JPH04206630A - アモルフアスシリコン系薄膜の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン系薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH04206630A JPH04206630A JP2334180A JP33418090A JPH04206630A JP H04206630 A JPH04206630 A JP H04206630A JP 2334180 A JP2334180 A JP 2334180A JP 33418090 A JP33418090 A JP 33418090A JP H04206630 A JPH04206630 A JP H04206630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- amorphous silicon
- film
- thin film
- silicon film
- Prior art date
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は太陽電池等として供してより優れた光劣化抑制
性能をもたらす、高い安定性を示すアモルファスシリコ
ン系薄膜を効率よく製造する方法に関する。
性能をもたらす、高い安定性を示すアモルファスシリコ
ン系薄膜を効率よく製造する方法に関する。
［従来技術］
従来、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉと表ス）系膜を
形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法
等で行われているものの、今日においても充分に光劣化
抑制性能を有する上記膜はなかなか得難く満足するまで
には到っていない。
形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法
等で行われているものの、今日においても充分に光劣化
抑制性能を有する上記膜はなかなか得難く満足するまで
には到っていない。
一方、キセノンガスを用いた前記ＣＶＤ法の例としては
例えば、特開平１−２９４８６６号公報には、プラズマ
ＣＶＤ法において、アモルファスシリコン膜形成用原料
ガスにＸｅガス、ことにその添加量が前記原料ガスに対
して２Ｖｏ１．％以下用いること等によって、原料ガス
を分解して活性化させることを促進し、前記膜特性を劣
化させることなく、膜の成膜速度を向上させようとする
アモルファスシリコン膜の形成方法が記載されている。
例えば、特開平１−２９４８６６号公報には、プラズマ
ＣＶＤ法において、アモルファスシリコン膜形成用原料
ガスにＸｅガス、ことにその添加量が前記原料ガスに対
して２Ｖｏ１．％以下用いること等によって、原料ガス
を分解して活性化させることを促進し、前記膜特性を劣
化させることなく、膜の成膜速度を向上させようとする
アモルファスシリコン膜の形成方法が記載されている。
また、特公平１−３２６５２号公報には、光ＣＶＤ法に
おいて、シラン含有ガス混合物に感光剤となるキセノン
等の不活性ガスを添加し用いるアモルファス・シリコン
膜の製造方法が記載されている等である。
おいて、シラン含有ガス混合物に感光剤となるキセノン
等の不活性ガスを添加し用いるアモルファス・シリコン
膜の製造方法が記載されている等である。
前述した特開平１−２９４８６６号公報に記載の方法に
よって成膜されたアモルファスシリコン膜については、
２Ｖｏ１％以下のＸｅガスの添加で成膜速度を向上させ
るようにすることはできたとしてもその範囲で光劣化抑
制性能を有することについては全く記載されておらず、
その向上をも成し得ることとなるものとは必ずしも言え
ないものであり、また特公平１−３２６５２号公報に記
載の方法は光子の吸収に対する反応体の感光度を増加さ
せようとするものであって、水分および移動性イオンの
両方に起因する環境汚染の悪影響による腐蝕および装ν
劣化を防止することによって固体装置の信頼性を増大さ
せようとするものの、やはり光劣化抑制性能を有するこ
とについては全く記載されておらずその向上をも成し得
るものとは言い難いものである。
よって成膜されたアモルファスシリコン膜については、
２Ｖｏ１％以下のＸｅガスの添加で成膜速度を向上させ
るようにすることはできたとしてもその範囲で光劣化抑
制性能を有することについては全く記載されておらず、
その向上をも成し得ることとなるものとは必ずしも言え
ないものであり、また特公平１−３２６５２号公報に記
載の方法は光子の吸収に対する反応体の感光度を増加さ
せようとするものであって、水分および移動性イオンの
両方に起因する環境汚染の悪影響による腐蝕および装ν
劣化を防止することによって固体装置の信頼性を増大さ
せようとするものの、やはり光劣化抑制性能を有するこ
とについては全く記載されておらずその向上をも成し得
るものとは言い難いものである。
〔ＭＢ点を解決するための手段］
本発明は、従来のかかる欠点に鑑みて成したものであっ
て、アモルファスシリコン系膜形成用原料ガスに対しキ
セノン（Ｘｅ）ガスを特定した充分な量混合した混合物
ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法によって基板上に成膜
するようにしたことにより、キセノンガス、ことにその
物理的なものと考えられる作用効果によって、光劣化抑
制を充分有するように成るアモルファスシリコン系Ｓ膜
の製造方法を提供するものである。
て、アモルファスシリコン系膜形成用原料ガスに対しキ
セノン（Ｘｅ）ガスを特定した充分な量混合した混合物
ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法によって基板上に成膜
するようにしたことにより、キセノンガス、ことにその
物理的なものと考えられる作用効果によって、光劣化抑
制を充分有するように成るアモルファスシリコン系Ｓ膜
の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明は、アモルファスシリコン系膜形成用
原料ガスとキセノンガスの混合物を用いてプラズマＣＶ
Ｄ法により、基板上にアモルファスシリコン系膜を形成
する方法において、体積表示で、キセノンガス／アモル
ファスシリコン系膜形成用原料ガス≧１の混合物ガスを
用いることを特徴とするアモルファスシリコン系薄膜の
製造方法を提供するものである。
原料ガスとキセノンガスの混合物を用いてプラズマＣＶ
Ｄ法により、基板上にアモルファスシリコン系膜を形成
する方法において、体積表示で、キセノンガス／アモル
ファスシリコン系膜形成用原料ガス≧１の混合物ガスを
用いることを特徴とするアモルファスシリコン系薄膜の
製造方法を提供するものである。
ここで、体積表示で、前記したキセノンガス／アモルフ
ァスシリコン系膜形成用原料カス≧１の混合物ガスを用
いることとしたのは、１未満であれば充分光劣化抑制の
作用効果を得ることができないように成るためであり、
好ましくは３０≧キセノンガス／アモルファスシリコン
系膜形成用原料ガス≧２である。なおこの際、１未満で
も１に近くなるにつれ前記光劣化抑制の作用効果が次第
に高まるものの、所期の光劣化抑制を得るためには１以
上とする必要があるものである。
ァスシリコン系膜形成用原料カス≧１の混合物ガスを用
いることとしたのは、１未満であれば充分光劣化抑制の
作用効果を得ることができないように成るためであり、
好ましくは３０≧キセノンガス／アモルファスシリコン
系膜形成用原料ガス≧２である。なおこの際、１未満で
も１に近くなるにつれ前記光劣化抑制の作用効果が次第
に高まるものの、所期の光劣化抑制を得るためには１以
上とする必要があるものである。
また、アモルファスシリコン系膜形成用原料ガスについ
ては、例えばシラン（ＳｉＨｉ） 、ジシラン（ＳｉＪ
ｂ ）ならびにゲルマン（ＧｅＨ４）とシランあるいは
ジシランの混合物ガス、メタン（ＣＨ，）とシランある
いはジシランの混合物ガス等であり、通常のアモルファ
スシリコン系膜形成用原料は、ことにプラズマＣＶＤ法
において用いるものは使用できるものである。
ては、例えばシラン（ＳｉＨｉ） 、ジシラン（ＳｉＪ
ｂ ）ならびにゲルマン（ＧｅＨ４）とシランあるいは
ジシランの混合物ガス、メタン（ＣＨ，）とシランある
いはジシランの混合物ガス等であり、通常のアモルファ
スシリコン系膜形成用原料は、ことにプラズマＣＶＤ法
において用いるものは使用できるものである。
さらに、アモルファスシリコン系薄膜については、アモ
ルファスシリコン薄膜および種々のアモルファス状のシ
リコン系合金引り例えばアモルファスシリコンゲルマニ
エーム（ａ−５ｉＧｅ） 、７％ルファスシリコンカー
ボン（ａ−５ｉＣ）等を総称して表したものである。
ルファスシリコン薄膜および種々のアモルファス状のシ
リコン系合金引り例えばアモルファスシリコンゲルマニ
エーム（ａ−５ｉＧｅ） 、７％ルファスシリコンカー
ボン（ａ−５ｉＣ）等を総称して表したものである。
さらにまた、前記プラズマＣＶＤ法を用いることとした
のは、プラズマＣＶＤ法を用いて前記キセノンによる作
用効果を得て成したからであって、他のアモルファスシ
リコン系薄膜の成膜法に応用し適用して前記作用効果を
得るようすることもできることは言うまでもない。なお
、基板については、ガラス、アルミニューム、ステンレ
ス等であり、特に限定されるものではない。
のは、プラズマＣＶＤ法を用いて前記キセノンによる作
用効果を得て成したからであって、他のアモルファスシ
リコン系薄膜の成膜法に応用し適用して前記作用効果を
得るようすることもできることは言うまでもない。なお
、基板については、ガラス、アルミニューム、ステンレ
ス等であり、特に限定されるものではない。
前述したとおり、本発明のアモルファスシリコン系薄膜
の製造方法は、体積表示で、キセノンガス／アモルファ
スシリコン系膜形成用７１ガス≧１である混合物ガスを
用いることとしたので、優れた光劣化抑制性能を有する
前記薄膜と成し得たものであり、プラズマＣＶＤ法にお
いてアモルファスシリコン系薄膜を作製する際のキセノ
ン混合の作用としては、Ｘｅの長寿命励起種のもつエネ
ルギーは９．４５ｅＶであるから成膜反応種としてＳｉ
Ｈ，が多くでき、所謂良い膜質が期待できるものとなる
。
の製造方法は、体積表示で、キセノンガス／アモルファ
スシリコン系膜形成用７１ガス≧１である混合物ガスを
用いることとしたので、優れた光劣化抑制性能を有する
前記薄膜と成し得たものであり、プラズマＣＶＤ法にお
いてアモルファスシリコン系薄膜を作製する際のキセノ
ン混合の作用としては、Ｘｅの長寿命励起種のもつエネ
ルギーは９．４５ｅＶであるから成膜反応種としてＳｉ
Ｈ，が多くでき、所謂良い膜質が期待できるものとなる
。
すなわちＳｉＨ４＋ＳｉＨ３の励起エネルギーは８．７
５ｅＶであり、５ｉ）１．＋５ｉ）１．の励起エネルギ
ーは９．４７ｅＶであるので、悪い膜質を誘起する５ｉ
Ｈ１の生成のためには９．４７ｅＶ以上の励起エネルギ
ーを必要とするため、前記特定した値のＸｅを用いるこ
とで５ｉＨｚを生成しないようにし得ることとなり、Ｘ
ｅ （ｍ＝１３１ ）という重い物質が膜成長表面に存
在すること、ことにある特定量点在することによって成
膜ラジカル５ｉ）１３の表面でのラジカル運動を抑制す
る、このため結晶化を防げ、しかも水素原子が集まって
いるようなボイドをネットワーク中に組み込むことがで
きること等を推考し確かめるなかで、これらの作用効果
が体積表示で、Ｘｅガス／ａ−５ｉ系膜形成用原料ガス
≧１で光劣化抑制性能を発現するのに対し有効であるこ
とを見出したものであって、本発明の方法によって成膜
したアモルファスシリコン系薄膜は充分長期的な光劣化
抑制性能を有するものと成り、太陽電池を初め、アモル
ファスシリコン系薄膜を採用する各種電子物品等、広い
分野で有用なものとなる。
５ｅＶであり、５ｉ）１．＋５ｉ）１．の励起エネルギ
ーは９．４７ｅＶであるので、悪い膜質を誘起する５ｉ
Ｈ１の生成のためには９．４７ｅＶ以上の励起エネルギ
ーを必要とするため、前記特定した値のＸｅを用いるこ
とで５ｉＨｚを生成しないようにし得ることとなり、Ｘ
ｅ （ｍ＝１３１ ）という重い物質が膜成長表面に存
在すること、ことにある特定量点在することによって成
膜ラジカル５ｉ）１３の表面でのラジカル運動を抑制す
る、このため結晶化を防げ、しかも水素原子が集まって
いるようなボイドをネットワーク中に組み込むことがで
きること等を推考し確かめるなかで、これらの作用効果
が体積表示で、Ｘｅガス／ａ−５ｉ系膜形成用原料ガス
≧１で光劣化抑制性能を発現するのに対し有効であるこ
とを見出したものであって、本発明の方法によって成膜
したアモルファスシリコン系薄膜は充分長期的な光劣化
抑制性能を有するものと成り、太陽電池を初め、アモル
ファスシリコン系薄膜を採用する各種電子物品等、広い
分野で有用なものとなる。
［実施例１
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。但
し本発明は係る実施例に限定されるものではない。
し本発明は係る実施例に限定されるものではない。
第１図は本発明の製造方法を用いてガラス基板上にアモ
ルファスシリコン系薄膜を成膜する平行平板型プラズマ
ＣＶＤ装置の一例を示す概略図であり、該プラズマＣＶ
Ｄ装置上は、減圧可能にして真空槽となる反応容器２と
、該容器２と同心的で上下に平行して配置された平板型
放電電極３゜３と、該電極の上部側に接続された高周波
電源１０と、ガラス基板４を載置できるようになってい
て載置した下部側の前記電極内に設けられ内部から前記
ガラス基板を、例えば２００〜３００℃程度に加熱する
ヒータ５と、５ｉＨａ、５ＩＪａ 、Ｇｅ１４等のアモ
ルファスシリコン系膜形成用原料ガス供給源６とキセノ
ンガス供給源７とから供給し、前述した特定の体積比で
混合した混合物ガスを前記反応容器２内に導入する導入
管８と、前記反応容器２を一旦高真空に排気した後供給
ガスの圧力を所定の値に保持するための排気ポンプに繋
がる排気口９とから成るものである。
ルファスシリコン系薄膜を成膜する平行平板型プラズマ
ＣＶＤ装置の一例を示す概略図であり、該プラズマＣＶ
Ｄ装置上は、減圧可能にして真空槽となる反応容器２と
、該容器２と同心的で上下に平行して配置された平板型
放電電極３゜３と、該電極の上部側に接続された高周波
電源１０と、ガラス基板４を載置できるようになってい
て載置した下部側の前記電極内に設けられ内部から前記
ガラス基板を、例えば２００〜３００℃程度に加熱する
ヒータ５と、５ｉＨａ、５ＩＪａ 、Ｇｅ１４等のアモ
ルファスシリコン系膜形成用原料ガス供給源６とキセノ
ンガス供給源７とから供給し、前述した特定の体積比で
混合した混合物ガスを前記反応容器２内に導入する導入
管８と、前記反応容器２を一旦高真空に排気した後供給
ガスの圧力を所定の値に保持するための排気ポンプに繋
がる排気口９とから成るものである。
前記プラズマＣＶＤ装置上において、前記下部側電極３
上にガラス基板４を装着した後、反応容器２を密閉し、
排気して該容器２内を高真空（例えば、１×１０ｈ〜１
×１０１１ＴＯｒｒ程度）に減圧し、前記電極内に配備
されているヒータ５によりガラス基板４を２００〜３０
０℃程度（例えば、約２５０℃前後）の所定温度に加熱
し、然る後、アモルファアシリコン系膜形成用原料供給
源６よりＳｉｎ、ガスを約Ｉ ＳＣＣＭ、キセノンガス
供給源７よりＸｅガスを約３０３ＣＣＭだけそれぞれ流
量制御して流し混合した混合物ガスを導入管８から反応
容器２内に導入して、該容器内の圧力を約３０ｍＴｏｒ
ｒに保持した状態で、高周波電源１０により１００〜１
５０ ｍＷ／ｃｉ（１３，５６ＭＨｚであり、例えば約
１３０ｍＷ ／ ｃｉ ）の電力を放電電極３に付与す
ることにより、前記ガラス基板４の表面に膜厚が５００
０〜６０００人程度であるアモルファスシリコン薄膜が
成膜される。
上にガラス基板４を装着した後、反応容器２を密閉し、
排気して該容器２内を高真空（例えば、１×１０ｈ〜１
×１０１１ＴＯｒｒ程度）に減圧し、前記電極内に配備
されているヒータ５によりガラス基板４を２００〜３０
０℃程度（例えば、約２５０℃前後）の所定温度に加熱
し、然る後、アモルファアシリコン系膜形成用原料供給
源６よりＳｉｎ、ガスを約Ｉ ＳＣＣＭ、キセノンガス
供給源７よりＸｅガスを約３０３ＣＣＭだけそれぞれ流
量制御して流し混合した混合物ガスを導入管８から反応
容器２内に導入して、該容器内の圧力を約３０ｍＴｏｒ
ｒに保持した状態で、高周波電源１０により１００〜１
５０ ｍＷ／ｃｉ（１３，５６ＭＨｚであり、例えば約
１３０ｍＷ ／ ｃｉ ）の電力を放電電極３に付与す
ることにより、前記ガラス基板４の表面に膜厚が５００
０〜６０００人程度であるアモルファスシリコン薄膜が
成膜される。
以上のようにして得られたアモルファスシリコン薄膜に
ついて、例えば光導電率に関しては（株）スパンドニク
ス製の導電率自動測定システムによって測定して評価し
、光劣化に関しては疑似太陽光（ＡＭ −１，１００ｍ
Ｗ ／Ｃｉ、ソーラーシミュレータ光照射）による約５
００時間程度までの光照射後光導電率を測定し、光照射
前の光導電率と対比することで評価した。なお以下詳述
するように他にも種々測定をした。
ついて、例えば光導電率に関しては（株）スパンドニク
ス製の導電率自動測定システムによって測定して評価し
、光劣化に関しては疑似太陽光（ＡＭ −１，１００ｍ
Ｗ ／Ｃｉ、ソーラーシミュレータ光照射）による約５
００時間程度までの光照射後光導電率を測定し、光照射
前の光導電率と対比することで評価した。なお以下詳述
するように他にも種々測定をした。
その結果、充分長期的に光劣化を抑制するようなアモル
ファスシリコン薄膜と成っているものであった。
ファスシリコン薄膜と成っているものであった。
第２図は第１図において示したプラズマＣＶＤ装置を用
い、その成膜条件を変え、測定評価したものであって、
Ｘｅ／ＳｉＨ，と、光照射後の光導電率と最初の光導電
率との比、すなわち光導電率の変化（σ、い、／σ、。
い、その成膜条件を変え、測定評価したものであって、
Ｘｅ／ＳｉＨ，と、光照射後の光導電率と最初の光導電
率との比、すなわち光導電率の変化（σ、い、／σ、。
、）の関係を、高周波電源出力を０．０３Ｗ ／ｃｉ〜
０．５３讐／−に変化させた際のデータを示す。いずれ
の場合もＸｅの割合を増加するにつれて、光導電率の変
化量（σ（００１／σ（。、）が減少し光劣化が抑制さ
れていることがわかる。すｔｘｈちＸｅ／ＳｉＨ，を１
以上にすることにより光導電率の変化が減少し、光劣化
の抑制となる。 Ｘｅ／５ｉｎ４のより好ましい範囲と
しては３０≧Ｘｅ／ＳｉＨ４≧１である。
０．５３讐／−に変化させた際のデータを示す。いずれ
の場合もＸｅの割合を増加するにつれて、光導電率の変
化量（σ（００１／σ（。、）が減少し光劣化が抑制さ
れていることがわかる。すｔｘｈちＸｅ／ＳｉＨ，を１
以上にすることにより光導電率の変化が減少し、光劣化
の抑制となる。 Ｘｅ／５ｉｎ４のより好ましい範囲と
しては３０≧Ｘｅ／ＳｉＨ４≧１である。
第３図は光照射時間と光導電率の変化の関係を示す図で
あり、破線（−−−−）がＳｉＨ，のみで作製したａ−
５ｉ Ｉ膜の場合であり、口および園の実線は×ｅ／５
ｉＨ４＝５として作製したａ −Ｓ ｉ ＩＩＩであっ
て、口は高周波電源出力が０．３９Ｗ ／Ｃ！＋１、園
は前記出力が０．５３Ｗ ／−である場合のものである
。
あり、破線（−−−−）がＳｉＨ，のみで作製したａ−
５ｉ Ｉ膜の場合であり、口および園の実線は×ｅ／５
ｉＨ４＝５として作製したａ −Ｓ ｉ ＩＩＩであっ
て、口は高周波電源出力が０．３９Ｗ ／Ｃ！＋１、園
は前記出力が０．５３Ｗ ／−である場合のものである
。
χｅガスを所定量混合してａ −Ｓ ｉ １１１１［を
作製することにより、長時間の光照射に対し、光導電率
の変化の小さいｌＩ膜が得られており、ａ−Ｓｉｌ膜の
光劣化が抑制されていることがわかる。
作製することにより、長時間の光照射に対し、光導電率
の変化の小さいｌＩ膜が得られており、ａ−Ｓｉｌ膜の
光劣化が抑制されていることがわかる。
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法において特定した体
積量比で充分キセノンガスを供給混合するようにしアモ
ルファスシリコン系薄膜を成膜するようにしたので、実
質的に光劣化がないアモルファスシリコン系薄膜と成し
得ることができ、例えばアモルファスシリコン太陽電池
における最大の課題の一つである光劣化の抑制ができる
ことと成り、その実用化で普及に貢献しうる有用なアモ
ルファスシリコン系薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
積量比で充分キセノンガスを供給混合するようにしアモ
ルファスシリコン系薄膜を成膜するようにしたので、実
質的に光劣化がないアモルファスシリコン系薄膜と成し
得ることができ、例えばアモルファスシリコン太陽電池
における最大の課題の一つである光劣化の抑制ができる
ことと成り、その実用化で普及に貢献しうる有用なアモ
ルファスシリコン系薄膜の製造方法を提供するものであ
る。
第１図は本発明のアモルファスシリコン系ｌｌ膜の製造
方法を実施する平行平板型プラズマＣＶＤ装置の一例を
示す概略図、第２図は本発明の製造方法で得たａ−Ｓｉ
系薄膜に光照射した際におけるキセノンガスの混合比と
光導電率の変化（σ、い、／σ（。、）との関係を示す
図、第３図は本発明の製造方法で 得たａ−３ｉ系薄膜
における光照射時間と光導電率の変化の関係を示す図で
ある。 上−ｍ−平行平板型プラズマＣＶＤ装置２−−一反応容
器 ３．３−−一放電電極４−−−ｉｆラス基板 ６−
−−アモルファスシリコン系膜形成用原料ガス供給源
７−−−キセノンガス供給源
方法を実施する平行平板型プラズマＣＶＤ装置の一例を
示す概略図、第２図は本発明の製造方法で得たａ−Ｓｉ
系薄膜に光照射した際におけるキセノンガスの混合比と
光導電率の変化（σ、い、／σ（。、）との関係を示す
図、第３図は本発明の製造方法で 得たａ−３ｉ系薄膜
における光照射時間と光導電率の変化の関係を示す図で
ある。 上−ｍ−平行平板型プラズマＣＶＤ装置２−−一反応容
器 ３．３−−一放電電極４−−−ｉｆラス基板 ６−
−−アモルファスシリコン系膜形成用原料ガス供給源
７−−−キセノンガス供給源
Claims (1)
- １）アモルファスシリコン系膜形成用原料ガスとキセノ
ンガスの混合物ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により、
基板上にアモルファスシリコン系膜を形成する方法にお
いて、体積表示で、キセノンガス／アモルファスシリコ
ン系膜形成用原料ガス≧１の混合物ガスを用いることを
特徴とするアモルファスシリコン系薄膜の製造方法
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334180A JPH06101448B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | アモルフアスシリコン系薄膜の製造方法 |
| EP91120065A EP0488112B1 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-25 | Method of forming thin film of amorphous silicon by plasma CVD |
| DE69103251T DE69103251T2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-25 | Verfahren zum Bilden einer amorphen Siliziumdünnschicht mittels Plasma-CVD. |
| US07/797,987 US5246744A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | Method of forming thin film of amorphous silicon by plasma cvd |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334180A JPH06101448B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | アモルフアスシリコン系薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206630A true JPH04206630A (ja) | 1992-07-28 |
| JPH06101448B2 JPH06101448B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=18274434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2334180A Expired - Lifetime JPH06101448B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | アモルフアスシリコン系薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101448B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2334180A patent/JPH06101448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| US6660572B2 (en) | 1995-12-14 | 2003-12-09 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101448B2 (ja) | 1994-12-12 |
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