JPH04207603A - パッケージ - Google Patents
パッケージInfo
- Publication number
- JPH04207603A JPH04207603A JP2337493A JP33749390A JPH04207603A JP H04207603 A JPH04207603 A JP H04207603A JP 2337493 A JP2337493 A JP 2337493A JP 33749390 A JP33749390 A JP 33749390A JP H04207603 A JPH04207603 A JP H04207603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- package
- conductor
- isolation
- crank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、特に数十ＭＨｚ以上の高周波帯で動作する
半導体装置の高周波用パッケージに関するものである。
半導体装置の高周波用パッケージに関するものである。
第８図は従来の高周波用パッケージを示す斜視図である
。同図において（１）は導体層、（２）は分布定数線路
、（３）は半導体集積回路、（４）はボンディングワイ
ヤで導体層（１）上に分布定数線路（２）、半導体集積
回路（３）か半田等の接続材で接着されている。又分布
定数線路（２）、半導体集積回路（３）はホンデングワ
イヤ（４）によってそれぞれ接線されている。（５）は
導体層からなるリングで、分布定数線路（２）とはセラ
ミックを介して電気的に分離されている。次に動作につ
いて説明する。上記のように構成された高周波パッケー
ジにおいては、マイクロ波信号は分布定数線路（２）、
ホンディングワイヤ（４）を伝わり半導体集積回路（３
）に入力し、別のホンディングワイヤ（４）分布定数線
路（２）を伝わり出力される。
。同図において（１）は導体層、（２）は分布定数線路
、（３）は半導体集積回路、（４）はボンディングワイ
ヤで導体層（１）上に分布定数線路（２）、半導体集積
回路（３）か半田等の接続材で接着されている。又分布
定数線路（２）、半導体集積回路（３）はホンデングワ
イヤ（４）によってそれぞれ接線されている。（５）は
導体層からなるリングで、分布定数線路（２）とはセラ
ミックを介して電気的に分離されている。次に動作につ
いて説明する。上記のように構成された高周波パッケー
ジにおいては、マイクロ波信号は分布定数線路（２）、
ホンディングワイヤ（４）を伝わり半導体集積回路（３
）に入力し、別のホンディングワイヤ（４）分布定数線
路（２）を伝わり出力される。
従来のパッケージは上記のように構成されているので入
出力ボート間に導体層からなるリングを設けて、信号線
路を伝播するマイクロ波信号以外のマイクロ波信号をシ
ールドするように構成されていたが、完全にシールドで
きない為にパッケージのアイソレーションか悪かった。
出力ボート間に導体層からなるリングを設けて、信号線
路を伝播するマイクロ波信号以外のマイクロ波信号をシ
ールドするように構成されていたが、完全にシールドで
きない為にパッケージのアイソレーションか悪かった。
したかって増幅器等の能動素子をパッケージに入れた場
合発振等か起こり所望のマイクロ波特性か得られないな
との問題点かあった。
合発振等か起こり所望のマイクロ波特性か得られないな
との問題点かあった。
二の発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、入出力ボート間の距離を従来より延ばしたりボ
ート間に電気的にシールドをほどこすこと（こより、高
アイソレーションなパッケージを得ることを目的とする
。
もので、入出力ボート間の距離を従来より延ばしたりボ
ート間に電気的にシールドをほどこすこと（こより、高
アイソレーションなパッケージを得ることを目的とする
。
第１の発明に係るパッケージは、基板上に形成された半
導体装置を導体層上に少なくとも１つは有する導体層に
おいて、該導体層３個を接続し、かつ上記第１、第２及
び第２、第３の導体層上の半導体装置をおのおの接続す
るか、または、導体層第１、第２及び第３をコの字型に
接続し、各導体層に囲まれた領域に導体を配しかつ、上
記第１、第２及び第２、第３の導体層上の半導体装置を
おのおの接続したものである。
導体装置を導体層上に少なくとも１つは有する導体層に
おいて、該導体層３個を接続し、かつ上記第１、第２及
び第２、第３の導体層上の半導体装置をおのおの接続す
るか、または、導体層第１、第２及び第３をコの字型に
接続し、各導体層に囲まれた領域に導体を配しかつ、上
記第１、第２及び第２、第３の導体層上の半導体装置を
おのおの接続したものである。
この発明におけるパッケージは、信号線路を伝わるマイ
クロ波信号以外の空中を伝播する漏洩マイクロ波信号成
分を減少させることか可能で、高アイソレーシヨン化を
計ることかできる。又、同時に同じ距離でも高密度に実
装する二とかできる。
クロ波信号以外の空中を伝播する漏洩マイクロ波信号成
分を減少させることか可能で、高アイソレーシヨン化を
計ることかできる。又、同時に同じ距離でも高密度に実
装する二とかできる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す斜視図。
図において（１）は導体層、（２）は分布定数線路、（
３）は半導体集積回路、（４）はホンデンクワイヤで、
該導体層（１）上に分布定数線路（２）、半導体集積回
路（３）を半田付けし、それぞれはホンディングワイヤ
（４）により接続されている。図示のように、導体層（
１）かクランク形になっている為入出力ポート間の距離
か従来より延び空中を伝播するマイクロ波信号か減少し
、アイソレーションか向上するようにしている。
３）は半導体集積回路、（４）はホンデンクワイヤで、
該導体層（１）上に分布定数線路（２）、半導体集積回
路（３）を半田付けし、それぞれはホンディングワイヤ
（４）により接続されている。図示のように、導体層（
１）かクランク形になっている為入出力ポート間の距離
か従来より延び空中を伝播するマイクロ波信号か減少し
、アイソレーションか向上するようにしている。
第２図は導体層（１）を同軸クランク型にしたパンケー
ジの第２の実施例を示す側断面図である。図中て導体層
（１１に導体（５）を上下に動かし調整することて、パ
ッケージの共振を抑制することか可能てあり、又導体（
５）か入出力ポート間に設置されることて電気的に両ポ
ート間はシールドされた状態となり、両ポート間のアイ
ソレーションか向上する。
ジの第２の実施例を示す側断面図である。図中て導体層
（１１に導体（５）を上下に動かし調整することて、パ
ッケージの共振を抑制することか可能てあり、又導体（
５）か入出力ポート間に設置されることて電気的に両ポ
ート間はシールドされた状態となり、両ポート間のアイ
ソレーションか向上する。
第３図、第４図は導体層（１）をクランク型にした他の
実施例を示す側断面図。第５図、第６図は導体層（１）
をクランク型にしたパッケージの他の実施例を示す上面
図である。第３図〜第６図のように導体層（１）のクラ
ンク形状を上下、左右任意に組み合わせた形状にしても
第１の実施例と同様の効果か得られる。第７図は導体層
（１）を同軸クランク型にしたパッケージの他の実施例
を示す側断面図である。同図のように導体層（１１に挿
入する導体（５）の形状を歯型にすることにより共振周
波数か第２の実施例よりも高くなり、より高周波で使用
可能な高アイソレーシヨンパッケージとなる。
実施例を示す側断面図。第５図、第６図は導体層（１）
をクランク型にしたパッケージの他の実施例を示す上面
図である。第３図〜第６図のように導体層（１）のクラ
ンク形状を上下、左右任意に組み合わせた形状にしても
第１の実施例と同様の効果か得られる。第７図は導体層
（１）を同軸クランク型にしたパッケージの他の実施例
を示す側断面図である。同図のように導体層（１１に挿
入する導体（５）の形状を歯型にすることにより共振周
波数か第２の実施例よりも高くなり、より高周波で使用
可能な高アイソレーシヨンパッケージとなる。
以上のように、この発明によれば導体層ｌをクランク形
にしたので、入出力ポート間の距離を延ばすことができ
るため、空中を伝播するマイクロ波を減少することがで
きパッケージを高アイソレーシヨン化でき、又高密度に
実装することか可能となる効果か得られる。（第１図）
さらに同軸クランク形にした導体層（１）に同軸状に導
体（５）を挿入したことにより、入出力ポート間に信号
線路以外の電気的シールドをはとこすようにしたことに
より、パッケージを高アイソレーシヨン化でき、高密度
実装化できる。（第２図）第３〜６図の実施例は導体層
（１）のクランク形状を左右上下に任意に連続させるよ
うにしたのて、パンケージの高アイソレーシヨン化でき
る上に、任意のチップに対応した高密度実装化てきる。
にしたので、入出力ポート間の距離を延ばすことができ
るため、空中を伝播するマイクロ波を減少することがで
きパッケージを高アイソレーシヨン化でき、又高密度に
実装することか可能となる効果か得られる。（第１図）
さらに同軸クランク形にした導体層（１）に同軸状に導
体（５）を挿入したことにより、入出力ポート間に信号
線路以外の電気的シールドをはとこすようにしたことに
より、パッケージを高アイソレーシヨン化でき、高密度
実装化できる。（第２図）第３〜６図の実施例は導体層
（１）のクランク形状を左右上下に任意に連続させるよ
うにしたのて、パンケージの高アイソレーシヨン化でき
る上に、任意のチップに対応した高密度実装化てきる。
第７図の実施例は第２の実施例での導体（５）の形状を
歯形にしたことにより、第２の実施例よりより高周波ま
で使用可能な高アイソレーシヨンパッケージとなる。
歯形にしたことにより、第２の実施例よりより高周波ま
で使用可能な高アイソレーシヨンパッケージとなる。
第１図はこの発明の一実施例によるパッケージを示す斜
視図。第２図はこの発明の第２の実施例を示す断面側面
図、第３〜第６図はこの発明の第１の実施例に係る他の
実施例を示す断面側面図。 第７図はこの発明の第２の実施例に係る他の実施例を示
す断面側面図、第８図は従来のパッケージを示す斜視図
である。図において、（１）は導体層、（２）は分布定
数線路、（３）は半導体集積回路、（４）はポンディン
グワイヤ、（５）は導体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 １、導体層 １分布定数線路 ３、半導体集積回路 ４、ボンディングワイヤ ５、導体 第３図 ４、ボンディングワイヤ 第５図 第６図 第７図 １．導体管 ２、分布定数線路 ３、半導体集積回路 ４ボンデイングワイヤ ５、導体 第８図 ６、リング−
視図。第２図はこの発明の第２の実施例を示す断面側面
図、第３〜第６図はこの発明の第１の実施例に係る他の
実施例を示す断面側面図。 第７図はこの発明の第２の実施例に係る他の実施例を示
す断面側面図、第８図は従来のパッケージを示す斜視図
である。図において、（１）は導体層、（２）は分布定
数線路、（３）は半導体集積回路、（４）はポンディン
グワイヤ、（５）は導体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 １、導体層 １分布定数線路 ３、半導体集積回路 ４、ボンディングワイヤ ５、導体 第３図 ４、ボンディングワイヤ 第５図 第６図 第７図 １．導体管 ２、分布定数線路 ３、半導体集積回路 ４ボンデイングワイヤ ５、導体 第８図 ６、リング−
Claims (1)
- 基板上に形成された半導体装置を半導体層上に少なく
とも１つは有する導体層において、第１〜第３の導体層
３個をクランク型又は同軸クランク型に接続し、上記第
１、第２及び、第２、第３の導体層上の半導体装置をお
のおの接続したことを特徴とするパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337493A JPH04207603A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337493A JPH04207603A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207603A true JPH04207603A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18309171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337493A Pending JPH04207603A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207603A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337493A patent/JPH04207603A/ja active Pending
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