JPH042032A - 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法

Info

Publication number
JPH042032A
JPH042032A JP2102375A JP10237590A JPH042032A JP H042032 A JPH042032 A JP H042032A JP 2102375 A JP2102375 A JP 2102375A JP 10237590 A JP10237590 A JP 10237590A JP H042032 A JPH042032 A JP H042032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
stored
specimen
phase difference
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2102375A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Asari
浅利 敏弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2102375A priority Critical patent/JPH042032A/ja
Publication of JPH042032A publication Critical patent/JPH042032A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、走査電子顕微鏡などにおける試料ステージの
制御方法に関する。
(従来の技術) 走査電子顕微鏡などにおいては、試料をX、Y方向に水
平移動させると共に、試料を傾斜させて観察することも
行っている。そのため、試料ステージは、傾斜機構と、
傾斜機構の上にXY水平移動機構とを備えており、試料
を水平移動機構の上にセットするようにしている。
(発明が解決しようとする課題) 第2図は、試料の傾斜と観察位置との関係を説明するた
めの図であり、Aが試料ステージの傾斜回転軸であり、
Sは傾斜角が零のときの試料面である。今、回転軸Aか
ら距離す離れた試料面位置pに光軸Oがあり、p部分の
観察を行い、その後、試料ステージを角度θ回転させる
と、試料面Sは、図中点線で示すS′となり、観察位置
pはp′に示すように光軸O(今までの観察位置)から
ΔX離れてしまい、視野の逃げが生じることになる。
従って、ステージの傾斜を行った後に、XY水平移動機
構を用いてp′が光軸直下にくるように制御(ユーセン
トリック制御)しなければならない。
以下、この制御方法について述べる。
まず、走査電子顕微鏡の観察画面を人間が見ながら、傾
斜角θのときの像の移動量ΔXを求める。
ここで、像の移動量ΔXは、zlを傾斜軸Aに対する試
料面の高さとすると、次の関係がある。
ΔXI!z1  tanθ 従って、 2、−Δx/lanθ となり、ΔXとθとから、試料面の高さが求められる。
その後、試料を任意の角度回転させた場合には、そのと
きの角度と既に求められた試料面の高さ2.とから、コ
ンピュータによって像の移動量ΔXを求め、このΔXに
よって水平移動機構を自動的に制御し、傾斜前の視野を
光軸直下に移動させるようにしている。
しかしながら、上記した制御方法は、試料面の高さzl
を求めるステップか自動化されておらず、人間の像観察
によって行わねばならないので、大変不便である。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目
的は、自動的にユーセントリック制御を行うことができ
る荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法
を実現するにある。
(課題を解決するための手段) 本発明に基づく荷電粒子ビーム装置における試料ステー
ジの制御方法は、傾斜機構の上に試料をX、Y両方向に
水平移動させる機構を備えたステージの制御方法であっ
て、試料の特徴部分を傾斜機構による傾斜軸上に移動さ
せ、傾斜機構による試料の傾斜角が零のとき、該特徴部
分を直線状に走査し、この走査に基づく検出信号を記憶
し、傾斜機構による試料の傾斜角を一定角度に設定した
後、該特徴部分を荷電粒♀ビームによって直線状に走査
し、この走査に基づく検出信号を記憶し、記憶された2
種の検出信号の位相差を求め、この位相差に基づいて試
料面の傾斜軸からの高さ(21)を求め、その後、光軸
から任意の距離(b)離れた位置の観察に際して、試料
を所定角度(θ)傾斜させたとき、高さz1、距離b1
角度θに基づき、自動的に試料の観察点を光軸に移動さ
せるようにしたことを特徴としている。
(作用) 試料ステージの傾斜軸と光軸とを合せ、試料上のマーク
などの特徴部分を光軸下に配置し、傾斜角が零のとき、
特徴部分を荷電粒子ビームによって直線状に走査して検
出信号を得、次に、試料を傾斜させて同じ特徴部分を荷
電粒子ビームによって直線状に走査して検出信号を得、
2種の検出信号の位相差から試料面の高さを求め、その
後、任意の試料面の傾斜観察に際しては、この求めた高
さ、傾斜角度、観察部の光軸からの距離によって試料の
水平移動を自動的に行う。
(実施例) 以下、第1図を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。第1図は本発明に基づく試料ステージ制御方法を実
施する走査電子顕微鏡の一例を示しており、電子ビーム
EBは、偏向器1によって偏向される。2は試料であり
、Z方向の垂直移動機構の上に傾斜機構があり、傾斜機
構の上にXY水平移動機構が備えられている試料ステー
ジ3上に載せられている。偏向器1へは、コンピュータ
4によって制御される偏向器制御ユニット5から偏向信
号が供給され、それに基づいて電子ビームEBは試料2
上で走査される。試料2への電子ビームの照射によって
発生した、例えば、反射電子は、検出器6によって検出
され、その検出信号は増幅器7によって増幅され、AD
変換器8によってディジタル信号に変換された後、第1
の波形メモリ9に供給されて記憶される。第1の波形メ
モリ9には、偏向器制御ユニット5から参照信号が供給
されている。波形メモリ9に記憶された信号は、コンピ
ュータ4の指令により、第2の波形メモリ10か第3の
波形メモリ11のいずれかに供給されて記憶される。第
2と第3の波形メモリ10.11に記憶された信号は、
位相差検出ユニ、yト12に供給され、両信号の位相差
が求められる。
この位相差に応じた信号は、コンピュータ4に供給され
る。なお、コンピュータ4は、試料ステージ3の制御ユ
ニット13をも制御している。
上述した構成で、まず、試料2の特徴部分、例えばマー
クをステージの中心(傾斜軸A上)に移動させ、マーク
を横切って電子ビームを直線状に走査する。このとき、
試料の傾斜角は零にされている。この走査に伴って得ら
れた反射電子は、検出器6によって検出され、AD変換
器8によってディジタル信号に変換されて第1の波形メ
モリ9に供給され、電子ビームの走査位置に応じて記憶
される。この直線状の電子ビームの走査は、検出信号の
SN比を高めるために多数回行われ、各走査位置に応じ
た検出信号は、第1の波形メモリ9で積算される。積算
された後、第1の波形メモリ9に記憶された信号は、第
2の波形メモリ10に転送されて記憶される。
次に、コンピュータ4からの指令によってステージ制御
ユニット13を制御し、ステージ3の傾斜機構を駆動し
、試料を角度θ傾ける。この段階で、再びマークを横切
って電子ビームを直線状に走査し、走査に伴って検出さ
れた信号をAD変換器8を介して第1の波形メモリ9に
供給して記憶する。この第1の波形メモリ9では、検出
信号を積算し、所定回数の電子ビームの像線状の走査か
終了した後、第1の波形メモリ9に記憶された信号は、
第3の波形メモリ12に転送されて記憶される。次に、
上述した第2と第3の波形メモリ10.11に記憶され
た信号の位相差が位相差検出ユニット12によって求め
られる。ここで、Xを電子ビームの走査位置とし、第2
の波形メモリ11の波形データをf(x)、第3の波形
メモリ11の波形データをg (x)とする。この2種
の波形の自己相関R(i)を位相差検出ユニット12に
よって求めるが、R(i)は、次のように表すことがで
きる。
R(f)  −Σf  (j)  ・g  (i+j)
・・・ (1) 位相差検出ユニット12は、上記(1)式に示す演算、
すなわち、f (x)とg (x)のアドレスをiだけ
ずらして互いに乗算し、その和を計算する。そして、m
をメモリアドレスの最大値とすると、 i−−(m−n)  ・・・、 0.・・・、(m−n
)の範纏でR(i)が最大となったときのiの値(ΔX
)が求められる。すなわち、このiの値が、試料面の傾
斜角が00と傾斜角がθのときの検出信号の波形の位相
差(X方向の像のずれ量)となる。
ここで、位相差ΔXは、第2図から次のように表すこと
ができる。
Δxwb+z+   tanθ−b/cosθ・・・ 
(2) 上式で、未知変数はzlとbであるが、上記位相差を求
めた時、マークをステージの中心(傾斜軸上)に配置し
たため、b−oとなる。従って、(2)式は、 Δx −z 、    tanθ となり、 zl−Δx/lanθ が導かれ、試料面の高さzlが計算によって求めること
ができるようになる。
上記したステップで、試料面の高さzlが自動的に求め
られ、その後、任意の部分(傾斜軸から距離す離れた位
置)の試料部分を傾斜して観察する場合、傾斜が零の場
合からのX方向の観察位置の移動量は、上記(2)式に
よって求められ、その移動量分X方向に試料が移動させ
られる。この結果、光軸直下に観察部分が位置させ、ユ
ーセントリック制御を行うことができ、試料を傾斜させ
ても像の逃げを防止することができる。また、Z方向の
高さのずれ量Δ2は、次式によって求められる。
Δz−b”tanθ+Zr   z+/cosθこの求
めたΔ2の値によってZ方向にステージを駆動し、傾斜
前と傾斜後の試料を同一高さで観察を行うことができる
以上本発明の詳細な説明したか、本発明はこの実施例に
限定されない。例えば、反射電子を検出するようにした
が2次電子を検出するようにしても良い。また、走査電
子顕微鏡を例に説明したが、イオンビーム装置などにも
本発明を適用することができる。更に、試料面の高さを
求めるときにマークを走査するようにしたが、マーク以
外の試料上の特徴点を用いても良い。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明では、試料ステー
ジの傾斜軸と光軸とを合せ、試料上のマークなどの特徴
部分を光軸下に配置し、傾斜角か零のとき、特徴部分を
荷電粒子ビームによって直線状に走査として検出信号を
得、次に、試料を傾斜させて同じ特徴部分を荷電粒子ビ
ームによって直線状に走査して検出信号を得、2種の検
出信号の位相差から試料面の高さを求め、その後、任意
の試料面の傾斜観察に際しては、この求めた高さ、傾斜
角度、観察部の光軸からの距離によって試料の水平移動
を自動的に行うようにしたので、試料ステージのユーセ
ントリック制御を全て自動的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に基づくステージ制御方法を実施する
ための走査電子顕微鏡を示す図、第2図は、試料の傾斜
と観察位置との関係を説明するための図である。 1・・・偏向器      2・・・試料3・・・試料
ステージ   4・・・コンピュータ5・・・偏向器制
御ユニット 6・・・検出器      7・・・増幅器8・・・A
D変換器 9.10.11・・・波形メモリ 12・・・位相差検出ユニット 13・・・ステージ制御ユニット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 傾斜機構の上に試料をX、Y両方向に水平移動させる機
    構を備えた荷電粒子ビーム装置における試料ステージの
    制御方法であって、試料の特徴部分を傾斜機構による傾
    斜軸上に移動させ、傾斜機構による試料の傾斜角が零の
    とき、該特徴部分を直線状に走査し、この走査に基づく
    検出信号を記憶し、傾斜機構による試料の傾斜角を一定
    角度に設定した後、該特徴部分を荷電粒子ビームによっ
    て直線状に走査し、この走査に基づく検出信号を記憶し
    、記憶された2種の検出信号の位相差を求め、この位相
    差に基づいて試料面の傾斜軸からの高さ(z_1)を求
    め、その後、光軸から任意の距離(b)離れた位置の観
    察に際して、試料を所定角度(θ)傾斜させたとき、高
    さz_1、距離b、角度θに基づき、自動的に試料の観
    察点を光軸に移動させるようにした荷電粒子ビーム装置
    における試料ステージの制御方法。
JP2102375A 1990-04-18 1990-04-18 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法 Pending JPH042032A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2102375A JPH042032A (ja) 1990-04-18 1990-04-18 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2102375A JPH042032A (ja) 1990-04-18 1990-04-18 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH042032A true JPH042032A (ja) 1992-01-07

Family

ID=14325716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2102375A Pending JPH042032A (ja) 1990-04-18 1990-04-18 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH042032A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192741A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sharp Corp 元素分析方法及び元素分析装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192741A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sharp Corp 元素分析方法及び元素分析装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3602646B2 (ja) 試料の寸法測定装置
JPH09184714A (ja) パターン寸法測定方法
JPH07176285A (ja) 走査電子顕微鏡の自動焦点合わせ装置
TWI809319B (zh) 圖像調整方法及帶電粒子束系統
JP6994897B2 (ja) 電子顕微鏡および試料傾斜角の調整方法
US8309920B2 (en) Sample milling/observing apparatus and method of observing sample
JPH1140096A (ja) 粒子ビーム検査装置および検査方法並びに粒子ビーム応用装置
JP2010212067A (ja) 電子顕微鏡の自動試料傾斜装置
JPH02234336A (ja) 走査電子顕微鏡
JPH042032A (ja) 荷電粒子ビーム装置における試料ステージの制御方法
JP2005276639A (ja) 走査型電子ビーム装置における対物レンズ絞りの位置調整方法
JPH01181529A (ja) 集束イオンビーム加工方法とその装置
JPH08329870A (ja) 走査電子顕微鏡
JPH04106853A (ja) 走査電子顕微鏡
JP3430788B2 (ja) 試料像測定装置
US6118123A (en) Electron probe microanalyzer
JP2002116017A (ja) パターン寸法測定方法及び装置
JP3126047B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡
JP3678910B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPH0587764B2 (ja)
JP2003045370A (ja) 走査電子顕微鏡
JPH07254387A (ja) 走査型荷電粒子線顕微鏡
JPH07286842A (ja) 寸法検査方法及びその装置
JPH09147778A (ja) 荷電粒子線装置
JP2653084B2 (ja) 表面分析装置