JPH04206591A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、プリント配線板の製造方法、とくに外部回路
との接続部位のみにめっきレジストの残留層（永久レジ
スト）を設けてなるアディティブ法により導体回路形成
を行う形式のプリント配線板の製造方法について提案す
る。

〔従来の技術］ 最近、プリント配線板は、高密度化が進み、導体（ライ
ン）幅及び導体間のすきま（スペース）距離が著しく狭
くなっている。しかも、このプリント配線板上に搭載す
る電子部品の数も増え、搭載する半導体部品接続端子の
本数が増えているのが実情である。

このような状況にあるプリント配線板への電子部品の搭
載は、これらの部品を半田付けして固着することによっ
て行っている。すなわち、導体（銅箔）回路の所定導体
面積に半田ペーストを印、刷し、乾燥後フュージングし
て部品の搭載を果している。しかし、配線板は吸湿現象
や温度変化により膨張収縮する上、高密度配線のために
幅の狭い導体回路しかないところに半田ペーストを規則
正しく印刷することは橋めて困難である。

ａ、これに対し、従来、特開昭６３−２８５９９６号公
報などではめっきレジストをそのまま残留させて永久レ
ジストとすることによって、半導体素子（ＬＳＩ）を実
装する際のセルフアライメント効果を実現すると共に、
はんだブリッジの起らないプリント配線板を提案してい
る。事実、現在のプリント配線板の実装精度はライン（
Ｌ）／スペース（Ｓ）＝２５０μｖａ　／２５０　ｔｌ
ｆａが限度であるのに対し、実際のアディティブ配線板
の密度はライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）　＝１００／１
００μ鴎であるから、上述の如きセルフアライメント効
果なしでは実装できないのが実情である。

ｂ、ところが、上掲の例では”めっきレジスト”をその
まま残してソルダーレジストの役目をもつ永久レジスト
とする方法であるが、これでは、接着剤層の表面に施し
た無電解めっき用触媒がそのまま残留することになる。

例えば、前記めっきレジストを剥離して触媒を除去した
プリント配線板とこのめっきレジストを除去しないプリ
ント配線板とを比較すると、取り除く前の抵抗値が５Ｘ
１０’Ωだったのに対し、除去の後は１×１０Ｉ０Ωと
なり、除去したものの方が絶縁性が格段に良くなるので
ある。

〔発明が解決しようとする課題］ このことは、最近のように、ピッチＬ／Ｓが５０１５０
μｍのようなファインパターンになればなる程、前記触
媒核を除去しないと導体回路間の絶縁特性が相対的に低
下するので、それの除去処理は不可避なものと言える。

一方で、このようなファインパターンの下では、セルフ
アライメント効果なしでは、表面実装部品のアセンブル
時の位置合わせが困難になる他、ハンダブリッジが起り
やすくなり、実装後基板収率の低下が顕著となる。

この発明の目的は、永久レジストのもつセルフアライメ
ント効果が利用できると同時に、ファインパターンの場
合でも線間絶縁抵抗が大きいという、本来は相客れない
この２つの要請を同時に満足するプリント配線板を開発
し、これによって上述した従来技術の問題点を克服する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

上述のような要請に応えられるプリント配線板の開発を
目指し鋭意研究した結果、本発明者らは、−枚のプリン
ト配線板におけるセルフアライメント効果の必要な個所
と、逆に線間絶縁抵抗を大きくしなければならない個所
というのを区別し、前者についてはソルダーレジストを
兼ねるめっきレジストを残して永久レジストとする一方
、後者の場所のめっきレジストおよび付与触媒は除去し
て線間絶縁抵抗の向上を図るという新規な方法を開発し
た。

すなわち、本発明は、導体ライン域についてのめっきレ
ジスト含有除去されているのに対し、外部回路との接続
部位についてのめっきレジストは永久レジストとして残
留させてなるプリント配線板を要旨構成とする。

このプリント配線板において、上記外部回路との接続部
位とは、コネクタ接続部およびパッドまわりの全部もし
くは大部分を指し、前記永久レジストの層厚を、導体回
路の厚みよりも大きくして、望ましくはこの両者の層高
差を３μｍ以上とし、そして前記永久レジストは８０〜
２００℃で１０〜６０分間熱処理して完全硬化させる。

なお、このプリント配線板において、前記外部回路との
接続部位における付与触媒については、めっきレジスト
とともに残留させる一方、導体ライン域の付与触媒につ
いては導体回路部分以外のめっきレジスト形成部分を除
去あるいは不導体化する。

また、本発明は、かかるプリント配線板を次のようにし
て製造する。すなわち、基板上に形成した粗化接着剤層
上に、触媒付与を行った後にレジスト層を形成し、その
後前記レジスト層を露光現像してめっきレジストを形成
し、得られたパターン上に無電解めっきを施して導体回
路を形成する方法において、 ａ、前記パターン形成処理に当っては、低硬化率の露光
を行った後弱い現像処理を行い、ｂ、得られた上記パタ
ーン上に、無電解めっきを施して導体回路を形成し、 Ｃ１得られた導体回路のうち外部回路との接続部位を除
（導体ライン域上に、マスクをかけた後、残る外部回路
との接続部位に高硬化率の強露光を施し、その後強い現
像処理して前記導体ライン域のめっきレジストのみを溶
解除去し、ｄ、そして、前記導体ライン域の露出してい
る触媒を酸もしくは酸化剤にて不導体化あるいは除去さ
せること、 により、外部回路との接続部位のめっきレジストを永久
レジスト化して残留させる一方、導体ライン域について
のめっきレジストのみを剥離除去した状態のプリント配
線板とすることを特徴とするプリント配線板の製造方法
である。

この方法において、強現像によってめっきレジストを剥
離した後に残る導体ライン域に露出する触媒は、酸もし
くは酸化剤による処理によって溶　　ｊ解除去し、また
強露光によって永久レジスト化し　　　・た部分は、８
０〜２００℃で１０〜６０分間の加熱処理に　　　」よ
って完全硬化させる。　　　　　　　　　　　　　　）
なお、前記低硬化重化のための露光は、０．１〜　１６
０％の反応基が反応するよう行い、高硬化率のための露
光は６０％を超える反応基が反応するようになるまで行
う。

〔作　用］ 本発明の特徴は、−枚のプリント配線板について、セル
フアライメント作用が必要な部分と線間絶縁抵抗を大き
くしなければならない部分とを予め区別した処理をする
ことにある。この考え方に適合する本発明プリント配線
板の構造は、外部回路との接続部位、たとえば、プリン
ト配線板のコネクタ、実装用パッドの部分（以下は、こ
の部分を単に「パッド域」という）、についてのめっき
レジストを残留させ、高硬化処理を施して永久レジスト
化させることによって、この部分に限ってはセルフアラ
イメント作用が発揮されるような構直にする一方、その
他の主として導体回路線が密集している部分（以下、こ
の部分を単に「ライン賊」という）については、めっき
レジストおよび牲媒核を除去することによって、この部
分の線間絶縁抵抗率が大きくなるようにしたものである
。

なお、上記永久レジストは熱処理して完全に硬化させる
ことが望ましい。

上記外部回路の接続部位Ｐにおける゛バンド部”とは、
ＩＣチップを搭載するために導体パターンの幅が広くな
っている部分を指し、またパコネクタ部”とは、外部回
路との接続のためにプリント配線板の周囲に形成されて
いる広幅の導体パターン部を指し、 これらの部分は、第１図に示すように、いずれも導体パ
ッド（導体ランド）１間のスペース２が大きく、Ｌ／Ｓ
比が小さ（なるので線間絶縁抵抗を大きくとれる。従っ
て、これらの部分に、セルフアライメント効果のために
絶縁性永久レジスト５を触媒核とともに残留させても不
都合が生じることはない。

なお、残留させた上記めっきレジスト（永久レジスト）
３によるセルフアライメント効果およびはんだブリッジ
防止効果を得るためには、この永久レジスト３の層高（
Ｈ）を導体回路（ランド）高さ（ｈ）よりも大きくする
ことが望ましい。

このような層高差（Ｈ−ｈ）を設けることにより、パッ
ド部の導体ランド１の部分が凹んだ状態となるだめに、
この部分にＩＣの接続端子、すなわちリード線部を接続
しようとした場合に、たとえこのリード線が前記導体ラ
ンド１部から多少ずれていても自動的に滑り落ち良好に
接続でき（セルフアライメント効果）、一方で印刷した
はんだペーストをフュージングしたときは、溶融はんだ
が表面張力の影響を受けて凹部導体回路１内に収縮する
ので、いわゆるはんだブリッジがなくなる。

また、セルフアライメント効果は、段差がなくても得る
ことができる。導体回路に形成されたはんだとリード線
部のはんだが、溶融時にその表面張力で引き合うからで
ある。

なお、本発明において、導体ライン域の付与触媒のうち
、めっきレジスト形成部分の全部もしく−は大部分、す
なわち５０％以上が、不導体化あるいは除去されている
ことが必要である。その量が５０％未満では必要な表面
抵抗が得られないからである。

このような効果を得るためには、永久レジスト（７）Ｊ
ｌｏ、０１μＩＩＩ〜１０００μ…が望ましい。層高差
（Ｈ−ｈ）は、めっきレジストの厚み（Ｈ）に依存し、
例えばＨ＝２０μ−の場合、３〜１２μｍが望ましく、
Ｈ＝１０μｍの場合は０〜５μｍが望ましい。

また、ライン部ｌについての表面抵抗は、温度８５℃／
湿度８５％／３０■印加／１０００時間の環境条件の下
で１０”オームの表面抵抗を示すことが実用領域と言え
る。この観点から、導体回路（ライン）４間の間隙（ス
ペース）は、ＩＣチップ接続端子間隔も考慮すると０．
１〜７５μ鴎が好適な範囲である。

次に、本発明に係るフルアデイティブに基づく上記プリ
ント配線板の製造方法について第２図に基づき説明する
。

（Ａ）まず、第２図の（Ａ）工程の処理は、基板５上の
接着剤層６を粗化し、その表面に触媒を付与する段階で
ある。前記基板５としては、エポキシ基板、ポリイミド
基板の如きプラスチック基板、アルミナや窒化アルミニ
ウム基板のようなセラミック基板、アルミニウム基板の
ような金属基板などを用いる。この基板上に形成する接
着剤層６としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂ある
いはフェノール樹脂などのマトリックス中に耐熱性無機
微粉末を分散させてなる、先に本発明者らが提案した特
願昭６３−１０４０４４号（特開平１−２７５６８２号
公報）に示したようなものを用いる。

また、触媒の付与は、触媒となりうる金属イオンを含む
水溶液、例えばＰｄＣ１ｚ　　５ｎＣ１ｚ　　ＨＣＩ　
（コロイドタイプ）、塩酸では作業環境を悪くすること
があるので、その改良型であるＰｄＣｌ、−５ＦＩＣＩ
□−ＮａＣ１（コロイドタイプ）、パラジウム有機錯塩
化合物、中性銅タイプのいずれか１種を用いる。

この処理は上記薬剖の浴に被めっき基板を浸漬して、被
めっき基板上に金属イオンを吸着させることにより行う
。

触媒付与の後は熱処理することが好ましい。その理由は
、触媒核を固定することによって、現像のときに洗浄さ
れて離脱することがないようにすることにある。

（Ｂ）第２図の（Ｂ）工程の処理は、触媒付与を行った
接着剤層６の表面に、めっきレジスト形成のための絶縁
膜（ドライフィルム）８を被成する段階である。このめ
っきレジスト用フィルム材料としては、紫外線によって
硬化するエポキシ樹脂。

エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂
のような紫外線感光樹脂、または熱硬化するタイプのエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ変成ポリイミド
樹脂のような熱硬化性樹脂、あるいはレーザー露光や電
子線照射によって硬化する樹脂などを用いる。

なお、上記めっきレジストとしての絶縁膜８の形成には
、上述のドライフィルム８のラミネートの他に、アクリ
ル樹脂液とエポキシ樹脂液との混合レジスト液を塗覆（
カーテンコート、ロールコータ、印刷、デイツプ）する
ことによって行う方法であってもよい。

（Ｃ）第２図の（Ｃ）工程の処理は、上述のようにして
めっきレジスト用絶縁膜８の被成された基板を、次に例
えば紫外線を照射して硬化させた後、溶剤（現像液）に
て溶解除去し、弱硬化めっきレジスト９を形成して所要
のパターンを得る段階である。

この段階で行われる硬化処理は、本発明方法において最
も重要な処理であり、後でこのめっきレジスト８を永久
レジスト化にするための高硬化率処理とは異なり、それ
は硬化の程度が硬化率（硬化に関与する反応基のうち、
何％が反応するかを示す）にして０．１〜６０％、望ま
しくは１〜１０％の範囲内の樹脂硬化を示すようにコン
トロールされた低硬化率の処理を行わねばならない。

そのために本発明では、最初は露光（紫外線感光、レー
ザ露光などを含めていう）の程度および現像処理の程度
を弱くして、前記硬化率の範囲内に収まるように、例え
ば紫外線を２５０−Ｊ　／　ｃｍｚ照射し、クロロセン
を代表例としその他ブチルセ、ロソルブ、メチルセロソ
ルブ、ブチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブ
アセテートメチルエチルケトン、シクロヘキサンなどの
弱い現像液を用い、さらに必要に応じてイソプロパツー
ル。

エタノール、イソブタノール、トルエンなどの溶媒を混
合したものにて現像することにより、相対的に弱硬化め
っきレジスト９を形成して所要のパターンを描画するの
である。

（Ｄ）第２図（Ｄ）での工程は、上述のようにして得ら
れた弱硬化めっきレジストを有する基板を、無電解めっ
き浴中に浸漬して、パッド域（ｐ）とライン域（１）と
のパターン部にそれぞれめっき導体１０ａ、　１０ｂを
形成する。そして、前述したように、後述する永久レジ
ストの層高との層厚差が所要の厚みとなるような層高と
する。

（Ｅ）次に第２図（Ｅ）での処理工程は、上記（Ｄ）工
程の処理を終えたプリント配線板のうち、バンド域ｐを
のぞく、いわゆるライン域（ｆ）の部分を常法によりフ
ィルムでマスクして、露出しているパッド域ｐを高硬化
率化のための露光処理を施し、弱硬化率の前記めっきレ
ジスト９を６０％超〜１００％の高硬化率、望ましくは
９０％以上の硬化率を示すような処理を施す段階である
。

この処理は、前記（Ｃ）工程での弱硬化と異なり、例え
ば紫外線をＩＪ／ｃ＋ｗ”照射することにより、前記め
っきレジストを永久レジスト１２化して剥離、溶解が困
難となる状態に変成する方法である。照射後、マスク材
１１は取り除く。

なお、この永久レジスト１２は、完全に硬化させること
が望ましく、例えば８０〜２００℃で１０〜６０分間、
熱処理することにより、レジストの反応性の感応基を完
全に反応させたり、熱硬化感応基を重合させたりして耐
熱性、耐薬品性を向上させることが望ましい。

この処理により、プリント配線板のパターン域（ｐ）、
すなわち外部回路との接続部位の、導体回路１０ａが、
層高の大きい永久レジスト１２によって覆われた状態と
なり、本発明の一方の目的が達成されることになる。

（Ｆ）永久レジスト１２形成後の上記プリント配線板を
、高レベルの現象、例えば塩化メチレンの如き溶媒中に
て超音波振動（１５ＫＨｚ〜１Ｈｚ）をかけながら、現
像することにより、高硬化率の露光部（パッド域ｐ）以
外の、いわゆるライン域（ｊりの前記めっきレジスト９
を溶解除去する。

（Ｇ）その後、第２図の（Ｇ）工程では、前記（Ｆ）工
程を経たプリント配線板を酸もしくは酸化処理して、ラ
イン域ｌに残留するめっき触媒７を除去する。このめっ
き触媒７の除去のための酸溶液としては、塩酸および／
もしくはフッ酸あるいはボウフッ酸を含む溶液、貴金属
のエツチング液として知られる溶液などの酸が使用でき
る。また、ヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化
アンモニウムの少なくとも１種とヨウ素の水溶液なども
使用できる。

一方、酸化処理は、ホウフッ酸７００１％、塩化ナト’
Ｊウム５０ｇ／Ｌ　亜塩素酸ソーダ０．４ｇ＃２．４０
℃の剥離液（酸化剤）に２分間浸漬して処理することに
より行う。

この処理を経たプリント配線板は、それのライン域！の
めっきレジスト９および触媒７の５０〜１００％が除去
されるので、この部分の表面抵抗が著しく向上し、ファ
インパターン化にも応じることができ、本発明の他方の
目的が達成されることになる。

〔実施例〕

実施例Ｉ （１）フェノールノボランク型エポキシ樹脂（油化シェ
ル製）ｓｏｉｔｔ部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製）４０重量部、イミダゾール硬化剤（四
国化成製）４重量部、粒径の大きいエポキシ樹脂粉末（
東し製、粒径３．９μ＋ｎ）１０重量部、および粒径の
小さいエポキシ樹脂粉末（東し製粒径０．５μ５）２５
重量部からなるものにブチルカルピトールを加え、ホモ
デイスパー分散機で粘度を２５０ｃｐｓに調整して、次
いで３本ローラーで混練し、接着剤溶液を作成した。

（２）基板５上に上記接着剤溶液を塗布して厚さ３０１
ＪＩＩ＋の接着剤層を形成し、この接着剤層６の粗化を
行った後、常法によりＰｄ／Ｓｎ触媒７を付与し、−さ
らにその後１２０℃で４０分間の熱処理を行った。

（３）上記接着剤層６上にめっきレジスト形成用感光性
ドライフィルム（アクリル基＋エポキシ基）８を、プレ
ス用ローラーを用いて０．５　ｍ／ｌ１ｌｉｎの速度で
搬送しながら、９０℃の温度にて２　ｋｇ／ｃｍ２の圧
力をかけてラミネートした。

（４）上記ラミネートフィルム８を２５０ｍＪ／ａｍ２
の弱い紫外線露光を施し、５％程度の硬化率のレジスト
とした後、６０秒間クロロセンで現像を行い、高さ５０
μｍのめっき用レジスト９を形成した。

（５）上記めっきレジスト付き基板を無電解めっき処理
し、ライン部ｌの配線密度Ｌ　／　Ｓ　＝３０／３０μ
割で、パッド部の密度８０ｇｔｇとし、厚さ（高さ）３
０℃１ｍの導体回路１０ａ、　１０ｂを形成した。

（６）次に、パッド部ｐの周辺を除く部分（ライン域Ｉ
！、）にフィルムでマスクし、３Ｊ／ｃａｂ”紫外線を
照射して、前記めっきレジスト層９を硬化率６０％に硬
化させた。この強露光処理によって硬化率５％のめっき
レジスト９は、それの９５％が永久レジスト１２となっ
た。

（７）次に、上記永久レジスト１２つき基板を、２６Ｋ
Ｈｚ、　１２０Ｗの超音波をかけながら塩化メチレン中
に６０秒浸漬し、マスク大のライン域！に形成されてい
る低硬化率（５％）のめっきレジスト９を完全に除去し
た。残った永久レジスト１２の幅は、１μｍであった。

（８）次に、基板をホウフン酸７ｖ％、塩化ナトリウＬ
５ｇ／！！、亜塩素酸ソーダ０．４／ｌ、４０’Ｃノ剥
離液中に２分間浸漬し、上記触媒を溶解除去した。

（９）最後に、基板を１５０″Ｃ１３０分の熱処理を施
し、本発明のプリント配線板を製造した。

実施例２ この実施例は、基本的には実施例１と同様であるが、ラ
イン域ｐの配線密度Ｌ　／　Ｓ　＝５０１５０ｕｍとし
、パッド域Ｐのスペース（ｓ）を１００μｍとした導体
回路についてのものである。

実施例３ （１）エポキシ樹脂粒子（東し性、平均粒径３．９μｍ
）’　１９０　ｇを、５１のアセトン中に分散させたエ
ポキシ樹脂粒子懸濁液中へ、ヘンシェルミキサー（三井
三池加工機製）内で撹拌しながら、アセトン１１に対し
てエポキシ樹脂（三井石油化学製）を４０ｇの割合で溶
解させたアセトン溶液中にエポキシ樹脂粉末（東し製、
平均粒径０．４５μａ＋）２８０ｇを分散させた懸濁液
を滴下することにより、上記エポキソ樹脂粒子表面二こ
エポキシ樹脂粉末を付着せしめた後、上記アセトンを除
去し、その後１５０℃に加熱して、擬イ以粒子を作製し
た。この擬憤粒子は、平均粒径が４．５μｍであり、約
７７重量％が平均粒径を中心として±２μｍの範囲に存
在していた。

（２）前記（１）で調製した擬イ以粒子５５重量部、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル製）５
５重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェ
ル製）４０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製）
４重量部からなるものにブチルカルピトールを加え、粘
度が１２５ｃｐとなるようにホモデイスパー分散機で調
整し、接着剤溶液を得た。

（３）基板５上に、上記接着剤溶液を塗覆層して３０μ
ｍの接着剤層を形成し、粗化処理を行った後、常法によ
りＰｄ／Ｓｎ触媒を付与し、さらにその後１２０℃で４
０分間の熱処理を行った。

（４）液状感光性めっきレジストをロールコータ−で塗
布した後、１２０　”Ｃで５時間かけて乾燥し、感光性
フィルム８を形成した。

（５）　１００ｍＪ／ｃｍ２の弱い紫外線露光を施し、
次いで６０秒間ブチルセロソルブに５％エタノールを溶
解した溶剤で現像処理を行い、めっき用レジスト９を形
成（高さ３５μｌ１１）シた。ついで紫外線照射装置を
用いて、ＩＪ／ｃｍ２の露光を施して硬化させた。

（硬化率５０％） （６）上記めっきレジストつき基板を無電解めっき処理
し、ライン域２の配線密度Ｌ　／　Ｓ　＝７５／７５μ
ｍで、パッド部ｐの密度（スペース）を１００μｍとし
、厚さ３０μｍの導体回路１０ａ、　１０ｂを形成した
。

（７）次に、パッド部ｐの周辺を除く部分（ライン域１
）にマスク１１を被せ、３Ｊ／ｃｍ２紫外線を照射して
強露光を行い、前記めっきレジスト層９を、硬化率８０
％に硬化させた。これによって硬化率５０％のめっきレ
ジストは、それの８０％が永久レジスト１２に変わった
。

（８）次に、上記永久レジスト１２つき基板を、２６Ｋ
Ｈｚ、　１２００Ｗの超音波をかけながら塩化メチレン
中に６０秒浸漬し、ライン域ｌに形成されている低硬化
率（５０％）のめっきレジスト９を完全に除去した。残
った永久レジスト１２の幅は、１０μｍであった。

（９）次に、基板をＩＮ硝酸に浸漬処理して触媒を溶解
除去した。

（１０）最後に基板を１５０℃１３０分間の熱処理を行
い、本発明のプリント配線板を製造した。

実施例４ （１）ＦＲ−４クレードの絶縁板（日立化成工業型）の
表面をハフ研磨した後、水洗乾燥した。

（２）フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェ
ル製）６０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（
油化シェル製）４０重量部、イミダゾール硬化剤（四国
化成製）５重量部、アンカー形成用の粗粒子および微粉
末としてエポキシ樹脂粉末（東し製、平均粒径５．５μ
ｍ）２５重量部、およびエポキシ樹脂粉末（東し製、平
均粒径０．５μｍ）１０重量部からなるものにブチルセ
ロソルブアセテート溶剤を添加しながらホモデイスパー
分散機で粘度を１２０ｃｐｓに調整し、次いで３本ロー
ラーで混練して接着剤を得た。

（３）前記（２）で得られた接着剤を前記（１）の基板
５上にロールコータ−を用いて塗覆層した後、１００℃
１時間、１５０°ｃ５時間で乾燥、硬化した。

（４）前記（３）で得られた基板５を、クロム酸（Ｃｒ
ｚＯｓ）　７００ｇ／　１水溶液からなる酸化剤に７０
″Ｃで１５分間浸漬して接着剤層６の表面を粗化してか
ら中和溶液（シブレイ社製）に浸漬し、水洗した。

（５）前記（４）で得られた基板に、脱脂、コンディジ
ゴナ−５酸処理を行ってから、キャタボジット４４（シ
ブレイ社製）を用いてスズ−パラジウムコロイド系触媒
７を基板前面に付与した。

（６）前記（５）で得られた基板５に、ドライフィルム
フォトレジスト（サンノプコ社製）８をラミネートし、
３００Ｊ　／　ｃｍ”で露光処理によって硬化率６％と
した。

次いで、ライン式スプレー現像機でクロロセンにて６０
秒間の現像処理を行い、ライン幅７５μｍ、スペース幅
７５μｍ、表面実装用パッド（ピッチ２５０μｍ）パタ
ーンをもつプリント配線板のめっきレジスト９を形成し
た。このめっきレジスト９の層高は２５μｍであった。

（７）前記（６）で得られた基板を、７０’Ｃ，５分湯
洗した後、再び活性化浴（シブレイ社製）中に浸漬し活
性化処理を行った後、水洗を行った。

（８）前記（７）で得られた基板のパターンおよびスル
ホール部に厚さ２０μｍ無電解銅めっき皮膜を形成した
。

（９）バソ）ｐの部分を除くライン域！の部分に、マス
ク１１をかぶせ、紫外線照射装置によって３Ｊ／ｃｆｆ
１２の光量で光硬化させた（硬化率６５％）。この時、
未硬化のめっきレジストは全体の９５％に達した。

（１０）前記（９）で得られた基板を、塩化メチレン（
徳山ソーダ類）に浸漬し、超音波をかけて、前記（９）
で光硬化させた部分以外のめっきレジスト９を剥離除去
した。残っためっきレジストの幅は５０μｍであった。

（１１）基板を、触媒除去液（ホウフッ酸７ｖｏ　ｌχ
７塩化ナトリウム５０ｇ／　ｆｆ　、亜塩素酸ソーダ０
．４ｇ／ｆ）に２分間浸漬し、ライン域ｌにあった触媒
を溶解除去した。

（１２）上記で得られた基板を１５０℃で３０分の熱処
理を行った（硬化率１００％）。

上記方法によりバンド間にハンダフリッジがな（、セル
フアライメント効果を持つ信転性の高い高密度実装基板
が形成できた。

実施例５ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
Ｌ　／　Ｓ　＝５０１５（ｂｚｍ　、バンド間２５０　
ｐ　ｍのめっきレジスト９を形成した。めっきレジスト
９の硬化率は、１０％であった。めっきレジストの層高
は６０μｍであった。

（２）実施例４の（７）　、　（８）と同様の処理によ
り、無電解めっきを行った。めっき膜の膜厚は４５μｍ
であった。

（３）ハツト２部分を除くライン域！にマスク１１を被
せ、紫外線照射装置により、３Ｊ／ｃｍ２の光量で光硬
化させた。めっきレジストの硬化率は７０％であった。

このとき未硬化のままのめっきレジスト９は全体の９０
％に達した。

（４）実施例４の（１０）〜（１１）の処理により、プ
リント配線板を得た。残っためっきレジストの幅は１０
０μｍであった。

実施例６ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
Ｌ　／　Ｓ　＝３０／３０μｍ　、パッド間２５０　ｐ
　ｍのめっきレジストを形成した。めっきレジストの硬
化率は、３％であった。めっきレジストの層高は、３０
μｍであった。

（２）実施例４の（７）　、　（８）と同様の処理によ
り、無電解めっきを行った。無電解めっき膜の膜厚は３
０μ横であった。

（３）ハツト９部分を除くライン域ｌに、マスク１１を
被せ、紫外線照射装置により、３Ｊ／ｃｍ２の光量で光
硬化させた。めっきレジスト９の硬化率は８０％であっ
た。このとき未硬化のめっきレジストは全体の９５％に
達した。

（４）実施例４の（１０）〜（１１）の処理により、プ
リント配線板を得た。残った永久レジストの幅は１０μ
ｍであった。

実施例７ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
Ｌ　／　Ｓ　＝　１０／　１０　ｕ　ｍ　、パッド間２
５０μｍのめっきレジストを形成した。めっきレジスト
の硬化率は３％であった。めっきレジストの高さは、１
０μｍであった。

（２）実施例４の（７）　、　（８）と同様の処理によ
り、無電解めっきを行った。無電解めっき膜の膜厚は８
μ鋼であった。

（３）パッド２部分を除くライン域ｌにマスク１１を被
せ、紫外線照射装置により、３Ｊ／ｃｌＩ１２の光量で
光硬化させた。めっきレジストの硬化率は８０％であっ
た。このとき未硬化のめっきレジストは全体の９０％に
達した。

（４）実施例４の（１０）〜（１１）の処理により、プ
リント配線板を得た。残っためっきレジストの幅は２０
μ−であった。

実施例８ （１）実施例４の（１）〜（５）と同様の処理を行い、
ついで、感光性液状レジスト（アクリル基とボリイミド
鎖をもつ）を基板に印刷し、１２０″Ｃで２時間乾燥さ
せた。

ついで、熱硬化を行い、Ｌ　／　Ｓ　＝５０１５０　ｕ
　ｍ、コネクタ間２５０μｍのめっきレジストを形成し
た。

めっきレジストの硬化率は８％であった。

（２）実施例４の（７）　、　（８）　と同様の処理に
より、無電解めっきを行った。

（３）コネクタ部分を除く部分にマスクを被せ、紫外線
照射装置により、３Ｊ／ｃＩＩ１２の光量で光硬化させ
た。めっきレジストの硬化率は７０％であった。

このとき未硬化のめっきレジストは全体の８０％に達し
た。

（４）実施例４の（１０）〜（１１）の処理により、プ
リント配線板を得た。残っためっきレジストの幅は、１
００　ｐｍであった。

比較例１ 実施例４と基本的に同様であるが、Ｌ／５＝４０／４０
μｍ、パッド間８０μｍとし、無電解めっきを施した後
、１０Ｊ／Ｃｌ１１２で紫外線照射を用いて、熱処理１
５０℃で３０分でキュアを行った。

比較例２ 実施例４と基本的に同様であるが、Ｌ／５＝３０／３０
μｍ、パッド間８０μｍとし、無電解めっきを施した後
、ＩＯＪ　／ｃ＋ａ”で紫外線照射を用いて、熱処理１
５０℃で３０分でキュアを行った。

比較例３ 実施例４と基本的に同様であるが、Ｌ／５＝１０／１０
μｍ、パッド間８０μｍとし、無電解めっきを施した後
、ＩＯＪ　７ｃｍ２で紫外線照射を用いて、熱処理１５
０℃で３０分でキュアを行った。

比較例４ 実施例４と基本的に同様であるが、Ｌ／５＝５０１５０
μｍ、パッド間８０μｍとし、無電解めっきを施した後
、塩化メチレンにてめっきレジストを完、全に剥離し、
ついで実施例４と同じ触媒除去液に漬け、触媒を除去し
た。

皇隻詰来 実施例１〜８と比較例１〜４とについて、それぞれライ
ン間、パッド間の表面抵抗と、セルフアライメントなら
びにはんだブリッジ特性とを試験したので、それの結果
を第１表に示す。

第１表 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、電子部品搭載域に
おけるセルフアライメント効果とはんだブリッジ防止効
果に優れる一方で、高密度ラインパターン域における絶
縁抵抗特性にも優れるプリント配線板を製造することが
できる。従って、プリント配線板へのはんだペーストの
印刷が容易になり、部品搭載の容易化と共に電子部品接
続信頼性の高いプリント配線板を高歩留りで製造できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明プリント配線板の図であり、（ａ）は
バット部とライン部からなるプリント配線板の平面図、
（ｂ）はパッド部の斜視図、（ｃ）はコネクタ一部の斜
視図、 第２図は、本発明プリント配線板の製造工程図である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．導体ライン域についてのめっきレジストの全部もし
   くは大部分が除去されているのに対し、外部回路との接
   続部位についてのめっきレジストを永久レジストとして
   残留させてなり、前記導体ライン域の付与触媒のうち、
   めっきレジスト形成部分のものを除去もしくは不導体化
   させることを特徴とするプリント配線板。
2. ２．外部回路との接続部位が、コネクタ接続部および／
   またはパッドまわりの全部もしくは大部分である請求項
   １記載のプリント配線板。
3. ３．永久レジストの層厚を、導体回路の厚みよりも大き
   くすることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線
   板。
4. ４．外部回路との接続部位における付与触媒をめっきレ
   ジストとともに残留させる一方、導体ライン域の付与触
   媒については、導体回路部分を除くめっきレジスト形成
   部分が不導体化もしくは除去されていることを特徴とす
   る請求項１に記載のプリント配線板。
5. ５．永久レジストが８０〜２００℃で１０〜６０分間の
   熱処理によって完全硬化していることを特徴とする請求
   項１に記載のプリント配線板。
6. ６．基板上に形成した粗化接着剤層上に、触媒付与を行
   った後にレジスト層を形成し、その後前記レジスト層を
   露光現像してめっきレジストを形成し、得られたパター
   ン上に無電解めっきを施して導体回路を形成する方法に
   おいて、 ａ．前記パターン形成処理に当っては、低硬化率の弱露
   光を行った後弱い現像処理を行い、ｂ．得られた上記パ
   ターン上に、無電解めっきを施して導体回路を形成し、 ｃ．得られた導体回路のうち、外部回路との接続部位を
   除く導体ライン域上の全部もしくは大部分に、マスクを
   かけた後、残る外部回路との接続部位に高硬化率の強露
   光を施し、その後強い現像処理して前記導体ライン域の
   めっきレジストのみを溶解除去し、 ｄ．そして、前記導体ライン域の露出している触媒を酸
   もしくは酸化剤にて不導体化あるいは除去させること、 により、外部回路との接続部位のめっきレジストを永久
   レジスト化して残留させる一方、導体ライン域について
   のめっきレジストのみを剥離除去した状態のプリント配
   線板とすることを特徴とするプリント配線板の製造方法
   。
7. ７．低硬化率露光を０．１〜６０％の反応基が反応する
   よう行い、高硬化率の露光を６０％を超える反応基が反
   応するように行うことを特徴とする請求項６に記載のプ
   リント配線板の製造方法。
8. ８．めっきレジストを８０〜２００℃で１０〜６０分間
   の加熱処理によって永久レジスト化させることを特徴と
   する請求項６に記載の製造方法。