JPH04206822A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04206822A JPH04206822A JP33745190A JP33745190A JPH04206822A JP H04206822 A JPH04206822 A JP H04206822A JP 33745190 A JP33745190 A JP 33745190A JP 33745190 A JP33745190 A JP 33745190A JP H04206822 A JPH04206822 A JP H04206822A
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- Japan
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- self
- etching
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- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はセルフクリーニング機構を備えた減圧ＣＶＤ
装置に関し、特にセルフクリーニング時のエツチング終
点検出装置に関するものである。
装置に関し、特にセルフクリーニング時のエツチング終
点検出装置に関するものである。
第２図は従来のセルフクリーニング機構を備えた減圧Ｃ
ＶＤ装置の断面図である。図において、（１ａ）は右奥
等からなる反応管、（１ｂ）は反応管（１）内に設けら
れた遮へい板、（２）は反応管（１）を加熱するヒータ
、（３）は半導体基板を支持するボート、（４ａ）（４
ｂ）は反応管（１）を支持・固定し密閉できるマンホー
ルドである。
ＶＤ装置の断面図である。図において、（１ａ）は右奥
等からなる反応管、（１ｂ）は反応管（１）内に設けら
れた遮へい板、（２）は反応管（１）を加熱するヒータ
、（３）は半導体基板を支持するボート、（４ａ）（４
ｂ）は反応管（１）を支持・固定し密閉できるマンホー
ルドである。
次に動作について説明する。
反応管（１ａ）内はヒータ（２）より約５００〜８００
°Ｃ程度に加熱されており、半導体基板（図示せず）は
ホー１− （３）上に支持され、反応管（Ｉａ）内に挿
入されて密閉される。次いて、真空ポンプ（図示せず）
等により反応管（１）内は所定の圧力（約０．１〜Ｉｔ
ｏｖｖ程度）まで減圧され、プロセスガス、例えば多い
結晶シリコンを堆積する場合はシランガスを導入するこ
とにより、半導体基板上に化学的気相反応により薄膜形
成か行なわれる。しかし、半導体基板への堆積と同時に
反応管（１）上にも膜堆積か行なわれるのである頻度で
上記反応管（１）をクリーニングする必要かある。そこ
で３吊化塩素等のエツチングガスを用いてプラズマ状態
なして反応管（１）上の堆積膜のエツチングをするセル
フクリーニングか行なわれている。
°Ｃ程度に加熱されており、半導体基板（図示せず）は
ホー１− （３）上に支持され、反応管（Ｉａ）内に挿
入されて密閉される。次いて、真空ポンプ（図示せず）
等により反応管（１）内は所定の圧力（約０．１〜Ｉｔ
ｏｖｖ程度）まで減圧され、プロセスガス、例えば多い
結晶シリコンを堆積する場合はシランガスを導入するこ
とにより、半導体基板上に化学的気相反応により薄膜形
成か行なわれる。しかし、半導体基板への堆積と同時に
反応管（１）上にも膜堆積か行なわれるのである頻度で
上記反応管（１）をクリーニングする必要かある。そこ
で３吊化塩素等のエツチングガスを用いてプラズマ状態
なして反応管（１）上の堆積膜のエツチングをするセル
フクリーニングか行なわれている。
−２＝
〔発明か解決しようとする課題〕
従来のセルフクリーニング機構を備えた減圧ＣＶＤ装置
は上記の様に構成されていたので、セルフクリーニング
を行なう場合、オーバーエッチを行なうと右奥からなる
反応管をもエツチングされるのて、反応管上の堆積膜の
エツチング終点を検出することか必要で、そのため総堆
積膜厚に対応するエツチング時間を設定しなければなら
ない等の問題点かあった。
は上記の様に構成されていたので、セルフクリーニング
を行なう場合、オーバーエッチを行なうと右奥からなる
反応管をもエツチングされるのて、反応管上の堆積膜の
エツチング終点を検出することか必要で、そのため総堆
積膜厚に対応するエツチング時間を設定しなければなら
ない等の問題点かあった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためなされたも
ので、セルフクリーニング時のエツチング終点検出機構
を備えた半導体製造装置を得ることを目的とする。
ので、セルフクリーニング時のエツチング終点検出機構
を備えた半導体製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、レーザ光等を反応管
に照射し、その透過光強度を検出する手段を設けたもの
である。
に照射し、その透過光強度を検出する手段を設けたもの
である。
この発明における半導体製造装置は、反応管を透過する
レーザ光等の強度を検出し、モニタリングすることによ
り、反応管上の堆積膜のジャストエツチング時には透過
光強度か急激に増加するため、堆積膜のエツチング終点
を検出することかできる。
レーザ光等の強度を検出し、モニタリングすることによ
り、反応管上の堆積膜のジャストエツチング時には透過
光強度か急激に増加するため、堆積膜のエツチング終点
を検出することかできる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例であるセルフクリーニング
機構を備えた縦型減圧ＣＶＤ装置の断面図である。
機構を備えた縦型減圧ＣＶＤ装置の断面図である。
図において、（５）はレーザ光照射装置、（６）はレー
ザ光を受光するディテクターであり、反応管（１ａ）部
に対向させて取付けられている。なお、その他の符号は
前記従来のものと同一である。
ザ光を受光するディテクターであり、反応管（１ａ）部
に対向させて取付けられている。なお、その他の符号は
前記従来のものと同一である。
次に動作について説明する。
化学的気相成長法により半導体基板上に薄膜形成を行な
う動作については前記従来のものと同一である。
う動作については前記従来のものと同一である。
次に反応管（］ ａ ） ｌに堆積された薄膜、例えば
多結晶シリコン膜のセルフクリーニングの動作について
説明する。
多結晶シリコン膜のセルフクリーニングの動作について
説明する。
反応管（ｌａ）内は真空ポンプ等の手段を用いて、所定
の圧力まで減圧され、エツチングガス例えば３吊化塩素
等を導入することにより、反応管（１ａ）上の堆積膜は
エツチングされる。このセルフクリーニング処理中、レ
ーザ光照射装置（５）によりレーザ光を反応管（１ａ）
に照射し、その透過光の強度をディテクター（６）によ
りモニタリングする。堆積膜エツチング初期においては
、反応管（１ａ）上に堆積膜が存在するため、レーザ光
は反応管（１ａ）をほとんと透過しない。堆積膜のエツ
チング終了直前には、反応管（１ａ）上の堆積膜は薄い
のてレーザ透過光強度は増加する。堆積膜のエツチング
が終了すると、レーザ透過光強度はほぼ一定となるのて
、エツチング終点を検出することができる。
の圧力まで減圧され、エツチングガス例えば３吊化塩素
等を導入することにより、反応管（１ａ）上の堆積膜は
エツチングされる。このセルフクリーニング処理中、レ
ーザ光照射装置（５）によりレーザ光を反応管（１ａ）
に照射し、その透過光の強度をディテクター（６）によ
りモニタリングする。堆積膜エツチング初期においては
、反応管（１ａ）上に堆積膜が存在するため、レーザ光
は反応管（１ａ）をほとんと透過しない。堆積膜のエツ
チング終了直前には、反応管（１ａ）上の堆積膜は薄い
のてレーザ透過光強度は増加する。堆積膜のエツチング
が終了すると、レーザ透過光強度はほぼ一定となるのて
、エツチング終点を検出することができる。
」１記の縦型減圧ＣＶＤ装置のセルフクリーニングにお
いては排気配管近辺の堆積膜か最後にエツチングされる
ので、反応管（１ａ）下部の堆積膜のエツチングをモニ
タリングすることにより、はぼ反応管全体の堆積膜のエ
ツチング状況を検出することができる。
いては排気配管近辺の堆積膜か最後にエツチングされる
ので、反応管（１ａ）下部の堆積膜のエツチングをモニ
タリングすることにより、はぼ反応管全体の堆積膜のエ
ツチング状況を検出することができる。
このように、この半導体製造装置てはレーザ光照射装置
（５）によりレーザ光反応管（１ａ）に照射しその透過
光強度をディテクター（６）により検出することにより
堆積膜のエツチング終点を検出することができる。
（５）によりレーザ光反応管（１ａ）に照射しその透過
光強度をディテクター（６）により検出することにより
堆積膜のエツチング終点を検出することができる。
以」二のようにこの発明によれば、レーザ光照射装置及
びそのレーザ光強度を検出する受光器を設けたので、右
奥からなる反応管上に堆積された膜のエツチングを行な
う時、レーザ光、を反応管に照射し、その照射部から透
過するレーザ光の強度を連続的に観察することにより、
エツチングの終点を確実に検出することかでき、又、反
応管をもエツチングされる事を防ぐことかできる効果が
得られる。
びそのレーザ光強度を検出する受光器を設けたので、右
奥からなる反応管上に堆積された膜のエツチングを行な
う時、レーザ光、を反応管に照射し、その照射部から透
過するレーザ光の強度を連続的に観察することにより、
エツチングの終点を確実に検出することかでき、又、反
応管をもエツチングされる事を防ぐことかできる効果が
得られる。
第１図はこの発明の一実施例であるセルフクリーニング
機構を備えた減圧ＣＶＤ装置の断面図、第２図は従来の
セルフクリーニング機構を備えた減圧ＣＶＤ装置の断面
図である。 図において、（１ａ）は反応管、（１ｂ）は遮へい板、
（４ａ、） （４ｂ ）はマンホールド、（５）はレー
ザ光照射装置、（６）はディテクターを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
機構を備えた減圧ＣＶＤ装置の断面図、第２図は従来の
セルフクリーニング機構を備えた減圧ＣＶＤ装置の断面
図である。 図において、（１ａ）は反応管、（１ｂ）は遮へい板、
（４ａ、） （４ｂ ）はマンホールド、（５）はレー
ザ光照射装置、（６）はディテクターを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- セルフクリーニング機構を備えた減圧ＣＶＤ装置にお
いて、反応管に光を照射する手段と、前記反応管からの
透過光強度を検出する手段を設け、セルフクリーニング
処理中に透過光強度を連続的に観察することによりエッ
チング終点を検出することによりエッチング終点を検出
することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33745190A JPH04206822A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33745190A JPH04206822A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206822A true JPH04206822A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18308760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33745190A Pending JPH04206822A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206822A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936102A (ja) * | 1995-05-17 | 1997-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チャンバー内の堆積物のモニター方法，プラズマ加工方法，ドライクリーニング方法及び半導体製造装置 |
| JP2002057111A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR100313386B1 (ko) * | 1994-11-26 | 2003-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 에칭장치 |
| KR100395085B1 (ko) * | 2000-05-16 | 2003-08-21 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 리액터내 퇴적막두께모니터장치 및 건식공정처리방법 |
| US6989281B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method for a semiconductor device manufacturing apparatus |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33745190A patent/JPH04206822A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313386B1 (ko) * | 1994-11-26 | 2003-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 에칭장치 |
| JPH0936102A (ja) * | 1995-05-17 | 1997-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チャンバー内の堆積物のモニター方法，プラズマ加工方法，ドライクリーニング方法及び半導体製造装置 |
| KR100395085B1 (ko) * | 2000-05-16 | 2003-08-21 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 리액터내 퇴적막두께모니터장치 및 건식공정처리방법 |
| JP2002057111A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US6989281B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method for a semiconductor device manufacturing apparatus |
| US7145667B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus, semiconductor device manufacturing system, and cleaning method for semiconductor device manufacturing apparatus |
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