために
は、ｘの値は０．０１〜０．１以下、ｙの値は０．１を
越え０．２６未満に特定され、とりわけｘの値は０．０
３〜０．０８、ｙの値は０．１８〜０．２０の範囲が望
ましいものである。
【００２０】また、酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）は、
誘電体磁器組成物の比誘電率と絶縁抵抗を調整するもの
であり、その含有量が上記した主成分１００重量部に対
して、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜１．
０重量部含有せしめたのは、０．２重量部未満では比誘
電率が９０００未満と小さくなり実用範囲外となる。
誘電体磁器組成物の比誘電率と絶縁抵抗を調整するもの
であり、その含有量が上記した主成分１００重量部に対
して、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜１．
０重量部含有せしめたのは、０．２重量部未満では比誘
電率が９０００未満と小さくなり実用範囲外となる。
【００２１】また１．０重量部を越えると、室温におけ
る比誘電率εが９０００未満と小さくなり、絶縁抵抗Ｉ
Ｒが大きく低下してしまい実用範囲外となるため、０．
２〜１．０重量部に特定され、より望ましくは０．３〜
０．６重量部となる。
る比誘電率εが９０００未満と小さくなり、絶縁抵抗Ｉ
Ｒが大きく低下してしまい実用範囲外となるため、０．
２〜１．０重量部に特定され、より望ましくは０．３〜
０．６重量部となる。
【００２２】更に、マンガン化合物は、例えば誘電体磁
器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善し、絶縁抵抗を改善
するものである。その含有量を主成分１００重量部に対
して、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．０６〜０．
６重量部含有せしめたのは、酸化マンガンが０．０６重
量部未満では誘電損失ｔａｎδが１％以上と大となり、
絶縁抵抗も実用範囲外となる。また０．６重量部を越え
ると、比誘電率が９０００以下となるからである。従っ
て、マンガン化合物の含有量は、主成分１００重量部に
対して、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）に換算して０．０６
〜０．６重量部に限定され、特に０．１５〜０．３重量
部が望ましい。
器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善し、絶縁抵抗を改善
するものである。その含有量を主成分１００重量部に対
して、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．０６〜０．
６重量部含有せしめたのは、酸化マンガンが０．０６重
量部未満では誘電損失ｔａｎδが１％以上と大となり、
絶縁抵抗も実用範囲外となる。また０．６重量部を越え
ると、比誘電率が９０００以下となるからである。従っ
て、マンガン化合物の含有量は、主成分１００重量部に
対して、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）に換算して０．０６
〜０．６重量部に限定され、特に０．１５〜０．３重量
部が望ましい。
【００２３】一方、アルミナ化合物は、例えば誘電体磁
器組成物の焼結性を向上させるために含有させるもので
あり、主成分１００重量部に対して、アルミナをＡｌ2
Ｏ3換算で０．１〜１．０重量部含有せしめたのは、酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）に換算して０．１重量部
未満では比誘電率が１００００以下と低下し、１．０重
量部を越えると、誘電損失ｔａｎδが１．０％を越え
て、比誘電率が９０００以下となってしまう。含有量は
０．１〜１．０重量部に特定され、より望ましくは０．
２〜０．４重量部が望ましい。
器組成物の焼結性を向上させるために含有させるもので
あり、主成分１００重量部に対して、アルミナをＡｌ2
Ｏ3換算で０．１〜１．０重量部含有せしめたのは、酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3）に換算して０．１重量部
未満では比誘電率が１００００以下と低下し、１．０重
量部を越えると、誘電損失ｔａｎδが１．０％を越え
て、比誘電率が９０００以下となってしまう。含有量は
０．１〜１．０重量部に特定され、より望ましくは０．
２〜０．４重量部が望ましい。
【００２４】また、酸化ニッケル（ＮｉＯ）は、誘電体
磁器組成物の絶縁抵抗を調整するものであり、その含有
量を主成分１００重量部に対してＮｉＯ換算で０．１〜
１．０重量部含有せしめたのは、０．１重量部未満で
は、絶縁抵抗が実用以下となり、１．００重量部を越え
ると比誘電率が９０００以下となってしまう。含有量は
０．１〜１．０重量部に限定され、より望ましくは、
０．２〜０．６重量部が望ましい。
磁器組成物の絶縁抵抗を調整するものであり、その含有
量を主成分１００重量部に対してＮｉＯ換算で０．１〜
１．０重量部含有せしめたのは、０．１重量部未満で
は、絶縁抵抗が実用以下となり、１．００重量部を越え
ると比誘電率が９０００以下となってしまう。含有量は
０．１〜１．０重量部に限定され、より望ましくは、
０．２〜０．６重量部が望ましい。
【００２５】また、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 を含有せしめた
のは、誘電体磁器組成物の焼成温度を低下させ、信頼性
（高温負荷試験）を向上させるためであり、（１- α）
Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるものを０．１〜１．０
重量部含有せしめたのは、０．１重量部未満では１３０
０℃以上にならないと焼結せず、信頼性も低下する。
のは、誘電体磁器組成物の焼成温度を低下させ、信頼性
（高温負荷試験）を向上させるためであり、（１- α）
Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるものを０．１〜１．０
重量部含有せしめたのは、０．１重量部未満では１３０
０℃以上にならないと焼結せず、信頼性も低下する。
【００２６】１．０重量部より多いと比誘電率が９００
０以下となってしまう。含有量は０．１〜１．０重量部
に限定され、特に０．２〜０．５重量部が望ましい。
０以下となってしまう。含有量は０．１〜１．０重量部
に限定され、特に０．２〜０．５重量部が望ましい。
【００２７】Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 の混合比を決めるα
は、０．３以下の時は、比誘電率が９０００以下とな
り、０．７以上の時は絶縁抵抗が小さくなる傾向にあ
る。特に０．４〜０．６が望ましい。
は、０．３以下の時は、比誘電率が９０００以下とな
り、０．７以上の時は絶縁抵抗が小さくなる傾向にあ
る。特に０．４〜０．６が望ましい。
【００２８】本発明の誘電体磁器組成物は、金属元素酸
化物の組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）
Ｏ3 と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０３≦ｘ≦０．
０８、０．１８≦ｙ≦０．２０を満足する主成分と、該
主成分１００重量部に対して、酸化イットリウムをＹ2
Ｏ3 換算で０．３〜０．６重量部、マンガン化合物をＭ
ｎＯ2 換算で０．１５〜０．３重量部、アルミナをＡｌ
2 Ｏ3 換算で０．２〜０．４重量部、酸化ニッケルをＮ
ｉＯ換算で０．２〜０．６重量部、更に（１-α）Ｌｉ
2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるものを０．２〜０．５重量
部含有してなり、０．４≦α≦０．６を満足することが
望ましい。
化物の組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）
Ｏ3 と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０３≦ｘ≦０．
０８、０．１８≦ｙ≦０．２０を満足する主成分と、該
主成分１００重量部に対して、酸化イットリウムをＹ2
Ｏ3 換算で０．３〜０．６重量部、マンガン化合物をＭ
ｎＯ2 換算で０．１５〜０．３重量部、アルミナをＡｌ
2 Ｏ3 換算で０．２〜０．４重量部、酸化ニッケルをＮ
ｉＯ換算で０．２〜０．６重量部、更に（１-α）Ｌｉ
2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるものを０．２〜０．５重量
部含有してなり、０．４≦α≦０．６を満足することが
望ましい。
【００２９】本発明の誘電体磁器組成物からなる磁器
は、通常、結晶相として、Ｙ、Ａｌ、Ｎｉが固溶した
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 相が主結晶
相となり、この主結晶相の粒界にＭｎＯ2 相および（１
- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるガラスが存在す
る。尚、Ｙ、Ａｌ、Ｎｉが固溶した（Ｂａ1-x Ｃａx ）
（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 相が主結晶相で、これらの結晶
相の粒界に、Ｙ2 Ｏ3 相、Ａｌ2 Ｏ3 相、ＮｉＯ相、Ｍ
ｎＯ2 相が存在することもある。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｓｉ
Ｏ2 は、主結晶相中に固溶することもある。
は、通常、結晶相として、Ｙ、Ａｌ、Ｎｉが固溶した
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 相が主結晶
相となり、この主結晶相の粒界にＭｎＯ2 相および（１
- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2 で表されるガラスが存在す
る。尚、Ｙ、Ａｌ、Ｎｉが固溶した（Ｂａ1-x Ｃａx ）
（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 相が主結晶相で、これらの結晶
相の粒界に、Ｙ2 Ｏ3 相、Ａｌ2 Ｏ3 相、ＮｉＯ相、Ｍ
ｎＯ2 相が存在することもある。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｓｉ
Ｏ2 は、主結晶相中に固溶することもある。
【００３０】また、主結晶の平均結晶粒径は、２〜４μ
ｍであることが、信頼性（薄層化）という観点から望ま
しい。
ｍであることが、信頼性（薄層化）という観点から望ま
しい。
【００３１】本発明の誘電体磁器組成物は、不純物とし
てＳｒＯ等が混入する場合があり、また、粉砕ボールか
らＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 等が混入する場合もある。
てＳｒＯ等が混入する場合があり、また、粉砕ボールか
らＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 等が混入する場合もある。
【００３２】本発明の誘電体磁器組成物は、モル分率ｘ
が０．０１〜０．１、モル分率ｙが０．１を越え０．２
６未満で平均粒径が１μｍ以下である（Ｂａ1-x Ｃ
ａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 粉末を用い、この（Ｂａ
1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 粉末１００重量部
に対して、イットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）、マンガン化合物
（ＭｎＣＯ3 ）、ニッケル化合物（ＮｉＯ）、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）及びＳｉＯ2、Ｌｉ2 Ｏの各粉末を所定
量添加し、それらの混合粉末を、例えばＺｒＯ2 ボール
を用いたボールミルにて湿式混合粉砕する。
が０．０１〜０．１、モル分率ｙが０．１を越え０．２
６未満で平均粒径が１μｍ以下である（Ｂａ1-x Ｃ
ａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 粉末を用い、この（Ｂａ
1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 粉末１００重量部
に対して、イットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）、マンガン化合物
（ＭｎＣＯ3 ）、ニッケル化合物（ＮｉＯ）、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）及びＳｉＯ2、Ｌｉ2 Ｏの各粉末を所定
量添加し、それらの混合粉末を、例えばＺｒＯ2 ボール
を用いたボールミルにて湿式混合粉砕する。
【００３３】次いで、前記混合粉砕物に有機系粘結剤と
媒体から成るバインダーを添加して攪拌してセラミック
泥漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、
該泥漿を用いてドクターブレード法により台板上に所定
厚さの誘電体層の成形膜を作製した。この工程を繰り返
し誘電体層の成形膜を塗り重ね、積層成形体を作製し、
該積層体を還元雰囲気中で１１００〜１３００℃の範囲
の各温度で１〜３時間焼成した後、大気中において８０
０〜９００℃で０．５〜３時間再酸化処理することによ
り得られる。
媒体から成るバインダーを添加して攪拌してセラミック
泥漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、
該泥漿を用いてドクターブレード法により台板上に所定
厚さの誘電体層の成形膜を作製した。この工程を繰り返
し誘電体層の成形膜を塗り重ね、積層成形体を作製し、
該積層体を還元雰囲気中で１１００〜１３００℃の範囲
の各温度で１〜３時間焼成した後、大気中において８０
０〜９００℃で０．５〜３時間再酸化処理することによ
り得られる。
【００３４】
【実施例】先ず、出発原料としてチタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ3 ）とカルシア（ＣａＯ）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2 ）により、モル分率ｘが０〜０．１１、モル分率ｙ
が０．１〜０．２６未満で平均粒径が１μｍ以下である
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 からなる主
成分を作製する。この主成分１００重量部に対して、イ
ットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）、マンガン化合物（ＭｎＣ
Ｏ3 ）、ニッケル化合物（ＮｉＯ）、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）及びＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの各粉末を、表１，２に
示す量（重量部）だけ秤量し、それらの粉末をＺｒＯ2
ボールを用いたボールミルにて２０時間湿式混合粉砕し
た。
ａＴｉＯ3 ）とカルシア（ＣａＯ）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2 ）により、モル分率ｘが０〜０．１１、モル分率ｙ
が０．１〜０．２６未満で平均粒径が１μｍ以下である
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 からなる主
成分を作製する。この主成分１００重量部に対して、イ
ットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）、マンガン化合物（ＭｎＣ
Ｏ3 ）、ニッケル化合物（ＮｉＯ）、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）及びＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの各粉末を、表１，２に
示す量（重量部）だけ秤量し、それらの粉末をＺｒＯ2
ボールを用いたボールミルにて２０時間湿式混合粉砕し
た。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】次いで、混合粉砕物に有機系粘結剤と媒体
から成るバインダーを添加し攪拌してセラミック泥漿を
調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、該泥漿
を用いてドクターブレード法により台板上に厚さ約１０
μｍの成形膜を作製した。乾燥後繰り返し成形膜を１０
０回塗り重ね厚さ１ｍｍの積層体を作製し、該積層体を
直径２０ｍｍの円板状に打ち抜き、還元雰囲気中で表
３、４で示す温度で２時間焼成した後、大気中８００℃
で１時間再酸化処理した。
から成るバインダーを添加し攪拌してセラミック泥漿を
調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、該泥漿
を用いてドクターブレード法により台板上に厚さ約１０
μｍの成形膜を作製した。乾燥後繰り返し成形膜を１０
０回塗り重ね厚さ１ｍｍの積層体を作製し、該積層体を
直径２０ｍｍの円板状に打ち抜き、還元雰囲気中で表
３、４で示す温度で２時間焼成した後、大気中８００℃
で１時間再酸化処理した。
【００３８】その後、円板状焼結体の両端面にＩｎーＧ
ａを塗布し、評価用試料とした。
ａを塗布し、評価用試料とした。
【００３９】かくして得られた評価用試料を用い、先
ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧
１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、評価用試料の比誘電率ε
ｒ及び誘電損失ｔａｎδを測定し、更に、直流電圧５０
Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定した。
ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧
１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、評価用試料の比誘電率ε
ｒ及び誘電損失ｔａｎδを測定し、更に、直流電圧５０
Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定した。
【００４０】測定結果から、比誘電率εが１００００未
満では、例えば積層型セラミックコンデンサでは小型化
ができないため、１００００以上を良とし、更に、誘電
損失ｔａｎδは、１．０％以上になると、例えばコンデ
ンサのチップ化が困難となる等のため、１．０％未満を
良と評価した。一方、絶縁抵抗ＩＲは、１．０×１０5
ＭΩ未満では、積層型セラミックコンデンサとして絶縁
抵抗の規格を満足せず、絶縁不良となるため、１．０×
１０5 ＭΩ以上を良と評価した。
満では、例えば積層型セラミックコンデンサでは小型化
ができないため、１００００以上を良とし、更に、誘電
損失ｔａｎδは、１．０％以上になると、例えばコンデ
ンサのチップ化が困難となる等のため、１．０％未満を
良と評価した。一方、絶縁抵抗ＩＲは、１．０×１０5
ＭΩ未満では、積層型セラミックコンデンサとして絶縁
抵抗の規格を満足せず、絶縁不良となるため、１．０×
１０5 ＭΩ以上を良と評価した。
【００４１】更に、アルキメデス法で密度を測定し、該
密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
１２００℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は５．７ｇ／ｃｍ3 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表３，４に示す。
密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
１２００℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は５．７ｇ／ｃｍ3 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表３，４に示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】表３，４から明らかなように、試料番号
１、２０、２１、３６、５８では絶縁抵抗が規格外とな
り、試料番号４５は焼成温度が１３１０℃となってい
る。また、試料番号１、９、２１、３５、３６、５８
は、誘電損失が１．００％以上と大きい。さらに、試料
８、９、１３、１４、２０、２７、２８、３５、４４、
４５、５４、５５は比誘電率が１００００より小さくな
り積層セラミックコンデンサの小型化ができない。
１、２０、２１、３６、５８では絶縁抵抗が規格外とな
り、試料番号４５は焼成温度が１３１０℃となってい
る。また、試料番号１、９、２１、３５、３６、５８
は、誘電損失が１．００％以上と大きい。さらに、試料
８、９、１３、１４、２０、２７、２８、３５、４４、
４５、５４、５５は比誘電率が１００００より小さくな
り積層セラミックコンデンサの小型化ができない。
【００４５】それに対して、本願発明の試料番号のもの
は、比誘電率が１００００以上と高く、焼成温度は１２
００℃以下と低く、誘電損失も１．００％以下、密度は
５．７ｇ／ｃｍ3 以上、更に絶縁抵抗も１．０×１０5
ＭΩといずれの要求特性をも満足するものになってい
る。
は、比誘電率が１００００以上と高く、焼成温度は１２
００℃以下と低く、誘電損失も１．００％以下、密度は
５．７ｇ／ｃｍ3 以上、更に絶縁抵抗も１．０×１０5
ＭΩといずれの要求特性をも満足するものになってい
る。
【００４６】次に、表１，２に示す組成で上記と同様に
して調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ７μ
ｍの各成形膜上に、Ｎｉ粉末から成る内部電極用ペース
トを用いて電極を所定形状にスクリーン印刷した後、成
形膜を塗り重ね、印刷→成形膜をそれぞれ２０回繰り返
した。こうして得られた積層体を、所定寸法に切断して
グリーンチップを作製した。
して調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ７μ
ｍの各成形膜上に、Ｎｉ粉末から成る内部電極用ペース
トを用いて電極を所定形状にスクリーン印刷した後、成
形膜を塗り重ね、印刷→成形膜をそれぞれ２０回繰り返
した。こうして得られた積層体を、所定寸法に切断して
グリーンチップを作製した。
【００４７】得られたグリーンチップを大気中、４００
℃の温度で２時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表３，
４に示す焼成温度で還元雰囲気中２時間保持して焼成し
た後、Ａｉｒ雰囲気中で８００℃１時間酸化処理を行っ
た。
℃の温度で２時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表３，
４に示す焼成温度で還元雰囲気中２時間保持して焼成し
た後、Ａｉｒ雰囲気中で８００℃１時間酸化処理を行っ
た。
【００４８】その後、Ｃｕから成る外部取り出し電極を
焼き付け、評価用のチップコンデンサを作製した。
焼き付け、評価用のチップコンデンサを作製した。
【００４９】尚、前記評価用チップコンデンサの誘電体
層一層の厚さは、いずれも５μｍであり、型式２１２５
型、有効積層数２０層であった。
層一層の厚さは、いずれも５μｍであり、型式２１２５
型、有効積層数２０層であった。
【００５０】かくして得られた評価用チップコンデンサ
を用い、先ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、評価用チップコ
ンデンサの静電容量及び誘電損失を測定し、基準温度２
５℃の静電容量に対する−３０℃から＋８５℃までの温
度における静電容量の温度変化率ＴＣＣを測定した。
を用い、先ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、評価用チップコ
ンデンサの静電容量及び誘電損失を測定し、基準温度２
５℃の静電容量に対する−３０℃から＋８５℃までの温
度における静電容量の温度変化率ＴＣＣを測定した。
【００５１】さらに、８５℃で電界強度が１．２×１０
4 Ｖ／ｍｍの直流電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を
行った。この高温負荷試験は、３００個の評価用チップ
コンデンサについて行い、最初にショートとしたチップ
コンデンサの、電圧印加開始からショートに至るまでの
時間を測定することにより行った。
4 Ｖ／ｍｍの直流電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を
行った。この高温負荷試験は、３００個の評価用チップ
コンデンサについて行い、最初にショートとしたチップ
コンデンサの、電圧印加開始からショートに至るまでの
時間を測定することにより行った。
【００５２】高温負荷試験は、４０時間未満に不良が発
生した場合、積層型セラミックコンデンサの規格を満足
しなくなることから、４０時間以上不良が発生しないこ
とを良とした。
生した場合、積層型セラミックコンデンサの規格を満足
しなくなることから、４０時間以上不良が発生しないこ
とを良とした。
【００５３】
【表５】
【００５４】
【表６】
【００５５】表５，６から明らかなように、試料番号１
では温度特性ＴＣＣが規格外となり、試料９、１３も規
格を満足しない。規格に適合しても例えば、試料番号
８、１４、２０、２７、２８、３５、４４、５４、５５
は、いずれも静電容量が３５０ｎＦ未満と小さく、積層
型セラミックコンデンサの小型化が実現できない。
では温度特性ＴＣＣが規格外となり、試料９、１３も規
格を満足しない。規格に適合しても例えば、試料番号
８、１４、２０、２７、２８、３５、４４、５４、５５
は、いずれも静電容量が３５０ｎＦ未満と小さく、積層
型セラミックコンデンサの小型化が実現できない。
【００５６】また、試料番号１、９、１４、２１、３
５、３６、５８は、誘電損失が７．５％以上となって実
用範囲外となっている。
５、３６、５８は、誘電損失が７．５％以上となって実
用範囲外となっている。
【００５７】それに対して、本願発明の試料番号のチッ
プコンデンサは、いずれも静電容量が３５０ｎＦ以上と
高く、焼成温度も１２００℃以下と低く、かつ誘電損失
も７．５％以下と小さく、温度特性もＹ５Ｖ特性を満足
する。
プコンデンサは、いずれも静電容量が３５０ｎＦ以上と
高く、焼成温度も１２００℃以下と低く、かつ誘電損失
も７．５％以下と小さく、温度特性もＹ５Ｖ特性を満足
する。
【００５８】また、 また、（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳ
ｉＯ2 を含有しない試料Ｎo.４５では、高温負荷試験に
おいて４０時間未満に不良が発生することが判る。そし
て、この試料Ｎo.４５では、誘電体層の薄層化に伴う導
電性ペーストの収縮で、内部電極にデラミネーションが
発生し、信頼性が悪くなることが判る。尚、高温負荷試
験において４０時間未満に不良が発生する試料Ｎo.１、
２０、２１、３６、５８については、絶縁抵抗の低下に
よる不良である。
ｉＯ2 を含有しない試料Ｎo.４５では、高温負荷試験に
おいて４０時間未満に不良が発生することが判る。そし
て、この試料Ｎo.４５では、誘電体層の薄層化に伴う導
電性ペーストの収縮で、内部電極にデラミネーションが
発生し、信頼性が悪くなることが判る。尚、高温負荷試
験において４０時間未満に不良が発生する試料Ｎo.１、
２０、２１、３６、５８については、絶縁抵抗の低下に
よる不良である。
【００５９】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、チタンジ
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とし、該主成分に酸化イットリウム、アルミナ、酸化
ニッケル、マンガン化合物、さらにＬｉ2 ＯとＳｉＯ2
を含有させたことから、比誘電率が１００００以上、還
元雰囲気中で１２００℃未満の低温焼成が可能で、厚さ
５μｍ以下の薄板表面が平滑で緻密な薄板状焼結体を得
ることができるとともに、積層セラミックコンデンサを
製造した際、誘電体層の厚みを５μｍ以下とした場合で
も高温負荷寿命が長く、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足
し、安価な内部電極材料を用いた小型・大容量の積層型
セラミックコンデンサをはじめ、各種コンデンサに適用
できる誘電体磁器組成物を得ることができる。
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とし、該主成分に酸化イットリウム、アルミナ、酸化
ニッケル、マンガン化合物、さらにＬｉ2 ＯとＳｉＯ2
を含有させたことから、比誘電率が１００００以上、還
元雰囲気中で１２００℃未満の低温焼成が可能で、厚さ
５μｍ以下の薄板表面が平滑で緻密な薄板状焼結体を得
ることができるとともに、積層セラミックコンデンサを
製造した際、誘電体層の厚みを５μｍ以下とした場合で
も高温負荷寿命が長く、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足
し、安価な内部電極材料を用いた小型・大容量の積層型
セラミックコンデンサをはじめ、各種コンデンサに適用
できる誘電体磁器組成物を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔ
ｉおよびＺｒを含有し、これらの金属元素酸化物の組成
式を （Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 と表した時、前記ｘ、ｙがそれぞれ ０．０１≦ｘ≦０．１０ ０．１０＜ｙ＜０．２６ を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対して、
酸化イットリウムをＹ2Ｏ3 換算で０．２〜１．０重量
部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．０６〜０．６
重量部、アルミナをＡｌ2 Ｏ3 換算で０．１〜１．０重
量部、酸化ニッケルをＮｉＯ換算で０．１〜１．０重量
部、更に（１- α）Ｌｉ2 Ｏ−αＳｉＯ2（０．３＜α
＜０．７ モル比）を０．１〜１．０重量部含有してな
ることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29039596A JP3634930B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29039596A JP3634930B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10139538A true JPH10139538A (ja) | 1998-05-26 |
| JP3634930B2 JP3634930B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=17755463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29039596A Expired - Fee Related JP3634930B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3634930B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466072B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2005-01-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 |
| KR100475347B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2005-03-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 자기 조성물 및 그것을 사용한 커패시터 |
| KR100772794B1 (ko) | 2005-01-20 | 2007-11-01 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 |
| JP2008053278A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| US20120113562A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition having high dielectric constant, multi layered ceramic condensers comprising the same, and method of preparing for multi layered ceramic condensers |
| US20120147524A1 (en) * | 2009-09-07 | 2012-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP29039596A patent/JP3634930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475347B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2005-03-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 자기 조성물 및 그것을 사용한 커패시터 |
| US6960547B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-11-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Dielectric ceramic composition and capacitor using the same |
| KR100466072B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2005-01-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 |
| KR100772794B1 (ko) | 2005-01-20 | 2007-11-01 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 |
| JP2008053278A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| US20120147524A1 (en) * | 2009-09-07 | 2012-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor |
| US8592335B2 (en) * | 2009-09-07 | 2013-11-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor |
| US20120113562A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition having high dielectric constant, multi layered ceramic condensers comprising the same, and method of preparing for multi layered ceramic condensers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3634930B2 (ja) | 2005-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0851444B1 (en) | Ceramic composition and multilayer ceramic capacitor made therefrom | |
| EP0992469B1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor | |
| JP3039397B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| EP0977217B1 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor | |
| JP4491794B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| US7271115B2 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor | |
| JP3180690B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4805938B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
| JP3503568B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001006966A (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001039765A (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JPH1012479A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001351828A (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001143955A (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JPH09232180A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH1083931A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2007258661A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 | |
| JPH10199748A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3603607B2 (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH10247609A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3319273B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2004182582A (ja) | 低温焼成誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックキャパシター | |
| JPH10139538A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH11302071A (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2006232629A (ja) | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041115 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041221 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |