JPH04207062A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04207062A
JPH04207062A JP2340501A JP34050190A JPH04207062A JP H04207062 A JPH04207062 A JP H04207062A JP 2340501 A JP2340501 A JP 2340501A JP 34050190 A JP34050190 A JP 34050190A JP H04207062 A JPH04207062 A JP H04207062A
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heat sink
inner lead
semiconductor chip
lead
semiconductor device
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Masato Tanaka
正人 田中
Katsuya Fukase
克哉 深瀬
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は放熱性に優れる半導体装置およびこれに用いる
リードフレームに関する。
（従来の技術） 従来の半導体装置では第５図に例示するように半導体チ
ップ１０をヒートシンク１１上に固着し、半導体チップ
１０からの熱をヒートシンク１１を通じてリードあるい
は封止樹脂に拡散させ、放熱するようにしている。
あるいは第６図に示すように、リードフレームを２層に
形成して、広い面積を有するダイパッド１２からリード
フレームを通じて放熱を図るようにした半導体装置も知
られている。
（発明が解決しようとする課題） しかるに近年半導体チップは益々高集積化の一途を辿り
、発熱量も多いことから上記従来の半導体装置では放熱
性が充分でない。
そこで、本発明は放熱性に優れる半導体装置およびこれ
に用いるリードフレームを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明に係る半導体装置では、ヒートシ
ンクが周縁部上でインナーリードに重ねられてインナー
リードに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒート
シンクのインナーリードに囲まれる部位に突出部が形成
されたリードフレームの該突出部上に、半導体チップが
そのジャンクションパターンの存在するチップ面を突出
部に向けて絶縁性接着剤により接合され、半導体チップ
とインナーリードとがＴＡＢリードにより電気的に接続
され、半導体チップが封止樹脂中に封止されていること
を特徴としている。
また、本発明に係るリードフレームでは、ヒートシンク
が周縁部上でインナーリードに重ねられてインナーリー
ドに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒートシン
クのインナーリードに囲まれる部位に半導体チップ接合
用の突出部が形成されていることを特徴としている。
（作用） 本発明に係る半導体装置ではジャンクションパターンが
ある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒートシン
クを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、より
集積度の高い半導体チップを搭載できる。
またリードフレームは、ヒートシンクのインナーリード
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　
Ｂｏｎｄｉｎｇ）リードによって半導体チップとインナ
ーリードとを容易に接続することができる。
（実施例） 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
第１図はリードフレーム２０の平面図、第２図はその断
面図である。
図において、２１はアウターリード、２２はインナーリ
ード、２３はダムバー、２４はレール部、２５はヒート
シンクである。
ヒートシンク２５はその上面周縁部にインナ−リード２
２下面に電気的絶縁性を有する接着剤２６を介して接合
されている。またヒートシンク２５上面の、インナーリ
ード２２先端で囲まれる空間部内に上面がインナ−リー
ド２２上面とほぼ面一になる突出部２７が形成されてい
る。
ヒートシンク２５は放熱性に優れる金属やセラミックが
用いられるが、半導体チップと熱膨張係数の近い素材、
例えばＭＯ材、ＡＩＮ材、ＳｉＣ材、Ｃｕ−Ｗ材などを
用いると好適である。
第３図は上記リードフレーム２０を用いて形成した半導
体装置３０の断面図を示す。
本実施例の半導体装置３０は、ヒートシンク２５の突出
部２７上面に、半導体チップ２９がそのジャンクション
パターンのあるチップ面を突出部２７上面に向けて絶縁
性を有する接着剤３２により固着され、さらに半導体チ
ップ２９はインナーリード２２とＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐ
ｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）リード３３
で電気的に接続されている。そして、ヒートシンク２５
が封止樹脂３４中に封止されて半導体装置３０に完成さ
れている。
なお、ＴＡＢリードとはＴＡＢテープを用いたものであ
り、支持テープに銅箔からなるリードを多数本支持した
ＴＡＢテープを用いてリードを半導体チップとインナー
リードにボンディングし、支持テープ部分を除去してリ
ードのみを用いたもの、あるいはそのまま支持テープを
残したものをいう。
第４図は半導体チップ２９の反対側の面にもヒートシン
ク３５を接着剤３６によって接合し、両ヒートシンク２
５．３５の外側面を封止樹脂３４表面に露出させた実施
例を示す。両ヒートシンク２５．３５は封止樹脂３４中
に埋没させてもあるいは一部を露出させてもよい。
以上のように構成されているから、ジャンクションパタ
ーンがある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒー
トシンク２５を通じて外部に放熱されるので放熱性に優
れ、半導体チップ３】の高集積化に対処しうる。また第
４図に示すように半導体チップ３１の他面側にもヒート
シンク３５を設けることによりさらに放熱性を向上させ
ることができる。
また、リードフレーム２０はヒートシンク２５の上面側
に突出部２７を設けているので、半導体チップ３１の接
合が容易に行え、またＴＡＢリード３３を用いることに
より半導体チップ３１の端子部の存在する面を突出部２
７側に向けて固定しても半導体チップ３１とインナーリ
ード２２との接続を容易に行える。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
（発明の効果） 本発明に係る半導体装置ではジャンクションパターンが
ある発熱量の大きいチ・ノブ面からの熱が直接ヒートシ
ンクを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、よ
り集積度の高い半導体チップを搭載できる。
またリードフレームは、ヒートシンクのインナーリード
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢリードを用いて半導体チップとイン
ナーリードとを容易に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はリードフレームの一例を示す平面図、第２図は
その断面図、第３図は半導体装置の一例を示す断面図、
第４図は半導体装置の他の実施例を示す断面図である。 第５図、第６図はそれぞれ従来の半導体装置の例を示す
断面図である。 ２０・・・リードフレーム、　２２・・・インナーリー
ド、　　２５・　・・ヒートシンク、２７・・・突出部
、　３０・・・半導体装置、３１・・・半導体チップ、
　３２・・・接着側、３３・・・ＴＡＢリード、　　３
４・・・封止樹脂。 第　　　１　　　図　　　　　釜 第　　　２　　　図 りｎ 第　　５　　図 第６図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンクが周縁部上でインナーリードに重ねら
    れてインナーリードに電気的に絶縁されて接合されると
    共に、ヒートシンクのインナーリードに囲まれる部位に
    突出部が形成されたリードフレームの該突出部上に、半
    導体チップがそのジャンクションパターンの存在するチ
    ップ面を突出部に向けて絶縁性接着剤により接合され、
    半導体チップとインナーリードとがＴＡＢリードにより
    電気的に接続され、半導体チップが封止樹脂中に封止さ
    れていることを特徴とする半導体装置。 ２、ヒートシンクが周縁部上でインナーリードに重ねら
    れてインナーリードに電気的に絶縁されて接合されると
    共に、ヒートシンクのインナーリードに囲まれる部位に
    半導体チップ接合用の突出部が形成されていることを特
    徴とするリードフレーム。
JP2340501A 1990-11-30 1990-11-30 半導体装置 Expired - Lifetime JP2962575B2 (ja)

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