JPH04204416A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04204416A JPH04204416A JP2335184A JP33518490A JPH04204416A JP H04204416 A JPH04204416 A JP H04204416A JP 2335184 A JP2335184 A JP 2335184A JP 33518490 A JP33518490 A JP 33518490A JP H04204416 A JPH04204416 A JP H04204416A
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- Japan
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- substrate
- crystal element
- substrates
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
不発明は、液晶嶌子の表部方法に関するものである。
従来の技術
従来から２枚の基板の間隙ｅこ液晶組成物を充填して液
晶素子が！ｓ成されている。この際ＶＣ使われる配回膜
の性１ｉＬは、液晶素子の光学特性に大きな影１を及ぼ
す。
晶素子が！ｓ成されている。この際ＶＣ使われる配回膜
の性１ｉＬは、液晶素子の光学特性に大きな影１を及ぼ
す。
なお、附晶分千の配回膜の概念は、佐々木昭夫−１「液
晶エレクトロニクスの基磯と応用」で詳述されている。
晶エレクトロニクスの基磯と応用」で詳述されている。
従来、基板上の高分子僕を繊維により摩シ、すなわちラ
ビングすることにより、配向！ＩＩを傷ている。これに
より、品分子−の主＃ｉは一方向に延伸さｎ、接した液
晶分子は分散力による相互作用により、連常は延伸方向
に並ぶ。
ビングすることにより、配向！ＩＩを傷ている。これに
より、品分子−の主＃ｉは一方向に延伸さｎ、接した液
晶分子は分散力による相互作用により、連常は延伸方向
に並ぶ。
発明が解決しようとする′Ｒ鯖
上記のような繊維によるｗｊ、麹でに、均一な液晶分子
の配向に目すから限度かめる。すなわち、液晶素子の光
学特性、ないし表示特性の均一性に限度がわる。
の配向に目すから限度かめる。すなわち、液晶素子の光
学特性、ないし表示特性の均一性に限度がわる。
本光明りこのような課題を鱗状するもので、藺４にな処
理によシ光宇特性ないし表示特性に優れた液晶素子を得
ることを目的とするものでるる。
理によシ光宇特性ないし表示特性に優れた液晶素子を得
ることを目的とするものでるる。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、導電電極とこの導
′［電極を）う配向膜金主国土に有する第１基板および
第２基板関ＫＭ晶組成物を充填してなる液晶素子におい
て、前記配向＠に第１基板および第２基板の主面上に高
分子膜で形成し、次にこれらの基板ｔｓｓ性体機体微粒
子散させた溶媒中に浸漬し、かつこの溶媒に交１１磁場
を印加するものである。
′［電極を）う配向膜金主国土に有する第１基板および
第２基板関ＫＭ晶組成物を充填してなる液晶素子におい
て、前記配向＠に第１基板および第２基板の主面上に高
分子膜で形成し、次にこれらの基板ｔｓｓ性体機体微粒
子散させた溶媒中に浸漬し、かつこの溶媒に交１１磁場
を印加するものである。
作用
本発明に係る配向膜を得る過程について説明する。
まず、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリロニトリル
等の高分子膜を基板の上に印刷法等で形成する。次に強
磁性体微粒子を均一に分散された溶媒中に基板を浸漬す
る。さらに、電磁石を使っての交番磁場を７ｖ媒に印加
する。このとき、交番磁場の方向と、基板面の法線の方
向とのＩＩｋ通な相互関係は、高分子膜の植催や磁場強
度、膜厚等で＾なる。このとき、高分子膜と溶媒の界面
でに、振卿する強磁性体微粒子により、微細な加工が施
される。磁場の方向を特定の一方向、または複敞の特定
の方向にすることにより、いわば異方性ある加工が前記
高分子膜に施される。
等の高分子膜を基板の上に印刷法等で形成する。次に強
磁性体微粒子を均一に分散された溶媒中に基板を浸漬す
る。さらに、電磁石を使っての交番磁場を７ｖ媒に印加
する。このとき、交番磁場の方向と、基板面の法線の方
向とのＩＩｋ通な相互関係は、高分子膜の植催や磁場強
度、膜厚等で＾なる。このとき、高分子膜と溶媒の界面
でに、振卿する強磁性体微粒子により、微細な加工が施
される。磁場の方向を特定の一方向、または複敞の特定
の方向にすることにより、いわば異方性ある加工が前記
高分子膜に施される。
この方法は従来の鳴楓的な！ｉｉ擦法に比べて、強磁性
体微粒子の分散密度や磁場強度が均一である限り、均一
な配向性を保証する配向膜が得られる。
体微粒子の分散密度や磁場強度が均一である限り、均一
な配向性を保証する配向膜が得られる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例によって得られる液晶素子を示
す断面図である。同図において、ｌおよび２は例えば透
明ガラスからなる第１基板および第２基板、３および４
ｉ１を第１基板ｌおよび第２基板２の主面上に設けた例
えばＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な導電電極、５２よ
び６に導電電極３および４ｔａｌうように設けた配向膜
、７は配向膜５゜６闇に設けた液晶層である。
す断面図である。同図において、ｌおよび２は例えば透
明ガラスからなる第１基板および第２基板、３および４
ｉ１を第１基板ｌおよび第２基板２の主面上に設けた例
えばＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な導電電極、５２よ
び６に導電電極３および４ｔａｌうように設けた配向膜
、７は配向膜５゜６闇に設けた液晶層である。
（実施例１）
第１基板、第２基板の主面に微細加工され九ＩＴＯ１［
極を覆うように、チッソ（株）製のポリアミック酸配回
膜材料、ＰＳＩ Ａ −２２０１’ｔスピナーで塗布し
、加勢した（加熱ｍ度ｔｒｉ約２００℃で短時間が−ま
しい）。その秦厚けｉ：Ｊ４０ ｎｍとした。
極を覆うように、チッソ（株）製のポリアミック酸配回
膜材料、ＰＳＩ Ａ −２２０１’ｔスピナーで塗布し
、加勢した（加熱ｍ度ｔｒｉ約２００℃で短時間が−ま
しい）。その秦厚けｉ：Ｊ４０ ｎｍとした。
マグネタイト・コロイド粒子を含むケロシン、すなワチ
、マグネダイト・コロイド粒子磁性流体の甲にガラス基
板ｔ−浸漬し、均一な交番磁場を電磁石により印加した
。前記粒子の大きさは約１０ＩｕＩｇであった。また、
−カーと基板面の角ｙは約３０゜とした。次に、前記２
枚の基板を清浄なｎ−デカンで十分に洗浄した。
、マグネダイト・コロイド粒子磁性流体の甲にガラス基
板ｔ−浸漬し、均一な交番磁場を電磁石により印加した
。前記粒子の大きさは約１０ＩｕＩｇであった。また、
−カーと基板面の角ｙは約３０゜とした。次に、前記２
枚の基板を清浄なｎ−デカンで十分に洗浄した。
液晶分子の交差角が２５０°となるように、２枚のＩフ
ス基を主面を対向させて、所定の量論となるように貼り
合わせてバネ〜を形成した。シーＡ／禰脂Ｉｆｉ紫外線
硬化用陶脂を用いた。なお、硬化の７こめの紫外＠照射
の際は、シール以外の部位全厳重にマスクした。さらに
、前記パネルに、偏光板を貼り、電圧印加手段を設けた
。その後、前記２枚のｉ板間Ｏｒ＃ＩＪ階にネマデイツ
ク液晶組成物を充填した。これにより液晶パネルが得ら
れる。前記ＩＴＯ１１極に電圧を印加し、液晶パネルの
光学貧化の均−性等を評価した。その結果、従来のもの
に比べて、電圧−透過率特性での閾値のばらつきにＦＩ
３Ｑ鳴向上した。すなわち、表示の均一性に向上した。
ス基を主面を対向させて、所定の量論となるように貼り
合わせてバネ〜を形成した。シーＡ／禰脂Ｉｆｉ紫外線
硬化用陶脂を用いた。なお、硬化の７こめの紫外＠照射
の際は、シール以外の部位全厳重にマスクした。さらに
、前記パネルに、偏光板を貼り、電圧印加手段を設けた
。その後、前記２枚のｉ板間Ｏｒ＃ＩＪ階にネマデイツ
ク液晶組成物を充填した。これにより液晶パネルが得ら
れる。前記ＩＴＯ１１極に電圧を印加し、液晶パネルの
光学貧化の均−性等を評価した。その結果、従来のもの
に比べて、電圧−透過率特性での閾値のばらつきにＦＩ
３Ｑ鳴向上した。すなわち、表示の均一性に向上した。
（実施例２）
＠１基板、第２基板の主閑に微細加工されたＩＴＯ電ｅ
ｔ−噴うように、ポリアクリルニトリル・レジンをスピ
ナーで塗布し、加熱した（加熱温ＦＸは約１００℃で短
時間が望ましい）。その膜１！ＬはｆＪ４０ｎｍとした
。ポリアクリルニトリル・レジンに、ノーマル・メチイ
ル・ピロリドンにポリアクリルニトリル°ポリマー１！
ｒ溶解して得た。
ｔ−噴うように、ポリアクリルニトリル・レジンをスピ
ナーで塗布し、加熱した（加熱温ＦＸは約１００℃で短
時間が望ましい）。その膜１！ＬはｆＪ４０ｎｍとした
。ポリアクリルニトリル・レジンに、ノーマル・メチイ
ル・ピロリドンにポリアクリルニトリル°ポリマー１！
ｒ溶解して得た。
マグネタイト・コロイド粒子を含むフルオロカーボン溶
媒、すなわち、マグネタイト・コロイド粒子磁性流体の
中にガラス基板全浸漬し、均一な交番磁場ｔｔ電磁石よ
り印加した。前記粒子の大きさは約１０ｍであった。ま
た、ｉ力線と基板面の角度に約４０°とした。次に、前
記２枚の基板を清浄なｎ−デカンで十分に洗浄した。さ
らに、基板の主面にメルク社製、垂直配向剤ＺＬＩ −
３３３４をスピナーで極薄に塗布し、 １００℃で１０
分加熱した。
媒、すなわち、マグネタイト・コロイド粒子磁性流体の
中にガラス基板全浸漬し、均一な交番磁場ｔｔ電磁石よ
り印加した。前記粒子の大きさは約１０ｍであった。ま
た、ｉ力線と基板面の角度に約４０°とした。次に、前
記２枚の基板を清浄なｎ−デカンで十分に洗浄した。さ
らに、基板の主面にメルク社製、垂直配向剤ＺＬＩ −
３３３４をスピナーで極薄に塗布し、 １００℃で１０
分加熱した。
その後、ラビング方向が平行となるように、２枚のガラ
ス基板を主面全対向させて、所定のｌｆｆ１ｔＩ階とな
るように貼り合わせた。シール樹脂に紫外線硬化用樹脂
を用いた。なお、硬化の友めの紫外線照射の際に、シー
ル以外の部位を厳重にマスクした。なお、Ｘ外線硬化用
樹脂に、液晶への溶出物が極微なものを選んた。次に、
強誘電性液晶組成物を前記２枚の基板間の間隙に充填し
た。これにより液晶パネルが得られる。前記ＩＴＯ電極
に電圧を印加し、液晶パネルを偏光板で挟んで観察し之
。
ス基板を主面全対向させて、所定のｌｆｆ１ｔＩ階とな
るように貼り合わせた。シール樹脂に紫外線硬化用樹脂
を用いた。なお、硬化の友めの紫外線照射の際に、シー
ル以外の部位を厳重にマスクした。なお、Ｘ外線硬化用
樹脂に、液晶への溶出物が極微なものを選んた。次に、
強誘電性液晶組成物を前記２枚の基板間の間隙に充填し
た。これにより液晶パネルが得られる。前記ＩＴＯ電極
に電圧を印加し、液晶パネルを偏光板で挟んで観察し之
。
その結果、初期配向にすべて、ユニフォーム配向であっ
た。°ジグザグ欠陥４！ｌ僅少でありた。−従来、電圧
を印加すると、ツイスト配向が優勢となり、コストラス
トｉ著るしく低下させていた。ところが、木実１例で＃
′ｉ電圧を印加しても、安定な双安定ユニフォーム配向
を均一に４友。必然的にコントラストも従来に比べて大
幅に改善された。従って、双安定ユニフォーム配向につ
いて、十分な信頼性を４ることかでき、これに従来全く
期待し得なかったことである。− 発明の効果 以上のように本発明によれに、聾雛な処理により、光学
特性ないし表示ｍ性に優れた液晶素子金得ることができ
、産業に頁献するところ大である。
た。°ジグザグ欠陥４！ｌ僅少でありた。−従来、電圧
を印加すると、ツイスト配向が優勢となり、コストラス
トｉ著るしく低下させていた。ところが、木実１例で＃
′ｉ電圧を印加しても、安定な双安定ユニフォーム配向
を均一に４友。必然的にコントラストも従来に比べて大
幅に改善された。従って、双安定ユニフォーム配向につ
いて、十分な信頼性を４ることかでき、これに従来全く
期待し得なかったことである。− 発明の効果 以上のように本発明によれに、聾雛な処理により、光学
特性ないし表示ｍ性に優れた液晶素子金得ることができ
、産業に頁献するところ大である。
第１図ｆ１本発明の実施例によって優られる液晶素子の
＃面図である。 ｌ・・・第１基板、２・・・第２基板、３．４・・・導
電電極、５．６・・・配向模、７・・・液晶層。 代理人 森 本 義 弘
＃面図である。 ｌ・・・第１基板、２・・・第２基板、３．４・・・導
電電極、５．６・・・配向模、７・・・液晶層。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、導電電極とこの導電電極を覆う配向膜を主面上に有
する第１基板および第２基板間に液晶組成物を充填して
なる液晶素子において、前記配向膜は第１基板および第
２基板の主面上に高分子膜で形成し、次にこれらの基板
を強磁性体微粒子を分散させた溶媒中に浸漬し、かつこ
の溶媒に交番磁場を印加することを特徴とする液晶素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335184A JPH04204416A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335184A JPH04204416A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204416A true JPH04204416A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18285700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335184A Pending JPH04204416A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468519A (en) * | 1992-12-11 | 1995-11-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming an orientation film including coupling an organic compound to a silane coupling agent in a magnetic or electrical field |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2335184A patent/JPH04204416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468519A (en) * | 1992-12-11 | 1995-11-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming an orientation film including coupling an organic compound to a silane coupling agent in a magnetic or electrical field |
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